1120906_wiki_jp_C-V curve

MOS ダイオード
MOS ダイオードは、MOS（Metal-Oxide-Semiconductor、金属-酸
化物-半導体）構造をもつダイオード[1] である。MOS キャパシタ
とも呼ばれる。
P 型または N 型のシリコンウェハの表面を酸化して絶縁酸化膜
（SiO2）を作り、その上に金属ゲート（金属や高濃度にドーピン
グされたシリコン）を付けた構造をもつ。
MOS キャパシタは、ランダムアクセスメモリ（RAM）や CCD イ
メージセンサに用いられる。

p 型シリコン上の MOS 構造上から

順に金属電極(黒)、
酸化物層(白)、
反転層(青)、
空乏層(ピンク)、
p 型シリコン(赤)、
金属電極(黒)。。

エネルギーバンド図
p 型シリコン MOS キャパシタのエネルギーバンドを考える。熱平
衡状態にある MOS キャパシタでは、金属ゲートと半導体との仕
事関数が異なるため、酸化物と半導体表面のバンドが曲がる。そ
の結果フェルミ準位が価電子帯から離れるため空乏層が形成する。
p 型 MOS キャパシタに負のゲート電圧をかけると、シリコン基板
のバンドが平らになる電圧が存在する。このときの電圧をフラッ
トバンド電圧と呼ぶ。この状態ではシリコン基板中に電界が存在
していない。さらに負の方向へ電圧をかけると、ｐ型基板の自由
可動電荷である正孔がゲート界面に引き付けられ、シリコンのバ
ンドが上に曲がることによってフェルミ準位が価電子帯に近づき、
半導体表面では正孔が溜まる。これを蓄積と呼ぶ。
逆に MOS キャパシタに正の方向へ電圧を加えると、バンドが下
に曲がることでフェルミ準位は価電子帯からさらに遠ざかり、正
孔が移動することで空乏が進む。またある電圧を超えると、フェ
ルミ準位が伝導帯に近づくことで少数キャリアである電子が半導
体表面に誘起される。これを反転と呼び、半導体表面の少数キャ
リアの層を反転層と呼ぶ。反転が始まる電圧をしきい値電圧と呼
ぶ。
実際にはフラットバンド電圧を超えてゲート電極の電圧を上げて
いくと、p 型シリコン側の可動電荷である電子が追いやられて界
面近くのシリコンが空乏化し、その空乏層に残された不純物イオ
ンが固定電荷としてゲート電極による電界を受け止めるが、この
段階では、まだ十分な電子が界面に誘起されていない。反転層と
して十分な電子が現れるのは、空乏層の固定電荷であるアクセプ
タ原子の密度と同等の電子密度になった場合であり、そのために
は界面での（ｎ型方向の）フェルミ準位が基板の（ｐ型方向の）
フェルミ準位とほぼ等しくなる必要がある。[2]
すなわち、ｐ型基板のフェルミ準位がバンド中央の真性フェルミ
レベルから測ってだとすると、界面が反転するにはバンドが だけ
曲がる必要があると言う事になる。一旦反転層に電子が蓄積され
るようになると、それ以上に高い電圧をゲート電極に印加しても
反転層の電子密度が高くなるだけで、空乏層の伸びはほぼ無視で
きるので余分な電圧はゲート絶縁膜に吸収されると考えてよい。
従って、閾値電圧はゲート絶縁膜にかかる電圧とシリコンのバン

ドの曲がり分の合計になる。[3]

現実的には、ゲート絶縁膜中に存在する電荷や界面準位（Qss）
によってフラットバンド電圧も変化するので、MOS キャパシタの
閾値電圧はその影響も受ける。
 p 型シリコン上の MOS 構造。

上から順に金属電極(黒)、
酸化物層(白)、
反転層(青)、
空乏層(ピンク)、
p 型シリコン(赤)、
金属電極(黒)。

MOS ダイオードは、MOS（Metal-Oxide-Semiconductor、金属-酸化物-半導
体）構造をもつダイオード[1] である。MOS キャパシタとも呼ばれる。

P 型または N 型のシリコンウェハの表面を酸化して絶縁酸化膜（SiO2）を作
り、その上に金属ゲート（金属や高濃度にドーピングされたシリコン）を付
けた構造をもつ。
MOS キャパシタは、ランダムアクセスメモリ（RAM）や CCD イメージセン
サに用いられる。

エネルギーバンド図[編集]
p 型シリコン MOS キャパシタのエネルギーバンドを考える。熱平衡状態にあ
る MOS キャパシタでは、金属ゲートと半導体との仕事関数が異なるため、
酸化物と半導体表面のバンドが曲がる。その結果フェルミ準位が価電子帯か
ら離れるため空乏層が形成する。
p 型 MOS キャパシタに負のゲート電圧をかけると、シリコン基板のバンドが

平らになる電圧が存在する。このときの電圧をフラットバンド電圧と呼ぶ。

この状態ではシリコン基板中に電界が存在していない。さらに負の方向へ電
圧をかけると、ｐ型基板の自由可動電荷である正孔がゲート界面に引き付け
られ、シリコンのバンドが上に曲がることによってフェルミ準位が価電子帯
に近づき、半導体表面では正孔が溜まる。これを蓄積と呼ぶ。
逆に MOS キャパシタに正の方向へ電圧を加えると、バンドが下に曲がるこ
とでフェルミ準位は価電子帯からさらに遠ざかり、正孔が移動することで空
乏が進む。またある電圧を超えると、フェルミ準位が伝導帯に近づくことで

少数キャリアである電子が半導体表面に誘起される。これを反転と呼び、半

導体表面の少数キャリアの層を反転層と呼ぶ。反転が始まる電圧をしきい値

電圧と呼ぶ。
実際にはフラットバンド電圧を超えてゲート電極の電圧を上げていくと、p
型シリコン側の可動電荷である電子が追いやられて界面近くのシリコンが空
乏化し、その空乏層に残された不純物イオンが固定電荷としてゲート電極に
よる電界を受け止めるが、この段階では、まだ十分な電子が界面に誘起され
ていない。反転層として十分な電子が現れるのは、空乏層の固定電荷である
アクセプタ原子の密度と同等の電子密度になった場合であり、そのためには
界面での（ｎ型方向の）フェルミ準位が基板の（ｐ型方向の）フェルミ準位
とほぼ等しくなる必要がある。[2]

すなわち、ｐ型基板のフェルミ準位がバンド中央の真性フェルミレベルから
測ってだとすると、界面が反転するにはバンドが だけ曲がる必要があると言
う事になる。一旦反転層に電子が蓄積されるようになると、それ以上に高い
電圧をゲート電極に印加しても反転層の電子密度が高くなるだけで、空乏層
の伸びはほぼ無視できるので余分な電圧はゲート絶縁膜に吸収されると考え

てよい。従って、閾値電圧はゲート絶縁膜にかかる電圧とシリコンのバンド

の曲がり分の合計になる。[3]
現実的には、ゲート絶縁膜中に存在する電荷や界面準位（Qss）によってフ
ラットバンド電圧も変化するので、MOS キャパシタの閾値電圧はその影響も
受ける。

接続前
 

熱平衡（空乏）

フラットバンド

蓄積

反転
容量-電圧特性

酸化物厚さを変化させた時の p 型シリコン上の MOS キャパシタの C-V 特

性。青は与えた交流電圧が高周波の場合、赤は低周波の場合
右図に p 型シリコン MOS キャパシタの容量とゲート電圧の関係
（C-V 特性）を示す。
ゲート電圧が負の方向に大きい場合（図の左側）、p 型シリコン
から酸化膜に向かう電場が生じる。その電場によって p 型シリコ
ンの多数キャリアである正孔は酸化膜/p 型シリコン界面に溜まっ
た状態となる（蓄積）。ゲート電圧に比例して界面の正孔濃度が
変化するため、容量は酸化膜の容量となる。

ゲート電圧が負の値から正の方向へ大きくなると、MOS 構造内の
電場がゼロとなるゲート電圧（フラットバンド電圧）が存在する。
ゲート電圧がフラットバンド電圧よりも正の方向へ大きくなると
（図の中央）、酸化膜から p 型シリコンへ向かう電場が生じる。
その電場によって、正孔は酸化膜/p 型シリコン界面から遠ざけら
れ、界面の正孔が不足する（空乏）。全体の容量は酸化膜の容量

と空乏層の容量との直列になるため、容量は低下する。

さらにゲート電圧が正の方向に大きくなると（図の右側）、まず
シリコンのバンドが酸化膜を通して押し下げられ、 それによって
ｐ型シリコン中の正孔が酸化膜界面から遠ざかり自由な可動電荷
のない空乏層が形成される。 そのため MOS のゲート・シリコン
間の容量は空乏層が広がるにつれてさらに小さくなっていく。
（いわゆる deep depletion、あるいは非平衡状態と言う）[4] 低温
で光が遮断され、結晶欠陥も少ない基板であれば、deep
depletion の状態は長く保たれ、分単位に及ぶこともある。
周囲に N 型の拡散層が無ければ、時間と共に基板の少数キャリア
である電子や、ボルツマン分布に従う電子・正孔の対生成、ある
いは光による対生成によって生じた電子がゲート電極とシリコン
の界面に集まる。（反転）。 反転層の生成後に低周波の交流電圧
で測定した場合は、その交流電圧の変化に対応して反転層の電子
の増減が生じるので、容量は酸化膜の容量となる。一方、測定を
高周波の交流電圧で行った場合（青色）は電圧の変化に電子と正
孔の生成が追い付かないため、反転層の電荷（この場合は電子）
は増減せず、空乏層の微小な伸び縮みが反応するので測定値は、
酸化膜の容量と空乏層の容量との直列容量のまま一定値となる。

ダイオード接続 MOS

ダイオード接続 MOS

エンハンスメントモードの N チャネル MOSFET のドレインとゲ

ートを短絡した「ダイオード接続 MOS」のことを MOS ダイオー
ドと呼ぶことがある。 ダイオード接続 MOS は、ノーマリーオフ
（エンハンスメントモード）の N チャネル MOSFET のドレイン
とゲートを短絡したもので、一般のダイオードに似た単方向性の
ある 2 極素子として扱うことができるが、原理上動作電位の制限
などがある[5]。Vf が、PN 接合ダイオードでは約 0.6V・ショット
キーバリアダイオードはもっと低いが、ダイオード接続 MOS で
は使用する FET の VGS(th) によって決まる。
MOS 集積回路(IC) 中ではこの他に、バルクと電極の間のいわゆる
寄生ダイオードを PN 接合ダイオードとして利用することもある。
また、似たような FET の使い方として、ノーマリーオン
（depletion モード）の N チャネル接合型 FET (JFET) のソースと
ゲートを短絡し、IDSS を利用するいわゆる定電流ダイオードがある。

参考文献[編集]

 S. M. ジー "半導体デバイス―基礎理論とプロセス技術"
 B. L. アンダーソン "半導体デバイスの基礎 （中）"

1. ^ ダイオードと言ってもこの場合は整流作用がある訳ではなく、ゲ
ート電極とシリコン基板電極と言う二つの電極を持つデバイスと言
う意味である。
2. ^ B.L.アンダーソン『半導体デバイスの基礎（中）』2012 年、488
頁
3. ^ B.L.アンダーソン『半導体デバイスの基礎（中）』2012 年、614
頁
4. ^ S. M. Sze の Physics of Semiconductor Devices によると、第一版
では "nonequilibium condition" と表現されているが(p435)、第二版
では "deep depletions" となっている(p372)。
5. ^ 両極の動作電位が（正の）電源の前後であれば、P チャネルを使
うようにアレンジするなど。

考慮 p 型矽 MOS 電容器的能帶。 在熱平衡的 MOS 電容器中，金屬柵極和半導

體具有不同的功函數，因此氧化物和半導體表面上的能帶彎曲。 結果，費米能
級遠離價帶，形成耗盡層。
當負柵極電壓施加到 p 型 MOS 電容器時，存在使矽襯底的能帶平坦化的電壓。
此時的電壓稱為平帶電壓。 在這種狀態下，矽襯底中不存在電場。 當進一步沿
負方向施加電壓時，p 型襯底的自由移動電荷空穴被吸引到柵極界面，矽能帶
向上彎曲，費米能級接近價帶，半導體表面孔洞不斷累積。 這就是所謂的積累。
相反，當向 MOS 電容器施加正電壓時，能帶向下彎曲，導致費米能級進一步遠
離價帶，並且隨著空穴的移動，耗盡不斷進展。 此外，當超過一定電壓時，費
米能級接近導帶，並且在半導體表面上感應出作為少數載流子的電子。 這稱為
反型，半導體表面上的少數載流子層稱為反型層。 反轉開始的電壓稱為閾值電
壓。
實際上，當柵電極電壓增加到超過平帶電壓時，作為 p 型矽側的移動電荷的電
子被驅走，使界面附近的矽耗盡，並且雜質離子殘留在耗盡層中。從柵電極接
收電場作為固定電荷，但在這個階段還沒有足夠的電子被感應到界面。 當電子
密度等於耗盡層中固定電荷的受主原子密度時，就會有足夠的電子作為反型層
出現，它需要約等於襯底的費米能級（p 型方向） 。 [2]
換句話說，如果 p 型襯底的費米能級是根據能帶中心的本徵費米能級測量的，
則能帶需要彎曲一定量以使界面反轉。 一旦電子在反型層中積累起來，對柵電
極施加較高的電壓只會增加反型層中的電子密度，而耗盡層的延伸幾乎可以忽
略不計，因此額外的電壓可以認為是它被柵極絕緣膜吸收。 因此，閾值電壓是
施加到柵極絕緣膜的電壓和矽帶的彎曲的電壓之和。 [3]
實際上，平帶電壓也會根據柵極絕緣膜中存在的電荷和界面態（Qss）而變化，
因此 MOS 電容器的閾值電壓也會受到影響。

右圖表示 p 型矽 MOS 電容器的電容與柵極電壓（C-V 特性）的關右圖表示 p 型

矽 MOS 電容器的電容與柵極電壓（C-V 特性）的關係。
當柵極電壓在負方向（圖左側）較大時，會產生從 p 型矽到氧化膜的電場。 由
於該電場，作為 p 型矽的多數載流子的空穴被捕獲（累積）在氧化膜/p 型矽界
面處。 由於界面處的空穴濃度與柵極電壓成比例變化，因此該電容就是氧化膜
的電容。
當柵極電壓從負值增加到正值時，存在 MOS 結構內的電場變為零的柵極電壓
(平帶電壓)。
當柵極電壓變得比平帶電壓（圖的中心）更正時，從氧化膜向 p 型矽產生電場。
電場驅使空穴遠離氧化物/p 型矽界面，使界面缺乏空穴（耗盡）。 由於總電
容與氧化膜電容和耗盡層電容串聯，因此電容減小。
當柵極電壓進一步向正方向（圖右側）增加時，矽帶首先被向下推穿氧化膜，
導致 p 型矽中的空穴遠離氧化膜界面，產生形成耗盡層，沒有自由移動電荷。
因此，MOS 的柵極和矽之間的電容隨著耗盡層的擴展而變小。 （所謂深耗盡狀
態，或非平衡狀態）[4]如果襯底溫度低、遮光、晶體缺陷少，則深耗盡狀態可
以維持很長時間，有時會持續很長時間。分鐘。
如果周圍沒有 N 型擴散層，隨著時間的推移，襯底中作為少數載流子的電子、
根據玻爾茲曼分佈的電子和空穴對產生的電子、或由於光產生的對產生的電子
將到達界面柵電極和矽之間聚集在一起。 （相反）。 當形成反型層後使用低頻
交流電壓進行測量時，反型層中的電子響應於交流電壓的變化而增加或減少，
因此電容變為氧化膜的電容。 另一方面，當使用高頻交流電壓（藍色）進行測
量時，電子和空穴的產生無法跟上電壓變化，因此反型層中的電荷（在本例中
為電子）不會增加或減少，與耗盡層發生膨脹和收縮反應，因此測量值是氧化
膜電容和耗盡層電容的串聯電容的恆定值。

二極管連接的 MOS
二極管連接的 MOS
有時將增強型 N 溝道 MOSFET 的漏極和柵極短路的“二極管連接的 MOS”稱為
MOS 二極管。 二極管接法的 MOS 是一種常關型（增強型）N 溝道 MOSFET，其
漏極和柵極短路，可以視為與一般二極管類似的單向二極元件，但原則上它不
起作用。電勢等也有限制[5]。 對於 PN 結二極管，Vf 約為 0.6V；對於肖特基勢
壘二極管，Vf 較低，但對於二極管連接的 MOS，它由所用 FET 的 VGS(th) 決定。
除此之外，在 MOS 集成電路(IC)中，有時使用體與電極之間的所謂的寄生二極
管作為 PN 結二極管。 FET 的另一個類似用途是所謂的恆流二極管，它通過短接
常開（耗盡型）N 溝道結型 FET (JFET) 的源極和柵極來使用 IDSS。
係。
當柵極電壓在負方向（圖左側）較大時，會產生從 p 型矽到氧化膜的電場。 由
於該電場，作為 p 型矽的多數載流子的空穴被捕獲（累積）在氧化膜/p 型矽界
面處。 由於界面處的空穴濃度與柵極電壓成比例變化，因此該電容就是氧化膜
的電容。
當柵極電壓從負值增加到正值時，存在 MOS 結構內的電場變為零的柵極電壓
(平帶電壓)。
當柵極電壓變得比平帶電壓（圖的中心）更正時，從氧化膜向 p 型矽產生電場。
電場驅使空穴遠離氧化物/p 型矽界面，使界面缺乏空穴（耗盡）。 由於總電
容與氧化膜電容和耗盡層電容串聯，因此電容減小。
當柵極電壓進一步向正方向（圖右側）增加時，矽帶首先被向下推穿氧化膜，
導致 p 型矽中的空穴遠離氧化膜界面，產生形成耗盡層，沒有自由移動電荷。
因此，MOS 的柵極和矽之間的電容隨著耗盡層的擴展而變小。 （所謂深耗盡狀
態，或非平衡狀態）[4]如果襯底溫度低、遮光、晶體缺陷少，則深耗盡狀態可
以維持很長時間，有時會持續很長時間。分鐘。
如果周圍沒有 N 型擴散層，隨著時間的推移，襯底中作為少數載流子的電子、
根據玻爾茲曼分佈的電子和空穴對產生的電子、或由於光產生的對產生的電子
將到達界面柵電極和矽之間聚集在一起。 （相反）。 當形成反型層後使用低頻
交流電壓進行測量時，反型層中的電子響應於交流電壓的變化而增加或減少，
因此電容變為氧化膜的電容。 另一方面，當使用高頻交流電壓（藍色）進行測
量時，電子和空穴的產生無法跟上電壓變化，因此反型層中的電荷（在本例中
為電子）不會增加或減少，與耗盡層發生膨脹和收縮反應，因此測量值是氧化
膜電容和耗盡層電容的串聯電容的恆定值。

二極管連接的 MOS
二極管連接的 MOS
有時將增強型 N 溝道 MOSFET 的漏極和柵極短路的“二極管連接的 MOS”稱為
MOS 二極管。 二極管接法的 MOS 是一種常關型（增強型）N 溝道 MOSFET，其
漏極和柵極短路，可以視為與一般二極管類似的單向二極元件，但原則上它不
起作用。電勢等也有限制[5]。 對於 PN 結二極管，Vf 約為 0.6V；對於肖特基勢
壘二極管，Vf 較低，但對於二極管連接的 MOS，它由所用 FET 的 VGS(th) 決定。
除此之外，在 MOS 集成電路(IC)中，有時使用體與電極之間的所謂的寄生二極
管作為 PN 結二極管。 FET 的另一個類似用途是所謂的恆流二極管，它通過短接
常開（耗盡型）N 溝道結型 FET (JFET) 的源極和柵極來使用 IDSS。