CHƯƠNG 7: NĂNG LƯỢNG MẶT TRỜI

PHẦN 2: KHẢO SÁT VẬT LIỆU QUANG ĐIỆN

& CÁC ĐẶC TÍNH ĐIỆN ĐẶC TRƯNG
Giới thiệu chung
• Vật liệu hay linh kiện quang điện là gì?
• Là những vật liệu hay linh kiện có khả năng chuyển đổi năng lượng chứa trong quang tử ánh sáng thành điện năng.

• Hiện nay trái đất đang tiếp nhận nguồn quang năng gấp khoảng 6000 lần so với nhu cầu năng lượng cần
thiết.
• Lịch sử vật liệu quang điện bắt đầu vào năm 1839 (nhà vật lý Edmund Becquerel, 19 tuổi, người Pháp): chiếu
sáng điện cực kim loại đặt trong dung dịch điện phân => sinh ra điện áp.
• 1876, hai nhà khoa học, Adams và Day (nước Anh), đã khảo sát được hiệu ứng quang điện trong chất rắn =>
tế bào quang điện từ selenium, hiệu suất 2%.
• Năm 1904, Albert Einstein xuất bản công trình khoa học về lý thuyết chứng minh hiệu ứng quang điện =>
giải Nobel năm 1923
• Năm 1940 – 1950, quy trình Czochralski (nhà khoa học Ba Lan, Czochralski) đã áp dụng để chế tạo vật liệu
quang điện silicon - đơn tinh thể thế hệ đầu tiên => được dùng đến ngày nay.
Giới thiệu chung
• Năm 1950, vật liệu quang điện PV chưa thương mại hóa vì giá thành cao.
• 1958, PV được ứng dụng trên vệ tinh không gian Vanguard I.
• Vào những năm 70, cuộc khủng hoảng năng lượng diễn ra => tế bào quang
điện được đầu tư nghiên cứu.
• Cuối những năm 80, các sáng kiến cải tiến hiệu suất và giảm giá thành =>
PV được ứng dụng rộng rãi.
• Sang thập niên 90s, giá thành PV được kéo xuống thấp.
• Năm 2006, sản lượng PV đạt tới 600 MW và đang tăng trưởng đạt
40%/năm
• Theo báo cáo của Viện Fraunhofer Institute for Solar EnergySystems,
ISE:
kỷ lục hiệu suất tế bào quang điện trong phòng lab cho silic-đơn
tinh thể là 26,7%, và đa tinh thể là 22,3%. Còn với loại tế bào màng
mỏng CIGS là 22,9% và CdTe là 21%.
• Trong vòng 10 năm qua:
hiệu suất thương mại của tấm pin dùng công nghệ silic tăng từ
12% lên 17% (với loại siêu đơn tinh thể là 21%), trong khi pin màng
mỏng CdTe tăng từ 9% lên 16%.
Một số loại pin mặt trời ( theo tiêu chuẩn tier 1) đang được
lưu hành trên thị trường Việt Nam.
• A Solar 72-Cell Mono PERC Double Glass Module, 370Wp, 19%
JA Solar 72-Cell Poly Module, 335W , 17.2%
Jinko loại Eagle PERC 60 cell, mono, 360Wp, 18,57%
Jinko, loại Eagle 72 cell, 330Wp, poly, 17,01% (thuộc dự án ở Long An)
• Hanwa Q-cells, 72-cell, 340Wp, poly, 17.8%,
• Hanwa Q-cells, 60-cell module, 300Wp, mono, 18.3%
• SunPower P-series 19, 395Wp, mono, 19.1% (thuộc dự án ở Bình Thuận)
• SunPower E-series , 327Wp, mono, 20.4%
LonGi 72 cell, 365Wp, mono, half-cut, 18.5%
• LonGi, 320Wp, mono, PERC, 19.6%
• Canadian Solar, 295Wp-295P-FG, poly, 17.94%
• First Solar, thin-film, Series 6, 420Wp, 17% (đang sản xuất tại nhà máy ở Việt Nam)
• Về công suất Wp, % hiệu suất là thông số được kiểm định trong điều kiện chuẩn
(STC). Trong điều kiện thường, công suất có thể thay đổi, ví dụ, 320Wp (STC) chỉ
còn 237Wp (NOTC). Hoặc 420Wp-STC có thể xuống còn 317Wp (NOTC).

• Điều kiện chuẩn STC- (cường độ bức xạ 1000W/m2, đặc tính không khí AM 1.5,
nhiệt độ cell đạt 25°C).

• Điều kiện thường NOTC (cường độ bức xạ 800W/m2 , nhiệt độ môi trường
20°C, đặc tính không khí AM 1.5).
Vật lý bán dẫn
• Ge: Germanium
• Ga: Gallium
• As: Arsen
• Cd: Cadmium
• Te: Tellurium
Silic

• Si14
Silic - bán dẫn
• Nhiệt độ không tuyệt đối, silic cách điện hoàn toàn.
• Nhiệt độ tăng lên. (so sánh với độ dẫn điện của kim loại)
• Ứng dụng của tính chất: sự thay đổi độ dẫn điện theo nhiệt độ của
silic.
• Nhiệt độ thường (25oC), khả năng dẫn điện vẫn thấp
• Thêm phụ gia phù hợp.
Bandgap
• Lý thuyết vùng năng
lượng (kim loại, bán dẫn)
• Bandgap, Eg, eV.
• Silic, Eg = 1.12 eV.
• Tăng nhiệt, photons
=> e nhận 1.12 eV
=> nhảy lên vùng dẫn
=> hình thành lỗ trống
• e tự do được lỗ trống hấp
thụ lại => giải phóng năng
lượng dưới dạng photon
=> ứng dụng hiện tượng
này để chế tạo diod phát
quang
điện tử tự do di
chuyển và lỗ trống
di chuyển
(tác động bởi
photon từ nguồn
sáng mặt trời)
Quan hệ năng lượng photon và bước sóng,
tần số

• c: vận tốc ánh sáng (3.108 m/s)

Vật lý bán dẫn _Bandgap
Vật lý bán dẫn _ Khảo sát quang phổ mặt trời
• Bandgap thấp, số cặp e và lỗ trống tăng lên nhưng % năng lượng thất
thoát tăng. (dòng lớn, điện áp thấp)
• Bandgap cao, dòng nhỏ, điện áp cao.
• Tối ưu để công suất điện cao => bandgap giữa 1.2 eV và 1.8 eV.
Vật lý bán dẫn _ Ảnh hưởng của năng lượng
bandgap đối với hiệu suất quang điện
• Hiệu suất khoảng 20-25%, thấp hơn nhiều so với mốc 50%, vì các yếu
tố gây tổn hao:
• Chỉ khoảng từ 1/2 đến 2/3 giá trị điện áp của mức năng lượng vượt ngưỡng
(band gap) được đưa ra ngõ ra của tế bào quang.
• Hiện tượng tái kết hợp lỗ - điện tử.
• Quang tử một phần không được hấp thu do phản xạ, xuyên qua, hoặc vướng
đường dây dẫn.
• Điện trở nội trong tế bào quang.
Vật lý bán dẫn _ Khảo sát tiếp giáp p-n
• Bán dẫn loại n: pha tạp chất hóa trị V
• Bán dẫn loại p: pha tạp chất hóa trị III
Vùng cấm
Khảo sát đặc tính I-V của tiếp giáp p-n
Tế bào quang điện
Tế bào quang điện_Mạch tương đương đơn
giản nhất.
Mạch tương đương chính xác của tế bào quang điện
Mạch tương đương chính xác của tế bào quang điện
Mạch tương đương chính xác của tế bào quang điện

Tổn hao thực do dòng rò của tế bào quang thường không quá 1% so với ISC
Mạch tương đương chính xác của tế bào quang điện
Mạch tương đương chính xác của tế bào quang điện
Mạch tương đương chính xác của tế bào quang điện
Mạch tương đương chính xác của tế bào quang điện
THIẾT KẾ MÔ ĐUN PV
Mô đun PV gồm nhiều cell nối tiếp
Mắc nối tiếp nhiều Mô đun
Mắc song song nhiều Mô đun
Ghép nối nhiều Mô đun mắc hỗn hợp
Ghép nối nhiều Mô đun mắc hỗn hợp
KHẢO SÁT ĐẶC TÍNH I-V TRONG ĐIỀU KIỆN THỬ NGHIỆM
TIÊU CHUẨN (STC-Standard Test Conditions)
KHẢO SÁT ĐẶC TÍNH I-V TRONG ĐIỀU KIỆN THỬ NGHIỆM
TIÊU CHUẨN (STC-Standard Test Conditions)
KHẢO SÁT ĐẶC TÍNH I-V TRONG ĐIỀU KIỆN THỬ NGHIỆM
TIÊU CHUẨN (STC-Standard Test Conditions)
Tác động của nhiệt độ và độ rọi lên đặc tính I-V của tế
bào quang điện
Tác động của nhiệt độ và độ rọi lên đặc tính I-V của tế
bào quang điện
Tác động của nhiệt độ và độ rọi lên đặc tính I-V của tế
bào quang điện
Tác động do bóng che
Tác động do bóng che
Tác động do bóng che
Tác động do bóng che
Tác động do bóng che
Tác động do bóng che
Tác động do bóng che
Tác động do bóng che
Tác động do bóng che