Bài tập rèn luyện

1. Tính chu kỳ máy (MC) cho các trường hợp:

a. Fosc= 1MHz => 1MC=
b. Fosc = 10MHz => 1MC=
c. Fosc= 16MHz => 1MC=
2. Tính số chu kỳ máy tương đương cho delay 10ms cho các trường hợp:
a. Fosc=1MHz  số MC=
b. F=10MHz  số MC=
c. F= 16MHz  số MC=
3. Viết chương trình con delay100ms dùng vòng lặp, cho fosc=8MHz
4. a. Viết chương trình con Delay1s dùng vòng lặp , cho Fosc=1Mhz
b. Dùng chương trình con có sẵn ở câu a, viết chương trình xuất quay vòng
các ký tự cho ở bảng OUTTABLE sau mỗi 1s (đến cuối bảng thì lặp lại) ra
PORTA.
Cho biết OUTTABLE: .DB “HELLO WORLD”
Địa chỉ đầu bảng nằm ở $0200 trong bộ nhớ FLASH
5. Viết CT đọc data X1 từ PORTA vào R3, nếu 95H ≤ X1 < 20H thì xuất X ra
PORTB, ngược lại thì xuất X1 ra PORTD. Cho biết X1 được xem là số có dấu.
6. Viết CT đọc data X2 từ PORTA, nếu X2 là số chẵn thì lưu X2 vào ô nhớ $100,
ngược lại lưu X2 vào ô nhớ $200 của SRAM.
7. Viết chương trình đọc data X3 từ PORTA, chuyển giá trị X3 ra số BCD không
nén, lưu số đơn vị vào ô nhớ $110, lưu số chục vào ô nhớ $111 và số hàng
trăm vào ô nhớ $112 của SRAM.