Professional Documents
Culture Documents
Chapter2 Diode
Chapter2 Diode
23
Chương 2: diode bán dẫn
Số cực đại các điện tử trong mỗi lớp của một nguyên tử được tính theo công
thức,
𝑁𝑒 = 2. 𝑛2
n: là số lớp
Bảng 2.1: số điện tử tối đa từng lớp
n=1 𝑁𝑒 = 2
n=2 𝑁𝑒 = 8
n=3 𝑁𝑒 = 18
n=4 𝑁𝑒 = 32
24
Chương 2: diode bán dẫn
Điện tử hoá trị: các điện tử ở quỹ đạo xa hơn từ hạt nhân sẽ có năng lượng càng
lớn hơn. Các điện tử có năng lượng cao nhất tồn tại ở lớp ngoài cùng của nguyên tử,
các điện tử này được gọi là các điện tử hoá trị. Khi điện tử hoá trị nhận được đủ mức
năng lượng từ nguồn bên ngoài cung cấp, nó có thể tách rời tự do với nguyên tử của
nó. Đây là cơ sở cho sự dẫn điện của vật liệu.
Sự iôn hoá
Khi nguyên tử hấp thu năng lượng, năng lượng các điện tử được nâng lên. Các điện
tử hoá trị có năng lượng nhiều hơn và bị hút lỏng hơn với nguyên tử, vì vậy chúng có
thể dễ dàng nhảy đến các lớp có mức năng lượng cao hơn.
Nếu một điện tử hoá trị có một năng lượng đủ mức, được gọi là năng lượng iôn
hoá, nó dễ dàng thoát khỏi từ lớp ngoài cùng và sự ảnh hưởng của nguyên tử. Sự rời
khỏi của điện tử hoá trị để lại một nguyên tử trung hoà làm cho sự thừa điện tích
dương (có nhiều proton hơn điện tử). Quá trình mất điện tử hoá trị được gọi là sự iôn
hoá, dẫn đến nguyên tử tích điện dương được gọi là iôn dương.
Các định đề của Bohr
Bohr đã đưa ra 3 định đề sau.
Định đề 1: các điện tử không thể chiếm giữa các trạng thái ở tất cả các mức
năng lượng như được cho bởi quy trình cổ điển; các điện tử có thể giữ các trạng thái
chỉ ở các mức năng lượng rời rạc cụ thể. Khi một điện tử chiếm giữ một trạng thái tại
một trong các mức năng lượng rời rạc này, thì điện tử không thể phát ra sự bức xạ và
nó được cho là ở trong trạng thái dừng hoặc không bức xạ (non-radiating).
Định đề 2: khi một điện tử di chuyển từ trạng thái dừng với năng lượng W2 tới
trạng thái dừng khác có mức năng lượng thấp hơn là W1, hệ quả dẫn đến sự phát ra
bức xạ tại tần số được xác định là
(𝑊2 −𝑊1 )
𝑓= [Hz] (2.1)
ℎ
với n là số nguyên. Bán kính của các quỹ đạo dừng khác nhau được tính là
𝜀0 .ℎ 2 .𝑛2
𝑟𝑛 = (2.3)
𝜋.𝑚.𝑞2
25
Chương 2: diode bán dẫn
𝑟𝑛 = 0,527𝑥10−10 𝑛2 [𝑚]
Tổng năng lượng của điện tử ở các trạng thái dừng được xác định là
−𝑚.𝑞4
𝑊𝑛 = [J] (2.4)
8.𝜀02 .ℎ 2 .𝑛2
Tổng năng lượng của điện tử ở các trạng thái dừng tính theo eV:
−𝑚.𝑞3 −13,6
𝑊𝑛 = = [eV] (2.5)
8.𝜀02 .ℎ 2 .𝑛2 𝑛2
trong đó,
W1 và W2 được tính bằng đơn vị eV.
𝐴̇ là đơn vị Angstrom: 1𝐴̇ = 10-10 m
Ví dụ 2.1: từ công thức (2.5), để tách rời điện tử ở quỹ đạo đầu tiên (n = 1) của nguyên
tử Hydro, tức là thực hiện iôn hoá nguyên tử, năng lượng cần để tách rời điện tử là
13,3 eV.
Ví dụ 2.2: tìm bước sóng của ánh sáng phát ra khi nguyên tử Hydro di chuyển từ tầng
thứ 10 đến trạng thái nền (tầng 1).
Giải:
Bước sóng được tính trong trường hợp này là
12400
𝜆= [𝐴]̇
𝑊10 −𝑊1
−13,6
Năng lượng tầng thứ 10: 𝑊10 = = −0,136 𝑒𝑉
102
Dựa vào cấu trúc dải năng lượng người ta chia vật chất ra làm ba loại là chất
cách điện, chất bán dẫn và chất dẫn điện. Cấu trúc năng lượng của nguyên tử vật chất
được phân chia thành ba vùng năng lượng khác nhau là: vùng hóa trị, vùng dẫn và
vùng cấm. Mức năng lượng cao nhất của vùng hóa trị ký hiệu là 𝐸𝑣 ; mức năng lượng
thấp nhất của vùng dẫn ký hiệu là 𝐸𝑐 và độ rộng vùng cấm ký hiệu là 𝐸𝐺 . Trong hình
1.4a, kim cương có năng lượng cấm khoảng 6 eV.
26
Chương 2: diode bán dẫn
Chất cách điện có dải năng lượng cấm rộng, nó không dẫn điện ở các điều kiện
thông thường. Các điện tử hoá trị bị liên kết chặt với các nguyên tử, vì thế có rất ít
các điện tử tự do. Số điện tử tự do của chất cách điện khoảng 107 điện tử/m3.
Chất dẫn điện là vật liệu có thể dẫn điện dễ dàng, nó không có dải cấm. Hầu hết
các kim loại đều dẫn điện tốt, chẳng hạn như đồng, bạc, vàng và nhôm, các nguyên
tử của các kim loại này có duy nhất một điện tử hoá trị có liên kết lỏng với nguyên
tử, và các điện tử hoá trị này sẽ trở thành các điện tử tự do. Số điện tử tự do có trong
chất dẫn điện tốt khoảng 1028 điện tử/m3.
Chất bán dẫn là vật liệu ở giữa chất dẫn điện và cách điện về khả năng dẫn điện,
dải năng lượng cấm của nó nhỏ khoảng 1 eV. Số điện tử tự do của chất bán dẫn
khoảng 107 1028 điện tử/m3.
Dải dẫn
Dải dẫn
Các điện
tử tự do
EG = 6eV
Các lỗ
trống
Dải hoá
trị
27
Chương 2: diode bán dẫn
loại nguyên tố thì chất đó gọi là chất bán dẫn thuần và được ký hiệu bằng chỉ số i
(Intrinsic).
Hạt tải điện trong chất bán dẫn thuần
Hạt tải điện trong chất bán dẫn là các điện tử tự do trong vùng dẫn và các lỗ
trống trong vùng hóa trị.
Xét cấu trúc của tinh thể Germani hoặc Silic biểu diễn trong không gian hai
chiều như trong hình 2.5: Germani (Ge) và Silic (Si) đều có 4 điện tử hóa trị ở lớp
ngoài cùng. Trong mạng tinh thể mỗi nguyên tử Ge (hoặc Si) sẽ góp 4 điện tử hóa trị
của mình vào liên kết cộng hóa trị với 4 điện tử hóa trị của 4 nguyên tử kế cận để sao
cho mỗi nguyên tử đều có hóa trị 4. Hạt nhân bên trong của nguyên tử Ge (hoặc Si)
mang điện tích +4. Như vậy các điện tử hóa trị ở trong liên kết cộng hóa trị sẽ có liên
kết rất chặt chẽ với hạt nhân. Do vậy, mặc dù có sẵn 4 điện tử hóa trị nhưng tinh thể
bán dẫn có độ dẫn điện thấp. Ở nhiệt độ 00K, cấu trúc lý tưởng như ở hình 2.5 là gần
đúng và tinh thể bán dẫn như là một chất cách điện.
28
Chương 2: diode bán dẫn
Hình 2.6: tinh thể Germani với liên kết cộng hóa trị bị phá vỡ
Tuy nhiên, ở nhiệt độ trong phòng một số liên kết cộng hóa trị bị phá vỡ do
nhiệt làm cho chất bán dẫn có thể dẫn điện. Hiện tượng này mô tả trong hình 2.6. Ở
đây, một số điện tử bứt ra khỏi liên kết cộng hóa trị của nó và trở thành điện tử tự do.
Năng lượng EG cần thiết để phá vỡ liên kết cộng hóa trị khoảng 0,72 eV cho Ge và
1,1 eV cho Si ở nhiệt độ trong phòng. Chỗ thiếu 1 điện tử trong liên kết cộng hóa trị
được gọi là lỗ trống. Lỗ trống mang điện tích dương và có cùng độ lớn với điện tích
của điện tử. Điều quan trọng là lỗ trống có thể dẫn điện như điện tử tự do.
Trong chất bán dẫn thuần, số lượng các lỗ trống đúng bằng số lượng các điện tử
tự do.
𝑝𝑖 = 𝑛𝑖 (2.7)
𝑝𝑖 : nồng độ hạt dẫn lỗ trống trong bán dẫn thuần.
𝑛𝑖 : nồng độ hạt dẫn điện tử trong bán dẫn thuần.
Tiếp tục tăng nhiệt độ thì từng đôi điện tử - lỗ trống mới sẽ xuất hiện, ngược lại
khi có hiện tượng tái hợp sẽ mất đi từng đôi điện tử - lỗ trống.
Độ dẫn điện của chất bán dẫn
Mật độ dòng điện qua chất bán dẫn J sẽ là:
𝐽 = (𝑛. 𝜇𝑛 + 𝑝. 𝜇𝑝 ). 𝑞. 𝐸 = 𝜎. 𝐸 (2.8)
n: nồng độ điện tử tự do (điện tích âm),
p: nồng độ lỗ trống (điện tích dương),
σ: độ dẫn điện,
μn : độ linh động của điện tử,
29
Chương 2: diode bán dẫn
Số nguyên tử 32 14
Nguyên tử lượng 72,6 28,1
Tỷ trọng (g/cm3 ) 5,32 2,33
Hằng số điện môi 16 12
Số nguyên tử/ cm3 4,4.1022 5,0. 1022
EG0 , eV, ở 0°K,(năng lượng vùng cấm) 0,785 1,21
EG , eV, ở 300°K 0,72 1,1
ni ở 300°K, cm−3 (nồng độ hạt dẫn điện tử) 2,5. 1013 1,5. 1010
Điện trở suất thuần ở cở 300°K [Ω.cm] 45 230
μn , cm2 /V-sec 3800 1300
Khi tăng nhiệt độ, mật độ các đôi điện tử - lỗ trống tăng và do đó độ dẫn điện
tăng. Cho nên, nồng độ điện tử 𝑛𝑖 của bán dẫn thuần sẽ thay đổi theo nhiệt độ trong
quan hệ:
𝑛𝑖2 = 𝐴0 𝑇 3 𝑒 −𝐸𝐺0/𝐾𝑇 (2.10)
A0 : hằng số đo bằng A/(m2 . °K 2 ),
EG0 : độ rộng vùng cấm ở 0°K,
K: hằng số Boltzman = 1,38.10-23 [J/0K],
T: nhiệt độ tuyệt đối [0K].
T: nhiệt độ tuyệt đối [oK].
2.1.2.3 Chất bán dẫn tạp loại N
30
Chương 2: diode bán dẫn
Ta thêm một ít tạp chất là nguyên tố thuộc nhóm V của bảng tuần hoàn
Mendeleev (chẳng hạn Antimon - Sb) vào chất bán dẫn Ge hoặc Si nguyên chất. Các
nguyên tử tạp chất (Sb) sẽ thay thế một số các nguyên tử của Ge (hoặc Si) trong mạng
tinh thể và nó sẽ đưa 4 điện tử trong 5 điện tử hóa trị của mình tham gia vào liên kết
cộng hóa trị với 4 nguyên tử Ge (hoặc Si) ở bên cạnh, còn điện tử thứ 5 sẽ thừa ra
nên liên kết của nó trong mạng tinh thể là rất yếu, xem hình 2.7. Muốn giải phóng
điện tử thứ 5 này thành điện tử tự do ta chỉ cần cấp một năng lượng rất nhỏ khoảng
0,01 eV cho Germani hoặc 0,05 eV cho Silic. Các tạp chất hóa trị 5 được gọi là tạp
chất cho điện tử hay tạp chất N.
Hình 2.7: mạng tinh thể Ge pha Hình 2.8: đồ thị vùng năng lượng
một nguyên tử Sb của bán dẫn loại N
Mức năng lượng mà điện tử thứ 5 chiếm đóng là mức năng lượng cho phép được
hình thành ở khoảng cách rất nhỏ dưới dải dẫn và gọi là mức cho, xem hình 2.8. Do
đó, ở nhiệt độ phòng, hầu hết các điện tử thứ 5 của tạp chất cho sẽ nhảy lên dải dẫn,
nhưng trong dải hóa trị không xuất hiện thêm lỗ trống. Các nguyên tử tạp chất cho
điện tử trở thành các ion dương cố định.
Ở chất bán dẫn tạp loại N: nồng độ hạt dẫn điện tử (𝑛𝑛 ) nhiều hơn nhiều nồng
độ lỗ trống 𝑝𝑛 và điện tử được gọi là hạt dẫn đa số, lỗ trống được gọi là hạt dẫn thiểu
số.
nn ≫ pn
nn : nồng độ hạt dẫn điện tử trong bán dẫn tạp loại N.
pn : nồng độ hạt dẫn lỗ trống trong bán dẫn tạp loại N.
2.1.2.4 Chất bán dẫn tạp loại P
Khi ta đưa một ít tạp chất là nguyên tố thuộc nhóm III của bảng tuần hoàn
Mendeleev (chẳng hạn Indi - In) vào chất bán dẫn thuần Ge (hoặc Si). Nguyên tử tạp
chất sẽ đưa 3 điện tử hóa trị của nó tạo liên kết cộng hóa trị với 3 nguyên tử Ge (hoặc
31
Chương 2: diode bán dẫn
Si) bên cạnh còn mối liên kết thứ 4 để trống như hình 2.9. Điện tử của mối liên kết
gần đó có thể nhảy sang để hoàn chỉnh mối liên kết thứ 4 còn trống. Nguyên tử tạp
chất vừa nhận thêm điện tử sẽ trở thành ion âm và ngược lại ở nguyên tử chất chính
vừa có 1 điện tử chuyển đi sẽ tạo ra một lỗ trống trong dải hóa trị của nó.
Các tạp chất có hóa trị 3 được gọi là tạp chất nhận điện tử hay tạp chất loại P.
Mức năng lượng để trống của tạp chất trong chất bán dẫn chính sẽ tạo ra một
mức năng lượng cho phép riêng nằm ở bên trên dải hóa trị gọi là mức nhận (xem hình
2.10).
Hình 2.9: pha vào một nguyên tử In Hình 2.10: đồ thị vùng năng lượng
Nếu tăng nồng độ tạp chất nhận thì nồng độ của các lỗ trống tăng lên trong dải
hóa trị, nhưng nồng độ điện tử tự do trong dải dẫn không tăng. Vậy chất bán dẫn loại
này có lỗ trống là hạt dẫn đa số và điện tử là hạt dẫn thiểu số và nó được gọi là chất
bán dẫn tạp loại P.
PP ≫ Np
PP : nồng độ hạt dẫn lỗ trống trong bán dẫn P.
Np : nồng độ hạt dẫn điện tử trong bán dẫn P.
Kết luận: Sự pha thêm tạp chất vào bán dẫn thuần không những chỉ tăng độ dẫn
điện, mà còn tạo ra một chất dẫn điện có bản chất dẫn điện khác hẳn nhau: trong bán
dẫn tạp loại N điện tử là hạt dẫn điện chính, còn trong bán dẫn tạp loại P, lỗ trống lại
là hạt dẫn điện chính.
2.1.2.5 Mật độ điện tích trong chất bán dẫn
Quan hệ giữa nồng độ hạt dẫn điện tử n và nồng độ hạt dẫn lỗ trống p trong chất
bán dẫn theo công thức gọi là luật khối lượng tích cực như sau:
32
Chương 2: diode bán dẫn
n. p = n2i (2.11)
Gọi 𝑁𝐷 là nồng độ các nguyên tử chất cho và chúng đều bị ion hóa. Do đó mật
độ tổng các điện tích dương sẽ là 𝑁𝐷 + 𝑝.
Tương tự 𝑁𝐴 là nồng độ các ion nhận và tổng mật độ điện tích âm sẽ là 𝑁𝐴 + n.
Do tính trung hòa về điện trong chất bán dẫn thì mật độ các điện tích dương bằng mật
độ các điện tích âm, nên ta có:
𝑁𝐷 + 𝑝 = 𝑁𝐴 + 𝑛 (2.12)
Xét một vật liệu bán dẫn loại N thì sẽ có NA = 0. Số lượng điện tử trong bán
dẫn N lớn hơn nhiều so với số lỗ trống, khi đó công thức (2.12) đơn giản còn:
𝑛 ≈ 𝑁𝐷 (2.13)
Như vậy, trong bán dẫn N nồng độ điện tử tự do xấp xỉ bằng mật độ các nguyên
tử tạp chất cho. Do đó công thức (2.13) được viết:
𝑛𝑛 = 𝑁𝐷 (2.14)
Nồng độ lỗ trống trong bán dẫn N được viết theo công thức (2.11) ta có:
𝑛𝑖2 𝑛𝑖2
𝑝𝑛 = = (2.15)
𝑛𝑛 𝑁𝐷
với 𝑛𝑛 ≫ 𝑝𝑛
Tương tự, đối với bán dẫn tạp loại P ta có:
𝑛𝑖2
𝑝𝑝 = 𝑁𝐴 và 𝑛𝑝 = (2.16)
𝑁𝐴
với 𝑃𝑝 ≫ 𝑛𝑝
2.1.2.6 Dòng điện trong chất bán dẫn
Trong chất bán dẫn có 2 thành phần dòng điện là dòng điện khuếch tán và dòng
điện trôi.
Dòng điện khuếch tán
Sự tồn tại gradient nồng độ hạt dẫn (dP/dx, dn/dx) sẽ dẫn đến hiện tượng khuếch
tán của các hạt dẫn từ nơi có nồng độ cao tới nơi có nồng độ thấp và tạo ra dòng điện
khuếch tán trong chất bán dẫn.
Hiện tượng khuếch tán các lỗ trống tạo nên mật độ dòng điện lỗ trống JP [A/m2]
được tính theo công thức sau:
𝑑𝑃
𝐽𝑃 = −𝑞. 𝐷𝑃 . (2.17)
𝑑𝑥
33
Chương 2: diode bán dẫn
Tương tự, công thức tính mật độ dòng điện điện tử khuếch tán là:
𝑑𝑛
𝐽𝑛 = 𝑞. 𝐷𝑛 . (2.18)
𝑑𝑥
34
Chương 2: diode bán dẫn
ion dương bên phía bán dẫn N. Đây là các ion cố định, không dẫn điện, do vậy, lớp
tiếp xúc P-N còn gọi là vùng điện tích không gian (hay còn gọi là vùng nghèo hạt
dẫn) như hình 2.11c.
Sự thay đổi của điện thế tĩnh ở vùng điện tích không gian sẽ tạo ra hàng rào thế
năng, hàng rào thế năng sẽ ngăn cản sự khuếch tán tiếp theo của các lỗ trống từ vùng
P qua lớp tiếp xúc và các điện tử từ vùng N qua lớp tiếp xúc. Khi vùng điện tích
không gian này đủ lớn, nó sẽ ngăn không cho điện tử tự do từ vùng N sang P nữa,
dẫn đến không có dòng điện chạy qua tiếp xúc P-N.
35
Chương 2: diode bán dẫn
hạt dẫn đa số khuếch tán qua tiếp xúc P-N càng nhiều nên dòng điện thuận càng tăng
và nó tăng theo qui luật hàm số mũ với điện áp ngoài.
Phân cực ngược tiếp xúc P-N
Tiếp xúc P-N được phân cực ngược khi cực âm của nguồn được nối với P và
cực dương nguồn được nối tới N. Khi đó, các lỗ trống của vùng P bị hút bởi cực âm
và các điện tử của N bị hút bởi cực dương của nguồn. Do đó, bề dày của điện tích
không gian sẽ tăng lên, các hạt dẫn đa số khó khuếch tán qua vùng điện tích không
gian, làm cho dòng điện khuếch tán qua tiếp xúc P-N giảm xuống so với trạng thái
cân bằng ban đầu. Mặt khác, các hạt dẫn thiểu số sẽ chuyển động trôi qua vùng tiếp
giáp và tạo nên dòng điện trôi có chiều từ bán dẫn N sang bán dẫn P và được gọi là
dòng điện ngược.
Nếu tăng điện áp ngược lên sẽ làm cho dòng điện ngược tăng lên. Nhưng do
nồng độ các hạt dẫn thiểu số có rất ít nên dòng điện ngược nhanh chóng đạt giá trị
bão hòa và được gọi là dòng điện ngược bão hòa IS có giá trị rất nhỏ khoảng từ vài
nA đến vài chục µA.
Lỗ trống Điện tử
P N
a)
Lỗ trống Điện tử
P N
b)
36
Chương 2: diode bán dẫn
37
Chương 2: diode bán dẫn
𝑉𝐷
𝐼 = 𝐼𝑆 (𝑒 𝜂.𝑉𝑇 − 1) (2.23)
Trong hình 2.16 phân tích diode bán dẫn loại Silic và Germani, diode được phân
cực thuận có đặc tuyến ở góc phần tư thứ nhất. Dòng qua diode bắt đầu dẫn mạnh khi
điện áp đặt trên diode vượt qua điện thế ngưỡng V. Giá trị V đối với vật liệu Silic
và Germani:
Si: V = (0,4V ÷ 0,8V); thường chọn 0,6V hoặc 0,7V.
Ge: V = (0,1V ÷ 0,3V); thường chọn 0,2V hoặc 0,3V.
Diode được phân cực ngược có đặc tuyến ở góc phần tư thứ ba (hình 2.17).
Diode không dẫn điện (không có dòng điện thuận), chỉ có dòng điện ngược có giá trị
rất nhỏ (chạy theo chiều từ cathode sang anode của diode). Khi |𝑉𝐷 | lớn hơn vài lần
VT thì dòng điện ngược đạt giá trị bão hoà ngược Is. Khi VD = VB (Breakdown Voltage
38
Chương 2: diode bán dẫn
– điện thế đánh thủng diode, giá trị này do nhà chế tạo cung cấp) thì dòng điện tăng
vọt, ta gọi đây là hiện tượng đánh thủng tiếp xúc P-N..
Hình 2.17: so sánh các đặc tuyến V-I của diode theo nhiệt độ
2.3.4 Các thông số của diode
Điện trở dc (điện trở tĩnh)
Là điện trở của diode khi làm việc ở chế độ một chiều (chế độ tĩnh).
𝑉𝐷
𝑅𝐷 = ; [Ω] (2.25)
𝐼𝐷
39
Chương 2: diode bán dẫn
𝑑𝑉
𝑟𝑑 = ; [Ω] (2.26)
𝑑𝐼
Khi diode được phân cực thuận, diode có điện trở động rd tương đối nhỏ. Khi
phân cực ngược, do dòng qua diode gần như không có nên giá trị rd rất lớn.
Điện dung của diode (Cd)
Điện dung của diode là điện dung của tiếp xúc P-N, gồm có 2 thành phần là điện
dung rào thế 𝐶0 và điện dung khuếch tán 𝐶𝑘𝑡 . Điện dung rào thế là sự gia tăng các
điện tích khi đặt điện áp ngược lên tiếp xúc P-N. Điện dung khuếch tán chỉ xuất hiện
khi có hiện tượng khuếch tán xảy ra. Do đó khi diode được phân cực thuận thì Ckt >>
C0, còn khi diode được phân cực ngược thì 𝐶𝑘𝑡 = 0 và 𝐶𝑑 = 𝐶0 . Giá trị Cd sẽ gây ảnh
hưởng khi diode làm việc với tần số cao.
Cd = C0 + Ckt (2.27)
𝑑𝑄
𝐶0 = | | (2.28)
𝑑𝑉
Trong đó dQ là sự gia tăng của điện tích khi thay đổi dV của điện áp. Ngoài ra,
C0 cũng có thể được tính bằng công thức sau :
𝜀𝑟 .𝜀0 .𝑆
𝐶0 = (2.29)
𝑑
40
Chương 2: diode bán dẫn
41
Chương 2: diode bán dẫn
𝜏
𝐶𝑘𝑡 = 𝑟
𝑑
Phương trình (2.30) được gọi là phương trình đường tải tĩnh (DCLL), đường tải
có độ dốc là (-1/R). Điểm giao nhau giữa đường tải với đặc tuyến V-I được gọi là
điểm tĩnh Q (Quiescent), IDQ và VDQ là dòng và áp tĩnh tại điểm Q.
42
Chương 2: diode bán dẫn
Ví dụ 2.5: tìm điểm Q của mạch hình 2.13, biết sụt áp trên diode VD = 0,7V và VDC
= 5 V. Điện trở R = 1 kΩ.
VD = 0,7V = VDQ.
Dòng chạy qua diode:
𝑉𝐷𝐶 − 𝑉𝐷 5−0,7
𝐼𝐷 = = = 4,3𝑚𝐴
𝑅 1000
IDQ = 4,3mA
Điểm Q = (VDQ = 0,7V; IDQ = 4,3mA)
Ví dụ 2.6: tìm dòng qua diode của mạch hình 3.13, biết sụt áp trên diode VD = 0,7 V,
R = 2 kΩ và VDC = 10 V.
𝑉𝐷𝐶 − 𝑉𝐷 10−0,7
𝐼𝐷 = = = 4,65 𝑚𝐴
𝑅 2.103
Đối với tín hiệu lớn thì diode được phân cực thuận, chung ta lấy xấp xĩ đường
cong số mũ của ID thành đường thẳng AB (hình 2.15). Khi đó, mạch tương đương
của hình 2.15a sẽ trở thành hình 2.15c, bằng cách thay thế đường cong đặc tuyến V-
I của diode bằng mô hình tuyến tính (gồm đoạn 0A có ID = 0 cho tới giá trị V và
đường thẳng AB khi VD > V). Rf là điện trở thuận của diode và thường có giá trị từ
5 Ω đế 50 Ω. Mô hình hình 2.15c còn được gọi là mô hình tĩnh (dc) của diode.
43
Chương 2: diode bán dẫn
Ví dụ 2.7 : tính điện áp ngõ ra V0 ở hình 2.17a trong các trường hợp sau:
a) V1 = V2 = 5 V.
b) V1 = 5 V, V2 = 0 V.
c) V1 = V2 = 0 V.
D1 và D2 là hai diode Silic có V = 0,6 V, Rf 0, Rr ∞ và dòng bão hoà ngược
IS = 0.
44
Chương 2: diode bán dẫn
Giải:
Hình 2.17a được vẽ lại tương đương thành hình 2.17b.
(a) Khi V1 = V2 = 5 V thì cả D1 và D2 ngưng dẫn nên không có dòng chạy
trong mạch và mạch tương đương như hình 2.17c. Vì vậy, V0 = 5 V.
45
Chương 2: diode bán dẫn
Hình 2.17e
2.3.8 Mô hình diode tín hiệu nhỏ
Xét mạch điện như hình 2.18a, nguồn xoay chiều có biểu thức:
𝑣𝑆 (𝑡 ) = 𝑉𝑚 𝑠𝑖𝑛𝜔. 𝑡, 𝑣ớ𝑖 𝑉𝑚 < 𝑉𝐴𝐴
𝑣𝑡 (𝑡 ) = 𝑉𝐴𝐴 + 𝑣𝑆 (𝑡 ) = 𝑉𝐴𝐴 + 𝑉𝑚 𝑠𝑖𝑛𝜔. 𝑡, 𝑣ớ𝑖 𝑉𝑚 < 𝑉𝐴𝐴
𝑉𝐴𝐴 𝐾ℎ𝑖 𝑣𝑆 = 0
⇒ 𝑣𝑡 (𝑡 ) = { 𝑉𝐴𝐴 + 𝑉𝑚 𝐾ℎ𝑖 𝑣𝑆 = 𝑉𝑚
𝑉𝐴𝐴 − 𝑉𝑚 𝐾ℎ𝑖 𝑣𝑆 = −𝑉𝑚
46
Chương 2: diode bán dẫn
Trong đó:
IDQ: dòng dc khi 𝑣𝑡 (𝑡) = 𝑉𝐴𝐴 và 𝑣𝑆 (𝑡 ) = 0
𝑖𝑑 (𝑡) : dòng ac được tạo từ nguồn 𝑣𝑆 (𝑡 ).
𝑉𝐴𝐴 −𝑉𝛾 𝑉𝐴𝐴 −𝑉𝛾
𝐼𝐷𝑄 = = (2.32)
𝑅 𝑅𝐿 +𝑅𝑓
𝑉𝐴𝐴 −𝑉𝛾
ℎ𝑜ặ𝑐 𝐼𝐷𝑄 ≈
𝑅𝐿
𝑑𝑖𝑑
ℎ𝑎𝑦 𝑔𝑑 = | ; [𝑆] (2.33)
𝑑𝑣𝑑 𝑄
1 𝑑𝑣𝑑
⇒ 𝑟𝑑 = = | ; [Ω] (2.34)
𝑔𝑑 𝑑𝑖𝑑 𝑄
𝑣𝐷
Mà 𝑖𝐷 = 𝐼𝐷 + 𝑖𝑑 = 𝐼𝑆 (𝑒 𝜂.𝑉𝑇 − 1) (2.36)
Từ (2.35) ta sẽ tìm được giá trị điện động hay điện trở động tại Q:
47
Chương 2: diode bán dẫn
𝑉𝐷𝑄
1 1
𝑔𝑑 = . 𝐼𝑆 . 𝑒 𝜂.𝑉𝑇 = . 𝐼𝐷𝑄
𝜂.𝑉𝑇 𝜂.𝑉𝑇
{ (2.38)
1 𝜂.𝑉
𝑟𝑑 = = 𝑇
𝑔𝑑 𝐼𝐷𝑄
Tóm tắt phương pháp phân tích mạch dùng diode có cả dc và ac:
Vẽ mô hình dc tương đương như hình 2.20b bằng cách cho 𝑣𝑆 = 0 và thay thế
diode bằng điện trở Rf, tính dòng tĩnh IDQ theo công thức (2.35).
T = 3000K VT = 26 mV
200
𝑖𝐷 = 1𝑥10−6 𝑥 (𝑒 2𝑥26 − 1) ≈ 10−6 𝑥(𝑒 3,85 − 1)
𝐼𝐷𝑄 = 𝑖𝐷 | 𝑇=3000 𝐾 =
Điện trở động của diode:
48
Chương 2: diode bán dẫn
𝜂.𝑉𝑇 2𝑥(26𝑚𝑉)
𝑟𝑑 = = = Ω
𝐼𝐷𝑄 ()
Hình 2.21a
Giải:
Từ hình 2.21a, ta có mô hình tương đương dc và ac như hình 2.21b và 2.21c.
𝑇 293
𝑉𝑇 = = ≈ 25 𝑚𝑉
11600 11600
𝜂.𝑉𝑇 2𝑥(25𝑚𝑉)
𝑟𝑑 = = ≈ 12 Ω
𝐼𝐷𝑄 4,18𝑚𝐴
𝑅𝐿
𝑣𝑑 = . 𝑣𝑆 (𝑡)
𝑅𝐿 +𝑟𝑑
2000
𝑣0𝑎𝑐 = 𝑥0,2𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡 = 0,199𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡 (𝑉)
2000+12
49
Chương 2: diode bán dẫn
𝑣0 (𝑡 ) = (8,36 + 0,199𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡) 𝑉
(c) Tính dòng tổng trong mạch
𝑖𝐷 = 𝐼𝐷𝑄 + 𝑖𝑑
𝑣𝑆 (𝑡) 0,2𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡
Với 𝑖𝑑 = = = 0,099𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡 (𝑚𝐴)
𝑅𝐿 +𝑟𝑑 2000+12
Thông số kỹ ĐƠN
1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007
thuật VỊ
Dòng thuận
trung bình cực 1,0 A
đại
Điện áp thuận
cực đại tại 1 A 1,1 V
và 250C
50
Chương 2: diode bán dẫn
51
Chương 2: diode bán dẫn
Đặc tính này được ứng dụng để chế tạo diode biến dung mà trị số điện dung
thay đổi theo điện áp phân cực ngược. Điện dung có thể thay đổi từ 5 pF đến 100 pF
khi điện thế phân cực ngược thay đổi từ 3 V÷25 V.
52
Chương 2: diode bán dẫn
tính ghim áp không thay đổi khi được phân cực thích hợp; các mạch xén, kẹp dùng
diode và zener.
2.5.1 Mạch chỉnh lưu
Mạch chỉnh lưu bán kỳ (half wave rectifier)
- Khi chọn diode cho mạch chỉnh lưu bán kỳ phải thoả:
Dòng đỉnh thuận ID ≥ Iim. (2.42)
Điện áp ngược đỉnh diode (PIV = Peak Inverse Voltage):
53
Chương 2: diode bán dẫn
vi
1 vL
vL
RL
1 1
RL
_ D2 _
vi
vi
D2
iD2
- Khi chọn diode cho mạch chỉnh lưu toàn kỳ dùng 2 diode phải thoả:
54
Chương 2: diode bán dẫn
vL
vL
D4 D1 IL
vi
+
D3 D2 RL vL
-
Tín hiệu vi
55
Chương 2: diode bán dẫn
- Công thức tính điện áp trung bình và dòng trung bình trên tải tương tự mạch
dùng hai diode, chỉ khác chọn điện áp ngược:
PIV ≥ Vim. (2.49)
2.5.2 Mạch nhân áp
Có thể sử dụng diode kết hợp tụ điện để thực hiện các mạch nhân áp có thể là
nhân 2, nhân 3, nhân 4,…
Mạch nhân đôi áp
Từ mạch nhân đôi áp hình 2.33a, trong bán kỳ dương thì D1 dẫn (D2 không dẫn)
sẽ làm tụ C1 nạp điện tới giá trị Vm như hình 2.33b. Ở bán kỳ âm, D2 dẫn (D1 ngưng
dẫn) nạp điện cho C2 theo hình 2.33c. Áp dụng KVL mạch vòng hình 2.33c, ta được:
-Vm – VC1 + VC2 = 0
Mà VC1 = Vm
VC2 = 2Vm
56
Chương 2: diode bán dẫn
CHUYỂN CHỈNH
220VAC LỌC ỔN ÁP RL
ĐỔI ÁP LƯU
Vì nguồn cung cấp điện áp vào có thể biến đổi, hoặc tải có thể biến đổi, hoặc cả
hai đều biến đổi, nhưng điện áp ra cấp cho tải phải ổn định. Do đó, để thiết kế mạch
ổn áp ứng với các trường biến đổi thì ta hãy phân tích các trường hợp sau:
Vdc biến đổi nhưng RL không đổi: xem hình 2.36
57
Chương 2: diode bán dẫn
Và 𝑉𝑑𝑐 = 𝑅. 𝐼𝑅 + 𝑉𝑍 (2.52)
Khi Vdc = Vdcmin để IL = const thì IR = IRmin và IZ = IZmin.
IRmin = IZmin + IL. (2.53)
𝑉𝑑𝑐𝑚𝑖𝑛 − 𝑉𝑍
𝑅= (2.54)
𝐼𝑅𝑚𝑖𝑛
IZmax = ?
2
𝑃𝑅𝑚𝑎𝑥 = 𝑅. 𝐼𝑅𝑚𝑎𝑥
PZmax = VZ.IZmax.
Ví dụ 2.10: trong hình 2.36 biết Vdc = 15V ÷ 20V; VZ = 10V; IZmin = 5mA;
và RL = 500Ω.
Hãy xác định R, PRmax, PZmax để VL = VZ.
Giải:
Ta có IR = IZ + IL.
Để IL không thay đổi thì :
𝐼𝑅𝑚𝑖𝑛 = 𝐼𝑍𝑚𝑖𝑛 + 𝐼𝐿
{
𝐼𝑅𝑚𝑎𝑥 = 𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥 + 𝐼𝐿
Khi Vdc = Vdcmin :
Ta có VL = VZ = 10V ; IZmin= 5mA
58
Chương 2: diode bán dẫn
𝑉𝐿 10
⇒ 𝐼𝐿 = = = 0,02𝐴 = 20𝑚𝐴
𝑅𝐿 500
⇒ 𝐼𝑅𝑚𝑖𝑛 = 5 + 20 = 25𝑚𝐴
𝑉𝑑𝑐𝑚𝑖𝑛 − 𝑉𝑍 15−10
Và 𝑅= = = 250Ω
𝐼𝑅𝑚𝑖𝑛 25.10−3
IR = IZmin + ILmax.
𝑉𝑑𝑐 − 𝑉𝑍
𝑅= (2.59)
𝐼𝑅
𝑃𝑅 = ?
Khi RL = RLmax để VL = const thì IL = ILmin và IZ = IZmax.
𝑉𝑍
Với 𝐼𝐿𝑚𝑖𝑛 = (2.60)
𝑅𝐿𝑚𝑎𝑥
59
Chương 2: diode bán dẫn
⇒ 𝑃𝑅 = 𝑅. 𝐼𝑅 = 2,86𝑥1,05 ≈ 3𝑊
Khi RL = RLmax :
Ta có IL = ILmin = 100mA
⇒ 𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥 = 𝐼𝑅 − 𝐼𝐿𝑚𝑖𝑛 = 1050 − 100 = 0,95𝐴
⇒ 𝑃𝑍𝑚𝑎𝑥 = 𝑉𝑍 . 𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥 = 10𝑥0,95 = 9,5𝑊
Ta có IZ = IR - IL ; và IZmin ≤ IZ ≤ IZmax.
𝑉𝑑𝑐𝑚𝑖𝑛 −𝑉𝑍 𝑉𝑑𝑐 −𝑉𝑍 𝑉𝑑𝑐𝑚𝑎𝑥−𝑉𝑍
𝐼𝑍𝑚𝑖𝑛 ≤ − 𝐼𝐿𝑚𝑎𝑥 ≤ 𝐼𝑍 = − 𝐼𝐿 ≤ − 𝐼𝐿𝑚𝑖𝑛 ≤ 𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥
𝑅 𝑅 𝑅
60
Chương 2: diode bán dẫn
𝑉𝑑𝑐𝑚𝑖𝑛 −𝑉𝑍
𝐼𝑍𝑚𝑖𝑛 ≤ − 𝐼𝐿𝑚𝑎𝑥
𝑅
{ 𝑉𝑑𝑐𝑚𝑎𝑥−𝑉𝑍
𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥 ≥ − 𝐼𝐿𝑚𝑖𝑛
𝑅
15,8Ω ≤ 𝑅 ≤ 15,8Ω
R = 15,8Ω
61
Chương 2: diode bán dẫn
Hình 2.39b: dạng sóng vào ra của mạch xén nối tiếp
Mạch xén nối tiếp xen nguồn dc
Nếu diode trong mạch xén hình 2.40 là lý tưởng thì điểm chuyển trạng thái của
nó tương ứng có 𝑣𝑑 = 0 𝑣à 𝑖𝑑 = 0, khi đó diode dẫn, thay diode bằng mô hình diode
lý tưởng sẽ trở thành hình 2.41.
62
Chương 2: diode bán dẫn
Hình 2.41: mạch tương đương của xén nối tiếp xen nguồn dc
0 T/2 T t
Hình 2.42: đáp ứng ngõ ra của mạch xén nối tiếp xen nguồn dc
Mạch xén song song
Xét mạch xén song song đơn giản như hình 2.43, giả sử diode là lý tưởng. Tín
hiệu ngõ vào là sóng vuông và tam giác thì đáp ứng ngõ ra được biểu diễn như hình
2.43.
63
Chương 2: diode bán dẫn
Hình 2.43: mạch và đáp ứng của kiểu xén song song
Ví dụ 2.13: vẽ dạng sóng ngõ ra của mạch xén hình 2.44, cho diode loại lý tưởng.
Do diode lý tưởng có sụt áp và dòng qua nó bằng 0, nên điểm chuyển tiếp
trạng thái là 𝑣𝑖 = 𝑉 = 4. Ở bán kỳ dương, khi 𝑣𝑖 < 4𝑉 thì diode dẫn xem như nối
tắt diode và điện áp ngõ ra 𝑣0 = 4𝑉, khi 𝑣𝑖 ≥ 4𝑉 thì diode bị phân cực ngược nên
𝑣0 = 𝑣𝑖 . Ở bán kỳ âm, do có 𝑣𝑖 < 4𝑉 nên diode dẫn và làm cho 𝑣0 = 4𝑉. Hình
2.45a là mô hình tương đương khi diode dẫn, hình 2.45b là mô hình tương đương
khi diode ngưng dẫn và hình 2.46 biểu diễn đáp ứng ngõ vào và ngõ ra của mạch
xén.
Hình 2.45: mô hình mạch tương đương khi diode dẫn và ngắt
64
Chương 2: diode bán dẫn
65
Chương 2: diode bán dẫn
Hình 2.49: dạng sóng ngõ ra của mạch kẹp hình 2.47
66
Chương 2: diode bán dẫn
−20𝑉 + 𝑉𝐶 − 5𝑉 = 0
⇒ 𝑉𝐶 = 25 𝑉
Vì vậy, tụ được nạp đến 25 V. Thời gian từ t2 đến t3, điện áp trên cathode của
diode là 10 V + 25 V = 35 V, dương hơn nhiều so với chỉ 5 V trên anode nên diode
không dẫn và xem như hở mạch, mạch tương đương hình 2.51b. Áp dụng KVL
hình 2.51b sẽ có,
10𝑉 + 25𝑉 − 𝑣0 = 0
⇒ 𝑣0 = 35𝑉
Thời hằng tụ xả :
𝜏 = 𝑅𝐶 = (100 𝑘Ω)(1𝜇𝐹 ) = 100 𝑚𝑠
Tổng thời gian tụ xả hết : 5𝜏 = 5(100 𝑚𝑠) = 500 𝑚𝑠
Khoảng thời gian t2 đến t3 là 0,5 ms, vì vậy tụ sẽ giữ điện áp của nó trong suốt
thời gian tụ xả giữa các xung của tín hiệu ngõ vào. Dạng sóng ngõ ra 𝑣0 trong hình
2.52.
67
Chương 2: diode bán dẫn
68
Chương 2: diode bán dẫn
69
Chương 2: diode bán dẫn
70
Chương 2: diode bán dẫn
71
Chương 2: diode bán dẫn
72
Chương 2: diode bán dẫn
Hình 2.63: hiển thị các giá trị điện thế trên trục x
- Thiết lập trục hoành: lấy trục hoành là các giá trị điện áp trên hai đầu diode.
Chọn “Axis Settings…” trong Plot trên menu của hình 2.63 làm xuất hiện hình
2.64.
- Nhấn vào nút “Axis Variable…” sẽ tạo ra cửa sổ hình 2.65.
- Nhập vào biểu thức tính sụt áp trên hai đầu diode là (V(D1:1) – V(D1:2)) ở
dòng cho phép nhập biểu thức là “Trace Expression” trên hình 2.65.
- Nhấn OK.
- Nhấn OK lần nữa.
73
Chương 2: diode bán dẫn
Hình 2.65: nhập vào biểu thức tính sụt áp trên diode
- Thực hiện vẽ đặc tuyến V-I của diode:
Chọn “Add Trace…” trong Trace trên menu của hình 2.63 làm xuất hiện
hình 2.66.
Chọn “I(D1)” trong hình 2.66, chính là dòng qua diode cần mô phỏng.
Nhấn OK sẽ cho kết quả mô phỏng là đặc tuyến phân cực thuận và ngược
của diode trong hình 2.67.
74
Chương 2: diode bán dẫn
75
Chương 2: diode bán dẫn
- Nhấn OK sẽ có kết quả mô phỏng mạch ổn áp dc dùng zener theo hình 2.69.
76
Chương 2: diode bán dẫn
77
Chương 2: diode bán dẫn
78
Chương 2: diode bán dẫn
6) Từ bài tập (5) hãy xác định điện trở tĩnh của diode.
7) Từ bài tập (5) hãy xác định điện trở động của diode đang hoạt động tại nhiệt độ
phòng.
8) Giả sử sụt áp trên diode khi được phân cực thuận là 0,7 V (Si) hoặc 0,3 V (Ge).
Tính dòng trong hình 2.75 tương ứng với các trường hợp sau:
a. Hai diode cùng loại Si.
b. Hai diode cùng loại Ge.
I R D1
1kΩ
6V D2
220Vrms v2
50Hz vL
79
Chương 2: diode bán dẫn
13) Cho mạch ổn áp như hình 2.80. Với Vdc = 15 V; VZ = 9 V; IZmin = 20 mA; RL =
9 Ω ÷ 20 Ω. Xác định R và PZmax để điện áp trên tải VL = VZ.
14) Cho mạch ổn áp như hình 2.81. Biết Vdc = 8 V ÷ 10 V; VZ = 5 V; IL = 20 mA ÷
100 mA. Xác định công suất tiêu tán tối đa trên zener và tìm giá trị R thoả điều
kiện ổn áp.
IZ IL
Vdc VZ
RL
80
Chương 2: diode bán dẫn
81
Chương 2: diode bán dẫn
82