TEMAS SELECTOS DE INGENIERIA EI transistor bipolar de unién Segunda ediclén Gerold W. Neudeck Purdue University Versi6n en espafiol de Bartolomé Fabian-Frankel Universidad Tecnolégica Nacicnal Buenos Aires, Argentina Con la colaboracién de Juan Miguel Lépez Universidad Politécnica de Caieluhia Barcelona, Espafia ¢Y IBEROAMERICANA iy ADDISON-WESLEY Ie nac tao Epa Ania “Bol sen Pore iVersién en expafcl de la obra The Bipolar Juction Transistor, Second Edition, de Gerold Wr Co., E.U.A.© 1989 Neudeck, publicada originalmente en i ‘Addison-Wesley Publishing por Addison: Wedley Pebishing Co, aan Esta ediciGn en espatiol es la nica autorizada. ADDISON-WESLEY IBEROAMERICANA © 1994 por Addison-Wesley Iberoamericana, S.A. ‘Wilmington, Delaware, E.U.A. Impreso en Estados Unidos. Printed in U.S.A. ISBN 0-201-60143-5 123456789 10-CRS-98 97 96 95 94 eqvererrerrrrrrrrrrrrryyyyyyes ORR PPPPPPPP PPP PP PP PP PP,indice general Introduccién 1 Introduceién a los transistores bipolares de unién 1, Terminologia y simbolos 1.2'Funcionamiento cualitativo en la regi6n activa 1.2.1 El transi 1.2.2 El transistor n+ pn 1.3 Fabricaci6n 1.4 Definiciones de circuito 1.5 Resumen Problemas 2. El transistor de unién ideal 2.1 Anilisis cuantitativo: plan estratégico 2.1.1 Notaci6n 2.1.2 Definiciones de corrientes 2.1.3 Solucién para Ia regién de volumen 2.1.4 Condiciones de contorno <2.13 Comtiente de emisor < 2.1.6 Corriente de colector 2.1.7 Corriente de base \.2.2 El transistor bipolar ideal 2.3 Las corrientes en el transistor pnp ideal 2.3.1 Regién activa 2.3.2 Regi6n de saturacién 2.3.3 Regign de corte 2.3.4 Funcionamiento inverso < 24 Caracteristicas ideales I-V 2.4.1 Base comin 2.4.2 Emisor comin 2.4.3 Ig para el transistor pnp € Ioyy para el transistor npn 2.5 Ecuaciones de Ebers-Moll 2.6 Resumen Problemas3. Desviaciones respecto al transistor ideal 3.1 Recombinacién en la base 3.1.1 Casi ideal 3.1.2 Transistor casi ideal completo \3-2Modulacién de la anchura de la base 3 Perforaci6n y avalanchas 3.3.1 Perforacién 3.3.2 Ruptura por avalancha 3.4 Efectos geométricos 3.4.1 Area de emisor # drea de colector 3.4.2 Resistencia en la regién de volumen y en el contacto 3.43 Aglomeracién de corriente 3.5 Generacién-recombinaci6n en la regién de vaciamiento 33.5.1 Revisi6n de la aglomeracién de corriente 3.6 Resumen Problemas 4. Modelos de pequefia sefial 4.1 Modelo de baja frecuencia 4.2 Modelo hibrido-pi de baja frecuencia 4.2.1 No ideal 43 Modelo hfbrido-pi de alta frecuencia 4,4 Resumen Problemas 5 Transitorios de conmutacién 5.1 Modelo de control de carga ‘5.2 Transitorio a saturaci6n 5.3 Transitorio a corte 53.11,a0 5321,a-h 5.4 Resumen Problemas Apéndice A. Ejercicios: problemas y soluciones Apéndice B. Problemas de revisién con soluciones Problemas de revisin Soluciones a los problemas de revision Apéndice C. Lecturas recomendadas Apéndice D. Lista de simbolos Apéndice E. Tablas Indice de materias vi BS sy 28 8 S B8REE § y) ORPPRPPPPPPPPPPPP PPP PP PP thPrefacio Los dispositivos de estado s6lido han alcanzado un nivel de perfeccionamientoe importan- cia econémica que excedié las més altas expectativas de sus inventores. Al ofrecer permanentemente dispositivos de mejor comportamiento a un costo unitario decreciente, la industria electrénica ha penetrado en mercados nunca antes considerados. Como requisito para mantener esta iniciativa de crecimiento, es necesaria una amplia compren- si6n del funcionamiento intemo de los dispositivos de estado s6lido por parte de los disefia- doresmodemos de circuitos electrénicos y sistemas. Estoes esencial, pues tantoel sistema ‘comoel circuito y los procesos de disefio del circuito integrado se fusionan en una funciGn inica. Teniendo en consideraciGn los requerimientos actuales y proyectados, hemos escrito una serie de textos* que brindan una fundamentaci6n intuitiva y analitica firme para tratar los dispositivos de estado s6lido. ‘Nuestros libros estén destinados a estudiantes de los tltimos afios de los cursos bésicos © del primero del superior, que hayan tenido al menos una exposici6n introductoria a la teorfa del campo eléctrico. Se pone énfasis en el desarrollo de una comprensién fundamen- tal sobre el funcionamiento interno de la mayorfa de las estructuras bésicas de los dis- ositivos de estado s6lido. Quitando algunos temas, el material de estos libros se utiliza en cursos de ingenierfa eléctrica y electrénica en la Purdue University. Los diversos libros son relativamente independientes entre sf, aunque algunas férmu- las necesariamente se repiten, y se hacen referencias cruzadas. Esta flexibilidad permite utilizar los libros de acuerdo con las necesidades especificas de cada curriculo universita- rio, ya sean como textos de un curso completo o como material complementario. También se espera que estudiantes, ingenieros y cientificos encuentren titles estos libros para su instruccién personal, sea como referencia, repaso o estudio en casa. ‘Muchos de los textos estiindar sobre dispositivos se han escrito como enciclopedias, atiborrados de informacién pero con poca visiGn sobre cémoe! estudiante aprende orazona, Los libros que son de naturaleza enciclopédica frecuentemente resultan dificiles de leer para los estudiantes e incluso pueden presentar barreras a la comprensién. Al fragmentar ‘el material en unidades de informaci6n més pequefias, y al escribir para estudiantes, cesperamos haber logrado libros realmente legibles y comprensibles. También hemos ‘buscado obtener un balance equilibrado entre presentacién de conceptos bisicos ¢ informa- ci6n préctica. | Los problemas que aparecen al final de cada capftulo constituyen componentes importantes del programa de aprendizaje. Algunos de esos problemas amplian la teorfa expuesta en el texto 0 estén elaborados para reforzar temas de mucha importancis; btros son problemas numéricos que proporcionan al lector una sensacin intutiva sobre ladimensi6n tfpica de los parémetros clave. Entonces, cuando se establezcan o presupon-gan aproximaciones, el estudiante podré confiar en que unas cantidades citadas serén ‘fectivamente més pequefias que otras en varios 6rdenes de magnitud. Estos problemas de final de capitulo varfan en dificultad, desde ser muy sencillos, hasta llegar a consttuir verdaderos desafios. En la segunda ediciGn de este titulo se han agregado problemas Tesueltos o ejercicios, que aparecen recopilados en el apéndice A, y se hace referencia a ‘llos en el texto Los ejercicios son de naturaleza similar a los problemas de final de capitulo. Finalmente, el apéndice B contiene grupos de problemas con soluciones de revisién que abarcan todo el volumen. Estos conjuntos presentan consultas de res- puesta breve, del tipo uilizado en eximenes o evaluaciones, y pueden servir de revision o para autoevaluaci6n. Reiteramos que en nuestros libros se pone énfasis en el desarrollode una comprensién definida sobre el funcionamiento intrinseco de Ia mayor parte de las estructuras de los dispostives de estado slo. No obstants, tenemos la esperanza de que ayudarén (y «qizds motivarn) al lector para extender sus conocimientos al aprendizae sobre muchos aires dispositives yaen uso, y aun a buscar informacién sobre los que estén en etapa de desarrollo en laboratorios. Gerold W. Neudeck Robert F. Pierret Purdue University Nota al lector de la versién en espafiol La presente obra fue publicada en inglés dentro de 1a serie "Modular Series on Solid State Danjoes" de Addison-Wesley Publishing Company. De esa serie, se encuentran disponibles en cespafiol los siguientes titulos: 1. Pierret, RIF, Fundamentos de semiconductores, Segunda edicin 2. Neudeck, G.W., El diodo PN de unién. Segunda edicion 3, Neudeck, G.W., El transistor bipolar de unién. Segunda edicion 4 Pierre, RP, Dispositivos de efecto de campo. Segunda edicion “Todor son parte de ia serie Temas Selectos de Ingenierfa de Addison-Wesley Tperoamericana Se mupiere al lector estudiar los libros en el orden aribaindicado, ya que asf fueron con. cebidos originalmente. PrPrPpPpereeere.: Introduce! ion * Este volumen se centraenel transistor bipolar de uni6n (BIT, bipolar junction transistor), presentando descripciones cualitativas y cuantitativas del dispositivo. Hay dos formas ‘ésicas del transistor bipolar, la npn y la pnp, denominadas asf por las tres capas de semiconductor utilizadas para su construccién, Ambas formas son de uso general como dispositivos discretos individuales y en circuitos integrados. Enmuchos disefios decircuitos € ‘se prefiere la versi6n npn debido a su ganancia generalmente mds alta y a su conmutacién : ms velo, ~~ ~ a Para lograr una presentaci6n eficiente del transistor bipolar de uni6n se aplican directa- ‘mente muchos de os conceptos y deducciones desarrollados en el libro Eldiodo PN de union (deesta serie) para el diodo de unin. Sin cl transistor bipolar difiere del diodo _- 9-08 que el transistor puede brindar ganancias de corriente, de voltaje y de potencia. Es un <=" dispositivo activo, mientras qué el diodo, como laresistencia, es un dispositivo pasivo. Por lo tanto, se hace énfasis en la cualidad del transistor de lograr ganancia. Los transistores bipolares npn y pnp son complementarios. Esto significa que los dispo- sitivos presentan intercambio de tipos de materiales (n por p y p por n) y tienen polaridades ‘opuestas en todos sus voltajes y corrientes. Usamos esta idea de complementos en lugar de repetir las descripciones fisicas, las corrientes y los voltajes para los transistores pnp y npn. En los capitulos siguientes se utiliza el pnp para el desarrollo de los conceptos y ecuaciones que describen el transistor bipolar, porque los sentidos de las corrientes y los. : {lujos de portadores son de més facil descripcién. Comoel npn es el complemento del pnp, ‘ s6lo se necesita permutar todas las polaridades de las corrientes y voltajes para describir tise el npn. ’ El capitulo 1 establece las direcciones de referencia de los voltajes y corrientes, ast como una descripcién cualitativa de la acci6n del transistor bipolar y su fabricacién. ‘También se definen las regiones 0 zonas de funcionamiento y los flujos de portadores para esas regiones. El capitulo 2 bosqueja un “plan estratégico” para hallarlas concentraciones de portadores en la base, y presenta las ecuaciones necesarias para lograr las corrientes de Jos terminales en funci6n de los voltajes en esos terminales. Se define un transistor bipolar ideal y se determinan sus corrientes terminales. También se analizan en el capitulo 2 las regiones de funcionamiento del transistor pnp ideal y se dan sus caracteristicas I-V de ‘entrada y salida en emisor comin, Se determinan y analizan cualitativamente los valores de oc de alfa, beta, eficiencia de inyecci6n de emisor, [oy Icgy- Se deducen las ecuacio- nes deEbers-Moll parael dispositivo ideal y se constata su validez para as cuatro regiones Ge funcionamiento. Esas ecuaciones incluyen el modelo no lineal de ce para los disposi- tives bipolares y cumplen un papel similar al de la ecuaciGn del diodo ideal en el caso del diodo. PS SSEGCCENSSEUSEMSEGERLULLLULESEEELSELLLELLELLELLLLLas desviaciones de los dispositivos reales con respecto al transistor ideal son el tema del capitulo 3. Se comienza por presentar la inacién en la base, que lego se simplifica para el BIT casi ideal. Se investigan las modificaciones del espesor de la base, _ j= la ruptura por avalancha, la perforaci6n, la recombinaciGn-generaci6n y los efectos de ~ ~ graduacién de la base. El capftulo 4 desarrolla el modelo hibrido-pi de pequefia sefial y | baja frecuencia, para el transistor ideal. Luego se incluyen efectos no ideales para comple- i tarel modelo de baja frecuencia, Serevisan las capacidades de vaciamiento y de difusion | del dispositivo para agregarlas al modelo en sefial de alta frecuencia. Finalmente, enel | capftulo 5 se introduce el modelo de control de carga y se deduce el tiempo de almace- | namiento para un transistor saturado que se conmuta hacia el corte, con un escalén de | corriente de base. También se deduce el transitorio de corte a saturaci6n. |"| TERMINOLOGIA Y SIMBOLOS SSSR NCAA ATT BW WEE ED EEE 1 Introduccion a los transistores bipolares de union Por definici6n, ciaiobee unin es un dispositivo semiconductor que contiene tres porciones vecinas dopadas altemnativamente, en el cual laregién media es muy estrecha_ en comparaci6n con la longitud de difusién de portadores min; ‘minoritarios correspondiente "aesa zona, Como se puede ver en la figura 1.1(a), el contacto de la regién central estrecha Thacia el mundo exterior se conoce como base. Los contactos en las porciones externas reciben los nombres de emisor y colector. Las designaciones de emisor y eolector nacen. de las funciones que cumplen estas zonas en el funcionamiento del dispositivo;, obser: vvando la figura 1.1(a), podria parecer que estas dos regiones son intercambiables. Sin embargo, en los dispositivos précticos actuales, la zona emisora generalmente est mucho iar los terminales sin, modificar las ~ Bn la figura 1.1(b) se ilustra el simbolo circuital utilizado para el transistor de unién + pnp, all mismo tiempo que se definen simulténeamente las polaridades de voltaje Y corriente pertinentes, Aunque en esta figura aparecen los signos “+” y “- para definir las polaridades de los voltajes, en realidad son redundantes porque el doble subindice en el simbolo de voltaje indica igualmente dichas polaridades. El primer subindice especifica Ja referencia de polaridad supuesta como “+”, Por ejemplo, Vag supone que “E” iene el signo “+” y “B” el'signo“-". Notese que como consecuencia de las leyes de Kirchhoff, solamente hay dos voltajes y dos corrientes independientes. Si se conocen dos voltajes © corrientes, se conoce también la tercera. é + Veo Emisor [Base] Colector * (tipo P| () | tipo Yes i Ye 8 Figura 1.1. Transistor bipolar pnp : (a) tipos de semiconductor; (b) simbolo en circuito con polati- dades de voltaje y corriente.‘A lo largo de este libro se eligieron direcciones de referencia de corriente en coincidencia con el flujo fisico de corriente en la zona activa de cada dispositivo, en lugar de adoptar Ia convencién esténdar del (Institute of Electrical and Electronic Engineers, Instituto de Ingenieros Eléctricos y Electrénicos) de que en todos los clegidas, todas las corrientes en la regiGn activa son magnitudes positivas, lo que facili talaargumentacion para l lector. También brinda una base més intutiva para Ia comprensiGn de! flujo fisico de portadores en el dispositivo. Enla figura 1.2(a) se ve el complemento del pnp: el transistor npn. Por “complemento” se entiende el intercambio de p por n y de n por p. En la figura 1.2(b) se puede ver las _ direcciones de referencia para el npn. Si se comparan las figuras 1.1(b) y 1-2(b) queda claro que para obtener el complements del pnp, el npn, deben invertirse todas Ias_ fe polaridades de corrientes y voltajes, Si se conoce el pnp, ribir el npn s6lo se “Recesita Invertir las polaridades y el sentido de la conducci6n. Esta obra se centra en el Be ‘sigue més directamente el formato de las eau: s y polaridades desarro- lado en el libro El diodo PN de unién (de esta serie) para el diodo de uni6n. No obstante, el ntpn se utiliza con mayor frecuencia en la mayorfa de los disefios de IC (integrated circuits, circuitos integrados). ‘Se puede pensar en el transistor pnp de la figura 1.1(a) como en dos uniones p-n muy préximas. Una uniGn esté constituida por el emisor y la base y a otra por las regiones de colector y base. La regién de base de tipo n es tfpicamente menor que 1 jim de ancho . L (mucho menos que una longitud de difusi6n de portadores minortarios). Debido a la Girecha proximidad de las dos uniones, éstas interactiian entre sf, con lo que el transistor puede presentar ganancias de corriente y de voltaje. Enel capitulo? se presentaun anslisis més detallado de su interacci6n y ganancia. Eltransistor bipolar tiene cuatro regiones 0 zonas de funcionamiento o polatizacionen cc, Las “regiones de funcionamiento” se determinan de acuerdo con las polaridades de los. “Voltajes en las uniones colector-base y emisor-base. Por ejemplo, el diodo de uni6n tenia dos regiones de funcionamiento, lade polarizacién directa y la de polarizacién inversa, deacuerdocon la polaridad del voltaje de 1a uni6n. La zona més comin de funcionamiento del transistor bipolar es la zona activa, que se define como aquella que tiene la unién f E-B polarizada en directa y la unién C-B polarizada en inversa. Paral p*np esto signifi- ca que la E-B tiene una polaridad de “+” a “~” y que la C-B tiene una polaridad de “—" a “+”, Casi todos los amplificadores de sefial lineales, como los amplificadores operacionales, tienen sus transistores bipolares polarizados en la regiGn activa, porque en 7s sa regi6n tienen mayor ganancia de sefial y menor distorsiGn. Figura 1.2.‘Transistor bipolar npn: (a) tipos de semiconductor; (b) polaridades de referencia de voltaje y corriente. EET TEETETITTT ETSY SSS SSSA PAA PAPAPP PIP PIPII99La zona o regién de saturacién se define como aquella en la que tanto la uni6n E~ B como la unién C-B est4n polarizadas en directa. Para el pnp, esto significa que los voltajes Vip Y Ven Son positivos. En los circuitos I6gicos y cuando el transistor acta como conmutador, esto implica la regién de funcionamiento en la que IVeql es pequefia e icles elevada; es decir, el dispositivo acta como un conmutador cerrado, ‘sea en “conduccién”. Un conmutador cerrado tiene poco o ningtin voltaje entre sus bornes aun cuando fluya una corriente elevada. En un circuito l6gico, denominamos a esto un nivel l6gico cero 0 “bajo”. Definimos la zona o regién de corte como aquella en la que ambas uniones estin polarizadas en inversa. Para el transistor pnp esto hace necesario un voltaje negativo de Vp y de Veg. Esto representa generalmente el estado abierto, 0 sea en “corte”, para el transistor como conmutador, 0 el nivel légico uno 0 “alto” en circuitos digitales. ‘Cuando est4 en “corte”, el transistor es similar a un circuito abierto en que lI! €s casi cero y [Vogl €s elevado. La cuarta regién de funcionamiento es la zona o regién inversa, denominada tam- bién regidn activa inversa. Para el funcionamiento en activa inversa, la uni6n E-B est4 polarizada en inversa y la unin C-B lo esti en directa. Se podria pensar que el caso activo inverso es aquel en el que el colector funciona como emisor y el emisor lo hace como colector, es decir, que él dispositivo se usa en forma inversa. El uso més comtin de esta zona de funcionamiento es en circuitos de I6gica digital, como la légica TTL (transistor-transistor-logic), en los que la ganancia de sefial no es un objetivo. Se puede ver en la figura 1.3(a) los voltajes Veg ¥ Vcg para las cuatro regiones de funcionamiento del pnp. Se observa que el “complemento” de la figura 1.3(a), la figura 1.3(©), corresponde al transistor n*pn que tiene Vy ¥ Vyc como ejes de coordenadas. En la figura 1.3(b) aparecen Jas regiones de funcionamiento en las caracteristicas I-V de salida del p*np, mientras que la figura 1.3(d) las representa para el dispositivo n*pn. Cada una de estas regiones seré tratada con mucho mAs detalle en el capitulo 2. En aplicaciones de circuito, el transistor funciona tfpicamente con un terminal comin entre la entrada y la salida, ya sea en cc 0 en sefial con una masa comin, Debido a que el transistor tiene solamente tres terminales, hay tres tipos posibles de amplificador. Se designan como en base comiin, emisor comiin y colector comin; estos nombres indican el terminal que es comtin a los circuitos tanto de entrada como de salida, como se puede ver en las figuras 1.4(a), (b) y (©), respectivamente, para el pnp. Entre estos tres tipos de amplificadores, generalmente el més utilizado peel de emisor comin. Al describir el amplificador y sus caracterfsticas J-V, no se tiene en cuenta la corriente en el terminal “comtin”. Por ejemplo, el amplificadoren Emisor comiin tiene las variables de salida vac € ic. Sus variables de entrada Son pq o'r, Se hace notar nuevamente que si se conocen dos corrientes (0 voltajes), farboign se conoce la tercera a partir de las leyes de Kirchhoff. Porlotanto, describir tl emisor comiin por las caracterfsticas -V de salida y entrada implica que se pueden calcular las caracterfsticas en base comin y colector comin. El transistor yon es el complemento del pnp, invirtiendo todas las polaridades de voltajes y corrientes.Yeo Figura 1.3 Regiones de funcionamiento: (a) polaridades de las uniones p “np; (b) caracterfsti- ‘cas de salida de un transistor p ‘np; (c) polaridades de las uniones n * pn; (4) caracterfs- ticas de salida de un transistor n ‘pn. VEASE EL EJERCICIO 1.1. APENDICE A FUNCIONAMIENTO CUALITATIVO EN LA REGION ACTIVA EI BIT (bipolar junction transistor, transistor bipolas de uni6n) p*np se analiza primero ;ncionar con mucha frecuencia en este andlisis y porque utiliza algunos eentltados de la uni6n p*n del libro El diodo PN de unidn. Como en muchas aplicaciones de circuito se utiliza extensamente el BJT n*pn, también se presenta aqut. El propésito de sta secci6n es desarrollar el funcionamiento del BJT desde un punto de vista cualitativo, antes de saltar a las descripciones matemiticas del capitulo 2. porque se va a melNPN me Activa directa eee nl Activa inversa am %e— Saturacién @ Figura 1.3. (continuacién) 1.2.1 El transistor p°np ‘Antes de poder comprender cémo funciona un transistor, s necesario establecer algunos hechos bisicos. Para hacerlo, se comienza por analizar un transistor pnp en.equilibrio._ sam nla fgora 15() Se puede ver un diagrama de bandss de enerfa par egiones ‘aniformemente dopadas, donde el emisor tipo p esté mucho més dopado que el colector. [La magnitud del dopado de la base tipo nes inferior a la del emisor pero mayor que la del colector. Hay que notar que esta figura es precisamente una extensin del caso dé equilibrio térmico para la unién p-n, aplicado a una union p*—n_y una ‘uni6n np Shiremadamente cercanas. Todos los argumentos fisicos que se presentaron nel capitulo J de libro sobre el diodo pm son aplicables alas uniones EB y BC. El potencial interno (Vg), Ta densidad de carga, los campos elétrcos, et. tratados al siguensiendo vélides peta cada union Las figuras 1.5(b)y (€) muestran las densidades de cargasy los campos@ a ie (ec - p——ee+ & |2 fae -Be—— 0 vec Salida nee—aIh Yeo Sali Entrada yep ei Entrada Yoo P \ +eo—_t_+-+ +o—_tb—_ - © © Figura 1.4 Tipos de amplificador para un transistor pnp: (a) en base comin; (b) en emisor comtn (©) en colector comtin. eléctricos en las dos regiones de vaciamiento. El grafico de representacién del potencial V(), es una imagen invertida del diagrama de bandas de energfa y no aparece aqui Hacemos notar que en la figura 1.5(a), las regiones de vaciamiento aparecen rotulada ‘como W,y We, para las uniones de emisor a base y colector a base, respectivamente Nétese también que la regi6n de volumen de base ahora aparece etiquetada como W, y ne debe ser confundida con la regién de vaciamiento del diodo. Cuando hay equilibrio térmico no hay flujo neto de corriente; por | “componentes de difusién para cada tipo de portador en cada unin. Si se suponen unione; “jdeales, todos los anchos de difusi6n, campos eléctricos, etc., se calculan por medio de las formulas que se introdujeron para el diodo ideal, en el mismo capitulo 2 de aquel libro El dispositivo pnp polarizado en la regi6n activa requiere que el emisor tenga ur potencial mayor que el de la base y el colector un potencial menor. En la figura 1.6(a) s puede ver el diagrama de bandas de energia en equilibrio térmico y para funcionamientc en la regi6n activa, En este diagrama de bandas de energia se dejé fija la base y se redujc el emisor al voltaje positivo aplicado a esa regiOn de volumen, Cuando la unin E-B sc polariza en directa, se puede ver que se reduce la barrera para los huecos que entran en I regiGn de base tipo n, desde el emisor’, como sucedia en el caso del diodo en polarizacié directa; los huecos pueden inyectarse desde el emisorhacia la base. También hay que teney ‘encuenta que se ha reducido la barrera para los electrones en la base y que éstos se inyectay desde la base hacia el emisor. El efecto combinado es que la unién E-B polarizada directamente crea una corriente positiva de emisor. Como en el caso del diodo, lag corrientes de difusién para electrones y huecos se han incrementado exponencialmente con un aumento de Veg.re) + bade » ped de woe sueyor ® 6 Figura 1.5. Transistor p *np en equilibrio térmico: (a) diagrama de bandas de energfa; (b) densidad de cargas; (c) campo eléctrico, La uni6n colector-base est polarizada en inversa para el funcionamiento en la regién activa, y el lado derecho (el colector) de la figura 1.6(a) es elevado respecto a laregiGn de. base tipo n. Esto eleva efectivamente la barrera para los electrones de la base que quieran “Viajar hacia el colector. En forma similar se incrementa la barrera de huecos desde el colector a base, pero se debe observar que los huecos inyectados desde el emisor (es decir, ‘que provienen de él) en la base muy estrecha (<1 1m) se difunden facilmente através de ella, y encuentran una cima de potencial por la cual pueden deslizarse” hacia el colector. El lector puede ahora descubrir una pista que explica el término emisor (inyector de > Recuérdese que en un diagrama de bandas de energia de electrons, los huecos tienden a “flotar”y los, ‘lectrones a hundise.a Eel ene (a) Qusesy #E Uy veils ans | fea ene fete () Figura 1.6 p*npen a.egion activa: (a) diagrama de bandas de energfa (— equilibrio térmico, regi6n activa); (b) componentes de corriente y flujo de portadores. portadores) y colector (recolector de aquellos inyectados en otros lugares). Si casi todos Jos huecos inyectados desde el emisoratraviesan abase, con menos del 1% recombindndose en la region de base n, la corriente de huecos del colector es levemente inferior a la corriente de huecos del emisor. La componente de electrones en la corriente de colector proviene de los electrones minoritarios generados térmicamente en el borde del colee- tor tipo p, que caen a la base por la pendiente de la barrera de potencial. Para que se produzca cualquier tipo de “interaccién” entre ambas uniones del transistor, éstas deten estar separadas de tal modo que el ancho de la base sea mucho menor que la Tongitud de difusi6n de los portadores minoritarios (huecos en la base). Si no es el caso, Iecstructura del pnp no pasa de ser lade dos diodos adosados espalda con espalda; es decir, todos los huecos inyectados desde el emisor se recombinan en la base y nunea alcanzan a uni6n C-B polarizada inversamente, ‘Observando el interior del dispositive, zqué se ve desde el punto de vista de la electrosté- tica? Ante todo, alrededor de las uniones metaldrgicas de emisor-base y de colector-base hay una region de vaciamiento. La regin de carga espacial EB serd menor que en4 i ACCEL CCCCEEEEEC CECE ‘equilibrio porque esta unin se encuentra polarizada directamente. La regin de vacia- miento_de Ja uni6n C-B seré més ancha que en equilibrio, porque esta_unién est polarizada en inversa, Por lo tanto, se puede visualizar que la situacién es parecida alo que se ve en la figura 1.6(b). Debe notarse que parte de la base, de ancho W, es casineutra; es decir, esencialmente no contiene campo eléctrico. Poriemos énfasis en que la anchura de Tabase Wasi neutra, noes igual ala anchurade la base metalirgica, W,,. Espectficamente, Wes la anchura de la base metalirgica menos las regiones de vaciamiento de la base. Enelestudio precedente se concentré el andlisis en la corriente de huecos que fluyé cemisor hacia el colector para establecer varios hechos de importan ta importancia. Esa informacién 'e puede ampliar cualitativamente examinando las components de la corriente de base del sistema. Para ello se recurre a la figura 1.6(b), donde aparecen los diagramas en los {que estén todas las componentes principales de corriente” (exceptuando las corrientes de recombinaci6n-generaci6n en la regién de vaciamiento, que por el momento no se conside- ran), Las tres componentes de la corriente de base de la regiGn activa se etiquetaron en esta figura como Ip), Igy ¢ Jy3- Ellas constituyen en conjunto toda la corriente que sale por la base, como sigue: (1) /,, corresponde a la corriente que surge de Jos electrones que se inyectan (difusi6n) a través de la unién EB polarizada directamente desde la base hacia el emisor. (2) Igy corresponde a los electrones que deben entrar a la base para reemplazar los electrones utilizados en recombinaciones con huecos inyectados desde el emisor. Solamente una cantidad muy pequefia de huecos inyectados producen recombinacin ntras la mayor parte de ellos pasa hacia elcolector a través de la base. (3)1,, es aquella parte de la corriente de colector debida a ies generados térmicam posicidn esta dentro de una vez Ia Tongitud de dit que caen por la pendiente de potencial desde el En la prdctica los transistores se fabrican de modo que el dopado del emisor sea mucho mayor que el dopado de la base, y que a su vez éste sea mucho mayor que el dopado del colector. {Qué efecto tiene esto en la medida de la corriente en el transistor? Como el dopado del emisor es mucho mayor que el de la base, la corriente de huecos a través de Ia uni6n E-B (J,,) debe set mucho mayor que la corriente de electrones (Ig = Iy,), como sucede en el diodo p*-n. Por lo tanto, J, ¢s aproximadamente igual a la corriente de huecos inyectada en la base; es decir fp, € Ip, © ly ® Igq.Como sehace W < Ly se pierden muy pocos huecos al atravesar la base y también J,, seré mucho menor que J,. Finalmente, como [,, corresponde a una corriente de saturacién en polarizacién inversa en la unién C-B, también serd muy pequetia, e/, ser4 aproximadamente igual alacorriente de huecos ue pasan a través de la base. Sumando todos estos hechos se concluye que en la prictica, en condiciones de polarizaci6n en la regién activa: 1. Lacorriente de huecos inyectada desde B-B es Jy, = Ip» Con fy levemente mayor ale 2. Ip < lo Oly. a posibilidad de obtener una gran ganancia de corriente del transistor bipolar para el dispositive en emisor comin, se origina en el hecho de que una pequefia corriente de base * Loselectrones generados térmicamente en el emisor se desprecian porque, debido alos fuestes ‘son muy potos los portadores generados, Los huecos generados en labase también se desprecian porque Wee equa y no son muchos los portadores generados.brinda electrones para recombinacién con huecos que provienen del emisor y para reinyeccién en cl emisor. La ganancia de corriente [-/I, es elevada porque una uniGn p*n (-B) sblo requiere una pequefa corriente de clectrones para conseguir una elevada Corriente de huecos. Dicho de otra forma, una pequefia corriente de base fuerza a que E-B quede polarizadadirectamentee inyecte una gran cantidad de huecos que atraviesan | labase. “hacia ef colector. 1.22 El transistor n‘pn Considere el caso de un diagrama de bandas de energfa para un transistor npn en equilibrio térmico, similar al dela figura 1.6(a) y que aparece en la figura 1.72). Esta figura ilustra Yaiagrama de bandas de energia para regiones dopadas de manera uniforme, donde el emisor esta dopado tipo n mAs fuertemente que el colector. La magnitud del dopado tipo cme labase ex menor que Ia del emisor pero mayor que la del colector. Puede Verse que esta figura es precisamente una extensiGn del caso de equilibrio térmico de una unién p- praplicado a una uni6nn*-py una uni6n p-n muy prOximas. Cuandohay equilibriotérmico fo hay flujo neto de corriente, por lo que las corrientes de arrastre y difusi6n para cada, tipo de portador se cancelan entre s{ para cada unin, Tin la figura 1.7(a) se veel diagrama de bandas de energta para equilibrio térmico y para fancionamiento en la regiGn activa. El dispositivo npn polarizado en la regin activa requiiere que el emisor tenga una energia superior a Ia de la base, debido al potencial ewativo con respecto ala base. Observe que se reduce la barrera para los electrones que seein cn la region de la base p desde el emisor y los electrones pueden ser inyectados Gesde el emisor hacia la base. Es necesario resaltar que la barrera para huecos en la base también se reduce y se inyectan huecos desde la base hacia el emisor. Elefecto combinado tes que la unin B-E polarizada directamente genera una corriente positiva que sale del ‘emisor. Recuerde que el flujo convencional de corriente es opuesto al flujo de electrones. ‘La uni6n colector-base est4 polarizada inversamente para el funcionamiento en la regién activa y el lado derecho (el colector) dela figura 1.7(a) se baj6respecto ala region de base tipo p. Esto eleva efectivamente Ia barrera para los huecos dela base que traten de \iajar hacia 6 colector. En forma similar se incrementa la barrera para los electrones del vavetor a la base. Sin embargo, se debe observar que los electrones inyectados desde el corfor en ia base muy delgada (<1 im) se difunden fécilmente a través de ell, encontrando una cima de potencial por la cual deslizarse hacia el colector. Si casi todos os electrones inyectados desde el emisor atraviesan la base, la corriente de electrones del so vgctor es levemente inferior a la corriente de electrones del emisor. La componente de! huecos en la cortiente de colector proviene de los huecos minoritarios generados térmivamente en los bordes del colector tipo n, que “caen” por la pendiente de la barrera de potencial hacia la base. | Bisa informaci6n se puede ampliar en forma cualitativa examin ‘elated elunecd Paid witness Bruning memes tun diagrama en el que estén todas las componentes principales de corriente a. as corrientes de recombinacién-generaci6n en la regin de vaciamiento). Las tres co1 if nentes de lacorriente de base en esta figura se han rotulado como. y,e/,. En oe ’ E » agBlasy constituyen toda la corriente que sale por la base, como sigue: (1) 16? correspond alaferent hep Felon lop far los lea ho o Figura 1.7 1 * pn ena regién activa: (a) diagrama de bandas de energ{a, (— equilibrio térmico, + regién activa); (b) componentes de corriente y flujo de portadores. corriente que surge de los huecos que son inyectados (difusi6n) a través de Ia unién B-E polarizada directamente, desde la base hacia el emisor.-(2) Ig» corresponde a los hhuecos que deben entrar a la base para reemplazar los huecos utilizados en recombinacio~ nes con electrones inyectados desde el emisor. S6lo una cantidad muy pequefia de clectrones inyectados produce recombinacién, durante su paso hacia el colector a través de la base. (3) Igy €8 aquella parte de corriente de colector debida a los huecos generados térmicamente en el colector, situados dentro de una vez la longitud de difusién del borde desde el limite de la uni6n B-C y que caen por la pendiente de potencial desde el colector hacia la base. La mayor parte de los transistores bipolares se fabrican de modo que el dopado de! emisor sea mucho mayor que el dopado de la base, y que a su vez éste sea mucho mayor que el dopado del colector. Como el dopado del emisor es mucho mayor que el de la base, lacorriente de electrones a través de la uni6n B-E (/,,) serd mucho mayor que la corriente dehuecos (I Porlotanto, J,es aproximadamente igual alacorriente de electrones inyectada ena base. Como se hace W < Ly Se pierden muy pocos electrones al atravesar Inbase y también J, seré mucho menor que J. Por iltimo, como Jy, corresponde a una corriente de saturacién en polarizacién inversa, también serd muy pequefia, Por tanto, f, serd aproximadamente igual a la corriente de electrones que pasan a través de la base. u1.3 FABRICACION La fabricaci6n de transistores bipolares pnp y npn es similar a la de los diodos de uniGn _p-n descritos en el capftulo 1 del libro antes mencionado y se analiza extensamente en la ‘obra de Jaeger, Introduction to Microelectronic Fabrication (Reading, Ma., Addison- Wesley, 1988). La principal diferencia esté en que deben formarse dos uniones p-n para un dispositivo pnp: una unin p*-n para la E-B y una uni6n n-p para la C-B, con la region ase n de un ancho de 1 jim 0 menos. En las figuras 1.8(a) y (b) aparece un tipico transistor discreto p*np de doble difusin y un transistor npn de un circuito integrado, respectivamente. El pnp discreto se forma ‘omenzando con un sustrato tipo p* (fuertemente dopado}, al que se le deposita una capa epitaxial de alta resistividad (bajo dopado) de silicio tipo p en la superficie, La capa epita- xial p tfpica es de unos 5 a 10 jum de espesor. La regién de base n en la capa epitaxial ti- pop se difunde térmicamente a través de una ventana de Gxido. Luego se difunde un emi- sor p* (fuertemente dopado) en la regin de base n. Las disposiciones geométricas de la figura 1.8 no estén aescala, Para tener una mejor idea de las medidas, habrfa que alargar la figura unas 50 veces en sentido horizontal, dejando las medidas verticales fijas. El metal esunaaleaciOn de aluminio ysilicio que hace contacto Ghmicocon las tres regiones. ara fabricar el transistor npn del citcuito integrado de la figura 1.8(b) se comienza por tun sustrato de tipo p de alta resistividad, Se difunde una pequefia superficie de a” en el sustrato p, ala que se denomina capa enterrada o subcolector. La funci6n principal de esta capa enterrada es brindar un camino de baja resistencia para que la corriente de colector alcance el contacto del colector, que ahora debe quedar en la superficie superior. Tras la difusi6nn®, una capaepitaxialtiponlevemente dopadase deposita sobre a nye ip. La regi6n n epitaxial se convierte en el colector de bajo dopado, strato ee =r [+ Figura 1.8 Fabricacién de transistores bipolares (BITS): (a) BIT p* Sore un circito integrado. "P discrete; ByTn * pn de PEPE ICSE SPELL E ERR R BER PE OEPERITTTETTDPara lograrel aislamiento entre resistencias y transistores (componentes) en uncircuito integrado bipolar se recurreal uso de un diodo en polarizacién inversa, porlocual se designa ‘como aislamiento por unién pn. Las regiones p se difunden através de una mAscara de 6xido atravesando totalmente la capa epitaxial n para hacer contacto con el sustrato p. Colocando 1 sustrato p al potencial més negativo del circuito, la regién epitaxial n se encuentra aun potencial algo més elevado y por lo tanto, la regiGn epitaxial n esté rodeada por una unién ‘p-npolarizada de manera inversa, En dispositivos més avanzados se reemplazan las uniones verticales por aislamiento mediante diGxido de si La base tipo p se difunde en la regi6n epitaxial n, seguida por difusiones de impurezas de las regiones de contacto de emisor n* y colector. El contacto de colector en la superficie es necesario para interconectar componentes en la superficie, mientras que el contacto n’n de ccolector se quiere porque el aluminio con una regi6n n* forma un contacto hmico, como se cestudi6 en el capitulo 7 del libro sobre el diodo pn. Aluminio sobre silicio levemente dopado ‘puede producir un contacto recificador, un diodo Schottky. Hay que recordar que el aluminio ‘es una impureza tipo p, de modo que su contacto con una base p forma un contacto Ghmico. En los capftulos restantes se supone un andlisis unidimensional de! transistor bipolar; es decir, el flujo principal de corriente se da en una sola direccién. Debido a que la dimensi6n vertical es muy estrecha, yal pequefio flujo de corriente lateral (exceptoen elcontactode base), lahip6tesis brinda muy buenos modelos de primer orden. En especial, proporciona ecuaciones ‘que pueden resolverse sin recurrir a supercomputadores para las integraciones numéricas. 4.4 DEFINICIONES DE CIRCUITO En esta seccién se presentan las variables de circuito necesarias para la descripcién del transistor bipolar en la regi6n activa, La figura 1.9(a) presenta las principales componen- tes de la corriente de emisor y de colector para el BJT pnp. Los huecos inyectados desde elemisora a base constituyen la componente de corriente /,,, mientras que los electrones reinyectados desde la base integran [,), Aquellos huecos inyéctados desde el emisor y que alcanzan launién de colector, constituyen [-,-Lacorriente /,¢sresultadode los electrones ‘generados térmicamente cerca de la unin C-B que se desplazan entrando a la base. En|as_ ‘ecuaciones (1.1) (1.3) se expresan las corrientes de los terminales en funci6n de las com- ad) q.2) a3) El factor de transporte de base paraeIptnp se define como la relaciGn de corriente de huecos que se difunden hacia el colector, respecto a la corriente de huecos inyectada en la unin E-B, y se expresa como erate! he, np) (ay 13Emisor-P* Mie miseries: ten a ra ie te te ~ ‘cp » “HOHE v fs le Figura 1.9 Flujo de portadores y componentes de corriente para (a) el funcionamiento de un tran- sistor p* np en a region activa y (b) el funcionamrento de un7 * pn ena egiGnactiva, Idealmente, = , deberfa ser la unidad; sin embargo, debido a la recombinacién de huecos ena base, «, €s levemente inferior ala unidad. En dispositivos muy bien fabricados con base estrecha, *_—* 1.0. ‘Otro parémetro de funcionamiento es la eficiencia de inyeccién de emisor (4), que mide la relaci6n entre la corriente de huecos inyectada y la corriente total de emisor: (pnp) (1.5) | Notese que y + 1 Silg, ~* 0; €8 decir, a medida que el emisor ests mas dopado, Fp, | representa un porcentaje més pequefio de /, (similar alas componentes de cortiente del tiiedo p'-n), Para transistores de ganancias mayores, y se hace lo més cercano posible a Ta unidad. Math | Lavelaci6n [ply en la region activa se define como alfa de corriente continua (2) Ys de las ecuaciones (1.1) y (1.2), ! Ig Te? te,Para casi cualquier grado de polarizaci6n directa de la uni6n E-B y de polarizaci6n inversa dela unién C-B, {enon Y, por lo tanto, la ecuacién (1.6) se puede aproximar por I ee a7 be Tey + Je, Sisesaca actorcomiinI,,/,, de laecuacién (1.7) y se aplicala definicién de «,, (1.8) ccon lo que se puede expresar que (1.9) dealmente, cuando yy «, tienden ala unidad, también lohace «....Lo que es bueno para -yylo &, €s bueno para %,.. Beta (f,,) es otro pardmetro de funcionamiento para la regién activa, y se le define ‘como (1.10) Sacando factor comiin J, del denominador de la ecuacién (1.10), se tiene e Telly Pee Fr = Tell Td = Tel) loll De la ecuacién (1.6) la definici6n de aan Nétese que cuando «+1, 8,,-*infinito. Como Ic/Iy es una ganancia de corriente, se ve laconveniencia de que'y y (y por lo tanto «,,) sean lo mds préximas posible ala unidad. Para describir la regién activa en base comin lo més facil es expandir la ecuaci6n (1.2) utilizando las ecuaciones (1.4) y (1.5): Tey ayy 2 +k ee ante = Mele tle, (1.12) ey * He = ley + fo La cofriente de saturacién inversa de colector, Icy 8€ define como (1.13)con la corriente C-B que fluye con el emisor en circuito abierto (I, = 0), en forma similar ala corriente de saturaci6n inversa del diodo n*-p, por lo tanto, la corriente de colector de la ecuaci6n (1.12) se obtiene como comin, la region acti Oe (lp +1) + Ipc (1.15) Despejando Ic, . Ig) = & 15+ Ipco (1.16) cc Taco le= Gray + aay Pals Ian Be *D aay ‘Sise define lacorriente de saturaci6n inversa de E-C (I-p) paraelcasode1,=0,entonces, de la ecuacién (1.17), tenemos y Te= Becta Veco (1.19) ‘Ahora se ha desarrollado un conjunto de ecuaciones para el funcionamiento del transistor bipolar pnp en Ia regién activa. Se puede deducir facilmente un conjunto de ‘ecuaciones similar parael transistor npn, utilizando la figura 1.9(b). Por ejemplo, a partir de las definiciones basicas se puede obtener las ecuaciones (npn) (1.20) (npn) (4.21) Toy, “Th (npn) (1.22) ‘Observe que las ecuaciones (1.9), (1.11), (1.14), (1.18) y (1.19) pueden aplicarse tal como estan al dispositivo npn, con s6l0 cambiar Icy Fogo © Fecy 8 gyProblemas La tarea del capftulo 2 consistré en deducir ecuaciones cuantitativas para Jo g¢ fy €0 funcin de parimetros de los materiales tales como Na, Noy t, etc. y en funcin de los voltajes en las uniones E-B y C-B. Las zonas oregiones de funcionamiento del pnp y del npn se definieron en funcién de las condiciones de voltae aplicado alas uniones E-B y C-B. El funcionamiento en la region activa (méxima ganancia de sefial) tiene la unin E-B polarizada directamente y la unin C-B polarizada inversamente. La regiGn de saturacién funciona cuando ambas uniones estén polarizadas directamente; cuando estén polarizadas inversamente ocurre corte. ‘Seinvestig6 una descripcién cualitativade c6moe! BIT conduce alos portadores desde Jos puntos de vista de las bandas de energia y del flujo de portadores. A partir de la banda de energia, el flujo neto de portadores bajo polarizaciGn aplicada se relacioné con el aumento o disminuci6n de las componentes de la corriente de difusién, Al tener polarizacién directa, las corrientes de difusin aumentan en forma exponencial con la cantidad de portadores que tienen energfas mayores que la barrera de potencial. Bajo polarizaci6n inversa disminuyen con el voltaje aplicado. Los diagramas de flujo de portadores que ilustran las diversas componentes de corriente brindaron un punto de vista Alternativo que contiene la misma informacién. La corriente de base se hizo pequefia 0), @ dibuje una figura similar a la figura 1.6 que muestre las corrientes y flujos de portadores principales. 1.6 Siel BIT n‘pn esté funcionando en Ja regi6n de corte, dibuje una figura similar Ia figura 116 que muestre las corrientesy fujos de portadores principales. 1:7. Para.un dispositivo pnp con Ig, = 1 MA, fp, = 0.01 mA. Tc, = 0.98 MA € Io, 0.1 pA, calcule: a) El factor de transporte de base. b) La eficiencia de inyeccién de emisor. ©) %_ ¥ Bg el valor de Ip. 199 mA, calcule fee & Ip: S112 =099 mA e fy, = 0.005 mA, caleule fa hy g) .Cémo cambiard £,, $i € incrementa /,,?1.8 Sien el problema 1.2 1 espesor de la base metalirgica es deWp = 2 jim, a) ,Cudl es el espesor W de la zona casi neutra de la base? b) 2Qué voltaje se puede aplicar a la uniGn colector-base antes de que desaparezca la base? Suponga que Vj_ = 0 volts. 1.9 Para un dispositivo npn con Ip, = 100 HA, Igy = 1 HA, Iq, =99 HA Coy =0.1 JA, calcule: 8) El factor de transporte de base. b) Lacficiencia de inyecci6n de emisor. ©) &, ¥Bg €l valor de I. 8) [ea © ep ©) Silo, = 99.5 HA, calcule £., € ly. f) Silc, =99 pAc Ig, =2 pA, calculef,. € ly. 8) ,Cémo cambiaré f si se incrementa Jy? 1.10 Si para un BJT pnp el espesor de la base, W, es mucho menor que la longitud de — Para obtener una ecuacién que brinde la corriente de emisor /,, hay que determinar I, € = Tg, Tealizando los pasos siguientes: 2 1. Resolver la ecuaci6n de difusién de los portadores minoritarios en la base, ecuaci6n > (2.6), hallando Apg(x). — 2. Aplicar las condiciones de contomno Ap,(0) y Ap,(W), ecuaciones (2.9) (2.10), ala 2 ecuacién (2.7a) y calcular las dos constantes C, y C, 3. Resolver la ecuacién (2.12) de difusién de portadores minoritarios en la regién de volumen del emisor para obtener n(x") de la ecuaci6n (2.76) fone . a“? 2.12) donde Ly =VD gt, 4. Aplicar las condiciones de contomo, es decir Ang(x" =e) = 0; y ng (0") 0 sea, la ecuacién (2.8). 5. Resolverlaecuaci6n (2.2) queda los componentes dela corriente de difusién en cada limite dela regién de vaciamiento, como se indica ena figura 2.3, 0 que proporciona Ten funcién de Vex ¥ Voy. 1.6 Corriente de colector Con el fin de obtener una expresin para la corriente de colector, Ic, hay que seguir los pasos siguientes para hallar Ic, € Toy: 1. Resolver la ecuacién (2.13) de difusién en la regin de volumen del colector para Ang(x) de la ecuacién (2.7¢): FP bnc@) _ Ane (2.13) at UE donde Le =VD gig. 2. _Aplicar las condiciones de contomo, es decir Anc(x’ = 9) = 0 y Anc{0), ecuacién (2.11). 3, Resolver la ecuacién (2.4) que proporciona los componentes de la corriente en cada Ifmite de la regi6n de vaciamiento B-C como se indica en la figura 2.3, con lo que se consigue I en funcién de Veg y Voy. 1.7 Corriente de base Para hallar J, se aplica la ley de Kirchhoff, que establece que Ip-Io (2.14) ‘También se podria obtener Jy de las ecuaciones, teniendo en cuenta que Ip, + Igy — Ip = Tyg + (zp ~ hep) ~ Hon Iy= a72.2. EL TRANSISTOR BIPOLAR IDEAL 28 W cele Definimos al transistor bipolar ideal como wn caso especial del transistor bipolar que. tiene una regiGn de volumen de base tan delgada que no se produce recombinaciGn.(qe]— ‘generaci6n) en la base. En los dispositivos modertios la anchura de la base casi suele ser menor que 1 um, mientras que la longitud de difusién de los minoritarios esth entre 20 y 35 pm. Con tan estrechos espesores de base, los porta minoritarios no permanecen en la zona el tiempo suficiente para tener una oportuni efectiva de recombinacién, Por lo tanto, aproximamos el dispositivo real al caso ideal. Otra raz6n para comenzar con un dispositivo ideal son las ecuaciones resultantes, bastante simplificadas, para J, € Jc, que se pueden identificar y relacionar fécilmente con las corrientes de los diodos. Ademés, con el modelo ideal se pueden demostrar fécilmente’ diversos conceptos sin perderse en los detalles mateméticos. Si no se produce recombinaci6n de huecos en la regi6n de base en un pnp, el tiempo' de vida +, = 7, debe tender: g¢8, Ly debe tender a infinito o, alternativamente, WL. §is¢aplica eso ala ecuacién (2.6) el miembro derecho de la misma se hace cero: 4. (2.15) Se integra dos veces y recordando las constantes de integracién se obtiene: pg) = Cr+ C, (2.16) Notese que la ccuaci6n (2.16)es laecuacién de una recta. Si se aplican las dos condiciones de contomno en x= Oy enx= Wa la ecuacién (2.16) se obtienen, primero C,y luego C,, § respectivamente: 4p,(0) = C,[0] + C,= Cy 2.17) ‘Sp_(W) = CW + C,=C, W + Apg(0) (2.18) Por lo tanto, c= Ma = Ae) Ww ‘Se puede escribir la ecuacién de Ap,(x) como [ei aoee | x+ Ap, (0) (19) ra(*) que muestra m4s explicitamente que la ecuaci6n es la de una linea recta, \ La figura 2.5 representa las concentraciones de portadores minoritarios para el transistor ideal en las regiones de funcionamiento activo, saturaci6n y corte. NOtese que ccada caso depende de las polaridades de Veg y Veg» Pues AP,(0) = py(et%a!"T — 1) y APs (W) = pyg(eto "7 — 1), Se evita Ia eseritura de p4(x) utilizando funciones hiperbélicas: véase el capitulo 3,Figura2.5 —Concentraciones de portadores minoritarios en el pnp ideal, sin recombinacién en la regi6n de volumen de la base. Una inspeccién répida de a figura 2.5 y de la ecuacién (2.19) muestra que la pendiente de Apg(x) es declive (2.20) _ “el ] ‘que se utiliza para calcular la corriente de huecos que entra y sale de la regi6n de la base, ‘como se indica en las ecuaciones (2.2) y (2.4). Como la pendiente es coristante para el dispositivo ideal, a corriente de huecos es constante en la regi6n de la base, que es lo que debe suceder cuando no hay recombinacién de huecos. El flujo de particulas/huecos que entran a la base desde el emisor iguala al flujo de particulas/huecos, que salen de la regiGn de base hacia el colector. El lector debe notar Ia diferencia en Ap,(x) si compara Jas figuras 2.5 y 2.6. Para un dispositivo con recombinacién significativa, la representa- ci6nnoes una linea recta; esto indica que se pierden (se recombinan) huecosen W. Se debe observar también que las pendientes de Apg(x) en x=Oy en.x= W son diferentes, lo que hace ver que se recombinan (pierden) huecos al atravesar la regi6n de volumen de base Y que Io, < Igy. mene Cort Figura 2.6 Concentraciones de portadores minoritarios con recombinacién en la regiGn de volumen de la base. 292.3 LAS CORRIENTES EN EL TRANSISTOR pup IDEAL En esta secci6n de realizan las deducciones mateméticas del transistor bipolar pnp ideal para obtener las ecuaciones de las corrientes en los terminales, como funciGn de los Yoltajes en las uniones y de parémetros de los materiales, como son los dopados y las Jongitudes de difusién. Al dispositivo ideal de la secci6n 2.2. se le aplica la estrategia resumida en la secci6n 2.1. Para evaluar la corriente de emisor de la ecuaci6n (2.2), primero hay que resolver el valorde Ang(x") delaecuacién (2.12)enlaregién de volumendelemisor. Aquflasolucin de la ecuaci6n de difusiGn de los portadores minoritarios se repite como ecuaci6n (2.21): Ang (x) = Cette + Cee (2.21) ‘Se necesitan dos condiciones de contorno para resolver C, y C»- Como un electrén no puede sobrevivir eternamente en una regin p, Ar,(x" =<) =0, y porlo tanto C, debe ser cero. En x" Ang (0") = C2" = C= Mgg(A¥e2" — 1) (2.22) teniendo en cuenta la condicién de contorno, ecuacién (2.8). Entonces Ja solucién es Ang (X") = Ng (et¥e AT —1) ee (2.23) En las figura 2.4 y 2.5 se representa la ecuaci6n (2.23). Ahora, de la ecuacién (2.2), se puede evaluar los electrones inyectados desde la base hacia el emisor, Ip, = /p,(0") (como se traz6 en la figura 2.3): dAng(") = AD, Ven 2 = AE nye —1) (2.24) Ip, (0" La componente de huecos Jef) puede calcularse facilmente para el dispositivo ideal porque la pendiente ya ha sido determinada en la ecuaci6n (2.20): 440, | Ipg(0)=— GADy TE ca [Apg(0)-Ap,(W)] (2.25) Sustituyendo las condiciones de contorno para Ap,(0) y Ap,(W) en las ecuaciones (2.9) y (2.10) se tiene JAD, Igy (0) = 8 Ppgl(et¥en "7 — 1) —(et¥en*™ — 1)} 2.26) La ecuaci6n (2.2) muestra que la corriente de emisor es la suma de | = er ae sma de las ecuaciones (2.24) GAD ou (@le*-1) (2.27)| RRRRRRRRECEEEEEEEEEEREEEEEECEEL LCC CCC CCCCCCCEL Se puede observar que el primer término de la ecuaci6n (2.27) es semejante al del diodo de “base corta”, tal como se vio en diversos problemas del libro sobre el diodo pn; si Vo Ja ecuacin presenta la misma forma matemética. Del mismo modo, la corriente de colector (J) se puede determinar con un conjunto similar de célculos. Sin embargo, se puede evaluar directamente el primer término de la ‘ecuaci6n (2.4). Como la corriente de huecos J,, es una constante en la base (no hay recombinacién de huecos en la base), su valor de entrada a la base debe ser igual al de salida de la base; esto es, 1, = 1,0) =Ie, (2.28) La componente de corriente [,,(0') puede obtenerse directamente de la ecuaci6n (2.24) {ntercambiando “E” por “C” y Vey por Veg.” Se hace necesario un cambio de signo, porque en este caso J se encuentra en la misma direcci6n que el eje x’ lo que no ocurrfa con el emisor: ne gADc ca La cortiente de colector es la suma de las ecuaciones (2.26) y (2.29). Por tanto, Detoo , PuPpo | 8 Alternativamente, se puede resolver la ecuacién (2.13) sujeta a las condiciones de ccontorno Anc(x'—* ) y Avi(0’). Luego se aplica el segundo término de la ecuacién (2.4) para obtener la ecuaci6n (2.29). Véase el ejercicio2.1 del apéndice A. El segundo término de la ecuaci6n (2.30) es muy similar al diodo de uni6n n-p de “base corta”. De hecho, si Vgq = 0, entonces es idéntico. De Ig = I, ~ Ip, Se obtiene la corriente de base para el transistor ideal. Restando la cecuaci6n (2.30) de la ecuacién (2.27) se tiene co (eP*2AT— 1) (2.29) GAD Ww (e%e*T—1) (2.30) r (etn 47— 1) —gA JAD, GAD, Igy (eB AT= 1) + BPC ny (eHow*7—1) (2.31) c Las ecuaciones (2.27), (2.30) y (2.31) son vélidas en todas las regiones de operacién del BIT ideal: activa, de saturacién, de corte y activa inversa. Las corrientes en los terminales del BJT se pueden expresar en forma ligeramente distinta pero equivalente. Como Mtgy = 0,"/N gp = 1,2/N gy Pyg =212/Nyg = 2,2IN gy ¥ Neg = /N¢; también pueden escribirse las ecuaciones (2.27), (2.30) y (2.31) como ~~ @.32a) ~ Altemativamente, se puede resolver la ecuacién (2.13) sujeta alas condiciones de borde Ang(t? ==) y ‘anc(0). Luego se api el segundo terminode Ia ecuacion (24) para obtener I ecuacion (2.29.2.3.1 Region activa D, De D, tert | Be cree | ie We (eA¥ex*T— 1) + gAn, = De : -+| Te Estas expresiones de las corrientes Jp, /, € Jy muestran la dependencia explicita respecto an2, cuyo valor aumenta exponencialmente con el incremento de la temperatura. La corriente de base, Ip, de las ecuaciones (2.31) y (2.32c) esté constituida por dos términos que tienen la misma forma matemética, lo que indica una simetria si se intercambian el emisor y el colector. VEASE EL EJERCICIO 2.1, APENDICE A El objetivo de esta secci6n es mostrar las principales componentes de la corriente en el BIT cuando esté trabajando en la mitad de la regi6n activa, Posteriormente se utilizarén estos resultados para determinar f,, y &,. en funci6n de los parémetros fisicos. Las ecuaciones (2.27), (2.30) y (2.31) confirman el anlisis cualitativo del pnp en la ‘regi6n activa, que se presenté en la figura 1.6(b). Parael funcionamientoen la zona activa, Veg €8 negativa y los términos exponenciales correspondientes en esas ecuaciones son, ‘aunque el valor negativo seade unas pocas décimas de volt, mucho menores que la uni pues q/KT a temperatura ambiente vale aproximadamente 38.46; es decir, idad, exp ee 0. Dentro de la regi6n de saturacién, Veg > 0Y Ven > 0; por lo tanto, ambos términos exponenciales son grandes en comparacién con el “I”, y entonces eae MT By ele MT 1 Si se inspecciona la ecuaci6n (2.32a) respecto a Ip, se ve que D, Ig, = gan} —E— eYeaAT 4 gAn, hhuecos inyectados desde el emisor. Si Veg 'e ly 2D, A i en, lin “Cs En este caso, la unién C-B polarizada directamente esté inyectando huecos desde el colector hacia el emisor (I'c,), y de ahi el signo menos ya que el flujo se opone al de los, / ag (2.34a) ‘ca: S610 queda el primer término de la ecouacién (2.34a), lo que muestra que J, sigue siendo positiva. La figura 2.8 muestra los tres componentes principales de la ecuacién (2.342), Se puede observar que si Vog > Ven 'd suficientemente elevada, jla corriente de emisor se podrfa hacer negatival : ‘ ‘ ‘ ‘ ‘ a ‘ < s < < < c « < « « ‘ a x ‘ ‘ ‘ ‘ t3.3 Regién de corte Para la corriente de colector en saturaci6n, la ecuacién (3.32b) se convierte en x qhn? Ps cavestt gn? Pc avegat — gn} Pb caveat fs ic fs — Ty, Le re (2.34b) Debe advertirse que Icy = Ip, +1 'q,¥ qe Ie = Icy + Icy: Aqu{ se ve que los electrones se inyectan desde la base hacia el colector pues la uni6n est4 polarizada directamente. La cortiente /g, ha invertido su direccién y se hace mucho mayor, hasta que su valor se compara cOn Ip, Ahora la corriente de base es mucho mayor que en la regién activa, pues debe proporcionar electrones para ambas uniones, E-B y C-B. De la ecuacién (2.32c), Ty = gan? Aart 4 5. (2.340) Ty, Te, Se ve que Ig, es negativa y, con Vgo suficientemente elevada, resulta de un valor ‘comparable a /,. El resultado es que /, se ha incrementado de manera considerable en la zona de saturacién, aun cuando J,, es aproximadamente igual al valor anterior. Cuando ambas uniones, tanto la E-B como la C-B, estén polarizadas en inversa, hay funcionamiento en la regién de corte. En la figura 2.9 se pueden ver las componentes principales de la corriente y los flujos de portadores. Recuérdese que las exponenciales son mucho mAs pequefias que la unidad para valores de Vig ¥ Vex NeBativos, de tan s6lo unas pocas décimas de volt: Veal 1 y eel @] De las ecuaciones (2.32a), (2.32b) y (2.32c) las corrientes en los terminales se pueden, aproximar como (2.35a) a = gAn} = (2.356) lc 2.356) Se puede observar que, para Jp, los electrones portadores minoritarios generadog térmicamente en el emisor se desplazan deslizdndose por la barrera de potencial hacia ly base, y, por lo tanto, fz <0. Para el colector, los electrones generados térmicamente también caen porla barrera de potencial de la C-B, y entonces Ic,=1-> 0. Como N,.¢ 35++ fe J = b Figura 29_Principales componentes de coriente un p'np ideal en laregi6n de corte. ‘Nagy Se generan mAs portadores minoritarios en el colector que en el emisor. Se puede observar también que ambas componentes de la corriente de base son negativas. 2.3.4 Funcionamiento inverso ELltransistor funciona en inversa cuando Veg se hace positivo y suficientemente grande. como para invertir la corriente neta de colector; es decir, se hace negativo. Segtin el valor de Veg, Se pueden producir saturacién inversa y funcionamiento inverso. Si Vey es positivo, con polarizacién directa, el BJT funciona en la regién de saturaci6n inversa, Si Vip €8 negativo, el funcionamiento es en activa inversa. En la figura 2.10 se ven los ~ principales flujos de portadores y corrientes en activa inversa. Los componentes de corriente Ie,» Icy» Igy € Je, Son todos negativos, como también lo) son Ig, €7,;.Como/,, esnegativa y de gran magnitud, la corriente neta de base es positiva, pues I = Jp; — Ips, Como se ve en la figura 1.3(b). Acotamos que laeficiencia de inyeccion de colector a base es baja porque Nac. < Npp. Por lo tanto, més electrones se inyectan desde la base hacia el emisor, que huecos desde el colector hacia la base. : ‘Si se considera la ecuaci6n (2.32b) con Veg < Oy Veg > 0, la corriente de colector se hace, en el modo activo inverso, Des Ic =~ An} Toe WNy feteay (2.36a) Jo que muestra que J, < 0 y estd controlada por el voltaje Vop. El primer término entre! Jos corchetes de la ecuacién (2.36a) representa los electrones /, inyectados desde la base hacia el colector, y el segundo término representa a [c,, debida a los huecos inyectados desde el colector hacia la base. En forma similar, para la corriente de emisor se ve que Mest (2.36b) Ws La corriente de base en el modo activo inverso de la ecuaci6n (2.32c) es Mohr I, = gAnj (2.360) Ne Jo que muestra que es positiva, y el componente principal se debe a los electrones inyectados desde la base hacia el colector. 2g = e o om e Pa 2A,SSSLK 4.1 Base comin NNR RERUNS, SEELECEECEECOOCGE | Ie we e Figura2.10 Principales flujos de portadores para dispositive p*np, funcionando en laregin activa inversa. Hay varias aplicaciones en las cuales utiliza el funcionamiento en modo inverso en circuitos anal6gicos y digitales. Se hace notar que -y, 4, y fy, ahora se pueden definir COMO Yq, “scx ¥ Bxexe ¥ todos son mAs pequeios en activa inversa. 4 CARACTERISTICAS IDEALES I-V Enesta secci6n, uno de los objetivos fundamentales es obtener ecuaciones para hallarj. Y Bye €n funcién de las densidades de dopado, de otros parimetros fisicos y de las, dimensiones de los dispositivos. Utilizando esta informaci6n se pueden disefiar efecti- vamente los dispositivos para mejorar el funcionamiento de los circuitos. Un objetivo secundarioes a obtenci6n de diagramas de caracterfsticas J-Vde entrada salidadelosBJT. Para trazar un diagrama de las caracterfsticas de entrada y salida en las configuraciones en base comin y en emisor comtin, se pueden utilizar las ecuaciones de corriente (2.322, by ©) obtenidas en las secciones previas. (Véase la figura 1.4 para las definiciones de variables de entrada y salida). Un amplificador en base comiin se adapta muy bien a la forma de las ecuaciones, ya que Vzp y Vcp Son los voltajes de entrada y salida, € Ip € Ie son las corrientes de entrada y salida. Sin embargo, la forma més utilizada es la de emisor comtin, con Vex € fy como pardmetros de entrada y Vj..€ J, como las variables de salida, Enla figura 2.11(a) se pueden ver las caracterfsticas de entrada del BJT ideal, y en la figura 2.11(b), las caracteristicas de salida de la configuraci6n en base comtin. Se destaca que para Veg = 0, la caracterfstica de entrada es similar a Ia de un diodo polarizado le le Todos Yo algae =f? a e. i Region aciva = less ae ae ¥%=0 ee fe= 0 ‘a fe Ebel , = Figura 2.11 Caracterfsticas 7 - Ven base comiin del p*np ideal: (a) entrada; (b)salidaGirectamente (Ec. 2.322). Es habitual cortocircuitar la unién C-B, y entonces utilizar la unién E-B como un diodo en disefios de circuitos integrados. Para todo Vey mas negativo que varios -K7/q volts, la caracterfstica de entrada se convierte en una curva, lo que indica que la corriente de emisor esté compuesta fundamentalmente por los huecos de inyeccién directa (que dependen de V,,,), independientes de V-,, como muestra la ecuacién (@33a)en la regi6n activa. Las caracteristicas de salida en base comtin de la figura 2.11(b) indican que la regién activa esta la derecha del eje Vac (0 Vcp <0). Se puntualiza que [zs independiente de Vgc Para un valor fijo de Jy, en un intervalo amplio de Vac. A Ia izquierda del eje, Vac €S negativa (0 Veg > 0) y el dispositivo esté en saturacién (para I, 2y por tanto Vs, > 0). En saturacién, se inyectan huecos desde el colector hacia Ja base. Estos huecos est4n dirigidos en forma opuesta a los que se inyectan desde el isor. Como resultado, las componentes de la corriente de huecos del colector sere entre sy la corriente neta de colector disminuye, como se puede ver por las componentes de corriente en la figura 2.8. Cuanto més directamente se polariza la uni6n C-B, mayor es la inyecci6n de huecos de colector él valor neto de I. Se puede observar que para valores mayores de 7, son necesarias mayores magnitudes de Vc, para una disminucién, significativa de la corriente de huecos y, por lo tanto, para la reducciGn de Ig. Cuando ambas uniones, E-B y C-B, estén polarizadas inversamente, se produce la de corte, En este caso, la corriente de emisor es inferior a cero. Para el funcionamiento del dispositivo ideal en la regién activa, alfa (%;,), ¢s una medida de c6mo se inyectan pocos electrones desde la base hacia al emisor, en compa- raci6n con la cantidad de huecos inyectados desde el emisor hacia la base, como se ve en Ja figura 2.7. Para valorar la importancia de Ia corriente de huecos de emisor, en comparacién con la corriente de emisor total, se definié la eficiencia de inyecci6n de emisor (-y), dada por la ecuaci6n (1.5) para un transistor pnp en la tegién activa, como Para el dispositivo ideal en la regi6n activa de las ecuaciones (2.26) y (2.27), la relacién Inq Se puede expresar como se indica en la ecuacién (2.37), en la cual los términos exponenciales se cancelan: Dp Poo Ww. Your 1 DsPp , Perey 237) W Cale Observe que en Ia ecuaci6n (2.37), como se hace que nz. sea mucho ms pequerio que dopando el emisor, Nz > Nop, entonces ~ 1. Si se pudiera, se harfay = 1 porque pee nerementa la ganancia del transistor a valores fenomenales (8, serfainfinito). Tl factor de transporte de base (se define enlaecuacién (1.4); pra el dispositive jdeal 2 Ia unidad, porque no se recombinan (pierden) huecos al viajar através de laregin de la base. Por lo tanto, % 4, = ¥%r = Yen este caso. Bi, Laganancia de cortiente en cortcircuito //7,,en base comin y regién activa, se deno- mina alfa de de (=). La relaciOn [cll S€ define en las ecuaciones (1.6) y (1.7), y se 2. 4.NRE, SEBS ASEESEEREECCE EEO COCO ETE 2. Emisor comin obtiene aplicando las ecuaciones (2.28), (2.26) y (2.24) en Ia regién activa. La ecuaci6n (2.38) muestra que W debe ser pequeiia y N,, grande: aos plies ae Rae © pe © Daren? DW (2.38) 1+ Dy Poole 14D, Male Es necesario que W < Z, para tener un dispositivo de ganancia elevada. Enla figura 2.11(b) se puede ver cémo las caracteristicas de salida de un transistorideal cen base comtin definen a Iycy como la corriente de colector, cuando el emisor esti en circuito abierto (f,=0) y launién C-B est4 polarizada inversamente. Desde el punto de vista fisico esto significa que Igcy es la corriente de saturaci6n inversa de la unién C-B, la componente Jc, en la figura 2.7. Para un dispositivo p*np, esta corriente est4 determinada principalmente por larg, del colector, porque la base est mucho mas dopada queelcolector, y W< Ly. Porlo tanto, no hay generacién significativa de huecos en la base. Los clectrones minoritarios generados térmicamente en un lugar situado dentro de una vez la longitud de difusién desde el limite de la regi6n de vaciamiento de la unién C-B, se desplazan cayendo por la pendiente de potencial hacia la base y se convierten en J,, de la corriente de base de la figura 2.7. La figura 2.12(a) muestra las caracteristicas de entrada del transistor bipolar pnp ideal en emisor comtin, Nétese la similitud entre el diodo polarizado directamente y las caracte- risticas de entrada I, en funci6n de Vey, con Vc = 0. Cuando V,. $e hace mayor que unos pocosk 77g, lacaracteristica se hace independiente de Vj, porque, tras tornarse inversamente polarizada la unin BC en varios k7/q, un voltaje adicional no tiene mayor efecto en la inyecci6n de huecos (0 electrones) en la unién E-B. La figura 2:12(b) muestra las caracteristicas de salida que indican la regiGn activa, donde para una valor de I, fi}0, Le se hace independiente de Vc porque cualquier ulterior polarizacién inversa de Ia unin B-C no modifica el voltaje E-B, que se fija bdsicamente por J ‘Saturacién Todos Vg> algunos AZ Ye @ © Figura 2.12 Caracersticas /-V en emisor comin del p*np ideal: (a) entrada; (b) said,2,43 Tyog para el transistor pnp © Teen N La regi6n activa se earacteriza por una elevada ganancia de corriente, La ganancia de corriente se denomina beta de cc (f,.) y fue definida como I-/Iy en la ecuacién (1.11). Como el dispositivo ideal en Ia reg eae ‘activa tiene Vg Igcy Para el py ; cen [a “acci6n transistora” de los electrones de la base que se rman eyes ‘cia el emisor