BÀI TẬP CSTT QUANG

CHƢƠNG 2
1- Một hệ thống truyền dẫn sợi quang tại 1,3 µm có độ dài 50 km đòi hỏi mức
công suất quang tối thiểu 0,3 µW tại bộ thu. Biết suy hao trung bình của
tuyến sợi quang là 0,5 dB/km.
a/ Hãy xác định mức công suất quang tối thiểu để phát vào sợi quang.
b/ Mức công suất phát quang tối thiểu vào sợi sẽ phải thay đổi thế nào khi suy
hao trung bình của tuyến sợi quang là 0,55 dB/km.
Giải:
a) Công suất vào bộ thu quang: Pout = Pin

→ Pin=94,87 μW
b) Khi α= 0,55 dB/km thì:
→ Pin=168,7 μW
2- Hệ thống thông tin quang đơn kênh hoạt động ở tốc độ bit 10 Gbps, mã NRZ
50% sử dụng nguồn phát quang đơn mode ở bước sóng 1550 nm với độ rộng
phổ 1nm truyền trên sợi đơn mode tiêu chuẩn SMF có hệ số tán sắc D=18
ps/nm.km. Hãy tính khoảng cách tối đa mà tại đó bắt đầu xảy ra hiện tượng
xuyên nhiễu giữa các tín hiệu ISI
Giải:
 Giới hạn tốc độ truyền dẫn NRZ: B.ΔT < 1
 Ta có tán sắc GVD:

→ Giới hạn truyền dẫn: L< = = 5,56 km

 3- Cho sợi quang đơn mode có độ lệch chiết suất là 0,2% với chiết suất lõi n1 =
1,48. Hãy xác định đường kính sợi quang khi biết sợi hoạt động đơn mode
tại bước sóng lớn hơn 1μm.
Giải:
 Điều kiện đơn mode: V < 2,405 hoặc λ > λc → λc=1μm.
Cho sợi quang đơn mode có đường kính lõi sợi là 9 μm. Hãy xác định độ lệch chiết suất của sợi
khi biết chiết suất lõi n1 = 1,475 và bước sóng cắt của sợi là 950 nm.

λc = π.2a.n1.(2Δ) 1/2 / 2,405

 Đƣờng kính: = 8,18 μm

4- Cho sợi quang có độ lệch chiết suất là 0,2% với chiết suất lõi n1 = 1,48. Hãy
xác định dải bước sóng để sợi hoạt động đơn mode khi biết đường kính lõi
sợi là 9 μm.
Giải:

=1,1 μm
 Vậy dải bước sóng để sợi hoạt động đơn mode là: λ > λc = 1,1μm
5- Cho sợi quang đơn mode có đường kính lõi sợi là 9 μm. Hãy xác định độ
lệch chiết suất của sợi khi biết chiết suất lõi n1 = 1,475 và bước sóng cắt của
sợi là 950 nm.
Giải:
 → = = 0,08

NA= n1.(2Δ) 1/2

→
Δ = (NA/n1)2 .1/2 = 0,0015 = 0,15%

6- Cho sợi quang đa mode chiết suất bậc (MM-SI) có đường kính lõi 50 μm và
hoạt động tại bước sóng 900 nm. Biết số lượng mode truyền trong sợi là
khoảng 900 mode, hãy xác định khẩu độ số của sợi quang này. Nếu biết độ
lệch chiết suất của sợi là 1,5%, hãy xác định chiết suất của lõi sợi.
Giải:
 Sợi quang đa mode chiết suất bậc (MM-SI)

→ V=42,42
Mà:
→ NA= V.λ /(2.a.π)

NA = = 0,243

 Với Δ= 0.015
Chiết suất lõi sợi n1 = NA / (2Δ)1/2 =1,402
7- Sợi đa mode chiết suất bậc có đường kính lõi 50 µm được thiết kế để giới
hạn tán sắc mode chỉ 12 ns/km. Biết chiết suất lõi sợi là 1,45.
a/ Hãy xác định khẩu độ số của sợi quang.
b/ Xác định giới hạn tốc độ truyền dẫn trên 1 km tại bước sóng 850 nm khi giả
sử độ dãn xung không được vượt quá một chu kì bit.
Giải:
a) Hệ số tán sắc mode

 Khẩu độ số:
√ =√ =0,102
b) Giới hạn tốc độ truyền dẫn tán sắc mode (khi không vƣợt quá 1 bit)
B.ΔT<1
 B.L.Dmode<1
 B<1/L.Dmode
 B<1/(12.10-9)=83,33.106 (bps)
8- Cho sợi quang có đường kính lõi 50 µm và hoạt động tại bước sóng 850 nm.
Biết sợi có độ lệch chiết suất là 2% với chiết suất lớp vỏ n2 = 1,45. Hãy xác
định độ dãn xung gây ra bởi tán sắc mode trong các trường hợp sau:
a/ Sợi có mặt cắt chiết suất bậc.
b/ Sợi có mặt cắt chiết suất biến đổi với hệ số mặt cắt chiết suất g = 2.
c/ Sợi có mặt cắt chiết suất biến đổi với hệ số mặt cắt chiết suất g = 2,5.
Giải:

a) Sợi có mặt cắt chiết suất bậc.

Độ dãn xung:

 = 9,87.10-11L
b) g=2
  2,47.10-13
c) g=2,5

= 1,1.10-11

9- Cho sợi quang có đường kính lõi 50 µm và hoạt động tại bước sóng 850 nm.
Biết sợi có độ lệch chiết suất là 2% với chiết suất lớp vỏ n2= 1,45. Hãy xác
định số lượng mode khi:
a/ Sợi có mặt cắt chiết suất bậc.
b/ Sợi có mặt cắt chiết suất biến đổi với hệ số mặt cắt chiết suất g = 2.
c/ Sợi có mặt cắt chiết suất biến đổi với hệ số mặt cắt chiết suất g = 2,5.
Giải:

 V=54,7
Xác định số lƣợng mode:
a) Sợi có mặt cắt chiết suất bậc.
N=V2//2=1496 mode
b)

Với g=2
mode

Với g=2,5
 mode
10- Biết quan hệ giữa độ rộng rms đầu vào và đầu ra của xung Gauss khi
truyền qua sợi quang đơn mode chuẩn tuân theo phương trình dưới đây:

Sợi quang có các tham số tán sắc như sau

Tại bước sóng 1,55 𝜇𝑚: 𝛽2= - 20 p𝑠2/km, 𝛽3= 0
Tại bước sóng 1,31 𝜇𝑚: 𝛽2= 0, 𝛽3= 0,1 ps3 /km
Giả sử các xung đầu vào bị giới hạn khai triển và có độ rộng FWHM là 100 ps. Độ
rộng phổ nguồn phát rất nhỏ, có thể bỏ qua. Hãy xác định:
a/ Độ rộng xung đầu ra khi tuyến truyền dẫn có chiều dài 50 km trong các trường
hợp hệ thống làm việc tại cửa sổ bước sóng 1,31 𝜇𝑚 và 1,55 𝜇𝑚
b/ Với cự ly truyền dẫn là 50 km xác định tốc độ bit giới hạn trong 2 trường hợp
trên. Nhân xét kết quả thu được
Giải:
 Độ rộng phổ nguồn phát rất nhỏ (Vw ≪ 1)

→ T0=TFWHM/1,665=60,06 ps

42,47 ps
√

 Tại bƣớc sóng 1,55 𝜇𝑚: 𝛽2= - 20 p𝑠2/km, 𝛽3= 0

√ ( ) =√ ( ) = 44,07 ps
 Tốc độ bit giới hạn:

 = = 7,9.10-3 (bit/ps)
√| | √
  Tại bƣớc sóng 1,31 𝜇𝑚: 𝛽2= 0, 𝛽3= 0,1 ps3 /km

√ ( ) =√ ( )

= 42,47 ps

 Tốc độ bit giới hạn:

 = = 0,189 (bit/ps)
| |
11- Cho hệ thống thông tin quang tốc độ 10 Gbit/s hoạt động ở bước sóng
1,5 m sử dụng xung Gauss với độ rộng xung FWHM tại đầu vào sợi là 120
ps và có hệ số chirp C = -6. Giả thiết:
- Hệ thống sử dụng sợi đơn mode chuẩn có tham số tán sắc 2=- 20ps2
/km, 3 = 0 tại bước sóng 1,5 m.
- Độ rộng phổ nguồn phát rất nhỏ và thể bỏ qua. Biết quan hệ giữa độ
rộng xung rms đầu vào và đầu ra của xung Gauss khi truyền qua sợi
quang đơn mode chuẩn tuân theo phương trình dưới đây:
𝛽 𝛽 𝛽
√
Xác định:
a- Giới hạn cự ly truyền dẫn do tán sắc gây ra
b- Nếu C = +6, chứng minh lúc đầu xung co sau đó dãn ra.
c- Với C = +6, xác định độ rộng nhỏ nhất của xung và khoảng cách truyền
dẫn tại đó xung có độ rộng nhỏ nhất

Giải:
 Độ rộng phổ nguồn phát rất nhỏ (Vw ≪ 1)

→ T0=TFWHM/1,665=72,07 ps

50,96 ps
√
 a)
- 2=- 20ps2 /km, 3 = 0, C=-6 tại bước sóng 1,5 m.

𝛽 𝛽
( ) ( )

𝛽 𝛽
( ) ( )

12- Cho xung Gauss không chirp có độ rộng xung FWHM là 100ps được
đưa vào sợi quang đơn mode chuẩn chiều dài 50 km có tán sắc là
16ps/(nm.km). Bỏ qua ánh hưởng của tán sắc bậc cao và độ rộng phổ của
nguồn phát. Biết quan hệ giữa độ rộng xung rms đầu vào và đầu ra của xung
Gauss khi truyền qua sợi quang đơn mode chuẩn tuân theo phương trình
dưới đây

Xác định
a/ Độ rộng FWHM của xung sau khi truyền qua 50km sợi quang
b/ Tốc độ giới hạn tuyến truyền dẫn
c/ Khi hệ số chirp của nguồn quang bằng -4, độ rộng xung tại đầu ra sẽ thay đổi
như thế nào
d/ Khi hệ số chirp của nguồn quang bằng +4, độ rộng xung sẽ thay đổi như thế nào
khi lan truyền trong sợi
Giải:
a) - Bỏ qua ánh hưởng của tán sắc bậc cao và độ rộng phổ của nguồn phát →
𝛽3= 0 và Vw ≪ 1, c=0

Ta có:
→ T0=TFWHM/1,665=60,06 ps

42,47 ps
√

√ ( ) =√ ( ) = 43,5 ps
→ Độ rộng FWHM của xung sau khi truyền qua 50km sợi quang:
√ √
b) Tốc độ giới hạn tuyến truyền dẫn
 = = 8,84.10-3 (bit/ps)
√| | √
c) C=-4
𝛽 𝛽
( ) ( )

 𝛽 ( ) ( )

 √ 𝛽 ( ) ( )

 √ ( ) ( )
 (ps)
 Độ rộng xung tại đầu ra giảm
d) C=4
𝛽 𝛽
𝛽 ( ) ( )

 √ 𝛽 ( ) ( )

 √ ( ) ( )
 (ps)
 Độ rộng xung tại đầu ra tăng
 CHƢƠNG 3:
1- Vật liệu InGaAsP sử dụng để chế tạo nguồn quang LED. Tìm thành phần vật
liệu nếu nguồn phát xạ ở của sổ bước sóng:
a) 1=1310 nm
b) 2=1550 nm.
Giải:
a) 1=1310 nm=1,31µm

Eg(y)=1,35-0,72y+0,12y2 (0≤y≤1)
 0,95=1,35-0,72y+0,12y2
 y=0,62
x/y=0,45 => x=0,28

b) 2=1550 nm=1,55 µm

Eg(y)=1,35-0,72y+0,12y2 (0≤y≤1)
 0,8=1,35-0,72y+0,12y2
 y=0,9
x/y=0,45 => x=0,405
2- Cho hai nguồn quang LED 𝑠, nguồn thứ nhất có năng lượng vùng cấm
g= 1,54 và nguồn thứ hai có x=0,015.
a) Tìm thành phần vật liệu và bước sóng phát xạ cho nguồn LED thứ nhất.
b) Xác định năng lượng vùng cấm và bước sóng phát xạ của nguồn LED Thứ hai
Giải:

 Eg(x)=1,424+1,247x (0<x<0,45)
a) Nguồn LED thứ 1
Eg(x)=1,424+1,247x (0<x<0,45)
  1,54=1,424+1,247x
 x=0,09
- Bước sóng: =1,24/Eg=0,805 µm
b) Nguồn LED thứ 2
Eg(x)=1,424+1,247x (0<x<0,45)
 Eg=1,424+1,247.0,015=1,443
- Bước sóng: =1,24/Eg=0,859 µm

3- Nguồn LED có cấu trúc dị thể kép InGaAsP phát xạ ánh sáng ở bước sóng
trung tâm là 1310nm có thời gian tái hợp phát xạ và không phát xạ lần lượt là
30 và 100ns. Dòng nuôi của LED là 40mA. Xác định công suất bên trong LED.
Giải:
τrr=30ns, τnr=100ns
- Thời gian sống của hạt mang là:

- Giá trị hệ số lƣợng tử nội bằng

- Công suất bên trong LED là

4- Xác định độ rộng băng tần điều biến 3dB của LED khi biết thời gian sống của
hạt tải là 3ns
a- Vùng tích cực của laser InGaAsP 1,3 m dài 250 m. Tìm độ khuyếch đại vùng
tích cực cần thiết cho laser đạt tới ngưỡng. Giả sử rằng vùng tích cực có suy hao
bên trong là 30 cm-1, chiết suất tại mode phát xạ là 3,3 và hệ số giam hãm là 0,4.
b- Một laser InGaAsP dài 250x5x0,1 m có suy hao bên trong là 40 𝑚 . Nó
hoạt động đơn mode với chiết suất tại mode phát xạ là 3,3 và chiết suất nhóm lớp
tích cực là 3,4. Hãy tính thời gian sống của photon. Giá trị ngưỡng mật độ hạt tải là
bao nhiêu? Giả sử rằng hệ số khuyếch đại biến đổi tuyến tính theo NT với GN =
𝑚 𝑠 và NT= 𝑚
Giải:
CHƢƠNG 4:
1- Một APD Si có hiệu suất lượng tử 70% tại bước sóng 830 nm khi không có
quá trình nhân thác (M = 1). Photodiode này được phân cực để hoạt động với
hệ số nhân dòng M = 100. Xác định hệ số đáp ứng của photodiode và cường
độ dòng quang điện được chuyển đổi khi tín hiệu quang đi vào có mức công
suất là 10 nW.
Giải:
- Hệ số đáp ứng của APD là


- Cường độ dòng điện:
Ip= RAPD.Pin=46,85.10=468,5 (nA)
2- Một bộ thu sử dụng photodiode p-i-n hoạt động tại bước sóng 1310 nm trung
bình cứ 3 photon đến tạo ra 2 cặp điện tử - lỗ trống. Bộ thu có băng tần nhiễu
hiệu dụng là 60 MHz, điện trở tải của bộ thu là 2 kΩ, hệ số nhiễu khuếch đại
của bộ thu là 3dB và nhiệt độ làm việc của bộ thu là 250C. Công suất quang
đến bộ thu là 1𝜇W. Xác định
a/ Hiệu suất lượng tử của photodiode
b/ Năng lượng vùng cấm cực đại có thể có của photodiode
c/ Giá trị SNR của bộ thu. Xác định giá trị SNR khi bộ thu hoạt động ở giới hạn
nhiễu nhiệt và giới hạn nhiễu lượng tử
d/ Giả thiết nhiễu nhiệt lớn hơn rất nhiều so với nhiễu nổ. Hãy xác định công suất
thu tối thiểu để đạt BER = 10-12. (giả thiết 𝑃0 = 0 và ID được chọn tối ưu).
Giải:
a) 3 photon đến tạo ra 2 cặp điện tử - lỗ trống
 η=2/3=66,67%
b) Năng lƣợng vùng cấm cực đại có thể có của photodiode khi:

c) Hệ số đáp ứng

 R=0,704
-6
 Ip=R.Pin=0,704.10 (A)
- Nhiễu nổ:
σs2= 2q(Ip+Id)Δf = 2.1,6.10-19.(0,704. 10-6+0).60.106
= 1,35.10-17
- Nhiễu nhiệt:

σT2 = (4kBT / RL)FnΔf = [4.1,38.10-23.(25+273)/2.103].2.60.106

=9,87.10-16
 Giá trị SNR của bộ thu.
( )

- SNR khi bộ thu hoạt động ở giới hạn nhiễu nhiệt:

𝑃

- SNR khi bộ thu hoạt động ở giới hạn nhiễu lƣợng tử

𝑃

d) Giả thiết nhiễu nhiệt lớn hơn rất nhiều so với nhiễu nổ

BER=10-12 => Q=7

Công suất tối thiểu:

√ √
𝑃
 3- Bộ thu sử dụng photodiode p-i-n hoạt động tại bước sóng 1310 nm có hiệu
suất lượng tử 65%, dòng tối 2 nA. Băng tần nhiễu hiệu dụng của bộ thu là 100
MHz. Điện dung tiếp giáp của bộ thu là 6pF và hình ảnh nhiễu của bộ khuếch
đại là 3 dB. Bộ thu làm việc tại nhiệt độ 250C. Giả sử công suất quang đến bộ
thu tại bước sóng này là 400 nW.
a/ Xác định công suất tín hiệu điện, công suất nhiễu nổ và công suất nhiễu nhiệt.
b/ Xác định SNR của bộ thu.
c/ Xác định SNR của bộ thu trong giới hạn nhiễu nhiệt và giới hạn nhiễu lượng tử
d/ Giả thiết bộ thu làm việc trong giới hạn nhiễu nhiệt. Hãy xác định công suất
thu tối thiểu để đạt BER = 10−9 (𝑃0= 0 và ID được chọn tối ưu).
Giải:
a)

 R=0,69
Ip=R.Pin=0,69.400.10 =2,75.10-7 (A)
-9

- Công suất tín hiệu điện:

𝑃
- Nhiễu nổ:
σs2= 2q(Ip+Id)Δf = 2.1,6.10-19.(2,75. 10-7+2.10-9).100.106
= 8,864.10-18
 Công suất nhiễu nổ:
𝑃

- Nhiễu nhiệt:
σT2 = (4kBT / RL)FnΔf = [4.1,38.10-23.(25+273)/265,26].2.100.106
=1,24.10-14
  Công suất nhiễu nhiệt:
𝑃

b) SRN bộ thu
( )

c) SNR của bộ thu trong giới hạn nhiễu nhiệt

𝑃

- SNR của bộ thu trong giới hạn nhiễu nổ:

d) BER = 10-9 => Q=6

Công suất tối thiểu:

√ √
𝑃

4- Luồng photon đi vào bộ thu APD có tốc độ 1010 photon/s. Biết bộ thu hoạt
động tại bước sóng 1550 nm và có các tham số như sau Độ rộng băng tần
nhiễn hiệu dụng 100 MHZ. Hệ số đáp ứng của bộ thu trước quá trình nhân là
0,6 A/W. Hê số nhiễu trội là 𝑀𝑥 (x=0,3), M=30. Dòng tối 0.2nA. Điện dung
tiếp giáp 8pF và nhiệt độ làm việc của bộ thu là 250C. Xác định
a/ Hiệu suất lượng tử của bộ thu
b/ Công suất tín hiệu điện, công suất nhiễu nổ, công suất nhiễu nhiệt
c/ Tỷ số SNR của bộ thu
d/ Công suất thu nhỏ nhất mà bộ thu có thể đảm bảo BER=10-9 (Giả thiết 𝑃𝑜 = 0 và
D được chọn tối ưu)
Giải:
5- Bộ thu sử dụng photodiode PIN Si làm việc tại bước sóng 850 nm có các
tham số như sau:
- Hiệu suất lượng tử 90%, dòng tối 3 nA
 - Hệ số nhiễu khếch đại của bộ thu là 3 dB và nhiệt độ làm việc của bộ thu là
250C.
- Điện dung tiếp giáp là 6 pF
- Băng tần nhiễu hiệu dụng của bộ thu là 50 MHz.
Giả thiết công suất quang đến bộ thu tại bước sóng này là 400nW. Xác định:
a. Xác định giá trị rms của dòng nhiễu nổ, dòng nhiễu nhiệt
b. Xác định năng lượng dải cấm dải cấm lớn nhất có thể của vật liệu được sử dụng
để chế tạo photodiode
c. Xác định SNR của bộ thu và SNR của bộ thu khi ở giới hạn nhiễu nổ
d. Xác định công suất thu tối thiểu yêu cầu để BER = 10-12. (giả thiết P0 = 0, ID
được chọn tối ưu và bộ thu hoạt động trong giới hạn nhiễu nhiệt).
Giải:
- Đáp ứng bộ thu của PIN

 R=0,617
 Ip=R.Pin=0,617.400.10-9=2,468.10-7
- Điện trở tải của bộ thu quang:
RL= = 530,52 Ω

a) Nhiễu nổ:
σs2= 2q(Ip+Id)Δf = 2.1,6.10-19.(2,468. 10-7+3.10-9).50.106
= 4.10-18
 Rms của nhiễu nổ:
√ √
- Nhiễu nhiệt:

 Rms của nhiễu nhiệt:

√ √
b) Năng lƣợng dải cấm dải cấm lớn nhất
 Eg=hc/λ=(6,625.10-34.3.108)/(850.10-9)=2,34.10-19(J)
c) SNR của bộ thu
( )

- SNR của bộ thu khi ở giới hạn nhiễu nổ:

𝑃

d) Với BER = 10-12 => Q=7

Công suất tối thiểu:

√ √
𝑃

6- Một bộ thu sử dụng photodiode p-i-n hoạt động tại bước sóng 1550 nm có
hiệu suất lượng tử là 70%. Bộ thu có băng tần nhiễu hiệu dụng là 100 MHz,
điện dung tiếp giáp của bộ thu là 6 pF, hệ số nhiễu khuếch đại của bộ thu là
3dB và nhiệt độ làm việc của bộ thu là 200C. Công suất quang đến bộ thu là
1W. Xác định :
a. Hệ số đáp ứng của bộ thu
b. Năng lượng vùng cấm cực đại có thể có của photodiode
c. Giá trị SNR của bộ thu, giá trị SNR khi bộ thu hoạt động ở giới hạn nhiễu nhiệt
và giới hạn nhiễu nổ
d. Công suất thu tối thiểu để đạt BER = 10-12 (giả thiết P0 = 0 và ID được chọn tối
ưu).
Giải:
a) Hệ số đáp ứng của bộ thu PIN

 R=0,875 (A/W)
b) Năng lƣợng vùng cấm cực đại
Eg=hc/λ=1,28.10-19 (J)
c)
Ip=R.Pin=0,875.10-6
- Điện trở tải của bộ thu quang:

RL= = 265,26 Ω

- Nhiễu nổ:
σs2= 2q(Ip+Id)Δf = 2.1,6.10-19.(8,75. 10-7).100.106
= 2,8.10-17
- Nhiễu nhiệt:

 SNR của bộ thu

( )

 SNR khi bộ thu hoạt động ở giới hạn nhiễu nhiệt:

𝑃

 SNR khi bộ thu hoạt động ở giới hạn nhiễu nổ:

𝑃

d) Với BER = 10-12 => Q=7

Công suất tối thiểu:

√ √
𝑃

7- Một bộ thu quang số sử dụng APD làm việc tại bước sóng 1310 nm có các
tham số sau:
- Độ rộng băng tần nhiễu hiệu dụng: 100MHz
- Hiệu suất lượng tử: 70%
- Hệ số nhiễu trội là Mx (x=0,3)
- Dòng tối 0,2 nA. Điện dụng tiếp giáp 6 pF
Biết công suất quang đi tới bộ thu là 50 nW.
e. Xác định tỷ số SNR của bộ thu trong khi bộ thu có hệ số nhân là 100.
f. Với hệ số nhân bằng 100, xác định công suất thu nhỏ nhất mà bộ thu có thể đảm
bảo BER = 10-12. (giả thiết P0 = 0 và ID được chọn tối ưu).
g. Xác định hệ số nhân tối ưu của bộ thu
h. Tỷ số SNR của bộ thu thay đổi như thế nào khi bộ thu có hệ số nhân tối ưu
Giải:
e) Hệ số đáp ứng của bộ thu APD
RAPD = R .M = ηλM / 1,24 = 73,95
- Cƣờng độ dòng quang điện là
Ip= Pin.RAPD = 3,7.10-6(W)
- Điện trở tải của bộ thu quang:

RL= = 265,26 Ω

- Nhiễu nổ
σs2 = 2qM2+x(Ip+Id)Δf
= 2qM2+0,3(Ip+Id)Δf.= 4,71.10-12 W
- Nhiễu nhiệt:

 SNR của bộ thu

f) M=100
Với BER = 10-12 => Q=7
Công suất tối thiểu:
 => 𝑃 W
g) Hệ số nhân tối ƣu của bộ thu Comment [ka1]:

Mopt2,3 = =351,5 ;

Mopt= 12,8