Bài Đề bài Tóm tắt Giải

2.1 Cho sợi quang có chiết n1=1,5 a) Góc tới hạn tại giao tiếp lớp lõi và lớp bọc:
suất lõi là n1=1,5 và n2= 1,47
chiết suất lớp bọc là
n2= 1.47. Xác định: a) c = ?
a) Góc tới hạn c tại b) NA = ? b) Khẩu độ số của sợi quang:
giao tiếp lớp lõi và
c) a = ?
lớp bọc. √ √
b) Khẩu độ số NA của c) Ta có:
sợi quang.
c) Góc tiếp nhận từ
Vậy góc tiếp nhận ánh sáng 2 =
không khí vào sợi
quang a.

2.2 Độ chênh lệch chiết = 0,01 a) Khẩu độ số của sợi quang:

suất của sợi quang là √ √
=1%. Chiết suất lớp b) Chiết xuất lớp bọc sợi quang:
lõi là n1= 1.46. Xác a) NA = ? Ta có:
định: b) c =? √
a) Khẩu độ số NA của
sợi quang. √ √
b) Góc tới hạn tại giao
tiếp lớp lõi và lớp Góc tới hạn tại giao tiếp lớp lõi và lớp bọc:
bọc c.

2.3 Cho sợi quang đa Sợi SI a) Giả sử:

2a = 80 m Khẩu độ số của sợi quang:
mode chiết suất bậc = 1,5% = √ √
có đường kính lõi là 2a 0,015 Tần số được chuẩn hóa của sợi quang:
= 80 m và độ chênh = 0,85 m
lệch chiết suất tương
a) V = ?
đối là =1.5% hoạt
b) N = ? b) Số mode sóng truyền được trong sợi SI:
động ở bước sóng =
0.85 m. Xác định:
a) Tần số được chuẩn
hóa V của sợi
quang.
b) Số mode sóng
 truyền được trong
sợi quang N.

2.4 Cho sợi quang chiết Sợi GI Tần số được chuẩn hóa của sợi quang:
suất biến đổi theo dạng 2a = 50 m
parabol có đường kính NA = 0,2
lõi 2a = 50 m. Sợi =1 m Số mode sóng truyền được trong sợi GI:
quang có khẩu độ số
NA = 0.2. Xác định số N=?
mode sóng N có thể
truyền được trong sợi
khi nó hoạt động ở
bước sóng = 1 m
2.5 Xác định bước sóng cắt Sợi SI Khẩu độ số của sợi quang:
để sợi quang chiết = 1,46 √ √
suất bậc họat động ở a = 4,5 m Do sợi quang chiết suất bậc (sợi SI)
chế độ đơn mode nếu = 0.25% =
sợi có chiết suất lõi 0,0025 Bước sóng cắt để sợi quang chiết suất bậc họat
= 1.46, bán kính lõi a = động ở chế độ đơn mode:
4.5 m, và độ chênh =?
lệch chiết suất tương
đối là = 0.25%.
2.6 Tính bán kính lõi a của p = 11,6 Ta có:
sợi quang đơn mode SI V = 2,2
có đường kính trường
mode (MFD) bằng 11.6 a=?
khi tần số được
chuẩn hóa V = 2.2.

Vậy bán kính lõi của sợi quang đơn mode SI là

2.7 Cho sợi quang đa mode = 1% = 0,01 Trường hợp 1: Sợi SI

có độ lệch chiết chuất = 1.5
tương đối = 1%, chiết = 1.3
suất lõi = 1.5. số N = 1100 Tần số được chuẩn hóa:
mode sóng truyền được √ √
trong sợi quang tại 2a = ? Khẩu độ số của sợi quang:
bước sóng = 1.3 √ √
là N = 1100. Tính
Đường kính lõi sợi:
đường kính lõi sợi 2a.
Ta có:
2.8 Cho tỉ số bằng số giữa Hệ số suy hao tại 1 km là:
công suất ngõ vào và
( )
ngõ ra trên 1 km là 2.5.
Tính công suất quang Pin (5 km) = Công suất quang trung bình thu được trên tuyến
trung bình thu được trên 1mW quang dài 5 km:
tuyến quang dài 5 km Ta có:
nếu công suất quang Pout (5 km) = ?
trung bình phát vào sợi ( )
quang là 1mW (giả sử
tuyến không có bộ kết
nối hoặc connector).
2.9 Cho sợi quang dài L= 8 L = 8 km a) Suy hao toàn trình của sợi quang:
km. Công suất đưa vào Pin=120 W
sợi quang là Pin=120 Pout=3 W
W, công suất quang ở
ngõ ra là Pout=3 W. a) A = ? dB b) Hệ số suy hao của sợi quang:
Tính: b)  = ? dB/km
a) Suy hao toàn trình c) L = 10 km
A (dB) của sợi c) Suy hao mối nối (10 km 9 mối nối) = 9.1 =
quang. Giả sử 9
không có connector A=?
hoặc mối nối nào. d) ở Suy hao toàn trình:
b) Hệ số suy hao của câu c)
d) Ta có:
sợi quang
(dB/km).
c) Cũng dùng sợi
quang tương tự như
trên nhưng chiều dài Vậy Pin / Pout = 1/0,00126 = 794
là L=10km và có
mối nối trên mỗi km
với suy hao mối nối
là 1 dB. Tính suy
hao toàn trình trong
trường hợp này.
d) Tỉ số Pin / Pout bằng
số của câu (c ).
2.10 Cho công suất quang Pin = 1,5 mW Chiều dài tối đa của tuyến:
trung bình phát vào = 0,5 dB/km Ta có:
tuyến cáp sợi quang là Pout = 2 W
( )
1.5 mW và sợi quang
có suy hao 0.5 dB/km. L=?
Tính chiều dài tối đa
của tuyến mà không cần
phải sử dụng trạm lặp
(giải sử các connector
không có suy hao) khi
mức công suất trung
bình tối thiểu cần có tại
bộ tách quang là 2 W.
2.11 Cho một tuyến cáp sợi L = 15 km Suy hao mối nối (15 km 14 mối nối) = 14.0,8
quang dài 15 km có suy = 1,5 dB/km = 11,2
hao 1.5 dB/km. Sợi
quang được kết nối trên Suy hao toàn trình:
từng kilometre bằng các Pout = 0,3 W
connector có suy hao d) Ta có:
0.8 dB/connector. Tính Pin = ?
công suất trung bình tối
thiểu cần phải phát vào
sợi quang để duy trì
mức công suất quang
trung bình tại bộ tách
Vậy công suất trung bình tối thiểu cần phải phát
quang là 0.3 W.
vào sợi quang là
2.12 Cho sợi quang silica, có TF = 1400K  Tại = 0,65 m:
hệ số nén đẳng nhiệt tại = 7x10- Hệ số tán xạ Rayleigh:
nhiệt độ TF=1400K là 11 2
m /N
=7x10-11m2/N. Chiết n = 1,46
suất n=1.46, hệ số p = 0,286
quang đàn hồi p=0.286. K = 1.381.10-23
Xác định hệ số suy hao J/K.
(dB/km) tại các bước
sóng =0.65 m, 1 m, = ? tại = Ta có:
1.3 m. Hằng số 0,65 m, 1 m,
Boltzman K=1.381.10- 1,3 m
23
J/K. Hệ số suy hao:
  Tại = 1 m:
Hệ số tán xạ Rayleigh:

Ta có:

Hệ số suy hao:

 Tại = 1,3 m:
Hệ số tán xạ Rayleigh:

Ta có:

Hệ số suy hao:

2.13 Cho sợi quang lõi thủy Tán xạ * Tìm l:

tinh K2O-SiO2 có suy Rayleigh
hao do tán xạ Rayleigh = 0.46
= 0.46 dB/km tại dB/km
bước sóng = 1 m. =1 m * Tìm
Thủy tinh có hệ số nén = 8.4x10-11
đẳng nhiệt =8.4x10- m2/N * Tìm n:
11 2
m /N tại nhiệt độ TF = TF = 758 K
758 K, và hệ số quang p = 0.245
đàn hồi p = 0.245. Tính
chiết suất của lõi sợi n1. n1 = ?
 √

√
2.14 Cho sợi quang đơn n1=1,49 Bán kính uốn cong tới hạn của sợi đa mode:
mode SI có chiết suất a=2 mm
lõi là n1=1,49 có bán λ=1,30 μm
Rcs= ( )
kính uốn cong tới hạn λc=1,15 μm
bằng 2 mm khi được
phát quang bằng ánh ∆=? =
sáng có bước sóng
λ=1,30 μm.Tính độ lệch
chiết suất tương đối ∆
nếu bước sóng cắt của =3,046.
sợi quang là λc=1,15 =0.021
μm
Độ lệch chiết suất tương đối:

∆= = =4,73 =0.473

2.15 Cho hai sợi quang có a) a. Ta có: ∆=

các tham số sau: Sợi đa mode
a) Sợi đa mode có chiết n1=1,5 ∆. =0,03.2. =0,135
suất lõi n1=1,5 và độ ∆=3 Bán kính uốn cong cho phép đối với sợi đa mode:
lệch chiết suất tương λ =0,82 μm
đối ∆=3 , hoạt động ở b) Rc= =
bước sóng λ=0,82 μm. Sợi đơn mode
b) Sợi đơn mode có 2a=8 μm =8,88 m=8,88 (μm)
đường kính lõi 2a=8 μm
μm, chiết suất lõi n1=1,5
b. Ta có: ∆=
n1=1,5 và độ lệch chiết ∆=0.3
suất tương đối ∆=0.3 , λ=1,55 μm ∆. =0,003.2. =0,0135
hoạt động ở bước sóng Khẩu độ số:
λ=1,55 μm. Rc=? NA=n1√ √ 0,116
Tính bán kính uốn cong
Rc cho phép trong hai
trường hợp này Bước sóng cắt:
 λc= .α.NA= .4. =1,212. m

=1,121 (μm)
Bán kính uốn cong tới hạn của sợi đa mode:
Rc=
=

c. =5,73. m=5,73 (mm)

2.16 Cho sợi quang đa mode, Sợi đa mode a) Dải thông tối đa có thể trên tuyến quang để
chiết suất nhảy bậc có L=15km không có sự giao thoa giữa các kí tự:
độ dãn xung tổng cộng Dt=0,1 μm BT(max)= = =5. (bps) =5 (Mbps)
trên L=15km là Dt=0,1
μm. Tính: a)BT(max)=?
a) Dải thông tối đa có b) dt=? b) Độ tán sắc:
thể trên tuyến quang c) BoptL=? dt= = =6,67 (ps/m)
này để không có giao (BT(max)= Bopt)
thoa giữa các ký tự.
b) Độ tán sắc dt (ns/km) c) Tích dải thông- chiều dài BoptL:
c) Tích dải thông- chiều
BoptL=5.15=75 (MHz.km)
dài BoptL
2.17 Một sợi thủy tinh có tán
sắc chất liệu được cho | |=0,025 Hệ số tán sắc vật liệu:
bởi: | |=0,025. λ=0,85 μm M= | |= | |= =98,1
Hãy xác định hệ số tán =20nm (ps/nm.km)
sắc vật liệu M ở bước
sóng λ=0,85 μm và tính M=? Độ trải rộng xung hiệu dụng trên mỗi km:
độ trải rộng xung hiệu .L.M=? .L.M=20.1.98,1=1,96 (ns/Km)
dụng trên mỗi Km

có độ rộng phổ hiệu

dụng =20nm
2.18 Tính độ trải rộng xung M=98.1
hiệu dụng trên mỗi km ps/nm.km
λ=0,0012 Độ rộng phổ hiệu dụng:
khi nguồn quang được λ =0,85 μm =0,0012 =0,0012. λ
sử dụng là nguồn laser =0,0012. =1,02. =1,02 (nm)
có độ rộng phổ tương .L.M=?
đối λ=0,0012 tại Độ trải rộng xung hiệu dụng trên mỗi km:
 bước sóng 0,85 μm .L.M=1,02..1.98,1=0,1 (ns/Km)
2.19 Một tuyến quang 6Km Sợi đa mode SI a. Thời gian chênh lệch giữa mode nhanh nhất và
dùng sợi đa mode SI, L=6Km mode chậm nhất:
lõi có chiết suất n1 bằng n1=1,5 ∆Tmode(SI)= .∆= =300. (m)
1,5 và độ chênh lệch ∆=1
chiết suất tương đối =300 (nm)
∆=1 . Hãy xác định: a)∆Tmode(SI)=?
a) Thời gian chênh lệch b. Độ trải rộng xung hiệu dụng do tán sắc mode:
giữa mode nhanh nhất b) √
và mode chậm nhất
∆Tmode(SI). =86,7. =86,7 (ns)
c) Bt(max)=? √
b) Độ trải rộng xung
hiệu dụng do tán sắc d) Bopt.L=? c. Tốc độ bit cực đại có thể đạt được:
mode trên tuyến Bt(max)= = =2,3. (bps)=2,3
.
(Mps)
c)Tốc độ bit cực đại có
thể đạt được, giả sử chỉ
d. Tích dải thông với chiều dài:
có tán sắc mode Bt(max).
Bopt.L=2,3.6=13,8 (MHz.km)
d) Tích dải thông với
chiều dài ở câu (c)
Bopt.L
2.20 Hãy so sánh độ trải L=6Km Độ trải rộng xung hiệu dụng trên mỗi Km do tán
rộng xung hiệu dụng sắc mode của sợi đa mode chiết suất nhảy bậc:
trên mỗi Km do tán sắc 86,7 ns = = =14,4
mode của sợi đa mode n1=1,5 (ns/Km)
chiết suất nhảy bậc ∆=1 Độ trải rộng xung hiệu dụng trên mỗi Km do tán
trong bài tập 2.19 với So sánh sắc mode của sợi đa mode chiết suất giảm dần:
sợi đa mode chiết suất
giảm dần có phân bố = = =14,4
√ √
chiết suất tối ưu có (ps/Km)
cùng chiết suất lõi n1 và Nhận xét: Tán sắc mode của sợi GI được cải tiến
∆. đến 1000 lần so với sợi SI có cùng chiết suất lõi
n1 và ∆.

2.21 Cho sợi quang đa mode Sợi đa mode a) Ta có: NA=n1√ 0,3=1,45√
chiết suất bậc có khẩu NA=0,3
độ số NA=0,3 và chiết n1=1,45 Độ trải rộng xung hiệu dụng tổng cộng:
suất lõi n1=1,45. Hệ số M=250
tán sắc vật liệu M=250 ps.nm/km =2,986.
√ √
ps.nm/km . Bỏ qua tán =29,86 (ns/Km)
sắc ống dẫn sóng. Tính: =50 nm b) Tốc độ bit cực đại có thể đạt được:
a) Độ trải rộng xung
Bt(max)= = =6,7. (bps)=6,7 (Mps)
 hiệu dụng tổng cộng b)Bopt.L=? Tích dải thông với chiều dài:
nếu sử dụng nguồn Bopt.L=6,7.1=6,7 (MHz.km)
LED có độ rộng phổ
hiệu dụng =50 nm.
b) Tích dải thông tương
ứng với độ dài Bopt.L
2.22 Cho sợi quang đa mode = 95 ns Ta có Bt = = = (MHz)
chiết suất bậc có độ trải L = 5 km
rộng xung tổng cộng là Đối với mã NRZ thì B = Bt => B =
95 ns trên chiều dài 5 B.L=? = 2,632 (MHz)
km. Tính tích dải thông Tích dải thông-chiều dài là:
– chiều dài nếu mã B.L = 2,632.5 = 13,2 (MHz.km)
NRZ được sử dụng
2.23 Cho sợi đơn mode có Sợi đơn mode B= = 250 (Mbps)
tích dải thông – chiều B.L=10
dài bằng 10 GHz.km. GHz.km Đối với mã RZ thì B = Bt = 250 (Mbps)
Tính độ trải rộng xung L = 40 km Độ trải rộng xung hiệu dụng trên tuyến quang dài
hiệu dụng trên tuyến 40 km không có trạm lặp:
quang dài 40 km không Ta có Bt(max) = = 250 (Mbps)
có các trạm lặp, và sử => σ= = 0,8 (ns)
dụng mã RZ.
2.24 Cho sợi đơn mode chiết Sợi đơn mode NA =√ = n1 √
suất bậc với chiết suất n1 = 1.49
Mặt khác, ta lại có:
lõi n1 = 1.49 có bán Rc = 2mm
kính uốn cong cho phép λ = 1.30 µm Rcs = –
⁄
Rc = 2mm khi được λc = 1.15µm
phát sáng ở bước sóng λ -3
 = . (2,748 – 0,996.
= 1.30 µm. Tính độ ∆=?
chênh lệch chiết suất  = x (2,748 –0,996. -3
tương đối ∆ nếu bước
sóng cắt λc = 1.15µm
Giải phương trình trên ta được ∆ = 0,47%.
Vậy độ lệch chiết suất tương đối là 0,47%.

2.25 Một tuyến cáp sợi Sợi quang đa a) Độ trải rộng xung tổng cộng trên toàn tuyến:
quang dài 8 km không mode
có trạm lặp sử dụng sợi B.L=400 Bt =
quang đa mode chiết MHz.km  = = = 10 (ns)
suất bậc có tích dải L = 8 km
thông – chiều dài bằng
400 MHz.km. Tính : Suy ra
a) Độ trải rộng B= = 50 b) Độ trải xung tổng cộng hiệu dụng trên toàn
 xung tổng cộng trên (Mbps) tuyến:
toàn tuyến.
b) Độ trải rộng Ta có Bt(max) = = 50 (Mbps)
xung tổng cộng hiệu  σ= = 4 (ns)
dụng trên tòan tuyến .

4.1 Photodiode PIN trung = 0,8 m a) Hiệu suất lượng tử của linh kiện là :
bình tạo ra 1 cặp lỗ ne 1
  .100%  33%
trống – electron trên 3 a)  =? n ph 3
photon tới ở bước sóng
b) Năng lượng vùng cấm cực đại có thể
0,8μm. Giả sử tất cả các b) Eg =?
của PIN là:
electron này đều nhu
c) I ph =? hc0
nhận được. Tính: Ta có: c 
(a) Hiệu suất lượng tử Eg
của linh kiện; 6, 625.1034.3.108
hc0
 Eg    24,8.1020 J
(b) Năng lượng vùng c 0,8.10 8

cấm cực đại có thể của

PIN;
c) Dòng photon trung bình pử ngõ ra khi
(c) Dòng photon trung
bình ở ngõ ra khi thu thu được công suất quang là 10-7 w
được công suất quang Ta có đáp ứng :
 0.8
10-7W. R   0.33  0, 2129( A / W )
1, 24 1, 24
Dòng photon trung bình ở ngõ ra là:
I ph
R  I ph  R.P0  0, 2129.107  2.129.108 ( A)
P0

4.2 Một photodiode p-n có  =0,5 a) Đáp ứng của linh kiện ở bước sóng 0,9
hiệu suất lượng tử 50% = 0,9 m là :
ở bước sóng 0,9μm. I ph =10
-6
 0.9
Tính: R   0.5  0,363( A / W )
1, 24 1, 24
(a) Đáp ứng của linh a) R =?
b) Công suất phát quang nếu dòng photon
kiện ở bước sóng b) P0=? trung ình là 10-6A
0,9μm;
c)  ph =? I ph I ph 106
(b) Công suất quang đã R  P0    2, 755.106 (W )
thu được nếu P0 R 0.363
dòngphoton trung bình c) Số photon thu được tương ứng với bước
là 10-6A sóng là:
(c) Số photon thu được
hc0 P0 2, 755.106.0,9.106
tương ứng với bước P0   ph   ph    1, 25.1013 ( photon)
 hc0 6, 625.1034.3.108
sóng này.
4.3 Khi 800 photon/s tới  ph Đáp ứng của linh kiện là:
photodiode PIN đang  n  550 1,3
=800photon/s R   e .  .  0, 721( A / W )
hoạt động ở bước = 1,3 m 1, 24 n ph 1, 24 800 1, 24
1,3μm, chúng tạo ra ne =550e/s
trung bình 550
electron/s. Tính đáp
R=?
ứng của linh kiện.
4.4 Một APD có hệ số nhân = 1,5 m Hiệu suất lượng tử với M=1
thác lũ là 20 hoạt động R= 0,6A/W M e
Ta có: R 
ở bước sóng 1,5μm.  ph hc0
Tính hiệu suất lượng tử =1010photon/s Rhc0 0, 6.6.625.10 34.3.108
và dòng photon ngõ ra     0.5
Me 1.1, 6.10 19.1,5.10 6
của APD nếu đáp ứng  =?
của linh kiện ở bước Dòng photon ngõ ra của APD nếu có đáp
I ph =? ứng như trên đề là :
sóng này là 0,6A/W và
1010 photon/s ở bước hc 6,625.1034.3.108
P0  n photon  1010  1,325.109 (W )
sóng này tới linh kiện.  1,5.10 6

M e P0 20.0.5.1,6.1019.1,5.106.1,325.109
I ph   34 8
 1,6.108 ( A)
hc 6,625.10 .3,10

4.5 Cho trước các thông số = 1,35 m M e P0

Ta có: I ph 
của APD. Tính hệ số P0=0,2 μW hc
nhân thác lũ. I ph =4,9 μA Hệ số nhân thác lũ là:
Công suất quang thu  =0,4
được ở bước sóng I p hc 4,9.106.6, 625.1034.3.108
M=? M   56, 29
1,35μm = 0,2 μW  e P0 0, 4.1, 6.1019.1,35.106.0, 2.106
Dòng photon ngõ ra
(sau khi có độ lợi của
cơ chế nhân thác lũ) =
4,9 μA
Hiệu suất lượng tử ở
bước sóng 1,35μm =
40%
4.6 Một APD có hiệu suất  =0,45 Công suất quang thu được của linh kiện là:
lượng tử 45% ở = 0,85 m M e P0
Ta có: I ph 
0,85μW. Khi thử I ph =10 μA hc
nghiệm phát xạ ở bước I p hc 10.106.6, 625.1034.3.108
sóng này, nó tạo ra
M=250  P0  
P0=? M e 250.0, 45.1, 6.1019.0,85.10 6
dòng photon 10μA (sau
 ph =?  0,1297.106 (W )  0,1297( W )
độ lới thác lũ) với hệ số
nhân 250. Tính công Số photon đến trong 1s là:
 suất quang thu được của hc
P0  n photon
linh kiện. Có bao nhiêu 
photon đến trong một P  0,1297.106.0,85.106
 n photon  0   5,55.1011 ( photon / s)
giây? hc 6, 625.1034.3.108

4.7 Một photodiode silicon R=0,45 A/W  SNR  7

có đáp ứng 0,5 A/W ở = 0,85 m Ta có: BER  Q    10
bước sóng 850nm. Xác BER=10-7  2 
định công suất quang BT=35Mbit/s Tra bảng 4.1, ta được:
tối thiểu cần thiết tới P0=? SNR
 5, 2  SNR  108,16  20,34dB
photodidoe ở bước sóng 2
này để duy trì BER = Hiệu suất lượng tử của linh kiện là:
10-7, giả sử tín hiệu nhị  R.1, 24 0,5.1, 24
R      0, 7294
phân là lý tưởng và có 1, 24  0,85
tốc độ 35Mbit/s. Số photon trung bình:

2 B 2.0, 6
Zm  SNR  .108,16  177,94( photon)
 0, 7294
Công suất quang tối thiểu cần thiết tới
photondiode ở điều kiện này:

Z m hcBT 177,94.6,625.1034.3.108.35.106
P0    7, 282.1010 (W )
2 2.0,85.106

4.8 Một photodiode PIN  =0,65 a) Dòng photon trung bình là:
silicon có hiệu suất = 0,8 m  e P0 0, 65.1,9.1019.0,8.106.5.106
lượng tử 65% ở bước I ph  
a) P0=5μW hc 6, 625.1034.3.108
sóng 800nm. Xác định: I ph =?
(a) Dòng photon trung  2, 093.107 ( A)
b) B=20MHz
bình khi công suất b) Dòng nhiễu lượng tử:
quang 5μW có bước I q 2 =?
I q 2  2eBI p  2.1, 6.1019.20.106.2, 093.10 6
sóng 800nm tới bộ tách c) SNR=?
sóng;  1,34.1017 ( A2 )
(b) Dòng nhiễu lượng
Giá trị hiệu dụng rms của dòng nhiễu
tử hiệu dụng rms với
lượng tử là:
băng thông sau bộ tách
sóng là 20MHz; I q 2  1,34.10 17  3, 66.10 9 ( A)
(c) SNR theo dB khi
dòng photon trung bình c) SNR khi dòng photon trung bình là dòng
là dòng tín hiệu. tín hiệu:
 Ip 2, 093.106
SNR  
2eB 2.1, 6.10 19.20.106
 327031, 25(W )  55,15dB

4.9 Photodiode ở bài 4.8 có C=8pF a) Điện trở tải tối thiểu tương ứng là:
điện dung 8pF. Tính: a) B=20MHz 1
B
(a) điện trở tải tối thiểu RL=? 2 RLC
tương ứng với băng b) t=250oC
1 1
thông sau bộ tách sóng I t 2 =?  RL    994, 7()
là 20MHz; B 2 C 20.10 .2 .8.10 12
6

(b) dòng nhiễu nhiệt c) Id=1nA

hiệu dụng rms trong SNR=? b) Ta có:
điện trở trên ở nhiệt độ 4 KT 4.(25  273).1,38.10  23
It 2  B .20.106
250C; RL 994,7
(c) SNR (theo dB) khi  3,3074.1016 ( A2 )
dòng tối của photodiode
Dòng nhiễu nhiệt hiệu dụng rms trong điện
là 1 nA.
trở là:
I t 2  3,3075.10 16  1,8186.10 8 ( A)
c) Dòng nhiễu tối là:
I d 2  2eI d B  2.1, 6.1019.109.20.106
 6, 4.1021 ( A2 )
I p2 I p2
SNR  
IN 2 I q 2  I d 2  It 2

(2, 093.106 ) 2
  12726,396  41,5dB
1,34.1017  6, 4.1021  3,307.1016
4.10 Photodiode ở bài tập C=7pF a) Điện trở ngõ vào là:
4.8 và 4.9 được sử dụng a) B=20MHz 1 1
RL    1136,821()
ở bộ thu với bộ khuếch RL=? B 2 C 20.10 .2 .7.1012
6

đại có hệ số nhiễu 2dB b) SNR=50dB

và điện dung ngõ vào là Ip=? b) Dòng nhiễu nhiệt là:
7pF. Xác định: 4 KTBFn
(a) Điện trở ngõ vào It 2 
RL
cực đại của bộ khuếch
đại để duy trì băng 4.1,381.10 23.(25  273).2.106.1,519
  4,5867.1016 ( A2 )
thông sau bộ tách sóng 1136,821
là 20MHz (không có
cân bằng). Dòng nhiễu tối:
(b) Công suất quang tối
 thiểu cần thiết tới bộ
I d 2  2eI d B  2.1, 6.1019.109.20.106
thu để được SNR =
50dB.  6, 4.1021 ( A2 )
Dòng nhiễu lượng tử:
I q 2  2eI p B  2.1, 6.1019.I p .20.106

 6, 4.1012.I p

Công suất quang tối thiểu cần thiết tới bộ

thu để được SNR=50dB là
I p2 I p2
SNR  
IN 2 I q 2  I d 2  It 2
I p2
 50 
6, 4.1012 I p  6, 4.1021  4,5867.1016
 I p 2  6, 4.107 I p  4,5867.1011  0
 I p  7,1.106 ( A)

4.11 Photodiode germanium = 1550 nm Dòng photon trung bình là:

được sử dụng ở bộ thu Id = 500 nA P0 = 0,6 .10-6 (A)
quang làm việc ở bước P0 = 10-6 W
sóng 1550nm có dong R = 0,6 A/W Nhiễu nổ là:
tối 500nA. Khi công B = 100MHz ⟨ ⟩ ⟨ ⟩ ⟨ ⟩ ( )
suất quang đến ở bước SNR = ? dB = 2e.100.10 (500.10 + 0,6.10 ) = 3,52.10-17(A2)
6 -9 -6
sóng làm việc là 10-6W
SNR ở bộ thu là:
và đáp ứng của linh
kiện là 0,6 A/W, nhiễu I 2p (0, 6.106 ) 2
SNR    10213,38  40, 09dB
nổ chiếm ưu thế. Xác ITS2 3,52.1017
định SNR (theo dB) ở
bộ thu khi bang thông
sau tách sóng là
100MHz.
4.12 Một APD silicon có  = 0,95 Điện trở ngõ vào:
hiệu suất lượng tử 95  = 0,9  m 1 1
RL    3183()
ở bước sóng 0,9  m, có Hệ số nhiễu 2 Cd B 2 2.10 .25.106
12

hệ số nhiễu thác lũ M0,3 thác lũ M0,3 Dòng nhiễu nhiệt:

và điện dung 2pF. Giả Cp= 2pF 4 KTB 4.1,38.1023.25.106
sử băng thông sau khi I t2    1, 258.1016 ( A2 )
T = 290 RL 3183
tách sóng (chưa cân B= 25MHz
 bằng) là 25MHz. Dòng SNR = 23dB Ta có: I q2  2eI p BM 2 F ( M )  2eI p BM 2 x
tối không đáng kể ở P0 = ? 4 KT
nhiệt độ 290 . Xác Mà: M 2 x 
xeRL I p
định công suất quang
tối thiểu tới APD để đạt 4 KT
 Ip 
SNR = 23dB xeRL M 2 x
4 KT 8 KTB
 I q2
2+x
= 2e. 2 x
.BM =
xeRL M xRL
-16
= 8,3878.10 (A2)
I 2p
SNR   102,3
I 2
q  I t
2

 I p   I q2  I t2  .102,3  4,387.107 ( A)
Hệ số nhân thác lũ:
4 KT 4.1,38.10 23.290
M  2,3  2,3  10,816
xe.RL I p 0,3e.318.4,387.107
Đáp ứng R:
R= (A/W)
Công suất quang cần tìm:
Ip 4,387.107
P0    5, 44.106 mW  52, 64dBm
RM 7, 458.10,816

4.13 Với linh kiện và các a)M’= a) Dòng photon trung bình là:
điều kiện ở bài tập 4.12,
= =5,408 I p  RM ' P0  7, 458.5, 4085, 44.106  2,194.107 ( A)
tính:
SNR = ? Dòng nhiễu lượng tử:
a) SNR đạt được 8KTB 8.1,381.1023.290.25.106
b)SNR =23dB I q2    8,388.1016 ( A2 )
khi hệ số nhân
P0 =? xRL 0,3.3183
thác lũ của APD
chỉ còn 1 nửa giá
ttị tối ưu đã tính I p2 (2,194.107 ) 2
 SNR    49,9
được. I q2  I t2 8,388.1016  1, 258.10 16
b) Công suất quang
cần thiết để khôi =16,98dB
phục SNR=23dB b) Công suất quang cần thiết:
với M=0,5Mopt
Po = = =
= 2,176.10-8 (W) = -46,62 dBm
4.14 Một APD Germanium  = 1,35  m R.1, 24 0, 45.1, 24
Ta có:     0, 413
(có x=1) hoạt động ở R=0,45A/W  1,35
bước sóng 1,35  m với Id=200nA Mặt khác:
đáp ứng 0,45A/W. T=250 Ip
Dòng tối 200nA ở nhiệt C=3pF R  I p  R.P0  0, 45.8.107  3, 6.107 ( A)
P0
độ hoạt động 250 và P0=8.10-7W
Ta lại có:
điện dung của linh kiện B=560MHz 1 1
3pF. Xác định SNR mã SNRmax=? RL    94, 735()
2 CB 2 3.10 .560.106
12
có thể khi công suất
SNR max khi M=Mop
quang tới là 8.10-7W và
4 KTFn
băng thông sau khi tách M op2 x 
sóng khi chưa cân bằng xeRL ( I p  I d )
là 560MHz. Với x=1, Fn=1
4.250.1,38.1023
3
M op   1623,567
e.94, 735(3, 6.107  200.109 )
 M op  11, 753
F ( M )  M x  40, 2935
M 2 I p2 M 2 I p2
SNR  
I q2  I t2 2eB( I p  I d ) M 2 F  M  
4 KTFnB
RL
 94, 735  19, 765dB

4.15 Photodiode ở bài tập x=1 4 KTFn

4.14 có sử dụng bộ λ = 1.35μm M op2 x 
xeRL ( I p  I d )
khuếch đại với hệ số R = 0.45 A/W
nhiễu 3dB và điện dung Id = 200nA 4.250.1,38.10 23.3
  4877,31
vào 3pF. Xác định giá P0 = 8.10-7 W e.94, 735(3, 6.107  200.10 9 )
trị mới SNR khi hoạt Cd = 3pF  Mop = √ = 16,96
động dưới cùng điều T = 2500K
kiện. B = 560MHz Vậy SNR là:
Fn=3dB M 2 I p2 M 2 I p2
SNR  
=1.9953 I q2  I t2 2eB( I p  I d ) M 2 F  M  
4 KTFnB
SNR = ? RL
 50, 772  17, 056dB

4.16 Một bộ tách sóng quang  = 70% a) Theo đề:

APD silicon được sử k=0,05
dụng trong bộ thu PCM M=65  SNR  10
BER  Q    10
nhị phân dải nền có a)BER=10-10  2 
ngư ng quyết định nằm b)B=34Mbit/s Tra bảng 4.1 ta được kết quả:
giữa mức 0 và 1. Linh
 kiện có hiệu suất lượng SNR
tử 70 và tỉ số tốc độ = 6,36  √
2
ion hoá 0,005 và hệ số I2
nhân thác lũ khi hoạt SNRElectrical  12  SNR  161,8  22,1dB

động là 65. Giả sử phổ
 1 
tín hiệu có dạng cosin F ( M )  kM   2   1  k 
và tỉ lệ bit 1 và 0 bằng  M
 1 
 0, 05.65   2   1  0, 05   5,135
nhau.
a) Xác định số photon  65 
cần thiết ở thu để Ta có: B  0, 6
nhận dạng bit 1 với Số photon trung bình cần thiết:
BER=10-10 zm 
2 B F ( M )
SNR 
2.0, 6.5,135
.161,8  1424( photon)
 0, 7
b) Tính công suất
quang cần thiết tới
APD khi hệ thống b) Công suất quang cần thiết tới APD:
hoạt động ở bước
zm hcBT 1424.6, 625.1034.3.108.34.106
sóng có tốc độ P0   (W)
truyền dẫn 34Mbit/s 2 2

4.18 Một hệ thống quang sử Pi =300  W a) Công suất quang cần thiết:
dụng LED ở bộ phát có  = 800nm
công suất quang trung  = 4dB/km z hcBT 1200.6, 625.1034.3.108.106
P0  m 
bình 300  W ở bước zm=1200photon 2 2.800.109
sóng 800nm được ghép BER=10-10  1, 49.1010 (W)
vào sợi quang. Sợi L=? P
quang có suy hao trung a) B=1Mbit/s
10 log i
P0
bình 4dB/km (bao gồm  (dB / km) 
cả mối nối). Bộ thu b) B=1Gbit/s L
APD yêu cầu 1200 Pi
10 log
photon tới để nhận dạng P0 300.106
10 log
bit 1 với BER=10-10. L 1, 49.1010
L   15, 76(km)
Hãy xác định khoảng  (dB / km) 4
cách truyền dẫn lớn
nhất (không sử dụng b) Công suất quang cần thiết:
trạm lặp) của hệ thống
trong các trường hợp zm hcBT 1200.6, 625.1034.3.108.109
P0  
tốc độ hoạt động sau: 2 2.800.109
a) 1Mbit/s  1, 49.107 (W)

b) 1Gbit/s Khoảng cách truyền dẫn lớn nhất:

Nhận xét kết quả
 Pi
10 log
P0 300.106
10 log
L 1, 49.107
L   8, 26(km)
 (dB / km) 4
8-1 Make a graphical Data rate = 500  Tính toán:
comparison, as in Fig 8- Mb/s
4, and a speadsheet  Hệ thống 1:
calculation of the Tổng suy hao:
o Hệ thống 1:
maximun attenuation- Source Laser
limited transmission @ 850 nm
distance of the Pt = 1 mW (0 Mà
following two systems dBm)
operating at 100 Mb/s: Pr = -50 dBm
αf = 3,5 dB/km  Hệ thống 2:
System 1 operating at 1 Tổng suy hao:
850 nm dB/connector
(a) GaAlAs laser diode: o Hệ thống 2:
0-dBm (1-mW) Source Laser Mà
fiber-coupled @ 1300 nm
power. Pt = -13 dBm
(b) Silicon avalanche Pr = -38 dBm  Đồ thị:
photodiode: -50- αf = 1,5 dB/km
dBm sensitivity. 1  Hệ thống 1:
(c) Grade-index fiber: dB/connector
3.5-dB/km
attenuation at 850 SM = 6 dB
nm. Vẽ đồ thị Link
Power Budget
(d) Connector loss: 1 cho cả 2 hệ
dB/connector. thống.
System 2 operating at
1300 nm
(a) InGaAsP LED: -13-
dBm fiber-coupled
power.
(b) InGaAs pin  Hệ thống 2:
photodiode: -38-
dBm sensitivity.
(c) Grade-index fiber:
 1.5-dB/km
attenuation at 1300
nm.
(d) Connector loss: 1
dB/connector.

Allow a 6-dB system

operating margin in
each case.

 Bảng tính:
 Hệ thống 1:

 Hệ thống 2:

8.2 An engineer has the Gọi L1 và L2 lần lượt là khoảng cách truyền tối
 Pt = 1 mW (0
following components đa đến pin và APD.
dBm)
available: (a) pin:
 10 đoạn, 500 Tổng suy hao:
(a) GaAlAs laser diode
m/đoạn, có
operating at 850 nm
connector ở
and capable of
cả 2 đầu 11 Khoảng cách L1 :
coupling 1 mW (0
connector
dBm) into fiber.
(b) Ten sections of  αf = 4 dB/km
cable each of which 2 Do 4.25 < 5 nên không thể sử dụng pin ở phía
is 500 m long, as a dB/connector thu được.
4-dB/km
 L = 5 km (a) APD:
attenuation, and has
Tổng suy hao:
 connectors on both
 Pr pin = -45
ends.
dBm
(c) Connector loss of 2 Khoảng cách L2 :
 Pr APD = -56
dB/connector
dBm
(d) A pin photodiode
receiver.  SM = 6 dB
Do 7 > 5 nên có thể sử dụng APD ở phía thu.
(e) An avalanche Hỏi nên sử
photodiode receiver. dụng pin hay
Using these APD cho hệ
components, the thống này?
engineer wishes to
construct a 5-km link
operating at 20 Mb/s. If
the sensitivities of pin
and APD receivers are -
45 and -56 dBm,
respectively, which
receiver should be used
if a 6-dB system
operating margin is
required?
8.3 Using the step response Với g(t) = 0.1 Ta có công thức:
g(t), show that the 10- và g(t) = 0.9.
to 90-percent receiver CMR: Với g(t) = 0.1 và g(t) = 0.9 ta được:
rise time is given by Eq.

(8-4).

Mà:

8.4 (a) Verify Eq. (8-12). (a) Chứng (a) Ta có:

Show that Eq. (8-14) minh công thức g  t1/2   0,5.g  0  (8.11)
 follows from Eqs. (8- t1/2   2 ln 2  .
1/2 1 1
e  t1/2 /2  0,5.
2 2

10) and (8-13). 2 2
2
t
(b) Chứng minh   1/22  ln  0,5 
công thức 2
0.44  t   2 ln 2 1/2 . (đpcm)
f3dB  B3dB  1/2
tFWHM
(b) Tại f3dB thì
được tạo ra từ

và √ √
√
t FWHM  2t1/2
 2  2 ln 2 
1/2 √
(*)
Ta có:
t FWHM  2t1/2  2  2 ln 2 
1/2

Thế vào (*) ta được:

8.5 Show that, if is the Chứng minh Từ phương trình (8-9), đáp ứng ở đầu ra sợi
full width of the rằng, nếu là quang là:
Gaussian pulse in E.q toàn bộ chiều
(8-9) at the 1/e point, rộng của xung √
then the relationship Gaussian trong Nếu là thời gian cần thiết cho g(t) để giảm
between the 3-dB phương trình xuống g(0)/2, sau đó:
optical bandwidth and (8-9) tại điểm
is given by 1/e, thì mối liên ( )
hệ giữa băng √ √
thông và sợi Từ đây ta có √ . Từ là toàn bộ chiều
quang 3-dB và rộng xung tại điểm 1/e, sau đó
được cho bởi √
Từ phương trình (8-10) tần số 3-dB là điểm mà
tại đó
Do đó với thì
√
* +
√ √
Giải cho ta được:
√ √ √
8.6 Một hệ thống truyền Brx = 90 MHz a) Thời gian lên risetime của hệ thống là:
dữ liệu mã hóa NRZ với
tốc độ 90-Mb/s qua 2 -Nguồn phát 1/2
Laser Diode   440 Lq   350 
2

kênh truyền sử dụng tsys  ttx2  D 2 2 L2     
GaAlAs
Laser Diode GaAlAs có   B0   Brx  
spectral width là 1-nm.  2
1/2
-Data rate =  440  7 0,7   350 2 
Thời gian lên (the rise   2    0, 07  1  7    
2 2 2

 800   90  
90 Mb/s
time) của máy phát laser    
ở ngõ ra là 2ns. Khoảng -ttx = 2 ns  4, 63ns
cách truyền là 7km over
-Spectral
a graded-index fiber có width = 1nm Độ rộng xung dữ liệu:
Bandwidth–distance 1 1
Tb    11,1ns
product Bo = 800 – -L = 7 km B 90Mb / s
MHz.km. Vì 0,7Tb =7,8 ns > Tsys, vì thế thỏa điều kiện để
(a) Nếu bằng thông máy -Bo = 800 sử dụng nguồn phát led với tốc độ 90Mb/s
MHz.km,q=
thu là 90 MHz và hệ
0.7 b) Trường hợp q=1,0
số mode – mixing q
= 0.7, thời gian lên 
1/2
 440 Lq   350  
2

của hệ thống Tsys là tsys  ttx  D   L  

2 2 2 2
  
bao nhiêu? Có phải   B0   Brx  
thời gian lên (the rise  2  440  7 1   350 2 
1/2

  2    0, 07  1  7    
2 2 2
time) thỏa điều kiên  800   90  
dữ liệu mã hóa NRZ    
thu được ít hơn 70  4,818ns
phần trăm của độ
rộng xung?
(b) Thời gian lên của hệ
thống Tsys là bao
nhiêu nếu không có
mode – mixing trên
đường truyền 7km,
q=1.
8.7 Xác minh đồ thị trong Đầu phát: Vẽ đồ thị tương quan giữa L và B
Fig.8-5 về khoảng cách - GaAlAs laser a) Giới hạn suy hao:
truyền dẫn với tốc độ diode ở  =
Pt  Pr  2  lc    f L  SM với Pr  9log B  68,5
dữ liệu của hệ thống. 850nm
Máy phát là một diode - Pt = 0 dBm =
laser GaAlAs hoạt động 1mW
 ở bước sóng 850nm. -   = 1nm
L
 0  9 log B  68,5  2.1  6 
Công suất ghép quang Sợi quang: f
là 0 dBm (1 mW), và
- αf =3,5dB/km  9 log B  60,5 
độ rộng phổ nguồn là 1 L
nm. Sợi quang suy hao - B0 = 3,5
3.5 dB / km ở bước 800MHz.km (2 connector ở 2 đầu phát và thu ;hệ thống trong
sóng 850nm và tích - Suy hao bài không có slice nên không tính suy hao của
băng thông với khoảng connector : 1- slice)
cách truyền là dB/connector b) Giới hạn tán sắc mode
800MHz.km. Máy thu - SM= 6 dB
sử dụng một photodiode Đầu thu: 0, 44 Lq 0, 7
silicon thác dổ có độ tmod   với B0 = 800 MHz/km
Độ nhạy xấp xỉ B0 B
nhạy với tốc độ dữ liệu công thức:
được biểu diễn ở Fig. 8- Pr  9log B  68,5
1
 800  0, 7  q
3. Để đơn giản, độ nhạy  L    
máy thu (dBm) có thể  0, 44  B 
a) Vẽ đồ thị
xấp xỉ với công thức: 2
biểu diễn  1273 
Pr = 9 log B – 68.5  L  , q  0,5
giới hạn suy  B 
Với B Mb/s là tốc độ dữ
hao khoảng
liệu. Dãy tốc độ dữ liệu c) ới q :
cách truyền.
từ 1-1000 Mb/s, vẽ dồ
thị biểu diễn giới hạn b) Vẽ dồ thị Giới hạn tán sắc mode: L 
1273
suy hao với khoảng giới hạn tán B
sắc mode với d) Giới hạn tán sắc vật liệu
cách truyền (bao gồm
suy hao connector là 1- q = 0.5. tmat  Dmat   0, 7Tb
dB/connector và lề hệ c) Vẽ dồ thị 0, 7Tb 0, 7 104
giới hạn tán  L   
thống là 6 dB), giới hạn
sắc mode với
Dmat  Be6.0, 07e  9.1 B
tán sắc mode với đầy đủ
q = 1. với   = 1nm; bước sóng trong khoảng 800-900
các mode trộn với nhau
(q = 0.5), giới hạn tán d) Vẽ đồ thị thì Dmat = 0,07ns/(nm.km)
sắc mode không có trộn giới hạn tán  nh 1: Giới hạn tsuy hao khoảng cách truyền
mode (q = 1), và giới sắc vật liệu. và giới hạn tán sắc khi q=1
hạn tán sắc vật liệu.
 nh : Giới hạn tán sắc khi q=0,5

 nh : Giới hạn tán sắc vật liệu

8.8 Vẽ đồ thị tương tự - PR = a) Giới hạn suy hao:

như hình 8-5 biểu diễn 11.5 log
sự tương quan giữa B – 60.5 Ta có: PT = PS – PR = 2(lc) +  f L + SM (do
khoảng cách truyền và - Khoảng bỏ qua suy hao mối hàn)
tốc độ dữ liệu của hệ tốc độ
 thống sau. Bộ phát dữ liệu P  PR  2lc  SM 39,5  11,5log B
dùng LED InGaAsP từ 100 – L S 
 1,5
hoạt động ở 1300 nm. 1000 f

Công suất phối hợp ở Mb/s b) Tán sắc mode:

nguồn là -13dBm và độ - Suy hao
rộng phổ nguồn là 40 tại mối 0, 44 Lq 0, 7
tmod  
nm. Suy hao sợi quang nối:lc= 1 B0 B
là 1.5dB/km và băng dB 1
thông 800 MHz-km. Bộ - SM= 6  800  0, 7  q
dB  L    
thu sử dụng PIN  0, 44  B 
InGaAs có độ nhạy so - αf: 1.5 2
với tốc độ dữ liệu được Db/km  1273 
+ Với q=0,5: ta có L   
cho trong hình 8-3. Để - Ps  B 
đơn giản, độ nhạy bộ =13dBm 1273
thu có thể được tính + Với q=1: ta có L 
B
theo công thức:
 nh 1: Tương quan giữa khoảng cách truyền
PR = 11.5 log B – 60.5 và tốc độ dữ liệu

B là tốc độ dữ liệu
Mb/s. Khi tốc độ dữ
liệu nằm trong khoảng
10-1000 Mb/s, vẽ
khoảng cách truyền suy  nh 2: Giới hạn tán sắc của sợi no mode
hao giới hạn (gồm suy và full mode
hao bộ ghép nối 1 dB
và hệ thống lề 6 dB),
giới hạn tán sắc cho sợi
không có mode (q=1.0),
giới hạn tán sắc cho sợi
full mode (q=0.5). Chú
ý rằng, tán sắc vật liệu
có thể bỏ qua trong
trường hợp này, có thể
được xem như hình 3-
13.

8.9 Một mối nối quang có = 0,155 m Công suất dự trữ với tốc độ 622Mb/s và độ nhạy
bước sóng 1550nm ở Transmitter -39dBm.
chế độ đơn mode hoạt Tốc độ truyền:
động ở tốc độ 622Mb/s 622 Mb/s
 trên 80km mà không có Source laser = PS  PR  LT  SM
bộ khuếch đại. Nguồn 1550 nm  13  (39)  1,5  0.35  80  0,1 79  SM
phát laser đơn mode Công suất nguồn  SM  14, 6dB
InGaAsP có công suất Ps = 13dBm
là 13dBm. Hệ số suy
Channel Công suất dự trữ với tốc độ 2,0Gb/s và độ nhạy -
hao 0.35dB/km, mối
31dBm.
hàn suy hao 0.1dB mỗi Hệ số suy hao PS  PR  LT  SM
km. Mối hàn ở đầu thu 0.35dB/km
suy hao 0.5dB, đầu thu  13  ( 31)  1,5  0.35  80  0,1 79  SM
Suy hao qua mối  SM  6, 6dB
dùng InGaAs APD có
hàn
độ nhạy là -39dBm. 0.1dB/splice/km
Noise penalties ước
lượng là 1.5dB. Tìm Receiver
công suất dữ trữ của hệ APD 1550nm
thống (system margin).
Tìm công suất dự trữ Pr = -39dBm
với tốc độ 2.5 Gb/s với Noise penalties
APD có độ nhạy - = 1.5dB
31dBm.
Công suất dự trữ
(SM) = ?
Công suất dự trữ
với tốc độ truyền
2.5 Gb/s và Pr =
-31dBm.

8.10 Một mã RZ phổ biến

được sử dụng trong các
hệ thống cáp quang là
mã Manchester quang.
điều này được hình
thành bằng cách bổ
sung modulo 2 trực tiếp
vào tín hiệu dải cơ sở
(NRZ-L) và tín hiệu
đồng hồ tần số kép như
thể hiện trong hình. 8,9.
sử dụng sơ đồ này, vẽ
chuỗi xung cho chuỗi
dữ liệu 001101111001.
8.11 Thiết kế logic bộ mã Sử dụng cổng EXOR, có thể được thực hiện bằng
hóa cho bộ phủ một mạch tích hợp duy nhất. Hoạt động như sau:
Manchester từ NRZ đến + Trong khoảng thời gian đồng hồ được so sánh
quang. với ô bit và các đầu vào không giống nhau, thì
EXOR có đầu ra cao.
+ Khi hai đầu vào giống hệt nhau, đầu ra EXOR
sẽ chậm.
 Đối với binary 0, EXOR tạo ra mức cao trong
nửa cuối của ô quỹ đạo
 Đối với binary 1, đầu ra cao trong nửa đầu của
ô bit.
A B C
L L L
L H H
H L H
H H L
8.12 Xem xét bộ mã hóa
hiển thị trong hình. P8-
12 thay đổi dữ liệu
NRZ thành dạng sóng
PSK (khóa dịch pha).
Sử dụng bộ mã hóa này,
vẽ các dạng sóng NRZ
và PSK cho chuỗi dữ
liệu
0001011101001101

8.13 Mã 3B4B chuyển đổi a.Cho dữ liệu a. Dữ liệu

các khối của ba ký hiệu 010 001 111 010 001 111 111 101 000 000 001 111 110
nhị phân thành các khối 111 101 000 Luồng bit được mã hóa bằng mã 3B4B là:
gồm bốn chữ số nhị 000 001 111
phân theo quy tắc dịch 110. 0101 0011 1011 0100 1010 0010 1101 0011
được hiển thị trong Tìm mã chuyển 1011 1100
Bảng P8-13. Khi có hai đổi theo mã
khối liên tiếp gồm ba 3B4B.
b. Số bit giống hệt nhau liên tiếp trong mã
vùng, các khối nhị phân b. Số bit giống
chuyển đổi nhiều nhất là 4 bit
 được mã hóa 0010 và hệt nhau liên
1101 được sử dụng luân tiếp trong mã
phiên. tương tự, các được mã hóa là
khối được mã hóa 1011 bao nhiêu?
và 0100 được sử dụng
luân phiên cho các khối
liên tiếp gồm ba khối
8.14 Công thức 8.19 biểu a. Với x=0.7=>Q=6 ta có
diễn công suất gây ra b.Với x=0.7 và
bởi nhiễu (tính bằng k=0.3 cho mức
dB) dưới dạng hàm theo công suất
biến BLD (dao động 0.5dB
từ 0 đến 0,2) ở mức 10- Ta có
10
BER cho hệ số nhiễu L=100km., Pmpn =
âm thanh chế độ k = Pmpn= 0.5 dB
0,4, 0,6, 0,8 và 1 khi sử B1 = 155 Mb/s =-7.94 log (1 - 18 ) với h = BLD
dụng APD InGaAs với = 1.55x10-4
x = 0,7. b/ps
a. Vẽ đồ thị công suất B2 = 622 Mb/s
theo thông số BLD = 6.22x10-4
b. Cho rằng một laser b/ps
Ta có với
đa chế độ có độ rộng
x=0.7 , k=3 .
phổ 2.0nm, độ phân tán Tìm Q cho mỗi
tối thiểu cần thiết cho trường hợp B
100km để hoạt động ở
mức 155Mb / s và
622Mb / giây với mức
phạt công suất 0,5dB
Đồ thị Pmnp theo BLD
(4 đường tương ứng với k = 0,4, 0,6, 0,8 và 1)
b
Ta có với x=0.7 , k=3 . Tìm Q cho mỗi trường
hợp B
Pmpn=-7.94 log (1 - 18 ) = 0.5
-4
Với B1 =1.55x10 b/ps => Q1 = 5,52
ps/(nm.km)
Với B1 =6.22x10-4 b/ps => Q2 = 1.37
ps/(nm.km)

8.15 a. Vẽ đồ thị năng lượng a. Vẽ đồ thi a. tchirp =0.1ns . B= 2.5GB/s

theo thông số DL với với tchirp và B
các trường hợp tchirp và cho trước
B: b.B= 2.5GB/s,
(a) . tchirp =0.1ns . B= 0.5dB, với
2.5GB/s D=
(a) . tchirp =0.1ns . B= 1.0ps/(nm-
B= 622MB/s
km) và
(c) . tchirp =0.05 ns. B=
2.5GB/s
=0.5nm.
Tìm khoảng
(d) . tchirp =0.05ns . B= giới hạn L?s
622MB /s
b. Tìm giới hạn L biết
B= 2.5GB/s,
0.5dB, với D=
1.0ps/(nm-km) và
=0.5nm

tchirp =0.1ns . B= 622MB/s = 0.67GB/s

tchirp =0.05 ns . B= 2.5GB/s

tchirp =0.05 ns . B= 622MB/s = 0.67GB/s

b.

Tìm L biết B= 2.5GB/s, 0.5dB, với D=

1.0ps/(nm-km) và =0.5nm
Chọn tchirp =0.05 ns ta có
= tchirpDL [1+ tchirp]

=>0.5 = *0.05*1.0L.
[1+ 0.05]
=> L1= 0.54km và L2= 1.02km
Vây giới hạn khoảng cách tại 2.5Gb/s để
0.5dB là