Ocl Vi Sai Ocl Vi Sai

lOMoARcPSD|32001571
OCL vi sai - OCL vi sai
Đồ án công nghệ 1 (Trường Đại học Bách Khoa - Đại học Đà Nẵng)
Studocu is not sponsored or endorsed by any college or university

Downloaded by Quang Nh?t Hu?nh (qnizz17@gmail.com)
lOMoARcPSD|32001571
TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA ĐẠI HỌC ĐÀ NẴNG
KHOA ĐIỆN TỬ-VIỄN THÔNG
BÁO CÁO ĐỒ ÁN KỸ THUẬT MẠCH ĐIỆN TỬ

Đề tài : Mạch khuếch đại OCL VISAI
GVHH : VÕ TUẤN MINH

SINH VIÊN : LÊ ANH NHẬT (106180161)
: PHAN VĂN HIẾU (106180142)
: LÊ CHÍ ĐỨC (106180135)
LỚP : 18DT3
NHÓM : 18N40A
ĐÀ NẴNG THÁNG 8 NĂM 2021

lOMoARcPSD|32001571
Đồ án KTMĐT GVHH: Võ Tuấn Minh
LỜI MỞ ĐẦU
Ngành Điện tử - Viễn thông là một trong những ngành quan trọng trong sự phát
triển của đất nước. Sự phát triển nhanh chóng của khoa học - công nghệ làm
cho ngành Điện tử - Viễn thông ngày càng phát triển và đạt được nhiều thành
tựu mới. Nhu cầu sử dụng máy móc công nghệ ngày càng cao của con người là
điều kiện thuận lợi cho ngành Điện tử - Viễn thông phát triển không ngừng,
phát minh ra các sản phẩm mới có tính năng ứng dụng cao đa tính năng. Nhưng
một điều căn bản của các sản phẩm đó là đều bắt nguồn từ các linh kiện R, L, C
Diode, BJT,.... mà nền tảng là môn cấu kiện điện tử.
Hiện nay, nước ta có rất nhiều loại máy khuếch đại âm thanh trên thị trường, mà
tầng khuếch đại công suất được thiết kế từ các loại mạch như OCL, OTL,....
Đến với đồ án kỹ thuật mạch điện tử lần này, nhóm chúng em mang đến đây
mạch khuếch đại âm thanh sử dụng mạch khuếch đại OCL.
Qua nỗ lực nghiên cứu và tìm hiểu cùng với sự hướng dẫn tận tình của thầy Võ
Tuấn Minh đã giúp chúng em hoàn thành đồ án này.
Với khoảng thời gian có hạn cũng như độ hiểu biết kiến thức còn hạn chế nên
chúng em khó có thể tránh khỏi những sai sót, chưa thể tối ưu mạch đã làm ra.
Chung em quý thầy cô thông cảm giúp đỡ và chỉ bảo thêm cho chúng em, cho
chúng em thêm kinh nghiệm để cải thiện hơn về mặt sản phẩm lần sự hiểu biết
của chúng em. Chúng em xin chân thành thầy Võ Tuấn Minh và các thầy, cô đã
giúp đỡ chúng em trong thời gian qua.
Nhóm 18N40A Trang 1

lOMoARcPSD|32001571
MỤC LỤC
LỜI MỞ ĐẦU ...................................................................................................... 1
Chương 1 : Giới thiệu về Transistor lưỡng cực BJT ...................................... 6
1.1 Cấu tạo: ....................................................................................................... 6
1.2 Nguyên lý hoạt động & khả năng khuếch đại của BJT: ........................ 7
1.2.1 Chế độ ngưng dẫn:............................................................................... 8
1.2.2 Chế độ khuếch đại: .............................................................................. 8
1.2.3 Chế độ dẫn bão hòa ............................................................................ 9
1.3 Sơ đồ BJT: .................................................................................................. 9
1.3.1 Mạch Base chung (BC):....................................................................... 9
1.3.2 Mạch Emitter chung (EC): ...............................................................10
1.3.3 Mạch Collector chung (CC): ............................................................10
Chương 2: KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ..................................................11
2.1 Mở đầu chương: .......................................................................................11
2.2 Phân cực BJT: ..........................................................................................11
2.2.1 Phân cực cố định:...............................................................................11
2.2.2 Phân cực hồi tiếp cực Emitter: .........................................................13
2.2.3 Phân cực bằng cầu phân áp:.............................................................15
2.2.4 Phân cực hồi tiếp Collector: .............................................................18
2.2.5 Mạch visai ...........................................................................................20
2.3. Các cách mắc BJT: .................................................................................24
2.3.1. Mắc E chung: ....................................................................................24
2.3.2 Mắc C chung: .....................................................................................25
2.3.3 Mắc B chung: .....................................................................................26
2.3.4. Kết Luận: ...........................................................................................27
2.4 Kết luận chương: .....................................................................................27
Chương 3: HỒI TIẾP .......................................................................................28
3.1 Mở đầu chương: .......................................................................................28
3.2 Khái niệm cơ bản về hồi tiếp: .................................................................28
3.2.1. Lưu đồ chuẩn bộ khuếch đại có hồi tiếp: .......................................28

lOMoARcPSD|32001571
3.2.2.Phân loại hồi tiếp: ..............................................................................29

3.2.2.1. Hồi tiếp điện áp nối tiếp (khuếch đại điện áp), hình 3.1a:….29
3.2.2.2. Hồi tiếp dòng điện song song (khuếch đại dòng điện), hình
3.1b:……………………………………………………………………………29
3.2.2.3. Hồi tiếp dòng điện nối tiếp (khuếch đại truyền dẫn), hình
3.1c:……………………………………………………………………………30
3.2.2.4. Hồi tiếp điện áp song song (khuếch đại truyền trở), hình
3.1d:……………………………………………………………………………30
3.3. Ứng dụng hồi tiếp trong mạch khuếch đại: ..........................................31
3.3.1. Hồi tiếp âm dòng điện trong mạch định thiên Transitor: ............31
3.3.2. Hồi tiếp âm điện áp trong mạch định thiên Transitor:.................31
3.3.3. Hồi tiếp âm điện áp trong mạch C chung: .....................................32
3.3.4. Hồi tiếp âm DC toàn mạch trong các mạch liên lạc trực tiếp: .....32
3.3.5. Hồi tiếp âm AC toàn mạch: .............................................................32
3.4 Ưu điểm và nhược điểm của mạch hồi tiếp:..........................................32
3.4.1. Ưu điểm: ............................................................................................32
3.4.2.Nhược điểm: .......................................................................................32
3.5 Kết luận chương: .....................................................................................32
Chương 4 : KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT .....................................................33
4.1 Mở đầu chương: .......................................................................................33
4.2 Chế độ A: ..................................................................................................34
4.2.1. Đặc tuyến: ..........................................................................................34
4.2.2. Hiệu suất của A: ................................................................................35
4.2.3. Ưu điểm: ............................................................................................36
4.2.4. Nhược điểm: ......................................................................................36
4.2.5. Ứng dụng: ..........................................................................................36
4.3 Chế độ B: ..................................................................................................36
4.3.1. Hiệu suất của chế độ B: ....................................................................38
4.3.2. Chế độ đẩy kéo:.................................................................................38
4.3.3. Ưu điểm: ............................................................................................38
4.3.4. Nhược điểm: ......................................................................................38
4.4. Chế độ AB: ..............................................................................................39

lOMoARcPSD|32001571
4.4.1. Sơ đồ mạch: .......................................................................................39

4.4.2. Đặc tuyến: ..........................................................................................40
4.4.3.Ưu điểm: .............................................................................................41
4.4.4 Nhược điểm: .......................................................................................41
4.5. Mạch khuếch đại công suất ocl: ............................................................41
4.6. Mạch khuếch đại Darlington: ................................................................42
4.7. Mạch bù trở kháng Zobell: ....................................................................42
4.8. Kết luận chương: ....................................................................................42
CHƯƠNG 5: THIẾT KẾ VÀ TÍNH TOÁN ...................................................43
5.1.Tính toán phần nguồn: ............................................................................44
5.2. Tính chọn trở R1, R2:.............................................................................44
5.3. Chọn cặp Q1 Q2:.....................................................................................45
5.4. Tính chọn R3, R4: ...................................................................................46
5.5 Tính chọn cặp Q3, Q4: ............................................................................47
5.6. Tính tầng lái: ...........................................................................................49
5.7. Tính chọn D3, D4, D5, VR2: ..................................................................49
5.8. Tính toán transistor Q5 làm nguồn dòng: ............................................50
5.9. Tính chọn BJT thúc Q6:.........................................................................51
5.10. Tính chọn R15, R16, R9 và R10: .........................................................52
5.11. Tính chọn Q7, Q8: ................................................................................52
5.12. Tính chọn nguồn dòng Q9, D6, D7: ....................................................53
5.13. Tính chọn VR4: .....................................................................................54
5.14. Tính toán tụ liên lạc và tụ lọc nguồn: .................................................54
5.15. Tính toán hệ số khuếch đại và tầng hồi tiếp: .....................................55
5.15.1 Hệ số khuếch đại vòng hở của tầng vi sai: ....................................55
5.15.2 Hệ số khuếch đại tầng thúc: ...........................................................56
5.15.3 Hệ số khuếch đại tầng công suất: ...................................................57
5.15.4 Hệ số khuếch đại toàn mạch: .........................................................57
5.16. Kiểm tra độ méo phi tuyến: .................................................................57
5.17. Tính mạch lọc zobel: .............................................................................58
5.18. Kết quả:..................................................................................................61
5.18.1 Sơ đồ nguyên lý sau khi tính toán hoàn chỉnh vẽ bằng altium: ..61

lOMoARcPSD|32001571
5.18.2 Hình ảnh mạch dưới dạng 2D: .......................................................62

5.18.3 Hình ảnh mạch dưới dạng 3D: .......................................................62
5.18.4 Sơ đồ nguyên lý sau khi tính toán hoàn chỉnh vẽ bằng proteus: 64
5.18.5 Kết quả mô phỏng điện áp:.............................................................65
5.18.6 Kết quả mô phỏng dòng điện: ........................................................66
5.18.7 Kết quả mô phỏng tín hiệu SINE 1KHz - 0.775V pp: ..................67
5.18.8 Kết quả mô phỏng băng thông: ......................................................68
KẾT LUẬN .....................................................................................................85
1. Những kết quả đạt được: ..........................................................................85
2 .Những thuận lợi và khó khăn khi thực hiện đề tài: ...............................85
2.2 Thuận lợi: ..............................................................................................85
2.2 Khó khăn: ..............................................................................................85
TÀI LIỆU THAM KHẢO ................................................................................86

lOMoARcPSD|32001571
Chương 1: GIỚI THIỆU VỀ CÁC TRANSISTOR

LƯỠNG CỰC BJT
1.1 Cấu tạo:
BJT là linh kiện điện tử có ba miền bán dẫn với các loại dẫn xen kẻ nhau trong
cùng một đơn tinh thễ bán dẫn.Các miền này được phân cách bởi hai chuyển
tiếp PN .Tùy thuộc thứ tự bố trí các lớp bán dẫn mà ta có hai loại BJT là BJT
loại NPN và BJT loại PNP.
E N P N C E P N P C
B B
C
C
B B
E E
- Lớp bán dẫn thứ nhất gọi là lớp Emitter (miền Emitter), cực được lấy ra từ
miền Emitter gọi là cực Emitter (cực E).
- Lớp bán dẫn thứ hai gọi là miền Base (gốc), cực được lấy ra từ miền này là
cực Base (cực B).
- Lớp bán dẫn thứ ba gọi là miền Collector (thu), cực được lấy ra từ miền này là
cực Collector (cực C).
*Nồng độ pha tạp của các miền là hoàn toàn khác nhau:
- Miền Emitter có nồng độ pha tạp lớn nhất 1019 ÷ 1021 nguyên tử.
- Miền Base có nồng độ pha tạp thấp nhất. Nồng độ pha tạp miền Base càng
thấp càng lợi về hệ số truyền đạt.
- Miền Collector có nồng độ pha tạp trung bình 1013 ÷ 1015 nguyên tử. Do có sự
phân bố như vậy sẽ hình thành các lớp chuyển tiếp P-N gần nhau.
- Chuyển tiếp Emitter (JE) giữa miền E-B.

lOMoARcPSD|32001571
- Chuyển tiếp Collector (JC) giữa miền C-B.

1.2 Nguyên lý hoạt động & khả năng khuếch đại của BJT:
Xét BJT loại N-P-N làm ví dụ: Ta có sơ đồ mạch điện như hình vẽ:
- Nguồn E1 (có sức điện động một vài vôn) làm cho chuyển tiếp JE phân cực
thuận. Nguồn E2 (thường cỡ 5 – 20 vôn) làm cho chuyển tiếp collector JC phân
cực nghịch. E1, E2 được gọi là các nguồn điện áp phân cực. RE, RC là các điện
trở phân cực.
- Khi chưa cấp nguồn tại các tiếp giáp P-N, do có sự chênh lệch về nồng độ pha
tạp giữa các miền nên sinh ra các hiện tượng khuếch tán (sự khuếch tán của các
hạt điện tích (điện tử và lỗ trống) nên bên trong nó hình thành hai tiếp giáp JE và
JC cân bằng động. Khi có nguồn E2, chuyển tiếp JC bị phân cực nghịch thì có
dòng ICBo chạy từ N sang P (chiều của lỗ trống). Dòng ICBo nhỏ cỡ 0,01 đến
0,1µA.
- Khi có nguồn E1 thì JE được phân cực thuận nên các điện tử ở miền N dễ dàng
khuếch tán qua miền P. Đồng thời lỗ trống ở miền P khuếch tán qua miền N.
Trên đường khuếch tán chúng tái hợp lại với nhau.
- Do nồng độ lỗ trống của miền P rất ít nên chỉ có một số điện tử được tái hợp,
số còn lại di chuyển đến JC. Do JC được phân cực nghịch nên các điện tử từ
miền P dễ dàng di chuyển qua JC đến miền C tạo nên dòng IC có chiều từ N đến
P.

lOMoARcPSD|32001571
- Lượng điện tích từ dương nguồn E1 đến miền B để bù lại số lỗ trống bị tái hợp
tạo nên dòng IB.B
- Ta có quan hệ: IB + IC + ICBo = IE
IE tỷ lệ với số điện tử ở miền E phát xạ (đi vào) miền B. IB tỷ lệ với số điện tử
tái hợp trong miền B.
IC tỷ lệ với số điện tử từ miền E đến miền C.
- Gọi α = số điện tử đến được cực C/số điện tử từ miền E đi vào miền
B = IC/IE < 1.
α gọi là hệ số truyền dòng điện (0,9 đến 0,99).
Gọi β = IC/IBB >> 1 là hệ số khuyếch đại dòng điện .
Thông thường ICBo rất nhỏ nên IE = IB +IC
Mối quan hệ giữa α & β:
α
β =
α+1
- Chế độ làm việc như trên của BJT (JE phân cực thuận, JC phân cực nghịch) gọi
là chế độ khuếch đại. Ngoài ra, BJT còn làm việc ở chế độ khoá. Ở chế độ đó,
hoặc cả hai chuyển tiếp JE, JC đều phân cực nghịch, hoặc cả hai đều phân cực
thuận.
- Khi JE, JC đều phân cực nghịch (trạng thái khoá).
- Khi JE, JC đều phân cực thuận (trạng thái dẫn bão hòa,còn gọi là trạng thái
mở),BJT liên tục giao hoán giữa hai trạng thái này.
1.2.1 Chế độ ngưng dẫn:
- Tiếp giáp JC và JE phân cực ngược. Ở chế độ này BJT được dùng như một
khoá điện tử. Do tiếp giáp JC và JE phân cực ngược nên chỉ có dòng phân cực
ngược (dòng rò) rất nhỏ. Nên xem như không có dòng chảy qua các tiếp giáp. Ở
chế độ này BJT tắt.
Điều kiện để BJT tắt là JE phân cực ngược,tương ứng VBE≤ 0
1.2.2 Chế độ khuếch đại:

- Ở chế độ này JC phân cực ngược và JE phân cực thuận.

lOMoARcPSD|32001571
- Tiếp giáp JE phân cực thuận nên hàng rào thế đối với các hạt dẫn đa số giảm,
electron chuyển từ E sang B và lỗ trông dời từ B sang E. Do bề dày miền B rất
nhỏ nên phần lớn điện tử từ miền E sang đều tập trung tại tiếp giap JC tạo ra
dòng IE rất lớn. Một phần điện tử từ miền E sang miền B được tai hợp taọ thanh
dòng IB.Tiếp giáp JC được phân cực ngược nên kéo các hạt dẫn tiểu số ở vùng B
là điện tử (do B là loại p) sang vùng C tạo nên dòng IC. Như vậy dòng IE gồm
hai thành phần là dòng IB và IC.
- Do nồng độ pha tạp của miền B rất nhỏ so với miền E, nên dòng IE rất lớn so
với IB cho nên có thể xem IE ≈ IC.
- Chế độ này sử dụng rất rộng rãi trong kỹ thuật mạch tương tự. Như vậy BJT
làm việc ở chế độ khuếch đại từ tiếp giáp JE phân cực thuận còn tiếp giáp JC
phân cực ngược.
- Hệ thức liên hệ giữa các dòng điện:

IE = IC+IB
- Hệ thức truyền đạt dòng điện:
𝐼𝑐
α=
𝐼𝑒
- Hệ số khuếch đại dòng điện:

𝐼𝑐
𝐼𝑏
1.2.3 Chế độ dẫn bão hòa:
- Ở chế độ này JE và JC đều phân cực thuận.
Điều kiện BJT dẫn bảo hoà là:
𝐼𝑐
ib ≥
𝛽𝑚𝑖𝑛
1.3 Sơ đồ BJT:
- Như đã biết, BJT có 3 điện cực: Emitter, Base, Collector. Tuỳ theo việc chọn
điện cực nào làm nhánh chung cho mạch vào và mạch ra mà có 3 sơ đồ cơ bản
sau:
1.3.1 Mạch Base chung (BC):

lOMoARcPSD|32001571
- Trong mạch này, tín hiệu cần khuếch đại đưa vào giữa cực E và cực B, tín hiệu
sau khi khuếch đại lấy ra giữa cực C và B. Rõ ràng cực B là nhánh chung của
mạch vào và mạch ra.
1.3.2 Mạch Emitter chung (EC):
- Trong mạch này, cực E là cực chung giữa mạch vào và mach ra. Dòng điện
vào là IB, dòng điện ra IC, điện áp vào VBE, điện áp ra VCE.
1.3.3 Mạch Collector chung (CC):
- Trong mạch này, tín hiệu cần khuếch đại đưa vào giữa cực B và C. Tín hiệu
sau khi khuếch đại lấy ra giữa cực E và C. Nên C là nhánh chung của mạch vào
và mạch ra, do đó gọi là mạch collector chung.

lOMoARcPSD|32001571
Chương 2: KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ

2.1 Mở đầu chương:
- Để cho BJT hoạt động đúng với điểm làm việc mà chúng ta đề ra, chúng ta
phải phân cực chính xác cho BJT đó. Đối với mỗi cách mắc BJT sẽ có những ưu
nhược điểm khác nhau để ứng dụng tùy vào nhu cầu của người sử dụng. Trong
chương này, chúng ta sẽ tìm hiểu về các cách phân cực cho BJT, các cách mắc
BJT thường gặp, ưu nhược điểm và các ứng dụng của chúng trong thực tế.
2.2 Phân cực BJT:
- Ta biết BJT có thể hoạt động trong 3 vùng:
+ Vùng khuếch đại với tiếp giáp B-C phân cực nghịch, tiếp giáp B-E phân cực
thuận.
+ Vùng bão hoà với tiếp giáp B-E và B-C phân cực thuận.
+ Vùng ngưng với tiếp giáp B-E phân cực nghịch.
- Phương pháp chung để giải các mạch phân cực gồm 3 bước:
+ Bước 1: Dùng mạch điện ngõ vào để xác định dòng điện ngõ vào.
+ Bước 2: Suy ra dòng điện ngõ ra từ liên hệ 𝐼𝑐 =  𝐼𝑏.
+ Bước 3: Dùng mạch ngõ ra để tìm các thông số còn lại.
2.2.1 Phân cực cố định:
Định nghĩa:
- Là mạch gồm một BJT NPN, 2 điện trở Rb, Rc, và một nguồn một chiều Vcc.

lOMoARcPSD|32001571
Công thức:
- Giả sử BJT làm việc trong vùng tích cực:
- Áp dụng KVL cho mạch ngõ vào: Vcc - IBRB - VBE – IERE = 0
với VBE = 0,7V
- Ta có: IE = (𝛽 + 1)𝐼𝐵
𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐵𝐸
- Suy ra: 𝐼𝐵 =
𝑅𝐵 +(𝛽+1) 𝑅𝐸
- Dòng: Ic = βIB
- Lưu ý: Trong vùng tích cực, dòng Ic không phụ thuộc vào điện trở Rc.
- Áp dụng KVl cho mạch ngõ ra: VCE + ICRC – VCC = 0
=>VCE = VCC – ICRC
- Như vậy, điểm Q = (IB, IC, VCE)
- Lưu ý: Cần kiểm tra lại giả thuyết BJT làm việc trong vùng tích cực.
- Phương trình đường tải được xác định bởi mạch ngõ ra nên chỉ phụ thuộc vào
các thông số của mạch ngoài: VCE = VCC - IcRC (*).
- Phương trình (*) có đồ thị là đường thẳng với các biến VCE và IC. Đồ thị
𝑉𝐶𝐶
đường tải đi qua 2 điểm: VCE=0 => IC=
𝑅𝐶
IC = 0 => VCE= VCC .
- Nếu ta biểu diễn đường tải và đặc tuyến của BJT trên cùng mặt đồ thị thì giao
điểm giữa đường tải và đường đặc tuyến xác định bởi IBQ chính là điểm Q cần
tìm.

lOMoARcPSD|32001571
- Vị trí điểm Q trong vùng bão hòa thể hiện điện áp VCE ≤ VCE SAT, trong đó,
VCE SAT có giá trị rất nhỏ(khoảng vài trăm mV).
- Để thuận tiện trong tính toán, trong vùng bão hòa, điện áp được xem như bằng
𝑉𝐶𝐸
0(gần đúng): VCE= 0. Dẫn đến điện trở giữa 2 cực C và E bằng: RCE = =
𝐼𝐶
0
=0.
𝐼𝐶 𝑆𝐴𝑇
- Do đó, để tính gần đúng dòng Collector bão hòa, tức là dòng cllector cực đại
đối với mạch cho trước, ta xem như nối tắt cục E và C, tương ứng với VCE=0.
- Đối với mạch phân cực cố định, dòng collector bão hòa được xác định bởi:
𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐶𝐸 𝑉𝑐𝑐
ICSAT = =
𝑅𝐶 𝑅𝐶
- Dòng IC SAT là dòng điện cực đại có được đối với mạch ngõ ra cho trước.
- Như vậy, dòng collector bão hòa IC SAT không phụ thuộc vào đặc tính của BJT
mà phụ thuộc vài mạch ngoài( VCC và RC).
-Như vậy, để BJT hoạt động trong vùng bão hòa, dòng IB phải lớn hơn hoặc
𝐼𝐶 𝑆𝐴𝑇
bằng giá trị IB SAT: IB ≥ IB SAT = hoặc βIB ≥ IC SAT
𝛽
- Lưu ý: Dòng IB trong vùng bão hòa lớn hơn IB trong vùng tích cực.
>> Kết luận: Đối với mạch phân cực cố định, để BJT chuyển từ vùng tích cực
sang làm việc trong vùng bão hòa.
- Nếu giữ mạch ngõ ra không đổi, tức VCC, RC và IC SAT không đổi, ta cần phải
giảm RB nhằm tăng IB sao cho IB ≥ IB SAT.
- Nếu giữ mạch ngõ vào không đổi, tức RB và IB không đổi, ta cần phải tăng RC
nhằm giảm IC SAT sao cho βIB≥ IC SAT.
>>Ứng dụng: Dùng cho mạch khuếch đại chế độ A, role…
2.2.2 Phân cực hồi tiếp cực Emitter:

Định nghĩa:
- Mạch phân cực hồi tiếp Emittor là mạch trong đó ta thêm điện trở RE mắc vào

lOMoARcPSD|32001571
cực E của BJT trong mạch phân cực cố định.

- Điện trở RE làm nhiệm vụ hồi tiếp, đưa tín hiệu ngõ ra về ngõ vào để ổn định
điểm làm việc khi nhiệt độ thay đổi .
Công thức:
- Giả sử BJT làm việc trong vùng tích cực.
- Áp dụng KLV cho mạch ngõ vào: VCC - IBRB - VBE - IERE = 0 với VBE = 0,7V
- Ta có: IE = (β+1)IB.
𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐵𝐸
- Suy ra: IB =
𝑅𝐵 +(𝛽+1)𝑅𝐸
- Dòng: IC= βIB.
- Áp dụng KVL cho mạch ngõ ra: VCC - ICRC - VCE - IERE = 0.
- Ta có thể xấp xỉ IE ≈ IC để thuận tiện cho tính toán.
- Điện áp VCE: VCE = VCC – IC(Rc + RE).
- Phương trình đường tải được xác định bởi mạch ngõ ra nên chỉ phụ thuộc vào
các thông số của mạch ngoài: VCE = VCC – IC(RC + RE) (*).
𝑉𝐶𝐶
đường tải đi qua 2 điểm: VCE = 0 >> 𝐼𝐶 = và IC = 0 >> VCE = VCC.
𝑅𝐶 +𝑅𝐸

lOMoARcPSD|32001571
- Nếu ta biểu diễn đường tải và đặc tuyến của BJT trên cùng một đồ thị thì giao
điểm đường tải và dược đặc tuyến xác định bởi IBQ chính là điểm Q cần tìm.
- Trong vùng bão hòa: VCE = 0V

𝑉𝐶𝐶
- Dòng Collector bão hòa 𝐼𝐶 𝑆𝐴𝑇 =
𝑅𝐶 +𝑅𝐸
>> Kết luận:

- Mạch phân cực hồi tiếp Emittor đã khắc phục được nhược điểm của mạch
phân cực cố định là không ổn định khi nhiệt độ thay đổi. Khi nhiệt đội thay đổi,
các giá trị như β, ICEQ, và VBE sẽ thay đổi, dẫn đên các giá trị dòng và điện áp
của điểm Q sẽ thay đổi theo. Như vậy, điểm Q sẽ không được cố định khi nhiệt
độ thay đổi.
- Nhờ cơ chế hồi tiếp được thực hiện thông qua điện trở RE, sự thay đổi ở ngõ ra
được đưa trở lại ngõ vào. Qua đó, điều chỉnh dòng IB để ổn định dòng IC, đồng
nghĩa với ổn định điểm làm việc Q.
>> Ứng dụng: Role, mạch hồi tiếp….
2.2.3 Phân cực bằng cầu phân áp:
Định nghĩa: Mạch phân cực bằng phân áp là mạch sử dụng phân áp từ cực Base
thông qua hai điện trở R1 và R2 để ổn định điểm làm việc.

lOMoARcPSD|32001571
Công thức:
- Có hai phương pháp để phân tích mạch phân cực bằng phân áp:
+ Phương pháp chính xác: Được áp dụng với tất cả các mạch phân cực bằng
phân áp.
+ Phương pháp gần đúng: Chỉ áp dụng trong các trường hợp cụ thể.
Phương pháp gần đúng đơn giản hơn và cho phép thực hiện tính toán nhanh.
Ngoài ra phương pháp gần đúng rất hữu ích trong thiết kế mạch phân cực bằng
phân áp. Do đó, phương pháp gần đúng cũng có vai trò quan trọng ngang bằng
với phương pháp chính xác.
* Phương pháp chính xác:
- Áp dụng Thevenin cho mạch ngõ vào với 2 điểm tại cực Base và nối mass.
𝑅1 𝑅2 𝑅1
- Ta có: 𝑅𝐸𝑄 = và 𝑉𝐸𝑄 = 𝑉
𝑅1 +𝑅2 𝑅1 +𝑅2 𝑐𝑐
- Như vậy, sau biến đổi Thevenin ta thu được mạch tương tự mạch phân cực hồi
tiếp Emittor.
- Giả sử BJT làm việc trong vùng tích cực.
- Áp dụng KVL cho mạch ngõ vào: VEQ - IBREQ - VBE - IERE =0 với VBE = 0,7V
- Ta có: IE = (β+1)IB.
𝑉𝐸𝑄 −𝑉𝐵𝐸
- Suy ra: 𝐼𝐵 =
𝑅𝐸𝑄 +(𝛽+1)𝑅𝐸
- Dòng: IC = βIB

lOMoARcPSD|32001571
- Áp dụng KVL cho mạch ngõ ra: VCC - ICRC - VCE - IERE = 0
- Xấp xỉ IE ≈ IC.
- Điện áp VCE: VCE = VCC - IC(RC+ RE)
* Phương pháp gần đúng:
- Điện trở RE được nhìn thẳng từ ngõ vào với hệ số khuếch đại (β+1).
Khi đó, mạch ngõ vào có thể được biểu diễn lại như hình dưới:
- Nếu Ri= (β+1)RE ≈ βRE >> R1, thì dòng IB chạy qua R1 nhỏ hơn rất nhiều lần
so với dòng I, chạy qua R1. Do đó, ta có thể xem I1 ≈ I2, tức là 2 điện trở R1 và
R2 mắc nối tiếp.
- Ri ≈ βRE ≥ 10R1 được xem là Ri >> RE .
- Từ đó, ta có thể xác định gần đúng điện áp tại cực Base so với mass:
𝑅1
𝑉𝐵 = 𝑉
𝑅1 +𝑅2 𝑐𝑐
- Điện áp tại cực E so với mass: VE = VB – VBE = VB -0,7 .
- Dòng IC: IC ≈ IE .
- Áp dụng KVL cho mạch ngõ ra để xác định VCE: VCE = VCC- IC(RC+ RE)
- Trong các phương trình nêu trên không có mặt hệ số β và IB không được tính.
Do đó điểm Q không phụ thuộc vào β .
*Phân tích đường tải :
- Do mạch phân cực bằng phân áp sau khi biến đổi tương đương Thevenin sẽ có
dạng mạch tương tự mạch phân cực hồi tiếp Emittor. Do đó, phương trình
đường tải được xác định bởi mạch ngõ sai: VCE = VCC – IC(RC + RE) (*)

lOMoARcPSD|32001571
𝑉𝐶𝐶
đường tải đi qua 2 điểm : VCE = 0 => IC =
𝑅𝐶 +𝑅𝐸
IC= 0 => VCE = VCC .

- Nếu ta biểu diễn đường tải và đặc tuyến của BJT trên cùng một đồ thị
thì giao điểm giữa đường tải và đường đặc tuyến xác định bởi IBQ chính là điểm
Q cần tìm.
*Phân tích mạch trong chế độ bão hòa:

- Trong vùng bão hòa: VCE= 0V
𝑉𝐶𝐶
- Dòng Collector bão hòa IC SAT =
𝑅𝐶 +𝑅𝐸
>>Kết luận: Mạch phân cực bằng phân áp có ưu điểm là phụ thuộc rất ít vào hệ
số β. Chính vì vậy, mạch phân cực này được sử dungj phổ biến.
>>Ứng dụng: mạch khuếch đại công suất, mạch vi sai, các mạch công suất
lớn,BJT hoạt động ở nhiệt độ cao…
2.2.4 Phân cực hồi tiếp Collector:
Định nghĩa:
- Mạch phân cực hồi tiếp Collector là mạch sử dụng hồi tiếp từ cực Collector
thông qua điện trở RF để ổn định điểm làm việc.
- Trong điểm Q vào còn phụ thuộc vào hệ số β, nhưng độ ổn định nhiệt của
mạch phân cực hồi tiếp Collector tới hai mạch phân cực cố định và phân cực hồi
tiếp Emittor.

lOMoARcPSD|32001571
Công thức:
- Áp dụng KVL cho mạch ngõ vào: VCC – I’CRC – IBRF – VBE – IERE = 0.
- Ta có: I’C = IC + IB, do IC >> IB nên I’C ≈ IC = βIB, ngoài ra IE ≈ IC.
=> Suy ra VCC – βIBRC – IBRF - VBE – βIBRE= 0
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
=> IB = .
𝑅𝐹 + 𝛽( 𝑅𝐶 +𝑅𝐸 )
- Dòng IC = βIB
𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐵𝐸
- Lưu ý: nếu β(RC+RE) >> RF, chỉ , tức là IC ổn định đối với khoảng thay
𝑅𝐶 +𝑅𝐸
đổi lớn của β
- Áp dụng KVL cho mạch ngõ ra: VCC- ICRC- VCE- IERE = 0
=> VCE ≈ VCC- IC(RC + RE).
- Phương trình đường tải được xác định bởi mạch ngõ ra:
VCE ≈ VCC – IC(RC + RE) (*).
𝑉𝐶𝐶
đường tải đi qua 2 điểm VCE = 0 => 𝐼𝐶 = , IC =0 => VCE = VCC.
𝑅𝐶 +𝑅𝐸
- Nếu ta biểu diễn đường tải và đặc tuyến của BJT trên cùng một đồ thị thì giao
điểm giữa đường thẳng tải và đường đặc tuyến xác định bởi IBQ chính là điểm Q
cần tìm.

lOMoARcPSD|32001571
- Trong vùng bão hòa, VCE = 0(V)

𝑉𝐶𝐶
- Dòng Collector bão hòa : 𝐼𝐶 𝑆𝐴𝑇 = .
𝑅𝐶 +𝑅𝐸
>>Kết luận: Mạch phân cực hồi tiếp Collector là cách phân cực cải thiện độ ồn
định cho hoạt động của BJT.
>>Ứng dụng: Mạch hồi tiếp, role,…….
2.2.5 Mạch vi sai:
Định nghĩa:
- Là mạch khuếch đại điện tử. Thực hiện khuếch đại tín hiệu điện theo sự khác
biệt giữa hai điện áp ngõ vào, và ngăn chặn bất kỳ điện áp chung nào tồn tại ở
cả hai ngõ đó. Nó có sự kết hợp của hai phần tử gồm khuếch đại không đảo với
tín hiệu ngõ vào Vin+ và khuếch đại đảo với tín hiệu ngõ vào Vin- và cho ra tín
hiệu ngõ ra là Vout chỉ phụ thuộc vào độ chênh lệch của hai ngõ vào nói trên .
- Vout = A( Vin+ - Vin-) với A là độ khuếch đại của bộ khuếch .

lOMoARcPSD|32001571
Sơ đồ mạch:
Công thức:
- Dòng điện tại các cực bằng nhau
IC1 = IC2 = IC, IE1 = IE2 = IE, IB1 = IB2 = IB.
𝑉𝐸𝐸 −𝑉𝐵𝐸 𝛽 𝐼𝐶
IE = , IC = 𝐼𝐸 , IB =
2𝑅𝐸𝐸 𝛽+1 𝛽
VC1 = VC2 = Vcc – ICRC; VCE1 = VCE2.
- Tín hiệu ngõ vào được đừa về 0, các cực phát được nối lại với nhau.
V0D = VC1 – VC2 = 0V, VBE1 = VBE2 = VBE.
- Nếu các BJT là phù hợp: VC1 = VC2 = VC.
Sơ đồ phân tích mạch xoay chiều:
- Sơ đồ mạch xoay chiều chính là sơ đồ mạch khuếch đại vi sai ở trên.
𝑉 𝑉
- Tách 2 nguồn đầu vào: 𝑉1 = 𝑉𝑖𝑐 + 𝑖𝑑 và 𝑉2 = 𝑉𝑖𝑐 − 𝑖𝑑
2 2
- Chú thích:
+Add: hệ số khuếch đại vi sai.
+Acd: hệ số chuyển đổi từ chế độ chung sang chế độ vi sai.
+Acc: hệ số khuếch đại chế độ chung.
+Adc: hệ số chuyển đổi từ chế độ vi sai sang chế độ chung.
- Phân tích mạch sử dụng phương pháp xếp chồng các phần của chế độ vi sai và
chế độ chung .
𝑉𝐶1 + 𝑉𝐶2
Vod = VC1 – VC2, VOC =
2

lOMoARcPSD|32001571
𝑉 𝐴 𝐴𝑐𝑑 𝑉𝑖𝑑
[ 𝑂𝑑 ] = [ 𝑑𝑑 ][ ]
𝑉𝑂𝑐 𝐴𝑑𝑐 𝐴𝑐𝑐 𝑉𝑖𝑐
- Đối với mạch khuếch đại đối xứng lý tưởng, Acd = Adc = 0
𝑉 𝐴 0 𝑉𝑖𝑑
[ 𝑜𝑑 ]= [ 𝑑𝑑 ][ ]
𝑉𝑜𝑐 0 𝐴𝑐𝑐 𝑉𝑖𝑐
- Tín hiệu ngõ vào thuần vi sai thì sẽ cho tín hiệu ngõ ra thuần vi sai và ngược
lại.
-Hệ số khuếch đại vi sai và trở kháng vào, ra:
- Cực Emitttor trong mạch khuếch đại vi sai được xem như là nối đất cho tín
𝑉𝑖𝑑 −𝑉𝑖𝑑
hiệu ngõ vào chế độ vi sai. V3 = , V4 = .
2 2
𝑉𝑖𝑑 𝑉𝑖𝑑
- Hiệu điện thế của tín hiệu ngõ ra: VC1 = -gmRC , VC2 = gmRC
2 2
=> Vod = -gmRCVid .
- Hệ số khuếch đại vi sai cho tín hiệu ra cân bằng: Vod = VC1 – VC2.
𝑉𝑜𝑑
Add = =-gmRC
𝑉𝑖𝑑
- Nếu cả VC1 và VC2 được dùng riêng sẽ như là một ngõ ra, ngõ ra này được gọi
là ngõ ra đơn.
𝑉𝐶1 −𝑔𝑚𝑅𝐶 𝐴𝑑𝑑
Add1 = | = = .
𝑉𝑖𝑑 2 2
- Trở kháng vào ở chế độ vi sai là trở kháng ở tín hiệu nhỏ được chỉ định cho
điện áp ngõ vào ở chế độ vi sai giữa nền của hai BJT.
𝑉𝑖𝑑
𝑉𝑖𝑑 𝑉𝑖𝑑
ib1= 2
, ib1 = ib2 = => Zid = = 2rπ
𝑟𝜋 2𝑟𝜋 𝑖𝑏1
- Nếu Vid = 0, Zod = 2(RC // r0) ≈ 2Rc.
- Đối với tín hiệu ngõ ra đơn: Zod ≈ Rc.

lOMoARcPSD|32001571
Hệ số khuếch đại đồng pha và trở kháng vào, ra:
- Cả hai nhanh mạch khuếch đại vi sai là đối xứngvới nhau. Vì vậy dòng điện tại
các cực và điện áp cực thu là giống nhau.
−𝛽𝑅𝐶
- Hiệu điện thế ngõ ra: VC1 = VC2 = -βibRC = Vic .
𝑟𝜋+2(𝛽+1)𝑅𝐸𝐸
2(𝛽+1)𝑅𝐸𝐸
VE = 2(β+1)ibREE= Vic ≈ Vic .
𝑟𝜋+2(𝛽+1)𝑅𝐸𝐸
- Đối với nguồn cung cấp đối xứng, hệ số khuếch đại kiểu chung là 0,5. Vì vậy
1 1
điện áp ngõ ra kiểu chung và ACC=0 nếu REE không xác định. ACC ≈ ( − ),
𝛽𝑟0 2𝑅𝐸𝐸
Vod = VC1 – VC2 =0, vì vậy hệ số khuếch đại chuyển đổi chế độ chung bằng 0 .
- Cả hai phân đoạn mắc song song với nhau:
𝑉 𝑟𝜋+2(𝛽+1)𝑅𝐸𝐸 𝑟𝜋
Ric = 𝑖𝑐 = = + (β+1)𝑅𝐸𝐸
2𝑖𝑏 2 2
𝑅𝐶 //𝑟𝑜 𝑅𝐶
Roc = ≈ .
2 2
Hệ số nén tín hiệu đồng pha ( CMRR):
- Hệ số nén tín hiệu đồng pha (CMRR) mô tả khả năng khuếch đại một tín hiệu vi
sai ngõ vào mong muốn của một mạch khuếch đại và bỏ qua các tín hiệu ngõ vào
mong muốn của một mạch khuếch đại và bỏ qua tín hiệu ngõ vào kiểu chung
không mong muốn.
- Với tín hiệu vi sai ngõ ra, hệ số khuếch đại kiểu chung của mạch khuếch đại cân
bằng là bằng 0, CMRR là không xác định .
𝐴 𝐴 /2 𝑔𝑚𝑅 /2
- Đối với tín hiệu ngõ ra đơn: CMRR = | 𝑑𝑚| = [ 𝑑𝑑 ]= 𝑔𝑚𝑅𝐶𝐶
𝐴𝑐𝑚 𝐴𝑐𝑐
1+2 𝑔𝑚𝑅𝐸
1
= + 𝑔𝑚𝑅𝐸 ≈ gm𝑅𝐸
2

lOMoARcPSD|32001571
- Đối với tín hiệu ngõ ra cân bằng, Vod = VC1 – VC2:
𝐴 𝑔𝑚𝑅
CMRR = | 𝑑𝑑| ≈ 𝑔𝑚𝑅𝐶𝐶 = 1+ 2gmRE ≈ 2gmRE
𝐴𝑐𝑐
1+2 𝑔𝑚𝑅𝐸
>> Kết luận:
- Để đạt CMRR cao, RE lớn và gm, tuy nhiên RE lớn sẽ làm giảm gm.
- Được sử dụng để so sánh 2 tín hiệu vào .
2.3. Các cách mắc BJT:

2.3.1. Mắc E chung:
Sơ đồ tương đương xoay chiều:
𝑅𝑖𝑛
- Hệ số khuếch đại điện áp: 𝐴𝑣 = −𝑔𝑚 . 𝑅𝐿 . với Rin = R1 // R2 // 𝑟𝜋
𝑅𝐼 +𝑅𝑖𝑛
- Hệ số khuếch đại dòng: 𝐴𝑖 = 𝐴𝑣 .
𝑅3
- Hệ số khuếch đại công suất: Ap = Av . Ai

- 𝑅𝑜𝑢𝑡 = 𝑟0 //Rc

lOMoARcPSD|32001571
𝑅𝐼 + 𝑅𝑖𝑛
- Điều kiện của 𝑣𝑖 để mạch hoạt động tuyến tính: 𝑣𝑖 ≤ 0,005 .
𝑅𝑖𝑛
- Tín hiệu vào và ra ngược pha nhau.

- Ưu điểm: Khuếch đại đồng thời cả áp và dòng.
- Nhược điểm: Hệ số khuếch đại ở mức trung bình.
Ứng dụng: Sử dụng ở các tầng đầu vào và tầng thúc của mạch khuếch đại công
suất.
2.3.2 Mắc C chung:
𝑔𝑚 .𝑅𝐿 .𝑅𝑖𝑛
- Hệ số khuếch đại điện áp: 𝐴𝑣 = (1+ 𝑔𝑚 .𝑅𝐿 ) .(𝑅𝐼 +𝑅𝑖𝑛)

lOMoARcPSD|32001571
- Rin = 𝑟𝜋 . (1 + 𝑔𝑚. 𝑅𝐿 ) // Rb
𝑅7

1 𝑅𝐼 //Rb
- 𝑅𝑜𝑢𝑡 = ( + ) // RE
𝑔𝑚 𝛽+1
- Điều kiện 𝑣𝑖 để mạch hoạt động tuyến tính 𝑣𝑖 ≤ 0,005 . . (1 + 𝑔𝑚 𝑅𝐿 )
𝑅𝑖𝑛
- Tín hiệu vào và ra đồng pha.

- Ưu điểm: Hệ số khuếch đại dòng cao, xử lí tín hiệu vào lớn.
- Nhược điểm: Hệ số khuếch đại áp xấp xỉ bằng 1.
- Ứng dụng: Sử dụng trong các tầng yêu cầu dòng ra cao, tầng công suất.
2.3.3 Mắc B chung:

lOMoARcPSD|32001571
𝑔𝑚 .𝑅𝐿 .𝑅𝑖𝑛
- Hệ số khuếch đại điện áp: 𝐴𝑣 =
(𝑅𝐼 +𝑅𝑖𝑛)
1
- Rin = // R6
𝑔𝑚
𝑅7

- 𝑅𝑜𝑢𝑡 = 𝑅𝑖𝑐 // R3
- 𝑅𝑖𝑐 = 𝑟0 . (1 + 𝑔𝑚 . (𝑅𝐼 //R6))
- Điều kiện 𝑣𝑖 để mạch hoạt động tuyến tính: 𝑣𝑖 ≤ 0,005 .
𝑅𝑖𝑛
- Tín hiệu vào và ra đồng pha.

- Ưu điểm: Hệ số khuếch đại áp lớn, trở kháng vào mạch lớn.
- Nhược điểm: Không khuếch đại dòng.
- Ứng dụng: Sử dụng trong các mạch yêu cầu áp ra cao.
2.3.4. Kết Luận:
- Như vậy, đối với các cách mắc BJT, cách mắc EC đem lại khả năng khuếch
đại cả áp và dòng nhưng hệ số khuếch đại chỉ ở mức trung bình. Cách mắc CC
mang lại hệ số khuếch đại dòng lớn nhưng lại không khuếch đại áp. Cách mắc
BC thì ngược lại với cách mắc CC.
2.4 Kết luận chương:
- Trong chương vừa rồi, chúng ta đã tìm hiểu được về các cách phân cực và các
cách mắc thông dụng của BJT cùng với ưu nhược điểm và ứng dụng của chúng
trong thực tế. Nhưng để cải thiện độ ổn định của mạch thì như thế là chưa đủ.
Vì vậy, chương sau sẽ làm rõ một trong những thành phần giúp cải thiện độ ổn
định cũng như nâng cao hệ số khuếch đại của mạch, đó chính là Hồi Tiếp.

lOMoARcPSD|32001571
Chương 3: HỒI TIẾP

Mạch hồi tiếp được sử dụng trong tất cả các hệ thống khuếch đại. Harold
Black, một kỹ sư điện tử làm việc tại công ty điện phía tây đã phát minh ra
mạch khuếch đại có hồi tiếp vào năm 1928 trong khi đi tìm cách để ổn định độ
lợi của mạch khuếch đại sử dụng trong mạch lặp điện thọai. Trong hệ thống hồi
tiếp, tín hiệu hồi tiếp được lấy từ ngỏ ra và tỉ lệ với tín hiệu ngỏ ra được đưa
ngược trở về ngỏ vào và kết hợp với tín hiệu ngỏ vào để tạo ra đáp ứng hệ thống
mong muốn. Một mạch hồi tiếp được sử dụng có tính toán để đạt được độ ổn
định mong muốn. Tuy nhiên, hồi tiếp có thể xảy ra không định trước và lúc đó
đáp ứng hệ thống không mong muốn có thể bị tạo ra.
 Hồi tiếp có hai lọai: hồi tiếp dương và hồi tiếp âm.
- Hồi tiếp âm là mạch có tín hiệu hồi tiếp ngược pha với tín hiệu ngỏ vào và
vậy làm giảm tín hiệu ngỏ vào của mạch. Hồi tiếp âm có khuynh hướng duy trì
độ ổn định của hệ số khuếch đại của mạch chống lại sự thay đổi của các thông
số transistor do nhiệt độ, điện áp nguồn cung cấp.
- Hồi tiếp dương là mạch có tín hiệu hồi tiếp cùng pha với tín hiệu ngỏ vào
và vậy làm tăng tín hiệu ngỏ vào của mạch. Hồi tiếp dương được sử dụng thiết
kế trong các mạch dao động và trong một số ứng dụng khác.
3.2 Khái niệm cơ bản về hồi tiếp:
3.2.1. Lưu đồ chuẩn bộ khuếch đại có hồi tiếp:
- Khi không có hồi tiếp thì 𝐾𝑡𝑝 = 𝐾 . 𝐾𝑛

- Khi có hồi tiếp thì 𝐾 ′ 𝑡𝑝 = 𝐾𝑛 . 𝐾′
𝑋𝑟 𝐾
- Hệ số khuếch đại khi có hồi tiếp 𝐾 ′ = =
𝑋𝑣 1+𝐾 .𝐾ℎ𝑡
𝐾𝑛 .𝐾
- Hệ số khuếch đại toàn phần: 𝐾𝑡𝑝 = 𝐾𝑛 . 𝐾 ′ =
𝑔
|𝑔| < 1 𝑡ℎì |𝐾 ′ | > |𝐾|: 𝐻ồ𝑖 𝑡𝑖ế𝑝 𝑑ươ𝑛𝑔

|𝑔| > 1 𝑡ℎì |𝐾 ′ | < |𝐾|: 𝐻ồ𝑖 𝑡𝑖ế𝑝 â𝑚

lOMoARcPSD|32001571
3.2.2.Phân loại hồi tiếp:

Có nhiều lọai mạch hồi tiếp nhưng về cơ bản có thể phân ra làm bốn lọai hồi
tiếp dựa vào các đặc điểm sau:
- Tín hiệu hồi tiếp (điện áp hay dòng điện)
- Cách mắc tín hiệu với ngỏ vào (nối tiếp hay song song)
* Vậy có 4 dạng mạch hồi tiếp cơ bản kết nối như hình 3.1
3.2.2.1. Hồi tiếp điện áp nối tiếp (khuếch đại điện áp), hình 3.1a:
Ổn định tín hiệu điện áp ngỏ ra theo điện áp ngỏ vào, ổn định hàm truyền là hệ
số khuếch đại điện áp.
- Hệ số khuếch đại vòng hở:
Vo
Av 
V
- Hệ số hồi tiếp :
V fb
v 
VO
- Hệ số khuếch đại vòng kín:

Vo
AvF 
Vi
3.2.2.2. Hồi tiếp dòng điện song song (khuếch đại dòng điện), hình 3.1b:
Ổn định tín hiệu dòng điện ngỏ ra theo dòng điện ngỏ vào, ổn định hàm truyền
là hệ số khuếch đại dòng điện.
Io
Ai 
I
I fb
i 
IO

Io
AiF 
Ii

lOMoARcPSD|32001571
3.2.2.3. Hồi tiếp dòng điện nối tiếp (khuếch đại truyền dẫn), hình 3.1c:
Ổn định tín hiệu dòng điện ngỏ ra theo điện áp ngỏ vào, ổn định hàm truyền là
hệ số khuếch đại truyền dẫn.
Io
Ag 
V
V fb
z 
IO

Io
AgF 
Vi
3.2.2.4. Hồi tiếp điện áp song song (khuếch đại truyền trở), hình 3.1d:
Ổn định tín hiệu điện áp ngỏ ra theo dòng điện ngỏ vào, ổn định hàm truyền là
hệ số khuếch đại truyền trở.
Vo
Az 
I
I fb
g 
VO

Vo
AzF 
Ii

lOMoARcPSD|32001571
Hình 3.1: sơ đồi khối của các mạch khuếch đại có hồi tiếp a. Hồi tiếp
điện áp nối tiếp; b. Hồi tiếp điện áp song song; c. Hồi tiếp dòng điện nối
tiếp; d. Hồi tiếp dòng điện song song.
3.3. Ứng dụng hồi tiếp trong mạch khuếch đại:

3.3.1. Hồi tiếp âm dòng điện trong mạch định thiên Transitor:
- Điện trở Re thực chất là điện trở lấy tín hiệu dòng. Dòng qua Rc và Rt sẽ thể
hiện qua Re, tạo nên sụt áp trên Re. Đây là mạch hồi tiếp dòng, có tín hiệu áp
hồi tiếp tỉ lệ dòng ngõ ra. Điện áp này thàm thay đổi Vbe của BJT nên xem như
hồi tiếp nối tiếp.
3.3.2. Hồi tiếp âm điện áp trong mạch định thiên Transitor:

lOMoARcPSD|32001571
- Điện trở Rb lấy từ cực C làm hình thành 1 vòng hồi tiếp điện áp.
- Điện áp là 1 phần của điện áp tải, đưa vào cực B của BJT, làm rẽ mạch dòng
cực B, vì vậy đây là hồi tiếp áp song song.
3.3.3. Hồi tiếp âm điện áp trong mạch C chung:
- Hồi tiếp toàn bộ điện áp ra trên tải đưa về cực E làm thay đổi Vbe → Hồi tiếp
điện áp nối tiếp.
3.3.4. Hồi tiếp âm DC toàn mạch trong các mạch liên lạc trực tiếp:
- Nhằm mục đích ổn định tín hiệu DC của mạch, đảm bảo điểm làm việc tĩnh.
3.3.5. Hồi tiếp âm AC toàn mạch:
- Ổn định độ lợi trong 1 miền nhất định, giảm nhiễu và tăng độ ổn định.
3.4 Ưu điểm và nhược điểm của mạch hồi tiếp:
3.4.1. Ưu điểm:
3.4.1.1.Hồi tiếp âm:
- Ổn định hàm truyền. Sự thay đổi giá trị hàm truyền chủ yếu do sự thay đổi
trong các thông số của transistor sẽ giảm khi có hồi tiếp âm đây chính là ưu
điểm chính của hồi tiếp âm.
- Mở rộng băng thông.
- Giảm nhiễu. Hồi tiếp âm làm tăng tỉ số nén tín hiệu trên nhiễu.
- Giảm méo. Khi transistor làm việc không tuyến tính, méo sẽ xuất hiện trong
tín hiệu ngỏ ra, đặc biệt tại những mạch có biên độ tín hiệu ngỏ ra lớn. Hồi tiếp
âm sẽ làm transistor họat động tuyến tính hơn.
- Cải thiện tổng trở vào và ra.
3.4.1.2.Hồi tiếp dương:
- Làm tăng hệ suất khuếch đại.
3.4.2.Nhược điểm:
3.4.2.1.Hồi tiếp âm:
- Giảm độ lợi.
- Có thể mạch không ổn định tại tần số cao do sinh ra dao động.
3.4.2.2.Hồi tiếp dương:
- Mất tính ổn định của mạch
3.5 Kết luận chương:
Như vậy, Hồi tiếp là một phương pháp lấy tín hiệu ngõ ra của một
hệ thống nào đó, và đưa ngược trở lại đầu vào của chính nó, để góp phần thay
đổi, không chế hoặc điều khiển đầu vào.

lOMoARcPSD|32001571
Chương 4 : KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT

- Mạch khuếch đại công suất có nhiệm vụ tạo ra một công suất đủ lớn để kích
thích tải. Công suất ra có thể từ vài trăm mW đến vài trăm W. Như vậy mạch
công suất làm việc với biên độ tín hiệu lớn ở ngõ vào: do đó ta không thể dùng
mạch tương đương tín hiệu nhỏ để khảo sát như trong các chương trước mà
thường dùng phương pháp đồ thị. Tùy theo chế độ làm việc của transistor,
người ta thường phân mạch khuếch đại công suất ra thành các loại chính như
sau:
- Khuếch đại công suất loại A: Tín hiệu được khuếch đại gần như tuyến tính,
nghĩa là tín hiệu ngõ ra thay đổi tuyến tính trong toàn bộ chu kỳ 360o của tín
hiệu ngõ vào (Transistor hoạt động cả hai bán kỳ của tín hiệu ngõ vào).
- Khuếch đại công suất loại AB: Transistor được phân cực ở gần vùng ngưng.
Tín hiệu ngõ ra thay đổi hơn một nữa chu kỳ của tín hiệu vào (Transistor hoạt
động hơn một nữa chu kỳ - dương hoặc âm - của tín hiệu ngõ vào).
- Khuếch đại công suất loại B: Transistor được phân cực tại VBE=0 (vùng
ngưng). Chỉ một nữa chu kỳ âm hoặc dương - của tín hiệu ngõ vào được khuếch
đại.

lOMoARcPSD|32001571
4.2 Chế độ A:
4.2.1. Đặc tuyến:

lOMoARcPSD|32001571
- Dòng điện và điện áp đầu vào tồn tại 360* trong 1 chu kỳ của tín hiệu vào.
- Phân tích trên đặc tuyến ngõ vào IB/VCE của transistor, mạch khuếch đại chế
độ A có điểm làm việc tĩnh Q ở khoảng giữa của đặc tuyến và có VBE = 0,65 (V)
đến 0,7 (V) và VBE=0,2 đến 0,25 (V) (loại Gr). Khi transistor nhận được tín hiệu
xoay chiều ở cực B thì dòng IB sẽ thay đổi theo tín hiệu xoay chiều.
- Phân tích đặc tuyến ngõ ra IC/VCE của transistor , mạch khuếch đại chế độ A
có điểm hoạt động tĩnh Q ở giữa đường tải và VCE=VCC . Khi dòng điện IB bị
thay đổi theo tín hiệu xoay chiều sẽ làm cho dòng điện IC bị thay đổi và kéo theo
điện áp VCE cũng thay đổi.
- Các đặc điểm của chế độ A:
+ Khuếch đại trung thực tín hiệu xoay chiều (khuếch đại cả hai bán kì tín hiệu
xoay chiều hình sin).
+ Dùng cho mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ.
4.2.2. Hiệu suất của A:
Hiệu suất:
𝑃𝑎𝑐
n=
𝑃𝑎𝑣
1 𝑇 (𝑉𝐷𝐷 .𝑆𝑖𝑛𝜔𝑡)2
Pac = ∫0 dt
𝑇 RL
1 𝑉𝐷𝐷 2 𝑇 1−cos 2𝜔𝑡

= ∫0 𝑑𝑡
𝑇 𝑅𝐿 2
𝑉𝐷𝐷 2
=
2 𝑅𝐿
1 T VDD .sin ωt
Pav = ∫0 [I𝑠𝑠 . Vss + Iss . VDD + . VDD ]𝑑𝑡
𝑇 R2

lOMoARcPSD|32001571
VDD 2
= Iss .2VDD = 2
RL
1
=> n= =25%
4
4.2.3. Ưu điểm:
- Tín hiệu ra không bị biến dạng.
4.2.4. Nhược điểm:
- Hiệu suất thấp ≈ 25%
- Tiêu hao nhiệt lớn.
4.2.5. Ứng dụng:
- Sử dụng ở các tầng không yêu cầu hiệu suất cao nhưng phải đảm bảo tín
hiệu như tầng đầu vào và tầng thúc của mạch khuếch đại.
4.3 Chế độ B:

lOMoARcPSD|32001571
- Điểm làm việc nằm ở ranh giới giữa vùng ngưng dẫn và vùng dẫn.
- Dòng điện và điện áp ra tồn tại trong 1 nửa chu kỳ của tín hiệu vào.
- Phân tích trên đặc tuyến ngõ vào VBE / IB thì mạch khuếch đại chế độ B có
điểm hoạt động tĩnh Q nằm ở điểm VBE =0 nên IB =0 và IC =0. Khi transistor
nhận được tín hiệu xoay chiều ở cực B thì chỉ có một nửa chu ký được khuếch
đại ,Vi làm phân cực thuận mối nối VBE và IB tăng lên, còn một bán kỳ làm giảm
phân cực mối nối BE xuống vùng ngưng dẫn nên không được khuếch đại.
- Phân tích đặc tuyến tren ngõ ra IC/VCE thì mạch khuếch đại chế độ B có điểm
hoạt động tĩnh Q nằm trên đường biên giữa vùng khuếch đại và vùng ngưng dẫn
VCE =VCC .Khi dòng điện IB tăng theo tín hiệu xoay chiều thì dong IC cũng tăng
lên và làm cho điện áp VCE giảm xuống . Ở ngõ ra cũng chỉ có một bán kỳ được
khuếch đại.
- Các đặc điểm của khuếch đại chế độ B:
+ Khi không có tín hiệu thì transistor không dẫn.

lOMoARcPSD|32001571
+ Mỗi transistor chỉ dẫn 1 bán kỳ nên muốn có đủ chu kỳ thì phải dùng 2
transistor để khuếch đại luân phiên.
+ Dùng cho các mạch khuếch đại có biên độ lớn.
+ Hiệu suất cao do công suất tiêu hao điện nhỏ.
+ Tín hiệu ra bị méo xuyên tâm.
4.3.1. Hiệu suất của chế độ B:
Pac
n=
Pav
T
1 VDD VDD 2
Pav = ∫0 VDD
2 sin ωtdt =
T RL πRL
2V𝐷𝐷 2
Push – Pull -> 2 Pav =
𝜋RL
𝜋
=> n = = 78.5%
4
4.3.2. Chế độ đẩy kéo:
4.3.3. Ưu điểm:
- Hiệu suất lớn ≈78%
4.3.4. Nhược điểm:

lOMoARcPSD|32001571
- Chỉ khuếch đại nửa chủ kỳ, mắc push-pull bị méo xuyên tâm.
4.4. Chế độ AB:
- Ta có thể sửa lại vấn đề méo trong mạch loại B nhưng vẫn cải thiện hiệu suất
bằng cách kết hợp 2 loại A và B.
4.4.1. Sơ đồ mạch:

lOMoARcPSD|32001571
4.4.2. Đặc tuyến:
- Trên đặc tuyến ngõ vào điểm làm việc tĩnh Q ở giữa hạng A và B (chế độ A và
B).Khi transistor nhận được tín hiệu xoay chiều ở cực B thì bán kỳ âm được rơi
vào vùng dưới VY transistor không dẫn và không có tín hiệu ra.
- Trên đặc tuyến ngõ ra điểm làm việc tĩnh Q nằm trong vùng gần ngưng dẫn
nên VCE ≈ VCC . Ở điểm làm việc tĩnh chỉ có bán kỳ dương của tín hiệu được
khuếch đại vì làm dòng IC tăng lên. Tín hiệu ra bị đảo pha so với tín hiệu ngõ
vào nên chỉ có bán kỳ âm của tín hiệu ở ngõ ra.
- Đặc điểm của mạch khuếch đại chế độ AB.
+ Khi không có tín hiệu thì các dòng IB,IC có giá trị rất nhỏ so với chế độ A
+ Mỗi transistor chỉ khuếch đại một bán kỳ
+ Hiệu suất cao do công suất tiêu thụ điện nhỏ
+ Tín hiệu ra không bị méo xuyên tâm.
*Khác với chế độ B, 2 cực B của BJT không nối trực tiếp với nhau mà được đặt
điện áp 1 chiều Vcc.

lOMoARcPSD|32001571
4.4.3.Ưu điểm:
- Hiệu suất cao, bảo toàn tín hiệu.
4.4.4 Nhược điểm:
- Các tầng khuếch đại công suất được thiết kế làm việc ở chế độ AB, điểm làm
việc của chế độ AB nằm giữa chế độ A và chế độ B.
4.5. Mạch khuếch đại công suất ocl:
- Mạch khắc phục nhược điểm của OTL, không gây méo ở tần số thấp do không
có tụ C. Nhược điểm là gây quá tải dòng nên mạch OCL thường có mạch bảo
vệ.
- Ở nửa chu kì dương của Vi, Vb3 tăng -> Q3 dẫn -> Vc3 giảm
-> Q1 tắt, Q2 dẫn. Do đó IC2 chạy theo hướng Mass -> RE2 -> Q2-> -VCC.
- Ở nửa chu kì âm của Vi, Vb3 giảm -> Q3 tắt -> Vc3 tăng -> Q1 dẫn, Q2 tắt.
Do đó IC1 chạy theo hướng VCC -> Q1 -> RE1-> Mass.

lOMoARcPSD|32001571
4.6. Mạch khuếch đại Darlington:
-IE1 = IB2
-Ở chế độ tĩnh: IE1 = (1+ β1).IB1
IE2 = (1+ β2).IB2 = (1+ β2).IE1 = (1+ β2).(1+ β1).IB1
IE2 = = β1.β2.IB1 = β.IB1
Vậy hệ số khuếch đại dòng của mạch: β = β1.β2.
4.7. Mạch bù trở kháng Zobell:
- Mạch Zobel là mạch bù trở kháng loa ở tần số cao do loa có tính cảm L nên
trở kháng loa tăng theo tần số, làm tín hiệu ra không ổn định. Khi tần số tăng thì
1
ZL tăng, khi đó Zc = sẽ giảm, do đó Ztđ = ZL // ZC sẽ không đổi .
𝑗𝜔𝐶
- Trở kháng loa được xác định :

1
1 (𝑅+ ).(𝑅𝐿+𝑗𝜔𝐿)
𝑗𝜔𝐶
Ztđ = (R + ) // (𝑅𝐿 + 𝑗𝜔𝐿) = 1
𝑗𝜔𝐶 𝑅 + +𝑅𝐿+𝑗𝜔𝐿
𝑗𝜔𝐶
Để Ztd không phụ thuộc vào tần số thì Ztd = RL

1
(𝑅+ ).(𝑅𝐿+𝑗𝜔𝐿)
𝑗𝜔𝐶
RL = 1
𝑅 + +𝑅𝐿+𝑗𝜔𝐿
𝑗𝜔𝐶
𝑅𝐿 𝑅𝐿 𝐿
𝑗𝑤𝐿. 𝑅𝐿 + 𝑅𝐿2 + + 𝑅. 𝑅𝐿 = 𝑅. 𝑅𝐿 + 𝑅𝑗𝑤𝐿 + +
𝑗𝜔𝐶 𝑗𝜔𝐶 𝐶
𝐿
𝑅𝐿2 + 𝑅𝑅𝐿 = + 𝑅. 𝑅𝐿 𝐿
𝐶 𝐶= 2
=> { 𝑅𝐿 𝑅𝐿 => { 𝑅𝐿
𝑗𝑤𝐿. 𝑅𝐿 + = 𝑅. 𝑗𝑤𝐿 + 𝑅 = 𝑅𝐿
𝑗𝜔𝐶 𝑗𝜔𝐶
4.8. Kết luận chương:

- Qua chương này, ta đã hiểu được cơ sở lí thuyết của các mạch khuếch đại, các
chế độ liên quan đến mạch OCLvi sai.

lOMoARcPSD|32001571
CHƯƠNG 5: THIẾT KẾ VÀ TÍNH TOÁN
Yêu cầu :
 Công suất 50 W
 Kiểu ngõ vào vi sai
 Kiểu mạch OCL
 Trở kháng vào 200 KΩ
 Tải loa 4 Ω
 Méo phi tuyến 0.4 %

lOMoARcPSD|32001571
5.1.Tính toán phần nguồn:

- Công suất trên tải :
VL IL
Ta có : VLhd  , I Lhd 
2 2
2
2
𝑉𝐿ℎ𝑑 𝑉𝐿2
𝑃𝐿 = 𝑅𝐿 ⋅ 𝐼𝐿ℎ𝑑 = =
𝑅𝐿 2𝑅𝐿
=> 𝑉𝐿 = √2𝑃𝐿 𝑅𝐿 = √2.50.4 = 20 (𝑉)

𝑉𝐿 20
=> 𝐼𝐿 = = = 5 (𝐴)
𝑅𝐿 4
- Điện áp nguồn cung cấp:
Ta có QB1, QB2 làm việc ở chế độ AB nên chọn hệ số sử dụng nguồn là 0,8.
𝑉𝐿 20
=> 𝑉𝑐𝑐 = = = 25 (𝑉)
0,8 0,8
Ta chọn nguồn cung cấp là: ±25 V
- Dòng cấp trung bình:
1 2𝜋 𝐼𝐿
𝐼𝑡𝑏 = ∫ 𝐼𝐿 sin(𝜔𝑡)𝑑(𝜔𝑡) =
2𝜋 0 𝜋
2 2
=> 𝑃𝑐𝑐 = 2. 𝑉𝑐𝑐. 𝐼𝑡𝑏 = . 𝑉𝑐𝑐. 𝐼𝐿 = . 25 . 5 = 79,62 (𝑊)
𝜋 𝜋
- Hiệu suất của mạch:
𝑃𝐿 50
𝑛= . 100% = . 100% = 62,8%
𝑃𝑐𝑐 79,62
5.2. Tính chọn trở R1, R2:
Chọn dòng tĩnh cho Q1 Q2.
Để tránh méo xuyên tâm, ta phân cực cho Q1 Q2 hoạt động ở chế độ AB.
Vì mạch làm việc ở chế độ AB nên dòng tĩnh collector nằm trong khoảng
20  50mA . Ở đây ta chọn: I E  I E  I E  50mA .
Q Q1 Q2
Dòng cực đại qua Q1 Q2:

𝐼𝐸1𝑝 = 𝐼𝐸2𝑝 = 𝐼𝐸𝑄 + 𝐼𝐿 = 0,05 + 5 = 5,05 (𝐴)

lOMoARcPSD|32001571
R1, R2 là hai điện trở ổn định nhiệt và cân bằng dòng cho Q1 Q1. Do vậy để
công suất ra loa đạt cực đại thì sụt áp trên hai điện trở này không quá lớn, giảm
tổn thất tín hiệu.
Để tránh hao phí ta chọn :
𝑉𝑅1 1 𝑉𝐿 20
≥ => 𝑉𝑅1 ≥ = = 1 (𝑉)
𝑉𝐿 20 20 20
𝑉𝑅1 1
=> 𝑅1 = 𝑅2 = = = 0,198 (Ω)
𝐼𝐸1𝑝 5,05
Công suất trở R1, R2 :

1 2
1 𝐼𝐿2 1 1
𝑃𝑅1 = 𝑃𝑅2 = . 𝑅1. 𝐼𝐿ℎ𝑑 = . 𝑅1. = . 𝑅1. 𝐼𝐿2 = . 0,198. 52 = 1,24(𝑊)
2 2 2 4 4
Ta chọn trở R1, R2 là 0,22 Ω / 5W
5.3. Chọn cặp Q1 Q2:
2
Công suất nguồn cung cấp: 𝑃𝑐𝑐 = 2. 𝑉𝑐𝑐. 𝐼𝑡𝑏 = . 𝑉𝑐𝑐. 𝐼𝐿
𝜋
2 1
Công suất loa: 𝑃𝐿 = 𝑅𝐿 . 𝐼𝐿ℎ𝑑 = 𝑅𝐿 . 𝐼𝐿2
2
1
Công suất tiêu tán của R1, R2 : 𝑃𝑅 = 2. 𝑃𝑅1 = 𝑅1 . 𝐼𝐿2
2
Vậy công suất tiêu tán của hai BJT Q1, Q2 là :

2 1 1
2𝑃𝑡𝑡 = 𝑃𝑐𝑐 − 𝑃𝐿 − 𝑃𝑅 = . 𝑉𝑐𝑐. 𝐼𝐿 − 𝑅𝐿 . 𝐼𝐿2 − 𝑅1 . 𝐼𝐿2
𝜋 2 2
2. 𝑉𝑐𝑐. 𝐼𝐿 1
= − ( 𝑅 + 𝑅𝐿 ). 𝐼𝐿2
𝜋 2 1
Công suất tiêu tán của một BJT là:
2. 𝑃𝑡𝑡 𝑉𝐶𝐶 . 𝐼𝐿 1
𝑃𝑡𝑡/𝑄1 = 𝑃𝑡𝑡/𝑄2 = = − (𝑅𝐿 + 𝑅1 ). 𝐼𝐿2
2 𝜋 4
Công suất tiêu tán cực đại của 1 BJT là lấy đạo hàm 𝑃𝑡𝑡/𝑄1 theo 𝐼𝐿 cho bằng 0 :
𝑑(𝑃𝑡𝑡/𝑄𝐵1 ) 𝑉𝐶𝐶 1
= − (𝑅𝐿 + 𝑅1 ). 𝐼𝐿 = 0
d(𝐼𝐿 ) 𝜋 2
2. 𝑉𝐶𝐶 2.25
=> 𝐼𝐿 = = = 3,77 (𝐴)
𝜋(𝑅𝐿 + 𝑅1 ) 3,14(4 + 0,22)
𝑉𝐶𝐶 . 𝐼𝐿 1
=> 𝑃𝑡𝑡𝑚𝑎𝑥 = − (𝑅𝐿 + 𝑅1 ). 𝐼𝐿2
𝑄𝐵1 𝜋 4

lOMoARcPSD|32001571
25.3,77 1
= − (4 + 0,22). 3,772 = 15,02 (𝑊)
3,14 4
Công suất tiêu tán tĩnh trên Q1 :
𝑃𝐷𝐶/𝑄1 = 𝑉𝐶𝐸/𝑄1 . 𝐼𝐶/𝑄1 ≈ 𝑉𝐶𝐶 . 𝐼𝐸/𝑄 = 25.0,05 = 1,25 (𝑊)
Vậy công suất tiêu tán cực đại trên QB1 là:
𝑃𝑡𝑡∑𝑚𝑎𝑥/𝑄1 = 𝑃𝑡𝑡𝑚𝑎𝑥/𝑄1 + 𝑃𝐷𝐶/𝑄1 = 15,02 + 1,25 = 16,27 (𝑊)
Vì QB1, QB2 là cặp BJT bổ phụ nên ta chọn QB1, QB2 thỏa mãn điều kiện:
𝐼𝐶 > (1,5 ÷ 2)𝐼𝐸1𝑝 = (7,58 ÷ 10,1) 𝐴
𝑉𝐶𝐸0 > (1,5 ÷ 2)𝑉𝐶𝐶 = (37,5 ÷ 50) 𝑉
𝑃𝐶 > (1,5 ÷ 2)𝑃𝑡𝑡∑𝑚𝑎𝑥 = (24,4 ÷ 32,54) (𝑊)
Tra cứu Datasheet ta chọn Q1, Q2 lần lượt là: 2SD718 và 2SB688
5.4. Tính chọn R3, R4:
Ta chọn:
𝛽𝑄1 = 𝛽𝑄2 = 𝛽𝑚𝑖𝑛 = 55
Dòng Base tĩnh của Q1 :

𝐼𝐸𝑄/𝑄1 0,05
𝐼𝐵𝑄/𝑄1 = = = 0.89 (𝑚𝐴)
1 + 𝛽1 1 + 55
Dòng Base cực đại của Q1 :
𝐼𝐸𝑝/𝑄𝐵1 5,05
𝐼𝐵𝑄𝑝/𝑄1 = = = 90,2 (𝑚𝐴)
1 + 𝛽1 1 + 55
Để R3, R4 không ảnh hưởng đến dòng ra ở chế độ xoay chiều thì R3 , R4 phải
thỏa mãn điều kiện: 𝑍𝐵1𝑀(𝑎𝑐) ≪ 𝑅3, 𝑅4 ≪ 𝑍𝐵1𝑀(𝑑𝑐) .
𝑅3, 𝑅4 ≪ 𝑍𝐵1𝑀(𝑑𝑐) để rẽ dòng nhiệt.
𝑅3, 𝑅4 ≫ 𝑍𝐵1𝑀(𝑎𝑐) để giảm tổn thất tín hiệu.
Với 𝑍𝐵1𝑀(𝑎𝑐) , 𝑍𝐵1𝑀(𝑑𝑐) : là điện trở xoay chiều và một chiều từ cực Base Q1
đến M.
Từ đặc tuyến 𝐼𝐶 , 𝑉𝐵𝐸 của 2SD718 ta có:

lOMoARcPSD|32001571
𝐼𝐸𝑄 = 0,05 (𝐴) => 𝑉𝐵𝐸𝑄 = 0,6 (𝑉)

𝐼𝐸𝑝 = 5,05 (𝐴) => 𝑉𝐵𝐸𝑝 = 1,05 (𝑉)
Vậy:
𝑉𝐵1𝑀𝑄 𝑉𝐵𝐸𝑄/𝑄1 + 𝑉𝑅1 0,6 + 0.05.0,22
𝑍𝐵1𝑀(𝑑𝑐) = = = = 686,5 (Ω)
𝐼𝐵𝑄/𝑄𝐵1 𝐼𝐵𝑄/𝑄1 0,89. 10−3
𝑉𝐵1𝑀𝑝 − 𝑉𝐵1𝑀𝑄 (𝑉𝐵𝐸𝑝/𝑄1 + 𝑉𝑅1𝑝 ) − (𝑉𝐵𝐸𝑄/𝑄1 + 𝑉𝑅1 )
𝑍𝐵1(𝑎𝑐) = =
𝐼𝐵𝑝/𝑄1 − 𝐼𝐵𝑄/𝑄1 𝐼𝐵𝑝/𝑄1 − 𝐼𝐵𝑄/𝑄1
(1,05 + 0,22.5,05) − (0,6 + 0,05.0,22)
𝑍𝐵1(𝑎𝑐) = = 17,36 (Ω)
(90,2 − 0,89). 10−3
Vậy: 17,36 (Ω) ≪ 𝑅3, 𝑅4 ≪ 686,6 (Ω)

Chọn R3 = R4 = 220 (Ω)/2W
5.5 Tính chọn cặp Q3, Q4:
𝑉𝐵𝐸𝑄/𝑄1 +𝑉𝑅1 0,6 + 0,05.0,22
- Dòng tĩnh qua R3 : 𝐼𝑅3𝑄 = = = 2,78 (𝑚𝐴)
𝑅3 220
𝑉𝐵𝐸𝑝/𝑄1+𝑉𝑅1𝑝 1,05 + 5,05.0,22

- Dòng cực đại qua R3 : 𝐼𝑅3𝑝 = = = 9,8 (𝑚𝐴)
𝑅3 220
- Dòng emitter qua Q1 : 𝐼𝐸𝑄/𝑄3 = 𝐼𝑅3𝑄 + 𝐼𝐵𝑄/𝑄1 = 2,78 + 0,89 = 3,67 (𝑚𝐴)
𝐼𝐸𝑝/𝑄3 = 𝐼𝑅3𝑝 + 𝐼𝐵𝑝/𝑄1 = 9,8 + 90,2 = 100 (𝑚𝐴)
Khi đó trở kháng xoay chiều từ cực B Q1:

𝑉𝐵1𝑝 − 𝑉𝐵1𝑄 (1,05 + 0,22.5,05) − (0,6 + 0,05.0,22)
𝑍𝐵1(𝑎𝑐) = =
𝐼𝐸𝑝/𝑄3 − 𝐼𝐸𝑄/𝑄3 (100 − 3,67). 10−3
= 16,1 (Ω)
So sánh với Z B1ac tính ở trước là ta thấy khi thêm R3, R4 vào thì sai khác không
đáng kể.
Như vậy, tải xoay chiều của Q1 là:
𝑍𝑡/𝑄3 = 𝑍𝐵1(𝑎𝑐) + (1 + 𝛽). 𝑅𝐿 = 16,1 + 56.4 = 240,1 (Ω)

lOMoARcPSD|32001571
Để tìm được Q3, Q4 ta tìm công suất tiêu tán lớn nhất của chúng. Gọi 𝐼𝐸3 là
biên độ dòng AC chạy qua Q3, ta có:
Dòng cung cấp xoay chiều trung bình cho Q3 :
𝐼𝐸3
𝐼𝑡𝑏/𝑄3 =
𝜋
Công suất nguồn cung cấp cho Q3:
𝑉𝐶𝐶. 𝐼𝐸3
𝑃𝐶𝐶/𝑄3 = 𝑉𝐶𝐶 . 𝐼𝑡𝑏/𝑄3 =
𝜋
Công suất cung cấp cho tải của Q3:
2
1 𝜋 1 2
𝑃𝑡/𝑄3 = 𝑍𝑡/𝑄3 . 𝐼𝐸3 = 𝑍𝑡/𝑄3 . ∫ (𝐼𝐸3 . 𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡)2 𝑑(𝜔𝑡) = 𝐼𝐸3 . 𝑍𝑡/𝑄3
2𝜋 0 4
Công suất tiêu tán xoay chiều trên Q3:
𝑉𝐶𝐶. 𝐼𝐸3 1 2
𝑃𝑡𝑡/𝑄3 = 𝑃𝐶𝐶/𝑄3 − 𝑃𝑡/𝑄3 = − 𝐼𝐸3 . 𝑍𝑡/𝑄3
𝜋 4
Lấy đạo hàm theo 𝐼𝐸3 và cho 𝑃𝑡𝑡/𝑄3 = 0 ta được:
2𝑉𝐶𝐶 2.25
𝐼𝐸3𝑚𝑎𝑥 = = = 0,07 (𝐴)
𝜋. 𝑍𝑡/𝑄3 3,14.240,1
Vậy công suất tiêu tán lớn nhất do dòng xoay chiều trên rơi trên Q3 :
𝑉𝐶𝐶. 𝐼𝐸3𝑚𝑎𝑥 1 2 25.0,07 1
𝑃𝑡𝑡𝑚𝑎𝑥/𝑄3 = − 𝐼𝐸3 . 𝑍 𝑡 = − . 240,1. (0,07)2
𝜋 4 𝑄3 3,14 4
= 0,263 (𝑊)
Công suất tiêu tán tĩnh trên Q3 :
𝑃𝑑𝑐/𝑄3 = 𝑉𝐶𝐸/𝑄3 . 𝐼𝐶𝑄/𝑄3 = 𝑉𝐶𝐶 . 𝐼𝐸𝑄/𝑄3 = 25.3,67. 10−3 = 0,09 (𝑊)
Vậy công suất tiêu tán cực đại trên Q3 :
𝑃𝑡𝑡∑𝑚𝑎𝑥 = 𝑃𝑑𝑐/𝑄3 + 𝑃𝑡𝑡𝑚𝑎𝑥/𝑄3 = 0,09 + 0,263 = 0,353 (𝑊)
Vậy chọn Q3, Q4 là cặp bổ phụ thỏa mãn điều kiện sau:
𝐼𝐶 > (1,5 ÷ 2)𝐼𝐶𝑝/𝑄3 = (150 ÷ 200) (𝑚𝐴)
𝑉𝐶𝐸0 > (1,5 ÷ 2)𝑉𝐶𝐶 = (37,5 ÷ 50) (𝑉)
𝑃𝐶 > (1,5 ÷ 2)𝑃𝑡𝑡∑𝑚𝑎𝑥/𝑄3 = (0,53 ÷ 0,71) (𝑊)
Tra cứu Datasheet ta chọn Q3, Q4 lần lượt là: TIP41C và TIP42C

lOMoARcPSD|32001571
5.6. Tính tầng lái:

Để tính toán tầng lái ta chọn 𝛽𝑄3 = 75
𝐼𝐸𝑝/𝑄3 100
=> 𝐼𝐵3𝑝 = = = 1,3 (𝑚𝐴)
1 + 𝛽𝑄3 1 + 75
𝐼𝐸𝑄/𝑄3 3,67
=> 𝐼𝐵3𝑄 = = = 0,05 (𝑚𝐴)
1 + 𝛽𝑄3 1 + 75
5.7. Tính chọn D3, D4, D5, VR2:
Để tránh méo tín hiệu xuyên tâm đồng thời ổn định điểm làm việc cho các cặp
BJT khuyếch đại công suất thì các tổ hợp này phải làm việc ở chế độ AB. Vì
vậy, ta dùng D3, D4, D5, VR2 để tạo ra áp ban đầu cho các BJT để khi có tín
hiệu vào thì các BJT khuyếch đại công suất dẫn ngay.
Chọn D3, D4, D5 : là loại D1N4007.
Để QB1, QB2 làm việc ở chế độ dòng tĩnh 50(mA) thì điện áp trên tiếp giáp BE
của các tổ hợp BJT ở chế độ tĩnh là 0,6(V).
Ta có: 𝑉𝐵1𝐵2𝑄 = 𝑉𝐵𝐸1 + 𝑉𝐵𝐸𝑄𝐵1 + 𝑉𝐵𝐸𝑄𝐵2 + 𝑉𝐵𝐸3 + 𝑉𝑅1𝑄 + 𝑉𝑅2𝑄
= 0,6 + 0,6 + 0,6 + 0,6 + 0,05.0,22 + 0,05.0,22 = 2,422 𝑉
Để dòng tĩnh Q5 ít thay đổi và tránh méo tín hiệu ta chọn:
𝐼𝐶𝑄5𝑄 = 140. 𝐼𝐵3𝑄 = 140.0,05 = 7 (𝑚𝐴)
Dòng cực đại qua Q5 :
𝐼𝐶𝑄5𝑝 = 140. 𝐼𝐵3𝑝 = 140.1,3 = 182 (𝑚𝐴)
Dùng Diode để ổn định áp phân cực cho tầng lái.
Như vậy, ba diode D3, D4, D5 và VR2 đảm bảo cho QB1, QB2 và Q1, Q2 làm
việc ở chế độ AB, tức là 𝑉𝐵1𝐵2𝑄 = 2,422 𝑉 ngay khi có tín hiệu vào.
Lợi dụng tính chất ghim áp của diode ( dòng qua diode tăng nhưng áp đặt lên
diode hầu như không đổi. Muốn được như vậy ta chọn sao cho điểm làm việc
nằm trong đoạn tuyến tính nhất(đoạn thẳng)).
𝑉𝐵1𝐵2𝑄 −3𝑉𝐷 2,422−3.0,7
Lúc này: 𝑉𝑅2 = = = 46 (Ω)
𝐼𝐶𝑄5 7.10−3
Chọn VR2 = 200 (Ω) sau đó hiệu chỉnh lại.

lOMoARcPSD|32001571
5.8. Tính toán transistor Q5 làm nguồn dòng:

- Q5 tạo dòng điện ổn định phân cực cho Q6 và ổn định điểm làm việc của cho
hai cặp Dalington ở tầng khuyếch đại công suất. Do nội trở nguồn dòng ở chế
độ xoay chiều lớn nên tăng hệ số khuyếch đại của tầng lái, phối hợp trở kháng
với trở kháng vào lớn của 2 cặp Dalington làm nâng cao hiệu suất của mạch.
- Dòng collector qua Q5: 𝐼𝐶𝑄5 = 𝐼𝐶𝑄6 = 7 (𝑚𝐴)
- Chọn D1 D2 là diode D1N4007 .
Dòng qua hai diode là dòng phân áp cho Q5. Chọn dòng phân cực 𝐼𝐵𝑄5 ≪ 𝐼𝐷
,mà để diode ghim áp ổn định thì dòng 𝐼𝐷 > 8 (mA)
Chọn dòng phân áp 𝐼𝑅9 = 9 (𝑚𝐴). Lúc này VD  0,7V .
Sụt áp trên R6 là: 𝑉𝑅6 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐷1 − 𝑉𝐷2 = 25 − 0,7 − 0,7 = 23,6 𝑉
𝑉𝑅6 𝑉𝑅6 23,6
=> 𝑅6 = = = = 2622.22 (Ω)
𝐼𝑝𝑎 𝐼𝑅6 9. 10−3
Chọn R6 = 2,7 (𝐾Ω)
2
Công suất của R6 là : 𝑃𝑅6 = 𝐼𝑅6 . 𝑅6 = (9. 10−3 )2 . 2700 = 0,2187 (𝑊)
Chọn R6 = 2,7 (𝑲Ω) /𝟐(𝑾)
𝑉𝐷1 +𝑉𝐷2 −𝑉𝐸𝐵 0,7+0,7−0,6
Tính chọn VR1: 𝑉𝑅1 = = = 115 (Ω)
𝐼𝐶𝑄5 7.10−3
Chọn VR1 = 500 Ω sau đó tinh chỉnh lại.

Do Q5 hoạt động chế độ A được dùng làm nguồn dòng nên công suất tiêu tán
lớn nhất của nó là công suất tiêu tán tĩnh.
Điện áp DC trên tiếp giáp CE của Q5 là:
𝑉𝐶𝐸/𝑄5 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑅1 − 𝑉𝐵𝐸/𝑄3 − 𝑉𝐵𝐸/𝑄1 − 𝑉𝑅1
= 25 − (0,7 + 0,7 − 0,6) − 0,6 − 0,6 − 0,05.0,22
= 22,989 𝑉
=> 𝑃𝐷𝐶/𝑄5 = 𝑉𝐶𝐸/𝑄5 . 𝐼𝐶𝑄5 = 22,989.7. 10−3 = 0,16 (𝑊)
Vậy ta chọn Q5 thỏa các điều kiện sau:
𝐼𝐶 > (1,5 ÷ 2)𝐼𝐶5𝑝 = (273 ÷ 364) (𝑚𝐴)
𝑉𝐶𝐸 > (1,5 ÷ 2)𝑉𝐶𝐸/𝑄5 = (34,4835 ÷ 45,978) (𝑉)
𝑃𝐶 > (1,5 ÷ 2)𝑃𝐷𝐶/𝑄5 = (0,24 ÷ 0,32) (𝑊)
Tra cứu Datasheet ta chọn Q5: 2SA1013

lOMoARcPSD|32001571
5.9. Tính chọn BJT thúc Q6:

Transistor Q6 làm nhiệm vụ nâng cao tín hiệu đủ lớn để kích cho tầng thúc làm
việc và đảo pha cho tầng công suất. Q6 được chọn làm việc ở chế độ A. Q6 có
tải lớn nên hệ số khuyếch đại lớn,ta phải chọn điểm làm việc của Q6 sao cho
khi không có tín hiệu vào điện thế vào cực E của 𝑄1, 𝑄2 ≈ 0, lúc này sụt áp
trên tải  0.
Vì Q6 có điện trở tải lớn nên dễ dàng rơi vào vùng bão hoà và gây ra méo tín
hiệu, do đó cần phải mắc hồi tiếp âm một chiều lẫn xoay chiều để ổn định điểm
làm việc . Điện trở R8, R88 làm nhiệm vụ hồi tiếp âm DC, riêng R8 còn làm
nhiệm vụ hồi tiếp âm AC cho Q6.
Do Q6 làm việc chế độ A, để tránh suy giảm tín hiệu ta có thể chọn trước điện
áp tĩnh trên điện trở hồi tiếp một chiều R8, R88 là 2(V).
Ta có: 𝑉𝑅8 + 𝑉𝑅88 = 2 (𝑉)
Để tránh hồi tiếp âm quá nhiều làm giảm hệ số khuyếch đại của Q6, ta chọn R8
> R88
=> 𝑉𝑅8 > 𝑉𝑅88 .
2
R8 + R88 = = 285,71 (Ω)
7.10−3
𝐑𝟖 = 𝟐𝟐𝟎 (Ω)
Chọn {
𝐑𝟖𝟖 = 𝟔𝟖 (Ω)
Điện thế trên cực C, E của Q6:
𝑉𝐶𝐸/𝑄6 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑉𝑅1 − 𝑉𝐸𝐵/𝑄4 − 𝑉𝐸𝐵/𝑄2 − 𝑉𝑅8𝑅88
= 25 − (0,7 + 0,7 − 0,6) − 0,6 − 0,6 − 2 = 21 (𝑉)
Công suất tiêu tán tĩnh của Q6:
𝑃𝐷𝐶/𝑄6 = 𝑉𝐶𝐸/𝑄6 . 𝐼𝐶𝑄6 = 21.7. 10−3 = 0,147 (𝑊)
Vì Q6 làm việc ở chế độ A nên:
𝑃𝑡𝑡𝑚𝑎𝑥/𝑄6 = 𝑃𝐷𝐶/𝑄6 = 0,147 (𝑊)
Từ những tính toán trên ta chọn Q6 phải thỏa những điều kiện sau:
𝐼𝐶 > (1,5 ÷ 2)𝐼𝐶𝑚𝑎𝑥/𝑄6 = (273 ÷ 364) (𝑚𝐴)
𝑉𝐶𝐸 > (1,5 ÷ 2)𝑉𝐶𝐶 = (37,5 ÷ 50) (𝑉)
𝑃𝐶 > (1,5 ÷ 2)𝑃𝑡𝑡𝑚𝑎𝑥/𝑄6 = (0,2205 ÷ 0,294) (𝑊)

lOMoARcPSD|32001571
Tra cứu Datasheet ta chọn Q6: 2SC2383

5.10. Tính chọn R15, R16, R9 và R10:
- R9, R10 cùng nối với 2 tụ C6 và C7 nhằm ngăn thành phần xoay chiều tác
động đến nguồn.
- Ta có :
𝐼𝐶/𝑄6 7
𝐼𝐵/𝑄6 = = = 0,1 (𝑚𝐴)
𝛽𝑄6 70
- Chọn 𝐼𝐶/𝑄8 ≫ 𝐼𝐵/𝑄6
- Chọn 𝐼𝐶/𝑄7 = 𝐼𝐶/𝑄8 = 10. 𝐼𝐵/𝑄6 = 10.0,1 = 1 (𝑚𝐴)
- Chọn sụt áp trên R10 là 1,2 (V)
𝐼𝑅10 = 𝐼𝐶/𝑄7 + 𝐼𝐶/𝑄8 = 2.1 = 2 (𝑚𝐴)
𝑉𝑅10 1,2
𝑅9 = 𝑅10 = = = 600 (Ω)
𝐼𝑅10 2. 10−3
Chọn R9 = R10 = 620(Ω)
- Ta có 𝑉𝑅10 + 𝑉𝑅16 = (𝑉𝑅8 + 𝑉𝑅88 ) + 𝑉𝐵𝐸/𝑄6
(𝑉𝑅8 + 𝑉𝑅88 ) + 𝑉𝐵𝐸/𝑄6 − 𝑉𝑅10 2 + 0,6 − 1,2
=> 𝑅16 = = = 1400 (Ω)
𝐼𝐶/𝑄7 10−3
Chọn R15 = R16 = 1,5(kΩ)
5.11. Tính chọn Q7, Q8:
- Vì Q7, Q8 làm việc ở chế độ A nên:
1 25
𝑉𝑅9 = . 𝑉𝐶𝐶 = = 5 (𝑉)
5 5
- Để tránh sai số mất cân bằng tầng vi sai, ta chọn biến trở 𝑉𝑅𝐸 = 100 (Ω) để
điều chỉnh.
𝑉𝑅𝐸
=> 𝑉𝐶𝐸/𝑄8 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑅15 − 𝐼𝐶𝑄/𝑄8 . − 𝑉𝑅10 − 𝑉𝐶𝐸/𝑄9 − 𝑉𝑉𝑅3 − 𝑉𝑅9
2
− (−𝑉𝐶𝐶 )
100
= 25 − 1500. 10−3 − 10−3 . − 1,2 − 𝑉𝐶𝐸/𝑄9 −
2
(0,7.2 − 0,6) − 5 + 25
= 41,45 − 𝑉𝐶𝐸/𝑄9
=> 𝑉𝐶𝐸/𝑄8(max) = 𝑉𝐶𝐸/𝑄7(max) = 41,45 (𝑉)

lOMoARcPSD|32001571
- Chọn Q7, Q8 thỏa mãn :

𝐼𝐶𝐸𝑄 > (1,5 ÷ 2)𝐼𝐶/𝑄5 = (1,5 ÷ 2) (𝑚𝐴)
𝑉𝐶𝐸𝑄 > (1,5 ÷ 2)𝑉𝐶𝐶 = (37,5 ÷ 50) (𝑉)
𝑃𝐶 > (1,5 ÷ 2)𝑉𝐶𝐸 . 𝐼𝐶 = (0,06 ÷ 0,08) (𝑊)
Chọn Q7, Q8 là : Q7: 2SA1013

Q8: 2SA1013
5.12. Tính chọn nguồn dòng Q9, D6, D7:
- 𝐼𝐶/𝑄9 = 2. 𝐼𝐶/𝑄8 = 2.1 = 2 (𝑚𝐴)
- Chọn D6, D7 là diode DN4007 để phân cực cho Q9
- 𝑉𝑉𝑅3 = 2. 𝑉𝐷 − 𝑉𝐵𝐸/𝑄9 = 2.0,7 − 0,6 = 0,8 (𝑉)
𝑉𝑉𝑅3 0,8
=> 𝑉𝑅3 = = = 400 (Ω)
𝐼𝐶/𝑄9 2. 10−3
Chọn VR3 là biến trở 500 Ω sau đó hiệu chỉnh lại
- Chọn 𝐼𝑅17 = 10 (𝑚𝐴)
- 𝑉𝑅17 = 𝑉𝐶𝐶 − 2. 𝑉𝐷6 = 25 − 2.0,7 = 23,6 (𝑉)
𝑉𝑅17 23,6
=> 𝑅17 = = = 2360 (Ω)
𝐼𝑅17 10. 10−3
Chọn R17 : 2,2(kΩ)/ 2(W)
- Ta có 𝑉𝐶𝐸/𝑄9(max) = 𝑉𝐶𝐸/𝑄8(max) = 41,45 (𝑉)
=> Công suất tiêu tán cực đại trên Q9 :
𝑃𝐶/𝑄9 = 𝐼𝐶/𝑄9 . 𝑉𝐶𝐸/𝑄9(max) = 2. 10−3 . 41,45 = 0,0829 (𝑊)
- Chọn Q9 thõa :
𝐼𝐶𝐸𝑄 > (1,5 ÷ 2)𝐼𝐶/𝑄9 = (3 ÷ 4) (𝑚𝐴)
𝑉𝐶𝐸𝑄 > (1,5 ÷ 2)𝑉𝐶𝐶 = (37,5 ÷ 50) (𝑉)
𝑃𝐶 > (1,5 ÷ 2)𝑃𝐶/𝑄9 = (0,124 ÷ 0,166) (𝑊)
Chọn Q9: 2SA1013

lOMoARcPSD|32001571
* Tổng trở kháng toàn mạch là 200 kΩ

=> Chọn R11= R18 = 200(kΩ)
5.13. Tính chọn VR4:
𝐴𝑣𝑡 1
𝐴𝑣 = ≈
1 + 𝐴𝑣𝑡 . 𝐴𝑣ℎ𝑡 𝐴𝑣ℎ𝑡
Mà:
𝑉𝐿 20
𝐴𝑣 = = = 18,25
√2𝑉𝑖𝑛 √2. 0,775
1 𝑉𝑅4 𝑉𝑅4
=> 𝐴𝑣ℎ𝑡 = = =
18,25 𝑉𝑅4 + 𝑅11 𝑉𝑅4 + 200. 10−3
=> 𝑉𝑅4 = 11594,2 (Ω)
=> Chọn VR4 = 20(kΩ) sau đó hiệu chỉnh lại
5.14. Tính toán tụ liên lạc và tụ lọc nguồn:
Cho băng thông từ 30(Hz) đến 15(kHz)
- Giả sử mạch hoạt động vs tần số bé nhất : 𝑓𝑚𝑖𝑛 = 30 (𝐻𝑧)
+ Tính C5 :
10 10
𝐶5 ≥ = = 0,26 (𝑢𝐹)
2. 𝜋. 𝑓𝑚𝑖𝑛 . 𝑍𝑖𝑛 2.3,14.30.200. 103
=> Chọn C5 là tụ 0,33(uF)/50(V)
* C6, C7 :
10 10
𝐶6 ≥ = = 53 (𝑢𝐹)
2. 𝜋. 𝑓𝑚𝑖𝑛 . 𝑅9 2.3,14.30.1000
=> Chọn C6,C7 là tụ 47(uF)/50(V)
* C2
10 10
𝐶2 ≥ = = 241 (𝑢𝐹)
2. 𝜋. 𝑓𝑚𝑖𝑛 . 𝑅8 2.3,14.30.220
=> Chọn C2 là tụ 470(uF)/50(V)
* C4
10 10
𝐶4 ≥ = = 4,58 (𝑢𝐹)
2. 𝜋. 𝑓𝑚𝑖𝑛 . 𝑉𝑅4 2.3,14.30.11594
=> Chọn C4 là tụ 4,7(uF)/50(V)

lOMoARcPSD|32001571
*CX
Tụ CX1 là tụ chống dao động tự kích và quyết định cắt tần số cắt cao cho mạch.
Vì tụ có chức năng cắt dãy tần cao nên điện dung của tụ sẽ nhỏ :
Chọn CX = 100(pF)
5.15. Tính toán hệ số khuếch đại và tầng hồi tiếp:
5.15.1 Hệ số khuếch đại vòng hở của tầng vi sai:
Ta có: Mạch khuếch đại vi sai ở chế độ xoay chiều ngõ vào đơn:
(+) 𝑟𝑖𝐵/𝑄6 = 𝑟π/𝑄6 + (β6 + 1). 𝑅88

β6
= + (β6 + 1). 𝑅88
40𝐼C/Q6
70
= + (70 + 1).68 = 5078 (Ω)
40.7.10−3
(+) 𝑉0 = − β8 . 𝑖𝐵 . (𝑅16 //𝑟𝑖𝐵/𝑄6 )

- Vì 𝑅𝐸𝐸 rất lớn nên giả sử không có dòng chạy qua 𝑅𝐸𝐸 .
Áp dụng KVL ta có:
(+) 𝑉𝑖𝑛 = 𝑖𝐵 . 𝑟π/𝑄8 + (β8 + 1) . 𝑖𝐵 . 𝑅𝑉𝐸1 + (β8 + 1) . 𝑖𝐵 . 𝑅𝑉𝐸2 +
𝑖𝐵 . 𝑟π/𝑄7 +𝑖𝐵 . 𝑅11
(+) 𝑟π/𝑄8 = 𝑟π/𝑄7 ; 𝑅𝑉𝐸1 = 𝑅𝑉𝐸2
𝑉𝑖𝑛 = 𝑖𝐵 [2. 𝑟π/𝑄8 + 2. (β8 + 1). 𝑅𝑉𝐸1 + 𝑅11

lOMoARcPSD|32001571
𝐴𝑣 𝑉0 − β8 . 𝑖𝐵 .(𝑅16 //𝑟𝑖𝑏/𝑄6 )
(+) = =
𝑉𝑠 𝑉𝑖𝑛 𝑖𝐵 .(2.𝑟π/𝑄8 +2.(β8 +1).𝑅𝑉𝐸1 +𝑅11
−200. (1500//5078)
= = −1,01
2.5000 + 2. (200 + 1).50 + 200. 103
<=> 𝐴𝑣𝑡1 = −1,01
Với:
𝑔𝑚8 = 40. 𝐼𝐶/𝑄8 = 40.1. 10−3 = 0,04 (𝑆)
β8 200
𝑟π/𝑄8 = = = 5000 (Ω)
𝑔𝑚8 0,04
5.15.2 Hệ số khuếch đại tầng thúc:
1 1
(+) 𝑅𝑒𝑞 = (β3 + 1). [𝑅3 //(𝑟π1 + 𝑅1 ) + 𝑅L ]. 𝑅L . (𝑔m1 + + )
𝑟π1 𝑟π3
1 1
= (75 + 1). [220 // (27,5 + 0,22) + 4].4. (2 + + )
27,5 500
= 17735 (Ω)
Với:
𝑔𝑚1 = 40. 𝐼𝐶/𝑄1 = 40.0,05 = 2 (𝑆)
β1 55
𝑟π1 = = = 27,5 (Ω)
𝑔𝑚1 2

lOMoARcPSD|32001571
𝑔𝑚3 = 40. 𝐼𝐶/𝑄3 == 0,15 (𝑆)

β3 75
𝑟π3 = = = 500 (Ω)
𝑔𝑚3 0,15
𝑣c6
(+) 𝐴𝑣𝑡2 =
𝑣b6
𝑔m6 = 40. 𝐼𝐶/𝑄6 = 40.7. 10−3 = 0,28 (𝑆)

𝑉A + 𝑉CE/Q6 50+21
(+) 𝑟06 = 𝑟05 = = = 10143 (Ω)
𝐼C/Q6 7.10−3
𝑣c6 = −𝑔m6 . 𝑣b6 . (𝑟06 + 𝑅88 )//𝑟05 //𝑅𝑒𝑞

𝑣c6
=> 𝐴𝑣𝑡2 = = −𝑔m6 . (𝑟06 + 𝑅88 )//𝑟05 //𝑅𝑒𝑞
𝑣b6
(−0,28)
=
1 1 1
+ +
(10143 + 68) 10143 17735
=> 𝐴𝑣𝑡2 = = −1107
5.15.3 Hệ số khuếch đại tầng công suất:
Do Q1 , Q 2 , Q 3 , Q 4 mắc theo kiểu C chung: => 𝐴𝑣𝑡3 = 1
5.15.4 Hệ số khuếch đại toàn mạch:
- Hệ số khuếch đại toàn mạch khi chưa có hồi tiếp:
𝐴𝑣𝑡 = 𝐴𝑣𝑡1 . 𝐴𝑣𝑡2 . 𝐴𝑣𝑡3 = (−1,01). (−1107). 1 = 1118
- Hệ số khuếch đại toàn mạch khi có hồi tiếp:
𝐴𝑣𝑡 1
𝐴𝑣 = ≈
1+𝐴𝑣𝑡 .𝐴𝑣ℎ𝑡 𝐴𝑣ℎ𝑡
𝑉𝐿 20
𝐴𝑣 = = = 18,25
√2𝑉𝑖𝑛 √2.0,775
5.16. Kiểm tra độ méo phi tuyến:

Trong mạch các BTT làm việc ở chế độ A, chỉ có QB1, QB2 làm việc ở chế độ
AB nên méo phi tuyến trong mạch chủ yếu do QB1, QB2 quyết định.
Giả sử tín hiệu vào là hình sin và Vin = 0.775 (V). Lúc này điện áp đặt lên tiếp
giáp BE của Q1:
𝑉𝐵𝐸1 (𝑡) = 𝑉𝐵𝐸1𝑄 + 𝑉𝐵𝐸𝑚 𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡

lOMoARcPSD|32001571
Có 𝑉𝐵𝐸1𝑄 = 0,6 (𝑉) 𝑉𝐵𝐸𝑚 = 𝑉𝐵𝐸1𝑝 − 𝑉𝐵𝐸1𝑄 = 1,05 − 0,6 = 0,45 (𝑉)
𝑉𝐵𝐸1𝑄 𝑉𝐵𝐸𝑚 𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡
Gọi 𝐼𝐶0 là dòng rỉ của QB1, QB2 : 𝐼𝐶 = 𝐼𝐶0 . 𝑒 𝑉𝑇 .𝑒 𝑉𝑇
𝑉𝐵𝐸𝑚 𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡
Khai triễn 𝑦 = 𝑒 𝑉𝑇 theo chuỗi Taylor:
𝑉𝐵𝐸𝑚 1 𝑉𝐵𝐸𝑚 2
𝑦 =1+ 𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡 + ( ) . 𝑠𝑖𝑛2 𝜔𝑡 + ⋯
𝑉𝑇 2 𝑉𝑇
Méo phi tuyến chủ yếu do hài bậc cao gây ra. Loại hài bậc cao và biến đổi
1−𝑐𝑜𝑠2𝜔𝑡
𝑠𝑖𝑛2 𝜔𝑡 = ta được:
2
1 𝑉𝐵𝐸𝑚 2 𝑉𝐵𝐸𝑚 1 𝑉𝐵𝐸𝑚 2

𝑦 =1+ + 𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡 − ( ) 𝑐𝑜𝑠2𝜔𝑡
4 𝑉𝑇 2 𝑉𝑇 4 𝑉𝑇
√∑𝑛 2
𝑖=2 𝐼𝑖𝑚
Theo định nghĩa méo phi tuyến: 𝛾 =
𝐼1𝑚
𝐼 : thành phần dòng cơ bản.

Trong đó : { 1𝑚
𝐼𝑖𝑚 : biên độ hài.
Loại bỏ các hài bậc cao ta được:
𝑉𝐵𝐸𝑚 2
𝐼2𝑚 2 𝑉𝐵𝐸𝑚
𝛾= = 4𝑉𝑇 =
𝐼1𝑚 𝑉𝐵𝐸𝑚 4𝑉𝑇
𝑉𝑇
𝑉𝐵𝐸𝑚 0,45
Khi chưa có hồi tiếp: 𝛾 = = = 4,5
4𝑉𝑇 4.0,025
𝛾
Khi có hồi tiếp: 𝛾 ′ =
(1+𝑔𝑚𝑅𝐿 )𝑔
𝐴𝑣𝑡 1118
g: độ sâu hồi tiếp: 𝑔 = = = 61,26
𝐴𝑣 18,25
𝑔𝑚 hỗ dẫn : 𝑔𝑚 = 40. 𝐼𝐶 = 40.0,05 = 2(𝑆)

𝛾 4,5
𝛾′ = = = 0,01% < 0,4%
(1 + 𝑔𝑚𝑅𝐿 )𝑔 (1 + 2.4). 61,26
5.17. Tính mạch lọc zobel:
Cấu tạo của loa gồm một cuộn cảm và một điện trở có 𝑍𝐿 = 𝑅𝐿 + 𝑗𝜔𝐿.
Như vậy, trở kháng loa phụ thuộc vào tần số. Khi tần số cao trở kháng loa càng
lớn dẫn đến méo tín hiệu.Mạch lọc Zobel là mạch ổn định trở kháng loa không
đổi ở tần số cao. C mắc nối tiếp với R và tất cả mắc song song với tải RL. Ở tần
số cao tụ ngắn mạch giảm tải ngõ ra tức là 𝑋𝐿 ↑, 𝑋𝐶 ↓ => 𝑅𝐿 không đổi

lOMoARcPSD|32001571
Ta có:
1
𝑍𝐿 = (𝑅20 + )//(𝑅𝐿 + 𝑗𝜔𝐿)
𝑗𝜔𝐶8
1 𝑅𝐿 𝐿
(𝑅20 + 𝑗𝜔𝐶8) . (𝑅𝐿 + 𝑗𝜔𝐿) 𝑅20. 𝑅𝐿 + 𝑅20. 𝑗𝜔𝐿 + +
𝑗𝜔𝐶8 𝐶8
=> 𝑍𝐿 = =
1 1
𝑅20 + + 𝑅𝐿 + 𝑗𝜔𝐿 𝑅20 + + 𝑅𝐿 + 𝑗𝜔𝐿
𝑗𝜔𝐶8 𝑗𝜔𝐶8
Để không phụ thuộc vào tần số thì 𝑍𝐿 = 𝑅𝐿
𝑅𝐿 𝐿 𝑅𝐿
=> 𝑅20. 𝑅𝐿 + 𝑅20. 𝑗𝜔𝐿 + + = 𝑅20. 𝑅𝐿 + + 𝑅𝐿2 + 𝑗𝜔𝐿. 𝑅𝐿
𝑗𝜔𝐶8 𝐶8 𝑗𝜔𝐶8
𝐿
= 𝑅𝐿2
=> { 𝐶8
𝑅20. 𝑗𝜔𝐿 = 𝑗𝜔𝐿. 𝑅𝐿 => 𝑅20 = 𝑅𝐿 = 4 Ω
𝐿 0,1.10−6
Vì L của loa thường rất nhỏ ≈ 0,1 𝜇𝐻 => 𝐶8 = = = 6,25 (𝑛𝐹)
𝑅𝐿2 16
Chọn C8 = 10(nF), R20 = 4,7(Ω)

lOMoARcPSD|32001571
Giá trị linh kiện sau khi tính toán :
Q1 2SD718
Q2 2SB688
Q3 TIP41C
Q4 TIP42C
Q5 2SA1013
Q6 2SC2383
Q7 2SA1013
Q8 2SA1013
Q9 2SA1013
R1, R2 0.22(Ω)/5(W)
R3, R4 220(Ω)/2(W)
VR1 500(Ω)
VR2 200(Ω)
VR3 500(Ω)
R8 220(Ω)
R88 68(Ω)
R6 2.7(kΩ)/2(W)
R9 620(Ω)
R10 620(Ω)
R11 200(kΩ)
R15 1.5(kΩ)
R16 1.5(kΩ)
R17 2.2(kΩ)/2(W)
R18 200(kΩ)
R20 4.7(Ω)
RL 4(Ω
D1,D2,D3,D4,D5 1N4007
C5 0.33(𝜇𝐹/50𝑉)
C6 47(𝜇𝐹/50V)
C7 47(𝜇𝐹/50V)
C2 470(𝜇𝐹/50𝑉)
C4 4.7(𝜇𝐹/50𝑉)
CX 100(pF)
C8 10(nF)

lOMoARcPSD|32001571
5.18. Kết quả:

*Các phần mềm sử dụng:
- Phần mềm mô phỏng: Proteus
- Phần mềm vẽ mạch in: Altium
5.18.1 Sơ đồ nguyên lý sau khi tính toán hoàn chỉnh vẽ bằng altium:

lOMoARcPSD|32001571
5.18.2 Hình ảnh mạch dưới dạng 2D:

lOMoARcPSD|32001571
5.18.3 Hình ảnh mạch dưới dạng 3D:

lOMoARcPSD|32001571
5.18.4 Sơ đồ nguyên lý sau khi tính toán hoàn chỉnh vẽ bằng proteus:

lOMoARcPSD|32001571
5.18.5 Kết quả mô phỏng điện áp:

lOMoARcPSD|32001571
5.18.6 Kết quả mô phỏng dòng điện:

lOMoARcPSD|32001571
5.18.7 Kết quả mô phỏng tín hiệu SINE 1KHz - 0.775V pp:

lOMoARcPSD|32001571
5.18.8 Kết quả mô phỏng băng thông:

lOMoARcPSD|32001571

lOMoARcPSD|32001571

lOMoARcPSD|32001571

lOMoARcPSD|32001571

lOMoARcPSD|32001571

lOMoARcPSD|32001571

lOMoARcPSD|32001571

lOMoARcPSD|32001571

lOMoARcPSD|32001571

lOMoARcPSD|32001571

lOMoARcPSD|32001571

lOMoARcPSD|32001571

lOMoARcPSD|32001571

lOMoARcPSD|32001571

lOMoARcPSD|32001571

lOMoARcPSD|32001571
84

lOMoARcPSD|32001571
ĐỒ ÁN KỸ THUẬT MẠCH ĐIỆN TỬ GVHH: VÕ TUẤN MINH
KẾT LUẬN
1. Những kết quả đạt được:
-Qua một kì miệt mài làm việc, với sự hướng dẫn tận tình của Thầy Võ Tuấn Minh
và những thầy cô khoa Điện Tử-Viễn Thông, nhóm chúng em đã đạt được những
kết quả sau:
- Thiết kế và chế tạo được mạch khuếch đại công suất âm tần OCL-50W có khả
năng sử dụng rộng rãi .
- Đạt được những mục tiêu và yêu cầu ban đầu. -Vận dụng được nhiều kiến thức về
khuếch đại công suất trong quá trình thi công. - Tìm hiểu được nhiều mẫu có thể sử
dụng sau này. - Khả năng tìm tài liệu trên mạng. - Khả năng làm việc theo nhóm.
2. Những thuận lợi và khó khăn khi thực hiện đề tài:
2.2 Thuận lợi:
- Nhờ những trang thiết bị của nhà trường, đã tạo điều kiện thuận lợi cho nhóm
trong quá trình tìm kiếm tài liệu trên mạng, cũng như trong quá trình thiết kế và thi
công.
- Được sự hướng dẫn tận tình của Thầy Võ Tuấn Minh và những thầy cô khoa
Điện Tử-Viễn Thông trong suốt thời gian qua.
2.2 Khó khăn:
- Thời gian thực hiện đề tài có giới hạn. - Nhóm gặp nhiều khó khăn trong việc tìm
tài liệu (khả năng sử dụng tiếng anh của nhóm còn hạn chế với những tài liệu nước
ngoài).
- Mất nhiều thờ gian trong quá trình thiết kế do phải lựa chọn nhiều phươngán
nhằm đáp ứng yêu cầu đề ra ban đầu. Tuy nhiên vẫn còn nhiều chỗ chưa được như
ý muốn.
Trang 85
Nhóm 18N40A

lOMoARcPSD|32001571
ĐỒ ÁN KỸ THUẬT MẠCH ĐIỆN TỬ GVHH: VÕ TUẤN MINH
TÀI LIỆU THAM KHẢO
1, Phạm Minh Hà -Kỹ Thuật Mạch Điện Tử -Nhà Xuất Bản Khoa Học
Và Kỹ Thuật – Năm xuất bản: 2002.
2, Nguyễn Bính – Điện Tử Công Suất – Nhà Xuất Bản Khoa Học Và Kỹ
Thuật – Năm xuất bản: 1995
3, Nguyễn Văn Tuấn – Giáo trình kỹ thuật mạch điện tử.
4, Trang Web: https://www.alldatasheet.com/ .
Trang 86
Nhóm 18N40A

Ocl Vi Sai Ocl Vi Sai

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Ocl Vi Sai Ocl Vi Sai

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

lOMoARcPSD|32001571

OCL vi sai - OCL vi sai

Studocu is not sponsored or endorsed by any college or university

TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA ĐẠI HỌC ĐÀ NẴNG

KHOA ĐIỆN TỬ-VIỄN THÔNG

BÁO CÁO ĐỒ ÁN KỸ THUẬT MẠCH ĐIỆN TỬ

GVHH : VÕ TUẤN MINH

ĐÀ NẴNG THÁNG 8 NĂM 2021

Downloaded by Quang Nh?t Hu?nh (qnizz17@gmail.com)

Đồ án KTMĐT GVHH: Võ Tuấn Minh

Nhóm 18N40A Trang 1

Đồ án KTMĐT GVHH: Võ Tuấn Minh

Nhóm 18N40A Trang 2

Đồ án KTMĐT GVHH: Võ Tuấn Minh

3.2.2.Phân loại hồi tiếp: ..............................................................................29

Nhóm 18N40A Trang 3

Đồ án KTMĐT GVHH: Võ Tuấn Minh

4.4.1. Sơ đồ mạch: .......................................................................................39

Nhóm 18N40A Trang 4

Đồ án KTMĐT GVHH: Võ Tuấn Minh

5.18.2 Hình ảnh mạch dưới dạng 2D: .......................................................62

Nhóm 18N40A Trang 5

Đồ án KTMĐT GVHH: Võ Tuấn Minh

Chương 1: GIỚI THIỆU VỀ CÁC TRANSISTOR

Nhóm 18N40A Trang 6

Đồ án KTMĐT GVHH: Võ Tuấn Minh

- Chuyển tiếp Collector (JC) giữa miền C-B.

Nhóm 18N40A Trang 7

Đồ án KTMĐT GVHH: Võ Tuấn Minh

1.2.2 Chế độ khuếch đại:

Nhóm 18N40A Trang 8

Đồ án KTMĐT GVHH: Võ Tuấn Minh

- Hệ thức liên hệ giữa các dòng điện:

- Hệ số khuếch đại dòng điện:

Nhóm 18N40A Trang 9

Đồ án KTMĐT GVHH: Võ Tuấn Minh

1.3.2 Mạch Emitter chung (EC):

Nhóm 18N40A Trang 10

Đồ án KTMĐT GVHH: Võ Tuấn Minh

Chương 2: KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ

Nhóm 18N40A Trang 11

Đồ án KTMĐT GVHH: Võ Tuấn Minh

Nhóm 18N40A Trang 12

Đồ án KTMĐT GVHH: Võ Tuấn Minh

2.2.2 Phân cực hồi tiếp cực Emitter:

Nhóm 18N40A Trang 13

Đồ án KTMĐT GVHH: Võ Tuấn Minh

cực E của BJT trong mạch phân cực cố định.

Nhóm 18N40A Trang 14

Đồ án KTMĐT GVHH: Võ Tuấn Minh

- Trong vùng bão hòa: VCE = 0V

>> Kết luận:

Nhóm 18N40A Trang 15

Đồ án KTMĐT GVHH: Võ Tuấn Minh

Nhóm 18N40A Trang 16

Đồ án KTMĐT GVHH: Võ Tuấn Minh

Nhóm 18N40A Trang 17

Đồ án KTMĐT GVHH: Võ Tuấn Minh

IC= 0 => VCE = VCC .

*Phân tích mạch trong chế độ bão hòa:

Nhóm 18N40A Trang 18

Đồ án KTMĐT GVHH: Võ Tuấn Minh

Nhóm 18N40A Trang 19

Đồ án KTMĐT GVHH: Võ Tuấn Minh