BG ĐTHN C.2 Amplifiers

CHƯƠNG V: SƠ ĐỒ
KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU

Giảng viên: Bùi Ngọc Hà
Điện thoại: 0963387126
Email: ha.buingoc@hust.edu.vn
CHƯƠNG V: SƠ ĐỒ KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU
• Khái niệm và định nghĩa
• Sơ đồ khuếch đại tín hiệu dùng transistor
• Sơ đồ khuếch đại tín hiệu dùng khuếch đại thuật toán
KHÁI NIỆM VÀ ĐỊNH NGHĨA
• Định nghĩa
• Khuếch đại tín hiệu là quá trình biến đổi một đại lượng dòng điện hoặc điện áp có biên độ
nhỏ thành đại lượng có giá trị lớn hơn mà không làm thay đổi đặc trưng hình dạng của tín
hiệu.
• Tín hiệu lối ra tỷ lệ tuyến tính với tín hiệu lối vào. Hệ số tỷ lệ được gọi là hệ số khuếch đại.
• Khuếch đại sử dụng nguồn điện ngoài để cung cấp công suất cho tín hiệu nhỏ, do đó, tín
hiệu lối ra từ bộ khuếch đại có công suất và biên độ không thể vượt quá công suất và
biên độ của nguồn nuôi bộ khuếch đại.
• Định nghĩa
• Hình ảnh của một số bộ khuếch đại thực tế
• Ký hiệu sơ đồ khuếch đại
• Ký hiệu là hình tam giác có ít nhất 1 lối vào và 1 lối ra, A (hoặc có thể ghi chú là K) là hệ số
khuếch đại của sơ đồ.
• Phân loại sơ đồ khuếch đại

• Sơ đồ khuếch đại ghép nối AC
• Các tầng của sơ đồ khuếch đại được ghép nối với nhau bằng biến áp hoặc tụ điện.
• Điện áp một chiều được ngăn cách giữa các tầng.
• Không khuếch đại được tín hiệu điện áp một chiều
• Sơ đồ khuếch đại ghép nối DC
• Các tầng của sơ đồ khuếch đại được ghép nối với nhau trực tiếp bằng dây dẫn.
• Điện áp một chiều từ tầng trước ảnh hưởng tới tầng khuếch đại sau đó.
• Khuếch đại được tín hiệu điện áp một chiều
• Phân loại sơ đồ khuếch đại
• Sơ đồ khuếch đại tín hiệu nhỏ (tiền khuếch đại)
• Sử dụng để khuếch đại nguồn tín hiệu nhỏ, có biên độ thấp, công suất thấp, trở kháng cao.
• Ưu tiên khả năng phối hợp, ghép nối tín hiệu.
• Thường là tầng đầu tiên của bộ khuếch đại.
• Sơ đồ khuếch đại âm thanh
• Phù hợp với tín hiệu có tần số từ khoảng 20 Hz đến 20kHz.
• Sơ đồ khuếch đai dải rộng
• Rải tần số khuếch đại rộng, phù hợp cho nhiều ứng dụng.
• Sơ đồ khuếch đại vô tuyến
• Sử dụng trong lĩnh vực truyền thông.
• Sơ đồ khuếch đại công suất
• Ưu tiên khuếch đại dòng của tín hiệu.
• Tạo ra trở kháng phù hợp với tải.
• Thường nằm ở tần cuối cùng của bộ khuếch đại.
• Các thông số cơ bản của bộ khuếch đại
• Hệ số khuếch đại
• Mô tả số lần được làm lớn về mặt biên độ của tín hiệu sau khi đi qua bộ khuếch đại, thường được
ký hiệu là A hoặc K.
• Sơ đồ khuếch đại điện áp sẽ có hệ số khuếch đại điện áp được tính bằng công thức:
Vout
AV 
Vin
• Sơ đồ khuếch đại dòng điện sẽ có hệ số khuếch đại dòng điện được tính bằng công thức:
I out
AI 
I in
• Sơ đồ khuếch đại công suất sẽ có hệ số khuếch đại công suất được tính bằng công thức:
Pout
AP 
Pin
• Hệ số khuếch đại là một đại lượng luôn dương,
• Hệ số khuếch đại có giá trị lớn hơn 1 => bộ khuếch đại tín hiệu.
• Hệ số khuếch đại có giá trị nhỏ hơn 1 => bộ suy giảm tín hiệu.
• Trở kháng lối vào
• Là tổng trở tương đương tại lối vào của bộ
khuếch đại
• Trở kháng lối vào ảnh hưởng tới khả năng thu
nhận tín hiệu từ nguồn tín hiệu của bộ khuếch đại.
• Xét sơ đồ khuếch đại điện áp như hình vẽ, sơ đồ
sẽ khuếch đại tín hiệu từ nguồn vsig, nội trở của
nguồn có giá trị Rsig, hệ số khuếch đại của sơ đồ
là A.
• Gọi nội trở của bộ khuếch đại có giá trị là Rin, sơ
đồ tương đương tầng vào của bộ khuếch đại sẽ
bao gồm nguồn tín hiệu nt với Rsig nt với Rin.
• Trở kháng lối vào
• Bộ khuếch đại sẽ khuếch đại tín hiệu trên nội trở
lối vào của bộ khuếch đại => điện áp được
khuếch đại là điện áp vi.
• Nếu Rsig = 0 => vsig = vi (trường hợp lý tưởng).
• Trên thực tế vsig khác vi.
• Gọi ii là dòng điện chạy trong lối vào của bộ
khuếch đại, ta có
vsig
vi  ii  Rin  Rin
Rsig  Rin
• Để điện áp được khuếch đại có giá trị xấp xỉ giá
trị điện áp nguồn tín hiệu thì Rin >> Rsig.
• Ngược lại với bộ khuếch đại dòng điện thì để
dòng điện được khuếch đại xấp xỉ dòng điện
nguồn tín hiệu, ta cần Rin << Rsig (sinh viên tự
chứng minh điều này)
• Trở kháng lối ra
• Là tổng trở tương đương tại lối ra của bộ khuếch
đại
• Trở kháng lối ra ảnh hưởng tới khả năng truyền
tín hiệu đã được khuếch đại từ bộ khuếch đại tới
tải tiêu thụ.
• Xét sơ đồ khuếch đại điện áp như hình vẽ, sơ đồ
có hệ số khuếch đại điện áp là Avo điện áp được
sơ đồ khuếch đại là vi.
• Đầu ra của bộ khuếch đại điện áp sẽ được mô
hình hóa là một nguồn điện áp với suất điện động
có độ lớn bằng Avovi, nguồn điện có nội trở Ro là
điện trở lối ra của bộ KĐ.
• Khi có trở tải mắc vào lối ra bộ khuếch đại ta sẽ
thu được sơ đồ gồm nguồn KĐ nt Ro nt RL.
• Trở kháng lối ra
• Gọi io là dòng điện chạy qua tải, ta có thể tính
được điện áp rơi trên tải như sau:
Avo vi
vo  io  RL  RL
Ro  RL
• Muốn cho công suất khuếch đại được truyền hết

tới tải tiêu thụ thì điện áp rơi trên tải phải có giá
trị xấp xỉ Avovi. Điều kiện này sẽ thỏa mãn khi
Ro<<RL.
• Đối với bộ khuếch đại dòng điện, để truyền được
hết công suất tới tải thì dòng điện qua tải cần xấp
xỉ dòng điện sau khi đã khuếch đại, lúc này ta sẽ
có Ro>>RL (sinh viên tự chứng minh điều kiện
này)
• Phối hợp trở kháng
• Vẫn xét sơ đồ khuếch đại điện áp như trên, kết
hợp cả lối vào và lối ra, ta có thể thu được công
thức tính điện áp lối ra theo giá trị của vsig
Rin RL
vo  vsig  Avo
Rsig  Rin Ro  RL
• Lựa chọn Rin và Ro phù hợp ta có thể thu được
công thức đơn giản: vo = Avovsig => điện áp lối ra
không phụ thuộc vào nội trở của nguồn cũng như
giá trị của tải tiêu thụ.
• Điện áp trên tải của bộ khuếch đại phụ thuộc vào
điện trở của nguồn nuôi cũng như giá trị của tải
tiêu thụ được gọi là hiện tượng phối hợp trở
kháng, bộ khuếch đại nào có phối hợp trả kháng
tốt thì điện áp lối ra chỉ phụ thuộc vào hệ số
khuếch đại của sơ đồ.
• Hồi tiếp âm trong bộ khuếch đại
• Hồi tiếp là đưa một phần hoặc toàn bộ tín hiệu ở lối ra quay trở lại lối vào của chính bộ
khuếch đại.
• Hồi tiếp sinh ra có thể do tự phát hoặc do thiết kế có chủ đích.
• Có hai loại hồi tiếp: hồi tiếp âm, hồi tiếp dương.
• Hồi tiếp dương: tín hiệu lối ra được đưa quay trở lại lối vào cùng pha với tín hiệu đi vào lối vào,
hồi tiếp dương thúc đẩy quá trình của hệ thống, làm cho hệ thống mất ổn định, nhanh chóng
chuyển đến trạng thái bão hòa => hồi tiếp dương được ứng dụng trong sơ đồ phát xung.
• Hồi tiếp âm: tín hiệu lối ra được đưa quay trở lại lối vào ngược pha với tín hiệu đi vào lối vào, tín
hiệu hồi tiếp ngược pha làm giảm biên độ điện áp tổng cộng của lối vào làm cho hệ thống trở nên
ổn định hơn. Hồi tiếp âm thường được sử dụng trong các sơ đồ khuếch đại.
• Hồi tiếp âm trong bộ khuếch đại
• Các kiểu mắc hồi tiếp
a. Sơ đồ hồi tiếp điện áp song song b. Sơ đồ hồi tiếp dòng điện nối tiếp
c. Sơ đồ hồi tiếp điện áp nối tiếp d. Sơ đồ hồi tiếp dòng điện song song
• Dải thông của bộ khuếch đại
• Là dải tần số hoạt động mà bộ khuếch đại có thể
duy trì hệ số khuếch đại ở mức lớn hơn 0.707 giá
trị khuếch đại được thiết lập ban đầu.
• Khi tần số làm việc nhỏ hơn fl hoặc lớn hơn
fh thì giá trị của hệ số khuếch đại giảm đi
0.707 lần (hoặc 3dB) so với giá trị khuếch đại
ban đầu.
• Băng thông của bộ khuếch đại được tính từ fl fl fh
tới fh.
f  f h  f l
• Dải thông của bộ khuếch đại
• Dải thông đặc trưng của một số bộ khuếch đại
fl
• Những yêu cầu đối với bộ KĐ tuyến tính
• Đối với hệ số KĐ
• Có thể thiết kế giá trị của hệ số KĐ K một cách tùy ý
• Giá trị K không đổi trong quá trình hoạt động
• Đối với dải thông
• Dải thông của bộ khuếch đại càng lớn thì càng tốt.
• Bộ khuếch đại có tạp âm càng nhỏ thì càng tốt
• Bộ KKĐ phải có khả năng chống quá tải biên độ khi tín hiệu vào quá lớn và
chống quá tải tần số khi tần số vào quá lớn
• Bộ KĐ làm việc ổn định trước những thay đổi của nhiệt độ và các tác nhân
khác của môi trường, tuổi thọ cao.
17
SƠ ĐỒ KHUẾCH ĐẠI DÙNG TRANSISTOR
• Giới thiệu chung
• Transistor là viết tắt của cụm từ transfer resistor có nghĩa là truyền điện trở.
• Transistor cho phép điều khiển dòng điện chạy qua transistor thông qua dòng điện điều
khiển có biên độ rất nhỏ.
• Transistor có thể khuếch đại tín hiệu.
• Transistor bao gồm hai loại có bản: transistor lưỡng cực (BJT) và transistor hiệu ứng
trường (FET).
• Transistor được ứng dụng trong lĩnh vực khuếch đại tín hiệu, đóng ngắt mạch điện tử,
nguồn xung, mạch điện tử cao tần.
• Cấu tạo và hình dạng
• Transistor lưỡng cực (BJT) là linh kiện
bán dẫn có 3 cực, có khả năng khuếch đại
tín hiệu điện tử, cũng có thể hoạt động
như một công tắc đóng mở mạch điện.
• Transistor được cấu tạo từ hai lớp bán dẫn
P-N với hai cấu hình chỉnh NPN hoặc
PNP.
• Transistor có 3 cực lần lượt là cực phát
Emmiter (E), cực thu Collector (C) và
cực gốc Base (B).
• Cấu tạo và hình dạng
• Transistor lưỡng cực (BJT) là linh kiện
bán dẫn có 3 cực, có khả năng khuếch đại
tín hiệu điện tử, cũng có thể hoạt động
như một công tắc đóng mở mạch điện.
• Transistor được cấu tạo từ hai lớp bán dẫn
P-N với hai cấu hình chỉnh NPN hoặc
PNP.
• Transistor có 3 cực lần lượt là cực phát
Emmiter (E), cực góp Collector (C) và
cực gốc Base (B).
• Transistor có rất nhiều hình dạng và kích
thước khác nhau, tùy theo công suất và
kiểu gắn linh kiện trên mạch in.
• Chế độ làm việc của transistor
• Gọi JBE là tiếp giáp P-N giữa E và B, JCB là tiếp giáp
P-N giữa cực C và B.
• Gọi dòng điện đi vào hoặc đi ra chân B của transistor
là IB, dòng điện đi vào hoặc đi ra chân C của
transistor là IC, dòng điện đi vào hoặc đi ra chân E
của transistor là IE.
• Ta có thể tổng hợp 4 cách phân cực cho transistor
như sau:
• JBE phân cực thuận, JCB phân cực thuận
• JBE phân cực thuận, JCB phân cực ngược
• JBE phân cực ngược, JCB phân cực ngược
• JBE phân cực ngược, JCB phân cực thuận
• Transistor có ba chế độ làm việc cơ bản: chế độ
khuếch đại, chế độ khóa và chế độ bão hòa
• Chế độ khuếch đại của transistor
• Khi JBE phân cực thuận, JCB phân cực ngược.
• Dòng điện đi qua tiếp giáp JBE là cho hạt dẫn xuất hiện
trong vùng nghèo.
• Do trong vùng nghèo có hạt dẫn nên giá trị điện trở trong
vùng nghèo giảm dần => dòng điện có thể chạy từ E đến C
hoặc ngược lại.
• Do nồng độ hạt dẫn tại cực E rất lớn => dòng điện qua E, C
có giá trị lớn hơn nhiều so với dòng điện qua tiếp giáp JBE.
• Độ lớn của dòng điện qua E, C phụ thuộc vào độ mở của
vùng nghèo, hay nói cách khác phụ thuộc vào giá trị mở
của dòng điện qua tiếp giáp JBE.
• Chế độ khuếch đại của transistor
• Mối quan hệ giữa các giá trị dòng điện của transistor được
thể hiện qua các công thức sau:
IC   I B
I E  I B  IC
• Trong đó β hay còn được gọi là hfe là hệ số khuếch đại
dòng điện của transistor, giá trị của β thường rơi vào tầm từ
vài chục đến vài trăm lần.
• Do β tương đối lớn nên dòng IB có giá trị khá nhỏ, mối
quan hệ giữa IC và IE được mô tả như sau

IC   I E  I
 1 E
• Thông thường α < 1, vì β khá lớn nên ta có thể coi xấp xỉ
rằng α = 1, lúc này ta có, IC = IE.
TRANSISTOR LƯỠNG CỰC
• Chế độ khóa của transistor
• Dòng điện qua tiếp giáp JBE có giá trị rất nhỏ, vùng nghèo
mở rộng khiến cho dòng điện không thể di chuyển từ E đến
C hoặc ngược lại.
• Điện trở RCE của transistor có giá trị rất lớn.
• Dòng điện IC và IE lúc này xấp xỉ bằng 0.
• Điện áp rơi trên hai cực C và E bằng điện áp nguồn nuôi
• Chế độ bão hòa của transistor
• JBE phân cực thuận, JCB phân cực thuận.
• Tiếp giáp JBE mở hoàn toàn, toàn bộ vùng nghèo dẫn điện.
• Dòng điện qua C, E rất lớn, không còn phụ thuộc vào IB.
• Điện áp rơi trên C, E rất nhỏ có thể coi có giá trị bằng 0V
(trên thực tế điện áp rơi có giá trị vào khoảng 0.3V đến
0.6V).
• Chế độ khóa của transistor
• Dòng điện qua tiếp giáp JBE có giá trị rất nhỏ, vùng nghèo
mở rộng khiến cho dòng điện không thể di chuyển từ E đến
C hoặc ngược lại.
• Điện trở RCE của transistor có giá trị rất lớn.
• Dòng điện IC và IE lúc này xấp xỉ bằng 0.
• Điện áp rơi trên hai cực C và E bằng điện áp nguồn nuôi
• Chế độ bão hòa của transistor
• JBE phân cực thuận, JCB phân cực thuận.
• Tiếp giáp JBE mở hoàn toàn, toàn bộ vùng nghèo dẫn điện.
• Dòng điện qua C, E rất lớn, không còn phụ thuộc vào IB.
• Điện áp rơi trên C, E rất nhỏ có thể coi có giá trị bằng 0V
(trên thực tế điện áp rơi có giá trị vào khoảng 0.3V đến
0.6V).
• Chế độ ngược của transistor
• JBE phân cực ngược, JCB phân cực thuận.
• Xảy ra khi người dùng mắc ngược hai cực C và E của
transistor.
• Transistor không bị hỏng nhưng giá trị dòng điện thu được
sẽ không được như thiết kế. Do cực phát lúc này trở thành
cực góp.
• Chế độ này không được sử dụng.
• Đường đặc tuyến Vôn – Ampe của transistor
• Mô tả mối quan hệ giữa dòng điện và điện áp trên
transistor.
• Đường đặc tuyến được chia làm bốn loại:
• Đặc tuyến vào: mô tả mối quan hệ giữa dòng điện và điện
áp lối vào.
• Đặc tuyến ra: mô tả mối quan hệ giữa dòng điện và điện
áp lối ra.
• Đặc tuyến truyền đạt dòng điện: mô tả sự phụ thuộc của
dòng điện lối ra và lối vào.
• Đặc tuyến hồi tiếp điện áp: mô tả sự biến đổi điện áp lối
vào khi điện áp lối ra thay đổi.
Đặc tuyến lối ra của transistor

• Sử dụng đường đặc tuyến có thể xác định được các
tham số của sơ đồ mắc transistor.
• Ví dụ
• Cho transistor có đạc tuyến lối ra như trong hình vẽ, dòng
điều khiển IB được cấp vào mạch có giá trị IB = 4μA, điện
áp trên hai cực C và E của transistor VCE = 4V. Xác định
điện áp ra IC của transistor.
Bài giải
Bước 1: Tại vị trí VCE bằng 4V, ta kẻ đường thằng vuông góc
với trục hoành.
Bước 2: Tìm giao điểm giữa đường thẳng vừa kẻ và đường
dòng điện IB = 4μA.
Bước 3: Tại giao điểm mới xác định kẻ đường vuông góc với
trục tung. Giao điểm của đường này với trục tung là giá trị
dòng điện cần tìm. Đặc tuyến lối ra của transistor
• Đường đặc tuyến mô tả ba vùng làm việc của
transistor
• Vùng khóa: là khu vực mà IC có giá trị gần bằng 0, UCE
thường có giá trị lớn.
• Vùng báo hòa: là vùng và VCE có giá trị rất nhỏ, IC thường
lớn.
• Vùng khuếch đại hay vùng tuyến tính” là vùng mà IC = βIB
• Các sơ đồ mắc transistor
• Mỗi transistor có 3 cực, khi mắc transistor vào mạch điện ta sẽ sử dụng hai cực để đưa
tín hiệu vào hoặc lấy tín hiệu ra, một cực còn lại sẽ nối chung với cả lối vào và lối ra.
Chân chung này được gọi là chân nối đất.
• Về mặt toán học, việc tổ hợp các chân của transistor theo quy tắc trên sẽ cho ta 6
trường hợp:
• Cực B chung, cực E cấp tín hiệu vào, cực C lấy tín hiệu ra.
• Cực B chung, cực C cấp tín hiệu vào, cực E lấy tín hiệu ra.
• Cực C chung, cực B cấp tín hiệu vào, cực E lấy tín hiệu ra.
• Cực C chung, cực E cấp tín hiệu vào, cực B lấy tín hiệu ra.
• Cực E chung, cực B cấp tín hiệu vào, cực C lấy tín hiệu ra.
• Cực E chung, cực C cấp tín hiệu vào, cực B lấy tín hiệu ra.
• Chỉ có 3 cách mắc có ý nghĩa
• Cực B chung, cực E cấp tín hiệu vào, cực C lấy tín hiệu ra, gọi tắt là B chung (Common Base)
• Cực C chung, cực B cấp tín hiệu vào, cực E lấy tín hiệu ra, gọi tắt là C chung (Common Collector)
• Cực E chung, cực B cấp tín hiệu vào, cực C lấy tín hiệu ra, gọi tắt là E chung (Common Emitter)
• Sơ đồ B chung (Common Base – CB)
• Dòng điện lối vào là dòng IE
• Dòng điện lối ra là dòng IC = IE - IB
• Điện áp lối vào là VBE
• Điện áp lối ra là VCB
• Đặc tuyến lối vào của sơ đồ B chung
• Mô tả đáp ứng của VCB dựa trên mối quan hệ giữa điện áp lối
vào VBE và dòng điện lối vào IE.
• Đặc tuyến lối ra của sơ đồ B chung
• Mô tả đáp ứng của dòng vào IE dựa trên mối quan hệ của điện
áp ra VCB và dòng ra IC.
• Sơ đồ C chung (Common Collector – CC)
• Dòng điện lối vào là dòng IB
• Dòng điện lối ra là dòng IE = (β+1)IB
• Điện áp lối ra là VE
• Đặc tuyến lối vào của sơ đồ C chung
• Mô tả đáp ứng của VEC dựa trên mối quan hệ giữa điện áp lối
vào VBC và dòng điện lối vào IB.
• Đặc tuyến lối ra của sơ đồ C chung
• Mô tả đáp ứng của dòng vào IB dựa trên mối quan hệ của điện
áp ra VEC và dòng ra IE.
• Sơ đồ C chung (Common Emitter – CE)
• Dòng điện lối vào là dòng IB
• Dòng điện lối ra là dòng IC = βIB
• Điện áp lối ra là VC
• Đặc tuyến lối vào của sơ đồ E chung
• Mô tả đáp ứng của VEC dựa trên mối quan hệ giữa điện áp lối
vào VBE và dòng điện lối vào IB.
• Đặc tuyến lối ra của sơ đồ E chung
• Mô tả đáp ứng của dòng vào IB dựa trên mối quan hệ của điện
áp ra VCE và dòng ra IC.
• Phân cực cho transistor
• Các khái niệm
• Phân cực là một kỹ thuật cấp điện áp một chiều để phân áp cho
các tiếp giáp JBE và JBC của transistor.
• Sau khi được phân cực dòng điện và điện áp của transistor sẽ có
giá trị cố định.
• Trên giản đồ đặc tuyến lối ra của transistor, kẻ hai đường vuông
góc với trục tung và trục hoành từ các giá trị dòng điện và điện
áp cố định ta sẽ xác định được một điểm giao cắt.
• Điểm giao cắt này được gọi là điểm làm việc tĩnh của transistor,
ký hiệu là điểm Q (Quiescent Operating Point).
• Khi ta thay đổi điều kiện phân cực cho transistor vị trí của điểm
Q cũng sẽ thay đổi.
• Tập hợp của các điểm Q trên giản đồ đặc tuyến là một đường
thẳng, được gọi là đường tải tĩnh của transistor.
• Phương trình đường tải tĩnh mô tả mối quan hệ giữa điện áp và
dòng điện lối ra, được xây dựng bằng cách áp dụng định luật
Kirchhoff về điện áp cho lối ra của sơ đồ transistor.
• Các phương pháp phân cực cho transistor
• Phân cực B bằng dòng cố định
• Phân cực B bằng hồi tiếp Emitter
• Phân cực B bằng hồi tiếp Collector
• Phân cực B bằng hồi tiếp cả Emitter và Collector
• Phân cực E bằng cách sử dụng hai nguồn DC
• Phân cực B bằng phương pháp phân áp
• Dòng phân cực IB được hình thành thông qua việc nối điện
trở RB giữa nguồn và cực B của transistor.
• Trên sơ đồ hình thành hai vòng kín: vòng 1 xuất phát từ
nguồn dương => RC => CE => Đất (GND), vòng 2 xuất
phát từ nguồn dương => RB => BE => GND.
• Áp dụng định luật Kirchhoff cho vòng 1 ta có:
VCE  VCC  I C RC
Do cực E nối đất nên VE = 0V => VCE = VC – VE = VC
VRB  VCC  VB  I B RB  VCC  VB
Tương tự, do VE = 0V, nên VBE = VB – VE =, từ đó ta có
VCC  VBE
IB 
RB
• Điện áp mở của transistor có giá trị bằng 0.3 hoặc 0.7V tùy
vật liệu làm transistor, trường hợp thông tin về vật liệu làm
transistor không được chỉ rõ, ta có thể giả thiết tùy ý giá trị
VBE của transistor, hoặc thậm chí có thể cho bằng 0V.
• Dòng điện lối ra của transistor được tính bằng công thức:
IC   I B
• Thay IC vào phương trình đường tải tĩnh ta sẽ xác định
được VCE từ đó tìm được điểm làm việc tĩnh Q của
transistor trên giản đồ đặc tuyến.
VCE  VCC  I C RC
• Phân cực bằng dòng cố định không ổn định, β phụ thuộc
vào nhiệt độ (β tăng khi nhiệt độ tăng), do đó khi nhiệt độ
tăng => β tăng => IC tăng => nhiệt độ tăng.
• Ví dụ: Cho sơ đồ phân cực như hình vẽ với các thông số
như sau: VCC = 12V, RC = 1kΩ, RB = 200kΩ, hệ số khuếch
đại dòng điện của transistor β = 100. Xác định điểm làm
việc tĩnh Q của transistor, biểu diễn điểm làm việc này trên
đường tải tĩnh.
• Có thêm điện trở RE nối giữa cực E và GND so với so đồ
phân cực bằng dòng cố định.
nguồn dương => RC => CE => RE => Đất (GND), vòng 2
xuất phát từ nguồn dương => RB => BE => RE => GND.
VCE  VCC  I C RC  I E RE
VRB  VCC  VBE  I E RE  I B RB  VCC  VBE  I E RE
Rút thay IE = (β+1)IB vào phương trình ta có:
I B RB  VCC  VBE  1    I B RE
• Từ đó ta có thể tính được IB
VCC  VBE
IB 
RB  1    RE
IC   I B
• Phân cực bằng hồi tiếp emitter có tính ổn định cao hơn so
với phân cực bằng dòng cố định, khi nhiệt độ tăng => β
tăng => IB giảm => IC giảm => nhiệt độ giảm.
như sau: VCC = 12V, RC = RE = 500Ω, RB = 150kΩ, hệ số
khuếch đại dòng điện của transistor β = 100. Xác định điểm
làm việc tĩnh Q của transistor, biểu diễn điểm làm việc này
trên đường tải tĩnh.
• Dòng điện phân cực được đưa về từ cực C của transistor,
gọi là hồi tiếp collector, ta có IRC = IC + IB
nguồn dương => RC => CE => Đất (GND), vòng 2 xuất
phát từ nguồn dương => RC => RB => BE => GND.
VCE  VCC  I RC RC  VCC   I C  I B  RC
VRB  VCC  VBE   I C  I B  RC  I B RB  VCC  VBE   I C  I B  RC
Thay IC = βIB vào phương trình ta có:
I B RB  VCC  VBE    I B  I B  RC
VCC  VBE
IB 
RB  1    RC
IC   I B
VCE  VCC   I C  I B  RC
• Phân cực bằng hồi tiếp collector có tính ổn định cao hơn so
với phân cực bằng dòng cố định, khi nhiệt độ tăng => β
tăng => IB giảm => IC giảm => nhiệt độ giảm.
như sau: VCC = 12V, RC = 1kΩ, RB = 100kΩ, hệ số khuếch
đại dòng điện của transistor β = 100. Xác định điểm làm
việc tĩnh Q của transistor, biểu diễn điểm làm việc này trên
đường tải tĩnh.
• Là phương pháp kết hợp giữa phân cực hồi tiếp Emitter và
phân cực hồi tiếp Collector.
• Hai vòng kín: vòng 1 xuất phát từ nguồn dương => RC =>
CE => RE => Đất (GND), vòng 2 xuất phát từ nguồn dương
=> RC => RB => BE => RE => GND.
VCE  VCC   I C  I B  RC  I E RE
I B RB  VCC  VBE   I C  I B  RC  I E RE
Thay IC = βIB và IE = (1+β)IB vào phương trình ta có:
I B RB  VCC  VBE  I B 1    RC  I B 1    RE
VCC  VBE
IB 
RB  1    RC  RE 
IC   I B
• Phân cực bằng hồi tiếp cả emitter và collector có tính ổn
định cao, khi nhiệt độ tăng => β tăng => IB giảm => IC
giảm => nhiệt độ giảm.
như sau: VCC = 12V, RC = RE = 500Ω, RB = 100kΩ, hệ số
khuếch đại dòng điện của transistor β = 100. Xác định điểm
làm việc tĩnh Q của transistor, biểu diễn điểm làm việc này
trên đường tải tĩnh.
• Sử dụng hai nguồn điện áp để phân cực, một nguồn dương và
một nguồn âm (nguồn âm hình thành khi điểm chung được ký
hiệu là 0 V).
• Hai vòng kín: vòng 1 xuất phát từ VCC => RC => CE => RE => -
VEE, vòng 2 xuất phát từ GND => RB => BE => RE => -VEE.
VCE  VCC  VEE  I C RC  I E RE
I B RB  0  VEE  VBE  I E RE
Thay IE = (1+β)IB vào phương trình ta có:
I B RB  VEE  VBE  I B 1    RE
VEE  VBE
IB 
RB  1    RE
IC   I B
• Phân cực bằng hai nguồn DC tương tự như phương pháp
phân cực bằng hai nguồn có tính ổn định khá cao, khi nhiệt
độ tăng => β tăng => IB giảm => IC giảm => nhiệt độ giảm.
như sau: VCC = 6V, -VEE = -6V, RC = RE = 500Ω, RB =
50kΩ, hệ số khuếch đại dòng điện của transistor β = 100.
Xác định điểm làm việc tĩnh Q của transistor, biểu diễn
điểm làm việc này trên đường tải tĩnh.
• Transistor được phân cực bằng cách cấp điện áp phân cực lên cực
B của transistor, phân áp được thực hiện bằng cặp điện trở R1, R2.
• Hai vòng kín: vòng 1 xuất phát từ VCC => RC => CE => RE =>
GND, vòng 2 xuất phát từ VCC => R1 => BE => RE => -VEE. Ta
có, (RE nối tiếp với BE) // với R2 nên VR2 = BBE + VRE.
I E RE  VCC  VR1  VBE  VR2  VBE
R2
Mà ta lại có VR2  VA  VCC
R1  R2 R2
VCC  VBE
R1  R2
• Từ đó ta có thể tính được IE IE 
RE
IC  I E / 
• Phân cực bằng phương pháp phân áp có tính ổn định không
cao, khi nhiệt độ tăng => β tăng => IC tăng => nhiệt độ
tăng.
như sau: VCC = 12V, RC = RE = 500Ω, RB = 3kΩ,R2 = 1kΩ
hệ số khuếch đại dòng điện của transistor β = 100. Xác định
điểm làm việc tĩnh Q của transistor, biểu diễn điểm làm
việc này trên đường tải tĩnh.
• Chế độ làm việc của bộ khuếch đại
• Bộ khuếch đại lớp A
• Sơ đồ khuếch đại làm việc ở chế độ lớp A, khi điểm làm việc
tĩnh được phân cực nằm giữa đường tải tĩnh.
• Sơ đồ có khả năng khuếch đại cả tín hiệu cực tính dương và
tín hiệu cực tính âm.
• Bộ khuếch đại lớp AB
• Sơ đồ khuếch đại làm việc ở chế độ lớp AB, khi điểm làm
việc tĩnh được phân cực nằm trên một chút so với vùng cắt.
• Sơ đồ có khả năng khuếch đại tín hiệu có cực tính dương và
một phần tín hiệu cực tính âm.
• Bộ khuếch đại lớp B
tĩnh được phân cực nằm ngay trên vùng cắt của transistor.
• Sơ đồ chỉ có khả năng khuếch đại được tín hiệu có cực tính
dương, tín hiệu cực tính âm bị cắt bỏ (không được KĐ).
• Bộ khuếch đại lớp C
tĩnh nằm sâu trong miền cắt.
• Sơ đồ chỉ khuếch đại được phần tín hiệu dương có biên độ đủ
lớn
• Tổng hợp đặc trưng và ứng dụng của các chế độ của bộ khuếch đại
Chế độ Điểm làm việc Góc pha Hiệu suất Ứng dụng
Điểm giữa đường đặc
A 360o 5 đến 20% KĐ tuyến tính âm thanh
tuyến
AB Gần điểm gốc 210o 20 đến 40% KĐ công suất âm thanh
B Tại điểm gốc 180o 40 đến 70% KĐ công suất âm thanh
C Dưới điểm gốc 120o 70 đến 90% KĐ tần số vô tuyến
• Các mắc sơ đồ khuếch đại dùng transistor
• Sơ đồ khuếch đại B chung
• Tên tiếng Anh Common Base, viết tắt là CC.
• Cực dương của tín hiệu lối vào được cấp vào chân
E của transistor (có thể cấp trực tiếp hoặc thông
qua điện trở hoặc tụ điện).
• Cực B của transistor là cực nối chung cho cả lối
vào và lối ra, thường sẽ được nối đất.
• Tín hiệu lối ra của sơ đồ KĐ được lấy trên cực E
của transitor.
• Sơ đồ khuếch đại C chung
• Tên tiếng Anh là Common Colector, viết tắt là CC.
B của transistor (có thể cấp trực tiếp hoặc thông
• Cực C của transistor là cực nối chung cho cả lối
vào và lối ra, thường sẽ được nối lên nguồn nuôi.
• Tín hiệu lối ra của sơ đồ KĐ được lấy trên cực C
của transitor.
• Sơ đồ khuếch đại E chung
• Tên tiếng Anh là Common Emitter, viết tắt là CE.
B của transistor (có thể cấp trực tiếp hoặc thông
• Cực E của transistor là cực nối chung cho cả lối
vào và lối ra, thường sẽ được nối đất.
• Tín hiệu lối ra của sơ đồ KĐ được lấy trên cực C
của transitor.
• Tổng hợp thông số của các sơ đồ KĐ dùng BJT
Cấu hình khuếch đại

Tham số
CE CC CB
AV 40 1 200
AI 200 200 1
AP 8000 200 200
Ri 2.5kΩ 100kΩ 200Ω
Ro 20kΩ 100Ω 100kΩ
Độ dịch pha 180o 0o 0o
KĐ âm thanh, Ghép tầng, phối KĐ RF.
Ứng dụng
RF hợp trở kháng VHF/UHF
• Phương pháp phân tích, tính toán sơ đồ khuếch đại BJT
• Đáp ứng tín hiệu xoay chiều trên sơ đồ khuếch đại nói chung và sơ đồ khuếch đại dùng BJT
rất phức tạp.
• Tính toán các thông số của sơ đồ khuếch đại đều dùng phương pháp xấp xỉ, tương đương.
• Để có thể thực hiện tính toán sơ đồ khuếch đại dùng BJT ta sẽ phải thực hiện các việc.
• Xây dựng sư đồ tương đương xoay chiều cho sơ đồ khuếch đại
• Mô hình hóa gần đúng BJT thành một phần tử tuyến tính
• Thay thế transistor trong sơ đồ tương đương bằng mô hình toán học của BJT để tính toán.
• Xây dựng sơ đồ tương đương xoay chiều
• Nốt tắt tụ điện
• Nối tắt nguồn nuôi
• Mô hình hóa tham số BJT
• Với sự biến thiên tín hiệu đủ nhỏ => sự thay đổi trong BJT là tuyến
tính.
• Transistor được thay thế bằng mạng mô hình bốn cực.
• Mạng bốn cực có hai cực để cấp tín hiệu lối vào, giữa hai cực có
điện trở lối vào Rin.
• Mạng bốn cực có hai lối ra, giữa hai lối ra có
suất điện động nối tiếp với nội trở lối ra của bộ
khuếch đại. Suất điện động có giá trị bằng Vin
nhân với hệ số khuếch đại của sơ đồ.
• Đối với BJT, nguồn lối ra được mô tả là nguồn
dòng có giá trị bằng tích của dòng điện lối vào
với một hằng số cố định.
• Có nhiều mô hình sử dụng để mô hình hóa tham số của BJT, phổ biến nhất là mô hình dựa trên
các tham số hỗn hợp hay còn gọi là mô hình tham số h.
• Tham số h là một bộ số gồm 4 thành phần hi, hr, hf và ho và các chữ cái e, b, c cho các chế độ
mắc của transistor. Ví dụ: hie là tham số hi của sơ đồ E chung.
• hi vi phân trở kháng lối vào =
• hr vi phân nghịch đảo của tỷ số truyền điện áp =
• hf vi phân tỷ số truyền dòng điện =
• ho vi phân điện dẫn lối ra =

• Sơ đồ tương đương tham số h
• Đối với transistor lý tưởng ta có hoe xấp xỉ bằng
0 => 1/hoe có giá trị vô cùng lớn => có thể bỏ
điện trở 1/hoe ra khỏi lối ra mô hình.
• hre cũng có giá trị rất nhỏ, nên ta có thể bỏ qua
nguồn hre tại lối vào của mô hình.
• Kết quả mô hình chỉ còn đơn giản như hình dưới
Bảng tham số h của transistor
2N2222A
• Ví dụ
• Cho sơ đồ khuếch đại E chung sử dụng Transistor 2N2222A. Biết RL = 10kΩ, Ic = 10mA, tín
hiệu lối vào có biên độ Vin = 10mV. Xác định biên độ điện áp lối ra.
• Gợi ý: Sơ đồ tương đương

• Để đơn giản hóa, trực quan hóa mô hình ta sẽ thay giá trị hfe bằng β, đồng thời biểu diễn
hie thông qua đại lượng re
• Ta có: 26 (mV)
= => = Với Ie là dòng 1 chiều trên chân E
(mA)
mà ℎ = = = 1+
=> Mô hình transistor ở chế độ CE có thể được xây dựng lại như sau
- Điện trở lối vào hie = re(1+β)
- Dòng vào: Ib
- Dòng ra: IC = βIb
re(1+β)
βIb
• Tiến hành xây dựng tương tự ta sẽ thu được mô hình tương đương của transistor ở sơ đồ B chung và
E chung tương ứng.
• Mô hình tương đương của transistor ở chế độ B chung
- Điện trở lối vào hie = re
- Dòng vào: IE
- Dòng ra: IC = IE
• Mô hình tương đương của transistor ở chế độ C chung

- Điện trở lối vào hie = re(1+β)
- Dòng vào: Ib
- Dòng ra: IC = βIb
• Phương pháp giải bài toán KĐ BJT
• Sơ đồ tương đương mạch E chung
• Xét sơ đồ E chung như hình vẽ
• Để có thể giải quyết bài toán sơ đồ khuếch
đại sử dụng BJT, trước tiên ta cần xây
dựng sơ đồ tương đương xoay chiều của bộ
khuếch đại.
• Nối tắt nguồn nuôi một chiều và tụ điện có
trong sơ đồ ta thu được sơ đồ tương đương
xoay chiều như hình dưới.
• Sơ đồ tương đương mạch E chung
• Thay thế transistor bằng mô hình tham số
của BJT ở chế độ mắc tưng ứng, ta thu
được sơ đồ tương đương của tín hiệu xoay
chiều đối với transistor.
• Các tham số xoay chiều của sơ đồ
=> Điện trở lối vào: rin = RB //βre
=> Điện trở lối ra: rout = RC //RL
=> Hệ số khuếch đại dòng
= =
=> Hệ số khuếch đại điện áp

=
⁄/
Ta có: = × out = − ⁄/ =−
• Sơ đồ tương đương mạch B chung
• Các thông số của sơ đồ
Điện trở lối vào: rin = RE //re
Điện trở lối ra: ro = Rc //RL
Hệ số khuếch đại dòng điện

=
Hệ số khuếch đại điện áp

V ir r
Av  out  c o  o
Vin ie rin rin
• Sơ đồ tương đương mạch C chung
• Các thông số của sơ đồ
Điện trở lối vào: rin = RB //β(re+RE)
Điện trở lối ra: ro = RE //RL
Hệ số khuếch đại dòng điện

=
Hệ số khuếch đại điện áp

AV = 1
• Tụ thoát
• Tụ thoát là tụ điện nối song song với trở RC
hoặc RE lên nguồn.
• Tụ thoát nhằm mục đích loại bỏ ảnh hưởng
của tín hiệu xoay chiều lên sự phân cực của
transistor.
Sơ đồ tương đương khi không có tụ

Sơ đồ tương đương khi có tụ thoát CE
thoát CE
• Ví dụ
Cho mạch điện như hình vẽ, biết: VCC = 12V, R1 = 440Ω, R2 = 560 Ω, R3 = 1k Ω, hệ số khuếch đại
của transistor β = 100
a, Xác định điểm làm việc tĩnh của transistor
b, Xây dựng công thức tính toán các tham số xoay chiều của sơ đồ khuếch đại (rin, ro, Ai, Av)
c, Tính giá trị các tham số tại phần b với các giá trị đã cho
• Giải bài toán KĐ BJT bằng cách sử dụng đặc tuyến
xoay chiều
• Được xây dựng dựa trên đặc tuyến tải một chiều
• Tín hiệu xoay chiều làm thay đổi Ib
• Dựa vào đặc tuyến ta xác định được Ic đây chính là
giá trị dòng ra
• Dựa vào đặc tuyến ta xác định được biến thiên của
UCE đây chính là biên độ tín hiệu ra
• Giải bài toán KĐ BJT bằng cách sử dụng đặc
tuyến xoay chiều
Ví dụ: Cho đường đặc tuyến như hình vẽ, biết điểm
làm việc tĩnh Q của transistor có giá trị Ib = 30µA,
nguồn nuôi mạch VCC = 18V, tải RL = 1.2kΩ. Biên độ
tín hiệu hình sin lối vào làm Ib thay đổi ±20µA. Xác
định biên độ tín hiệu lối ra
Uo p-p = 14.8-3.3 = 11.5V
• Sơ đồ khuếch đại nhiều tầng
• Định nghĩa
• Là sơ đồ khuếch đại có nhiều tầng khuếch đại được mắc nối tiếp với nhau
• Biên độ điện áp lối ra
= × ×
AV1 AV2
• Ghép tầng bộ khuếch đại

• Ghép tần trực tiếp: điện áp một chiều giữa các tầng có mỗi liên hệ và ảnh hưởng lẫn
nhau.
• Ghép tầng gián tiếp: điện áp một chiều giữa các tầng được cô lập, chỉ truyền tín
hiệu xoay chiều.
Sơ đồ ghép
tầng trực tiếp
Sơ đồ ghép tầng
dùng tụ điện
Sơ đồ ghép tầng
dùng biến áp
Hình ảnh thực tế của sơ đồ 2 tầng khuếch đại ghép nối bằng tụ điện
• Tầng khuếch đại công suất
- Tầng KĐ công suất là tầng cuối cùng của bộ KĐ có biên độ của tín hiệu lối vào khá lớn, Tầng KĐ
công suất có tác dụng khuếch đại công suất của tín hiệu với độ méo trong giới hạn cho phép và hiệu
suất cao.
Po
- Hệ số KĐ công suất K P 
Pi
Pi : Công suất tín hiệu lối vào
Po : Công suất tín hiệu lối ra
Po PCC : Công suất nguồn nuôi
- Hiệu suất của bộ KĐ  P 
Pcc
- Tầng KĐ công suất có thể làm việc ở chế độ A, B, AB hoặc C tùy thuộc vào cách chọn điểm làm
việc tĩnh cho Transistor.
- Tầng KĐ công suất đơn:
+ Là tầng KĐ chỉ sử dụng một Transistor làm việc ở chế độ A có thể mắc theo sơ đồ CE hoặc
CC.
+ KĐ được cả hai nửa chu kỳ của tín hiệu
+ Biên độ dòng tĩnh luôn lớn hơn dòng ra nên độ méo tín hiệu nhỏ nên cho hiệu suất thấp (chỉ
cỡ 25%) => Ít được sử dụng.
- Tầng KĐ đẩy kéo
+ Sử dụng hai Transistor làm việc ở chế độ A hoặc AB luân phiên nhau KĐ hai nửa chu kỳ
của tín hiệu. Việc ghép hai Transistor thành bộ KĐ đẩy kéo có tác dụng giảm méo nếu chỉ dùng
một Transistor hoạt động ở chế độ A hoặc AB.
+ Hiệu suất của tầng KĐ kéo đẩy lớn (cỡ 78.5%) nên loại tầng KĐ này hay được sử dụng
trong thực tế.
• Ứng dụng
- Phát công suất lên tải
- Truyền tín hiệu
Tiền khuếch đại (phối KĐ biên độ KĐ công suất

hợp trở kháng)
SƠ ĐỒ KHUẾCH ĐẠI DÙNG KHUẾCH ĐẠI THUẬT TOÁN (KĐTT)
• Định nghĩa
• Khuếch đại thuật toán là một sơ đồ mạch điện tử tương tự, bao gồm rất nhiều phần
tử linh kiện cơ bản như transistor, điện trở được tích hợp trong một mạch (IC –
Intergrated Circuit)
• Tên tiếng Anh: Operational Amplifier
• Ứng dụng
• Khuếch đại âm thanh
• Khuếch đại tín hiệu nhỏ từ cảm biến, đầu dò bức xạ
• Các mạch tính toán tương tự
• Các mạch so sánh tín hiệu
• Các mạch dao động tần số trung bình và nhỏ
Khuếch đại thuật toán
- Những mạch KĐTT đầu tiên được chế tạo bằng cách sử dụng transistor lưỡng cực do Bob Widlar
thiết kế năm 1963 sau đó được thay thế bởi sơ đồ 741. Hiện nay các bộ KĐTT đóng vai trò quan
trọng và được ứng dụng rộng rãi trong kỹ thuật khuếch đại, tạo tín hiệu hình sin và xung trong bộ
ổn áp và bộ lọc tích cực.
a. Định nghĩa: KĐTT là sơ đồ khuếch đại ghép nối trực tiếp có hệ số khuếch đại rất lớn, có hai lối
vào một lối ra với điện trở vào rất lớn và điện trở ra rất nhỏ.
b. Ký hiệu:
- Nguồn nuôi cho KĐTT là nguồn cộng trừ có điểm chung với
+EC là điện áp nguồn dương, -EC là điện áp nguồn âm.
- Lối vào V+ được gọi là lối vào không đảo, khi tín hiệu vào +EC
lối này thì gia số tín hiệu ra cùng pha với gia số tín hiệu vào
- Lối vào V- được gọi là lối vào đảo, khi tín hiệu vào lối này
thì gia số tín hiệu ra ngược pha với gia số tín hiệu vào.
- Vout là đầu ra của bộ KĐTT
-EC
88
Nguồn nuôi cho khuếch đại thuật toán
- Là nguồn hai cực tính: ±6V, ±12V
- Trên thực tế nguồn nuôi chỉ có giá trị dương, giá trị âm mang ý nghĩa về chiều hoặc là âm so với một
giá trị dương hơn nào đó được ký hiện là 0V
89
Hình ảnh thức tế của bộ khuếch đại dùng khuếch đại thuật toán
90
c. Các thông số của KĐTT
• Trên thực tế KĐTT có hệ số KĐ cỡ 105 lần ở vùng tần số thấp, lên vùng tần số cao hệ số KĐ giảm
dần do sự ảnh hưởng của tụ kí sinh và các tham số của transistor trong sơ đồ.
• Trở kháng lối vào của KĐTT thông thường cỡ MΩ nhưng cũng có một vài KĐTT được chế tạo với
trở kháng lối vào cực cao lên tới vài trăm MΩ thậm chí hàng TΩ.
• Giá trị Ui ≠ 0 được gọi là điện thế offset của KĐTT xuất hiện do sự trôi điện áp
91
c. Các thông số của KĐTT
dB là ký hiệu của đơn vị Deciben (Decibel)
92
d. Sơ đồ khối của KĐTT
Vi KĐ Dịch Tầng
sai điện mức ra
áp
• Tầng vào của KĐTT được thết kế theo kiểu KĐ vi sai nó có hai lối vào nên KĐTT cũng có hai lối
vào đảo và không đảo. Khối KĐ vi sai được thiết kế với mức dòng vào rất nhỏ nên trở kháng lối
vào rất lớn. Hệ số KĐ của sơ đồ vi sai khá lớn, và nó không KĐ tín hiệu đồng pha tới hai lối vào,
giảm nhiễu đầu vào.
• Tầng KĐ điện áp: KĐ tín hiệu ra từ tầng vi sai tạo nên hệ số KĐ rất lớn cho KĐTT.
• Tầng dịch mức: dịch mức 1 chiều sao cho U+ = U- = 0 thì Uo = 0.
• Tầng ra được thiết kế theo sơ đồ kéo đẩy loại nối tiếp các Transistor mắc theo sơ đồ CC nên điện
trở ra nhỏ.
93
Sơ đồ khuếch đại vi sai
- Có hai lối vào
- Biên độ tín hiệu lối ra tỷ lệ thuận với vi sai lệch biên
độ tín hiệu lối vào
- Transistor thường mắc ở sơ đồ CE được thiết kế đối
xứng
94
e. Phương pháp tính toán cho KĐTT
- Khi tính toán cho KĐTT người ta thường sử dụng các tham số của KĐTT lý tưởng để
dễ dàng cho việc lý luận và thiết kế.
- Những kết quả dẫn ra đối với KĐTT lý tưởng
+ Ko = ∞ nên U+- = Uo/Ko = 0 => U+ = U-
+ Ri = ∞ nên I+- = Uv/Ri = 0 => I+ = I- = 0
- Phương pháp tính toán
+Viết phương trình Kiếc Khốp ở nút lối vào +
+Viết phương trình Kiếc Khốp ở nút lối vào –
+Cho U+ = U- để tìm Ura và K
95
I. SƠ ĐỒ KHUẾCH ĐẠI ĐẢO PHA
- Phương trình Kirchhoff cho lối vào “–“
I- = If + I1=0 (1)
- Phương trình Kirchhoff cho lối vào “+”
Ta có: U+=0 (2) Rf
Từ phương trình (1) và (2) ta có:
U r  U  UV  U 
 0
Rf R1 -
- Vậy hệ số KĐ của mạch K=-Rf/R1 +
Uv Uo
U r UV Rf
 0 Ur   UV
R f R1 R1
96
I. SƠ ĐỒ KHUẾCH ĐẠI ĐẢO PHA
Rf
Ur   UV
R1
•Tính chất của mạch KĐ đảo
•Hệ số khuếch đại của mạch chỉ phụ thuộc vào
Rf và R1 mặc cho hệ số KĐ của KĐTT là rất
lớn.
•Hệ số KĐ của mạch mang dấu âm chứng tỏ
tín hiệu ra ngược pha với tín hiệu vào
•Điểm U- = 0 được gọi là điểm đất ảo.
•Trở kháng lối vào của mạch Rv = R1.
•Trở kháng lối ra của mạch Rr = RoKĐTT
Đường tải làm việc của sơ đồ
97
II. SƠ ĐỒ KHUẾCH ĐẠI KHÔNG ĐẢO PHA
- Đặc tuyến ra
 Rf 
U r  1  UV
 R1 
- Hệ số KĐ
Rf
K  1
R1
- Tính chất của sơ đồ
+ Hệ số KĐ chỉ phụ thuộc vào Rf và R1
+ Dấu “+” của hệ số KĐ chứng tỏ tín hiệu
vào và tín hiệu ra có cùng pha
+ Trở kháng vào RV =RiKĐTT trở kháng ra Rr
=RoKĐTT
+ Khuếch đại khá tốt tải có trở kháng cao và
ghép nối với tải có trả kháng nhỏ
Đặc tuyến ra của sơ đồ
98
III. SƠ ĐỒ LẶP ĐIỆN ÁP
Sơ đồ mạch lặp Rf =0 Sơ đồ mạch lặp R1 =∞
Sơ đồ mạch lặp R1 =∞ và Rf =0
99
III. SƠ ĐỒ LẶP ĐIỆN ÁP
- Tính chất của mạch lặp
+ Hệ số KĐ K=1
+ Tín hiệu ra giống hệ tín hiệu vào
+ Trở kháng vào RV =RiKĐTT
+ Trở kháng ra Rr =RoKĐTT
- Ứng dụng của mạch lặp điện áp dùng để ghép tầng (bộ đệm) giữa tầng đầu vào có trở
kháng cao với tải có trở kháng thấp sử dụng trở kháng lối vào rất lớn và trở kháng lối ra rất
nhỏ của KĐTT.
Sơ đồ mạch lặp R1 =∞ và Rf =0
100
• VI. Mạch tích phân
• VI. Mạch tích phân
• Giản đồ xung của mạch tích phân
VII. Mạch vi phân
VII. Mạch vi phân
• Giản đồ xung của mạch vi phân
VIII. Mạch KĐ chọn lọc tần số

• Là sự kết hợp của mạch khuếch đại đảo
và mạch tích phân
• Tần số cắt ngưỡng thấp
• Tần số cắt ngưỡng cao

VIII. Mạch KĐ chọn lọc tần số
• Ví dụ
• Cho mạch khuếch đại như hình vẽ
• Xác định hệ số khuếch đại điện áp
của sơ đồ
• Vẽ lại băng thông của sơ đồ
• IX. Mạch KĐ nhiều tầng dùng KĐTT

• Tương tự như transitor bộ KĐ dùng KĐTT có thể được ghép nối tiếp với
nhau
• Để đảm bảo độ tuyến tính, hệ số KĐ mỗi tầng thường chỉ có giá trị vài
chục lần
• Nối tầng bằng tụ điện có vai trò như một bộ lọc tín hiệu tần số thấp
TẠP ÂM TRONG THIẾT BỊ ĐIỆN TỬ HẠT NHÂN
1. Tạp âm trong máy điện tử
a. Hiện tượng tạp âm trong máy điện tử
- Tạp âm (ồn điện tử - noise): là một dao động (tín hiệu) có tính chất ngẫu nhiên
xuất hiện trong mọi thiết bị điện tử sinh ra do sự chuyển động ngẫu nhiên của
điện tử trong vật dẫn.
- Tạp âm có biên độ nhỏ và tần số không xác định, nó luôn luôn tồn tại trong
mạch điện tử kể cả khi chưa có tín hiệu vào mạch.
- Can nhiễu: là những ảnh hưởng không mong muốn đến tín hiệu trong mạch của
thiết bị điện tử gây bởi các thiết bị có khả năng phát tín hiệu bên ngoài.
- Tùy thuộc vào loại can nhiễu mà nó có biện độ tín hiệu nhỏ hay lớn, can nhiễu
có tần số xác định.
- Cần quan tâm đặc biệt tới tạp âm ở lối vào của bộ KĐ vì tạp âm này sẽ được KĐ
đồng thời cùng với tín hiệu.
- Sự ảnh hưởng của tạp âm được đánh giá bằng tỷ số tín hiệu trên tạp âm (S/N),
tín hiệu trên can nhiễu (S/F)
115
b. Các loại tạp âm
- Tạp âm do cấu tạo: được sinh ra do tác động của môi trường bên ngoài tác động
lên thiết bị điện tử.
- Tạp âm nhiệt: là loại tạp âm phổ biến và không có cách nào loại bỏ ở nhiệt độ
thường.
+ Tạp âm nhiệt sinh ra do chuyển động nhiệt (chuyển động ngẫu nhiên) của các
hạt dẫn bên trong vật dẫn. Chuyển động nhiệt của các hạt dẫn gây nên sự thăng
giáng điện áp có biên độ tuân theo phân bố Gauss.
+ Tạp âm nhiệt có dải tần số từ 0 đến ∞, phổ mật độ công suất của nó được tính
như sau: d U 2 
t
 4 KTR
df
Với K là hằng số Boltzmann, T là nhiệt độ Kelvin, R là điện trở vật
dẫn và df là khoảng tần số quan tâm.
=> Ta thấy độ thăng giáng của điện áp tỷ lệ thuận với giá trị của điện trở và
nhiệt độ của vật dẫn => giảm điện trở, nhiệt độ=> giảm tạp âm.
116
- Tạp âm gây bởi dòng vào của transistor
+ Sự thăng giáng dòng của transistor ví dụ dòng Ib hoặc Ig gây ra loại tạp
âm này.
+ Mật độ phổ của tạp âm
d  I 2it 
 2eI i với e  1.6  10 19
C
df
- Tạp âm gây bởi dòng ra của transistor
+ Sự thăng giáng dòng ra của Transistor ví dụ Ic hoặc Id gây ra loại tập âm
này
+ Mật độ phổ của tạp âm
   2eF
d I 2ot 2
Io
df
117
- Tạp âm trắng (white noise)
+ Tạp âm trắng là loại tạp âm được tổng hợp lại từ tất cả các loại tạp âm
+ Phổ của tạp âm trắng tuân theo phân bố Gauss tương tự với tạp âm
nhiệt.
Ảnh tạp âm trắng

118
- Tạp âm 1/f (pink noise)
+ Là loại tạp âm có mật độ phổ tỷ lệ nghịch với tần số.
1
S( f ) 
f
Phổ tạp âm 1/f Tạp âm 1/f và tạp âm trắng

119
- Tạp âm đỏ (red noise) và tạp âm xám (grey noise)
+ Tạp âm đỏ hay còn gọi là tạp âm Brown là loại tạp âm gây ra chuyển
động của hạt Brown. Nó có phổ tỷ lệ nghịch với bình phương tần số.
+ Tạp âm xám là loại tạp âm có phổ dạng parabol với biên độ tạp âm tăng
dần cả ở vùng tần số thấp và tần số cao.
Phổ tạp âm đỏ Phổ tạp âm xám

120
c. So sánh tạp âm của transistor lưỡng cực (BJT) và transistor trường
(FET)
- Dòng điều khiển IG của FET cỡ 10-9 A trong khi dòng cực gốc Ib của
BJT cỡ μA. Do đó tạp âm gây bởi thăng giáng đầu vào của FET nhỏ hơn
rất nhiều lần so với BJT.
- Nếu FET và BJT được làm lạnh tới nhiệt độ rất thấp thì thành phần tạp
âm nhiệt giảm mạnh và có thể bỏ qua được tác dụng của thành phần này.
- Như vậy để bộ KĐ có mức tạp âm nhỏ thì tầng vào nên dùng FET được
làm lạnh bằng nitơ lỏng thì tốt hơn là sử dụng với BJT.
121
2. Biện pháp khắc phục tạp âm
a. Với loại tạp âm do cấu tạo
- Bọc kim đối với các thiết bị điện tử có ảnh hưởng mạnh như tầng vào,
khối cao tần, thu phát… . Bọc kim để tránh ảnh hưởng gây nhiễu bởi sóng
điện từ.
- Che chắn đầu dò bằng bê tông hoặc chì có bề dày thích hợp để làm giảm
phông nhiễu từ những nguồn bức xạ không phải là nguồn cần quan tâm.
b. Với loại tạp âm của mạch điện
- Chọn những loại linh kiện có mức tạp âm nhỏ làm tầng đầu vào.
- Tuy nhiên không thể loại trừ hết tạp âm của mạch điện mà vẫn tồn tại ở
mức nhất định. Do đó cần phải áp dụng các sơ đồ KĐ có mức tạp âm nhỏ,
các mạch KĐ chọn lọc, các sơ đồ mạch lọc, tạo dạng nhằm nâng cao tỷ số
tín hiệu trên tạp âm (S/N) để dễ dàng phân tách tín hiệu với tạp âm.
122

BG ĐTHN C.2 Amplifiers

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

You might also like

BG ĐTHN C.2 Amplifiers

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

BG ĐTHN C.2 Amplifiers

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

CHƯƠNG V: SƠ ĐỒ

KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU

• Phân loại sơ đồ khuếch đại

• Muốn cho công suất khuếch đại được truyền hết

Đặc tuyến lối ra của transistor

Cấu hình khuếch đại

• hr vi phân nghịch đảo của tỷ số truyền điện áp =

• hf vi phân tỷ số truyền dòng điện =

• ho vi phân điện dẫn lối ra =

• Gợi ý: Sơ đồ tương đương

• Mô hình tương đương của transistor ở chế độ C chung

=> Hệ số khuếch đại điện áp

Điện trở lối ra: ro = Rc //RL

Hệ số khuếch đại dòng điện

Hệ số khuếch đại điện áp

Điện trở lối ra: ro = RE //RL

Hệ số khuếch đại dòng điện

Hệ số khuếch đại điện áp

Sơ đồ tương đương khi không có tụ

• Ghép tầng bộ khuếch đại

Tiền khuếch đại (phối KĐ biên độ KĐ công suất

dB là ký hiệu của đơn vị Deciben (Decibel)

Đường tải làm việc của sơ đồ

Sơ đồ mạch lặp Rf =0 Sơ đồ mạch lặp R1 =∞

VIII. Mạch KĐ chọn lọc tần số

• Tần số cắt ngưỡng cao

VIII. Mạch KĐ chọn lọc tần số

• IX. Mạch KĐ nhiều tầng dùng KĐTT

Ảnh tạp âm trắng

Phổ tạp âm 1/f Tạp âm 1/f và tạp âm trắng

Phổ tạp âm đỏ Phổ tạp âm xám

You might also like