天线原理与设计

教师： 王建

电子工程学院二系
 第二章 天线的阻抗
本章的主要目的是要求天线的输入阻抗，它是天线
的重要参数之一。因为知道天线的输入阻抗之后，就可
以选择合适的馈电传输线与之匹配。
要严格计算天线的输入阻抗是困难的，工程上常采
用一些近似方法。主要有三种方法，即
■ 坡印亭矢量法；
■ 等值传输线法;
■ 感应电势法。
坡印亭矢量法是先求得天线的辐射功率Pr，然后由
Rr=2 Pr/ I2m 求得其辐射电阻。这个方法前面已经作了介
绍。这里主要讨论等值传输线法和感应电势法。
 2.1 等值传输线法
坡印亭矢量法是由远区辐射场求得表示功率密度的
坡印亭矢量，然后在以天线中点为圆心，以远区距离为
半径的一个球面上积分求得辐射功率，最后求得辐射电
阻。该方法的缺点是：
(1) 只能计算天线的输入电阻，不能计算输入电抗。
(2) 由于假定天线上电流为正弦分布，使得天线输入端为
波节点时(如全波振子)，不能求出输入电阻。
等值传输线法可以计算天线输入阻抗(包括虚、实部)。
该方法所得公式简便，便于工程应用。
对称振子是由一段开路的双线传输线张开而成，把它
等效为传输线是很自然的，于是可用传输线理论来计算
它的输入阻抗。
 设有一段长为l，特性阻抗为Zc的有耗开路传输线如
下图(a)所示，由传输线理论可得其输入阻抗为
Z in = Z c coth(γ l )
= Z c coth[(α + jβ )l ] (2.1)

R1 + jω L1
式中，Z c = (2.2)
G1 + jω C1
γ = α + jβ
= ( R1 + jω L1 )(G + jω C1 ) (2.3a)
β 和α 分别为相位常数和衰减常数, R1、G1、L1和C1为传
输线的分布参数, 分别代表单位长度上的电阻、电导、电
感和电容. 忽略G1, 且假设传输线损耗小R1 <<ωL1, 可得
返回
 R1
γ = jω L1C1 (1 − j ) = α + jβ (2.3b)
2ω L1
⎧ R1 C1 R1
⎪α = =
⎨ 2 L1 2 Z 0 (2.4)
⎪
⎩ β = ω L1C1
R1 α
Z c = Z 0 (1 − j ) = Z 0 (1 − j ) (2.5)
2ω L1 β
Z0为传输线无耗时的特性阻抗
(2.7)
Z 0 = L1 / C1
若已知Z0、R1和C1，由式(2.1)就可确定一段长为l的有耗
开路传输线的输入阻抗。显然这还不能用于对称振子天
线，因为双线传输线与对称天线存在如下显著的差别：
返回
(1) 传输线是非辐射系统，线上损耗为导体的欧姆损耗。
而对称振子天线是辐射系统，电流从输入端到末端，其
间的每一点都将产生能量的辐射，可用单位长度上的能
量损耗来表示传输线的分布电阻R1。
(2) 双线传输线的两线距离恒定，分布参数是均匀的。
而对称振子天线的两臂上对称点之间的距离是变化的，
见前面图(b)，分布参数是非均匀的。
但是，对称振子天线的输入阻抗仍然可用式(2.1)表
示，但必须修改参数Zc、α 和β。
1、修改特性阻抗Zc
在D>>ρ的情况下，无耗双线传输线的特性阻抗为
Z 0 = 120 ln( D / ρ ) (2.7)
链接
式中D为两线间距，ρ为导线截面直径，见下图。而对称
振子两臂上的两个对称点之间的距离为D=2z，其特性阻
抗在0<z<l内是变化的。可用如下方法求对称振子的平均
0<z<
特性阻抗
1 l 2z
Z 0′ = ∫ 120ln( )dz
l 0 ρ
2l
= 120[ln( ) − 1] (2.8)
ρ

由此式可见，对称振子的
臂长l愈小, 或导线截面直
径ρ愈大, 则Z'0就小。把
α
式(2.5)中的Z0用Z'0替代, 得 Z c′ = Z 0′ (1 − j ) (2.9)
β

链接
2、修改衰减常数α
在不计G1的情况下，传输线的衰减常数α是由传输
线上单位长度的导体热损耗电阻 R1 产生的。对于对称振
子天线来说，不计导体热损耗， R1 由单位长度的辐射电
阻R'1取代，并假设R'1沿天线是均匀的。这际上就是确定
α ′ = R1′ / 2 Z 0′
设天线上电流分布为I( I(z))，线元dz的辐射功率为
1 2
dPr = I ( z ) R1′dz (2.10)
2
1 l 2
辐射总功率为 Pr = ∫ I ( z ) R1′dz (2.11)
2 0
1 2 l
由 Pr = I m Rr 有 I m Rr = ∫ I 2 ( z ) R1′dz
2
(2.12)
2 0
 设R'1沿线不变，即等效辐射损耗均匀地分布于振子
臂上，并代入I(z)=Imsin sin[[β(l-|z|)] 后积分，得
2 Rr
′
R1 = (2.13)
sin(2 β l )
l [1 − ]
2β l
R1′ Rr
因此 α′ = =
(2.14)
2 Z 0′ Z ′l [1 − sin(2 β l ) ]
0
2β l
3、修改相位常数β
影响天线电流传播相位常数改变的原因有两点：
■电流波在天线上一边传输一边辐射，使得电流有衰
减，电流传播的相速减小，波长缩短，相位常数大于自
由空间相位常数。
■对称振子有一定直径，其馈电端和末端分布电容增
大，末端电流实际不为零，振子愈粗，末端效应愈显
著，这也将影响相位常数。
一般情况下，可由β'取代β。由于影响相位常数改变
的因素不止一个，要确定是较困难的。书上 P33 图 2-8 给
出了天线上电流传播的相位常数与自由空间相位常数的
比值ξ=β'/β随l/λ变化的曲线，参变量为d/λ，d为导线直
径。在大多数情况下 β'与 β接近，所以工程上一般取 β '
＝β。
4、对称振子的输入阻抗Zin
由式(2.1)的输入阻抗公式 Z in = Z c′ coth[(α ′ + jβ )l ]
α′
及 Z c′ = Z 0′ (1 − j ) ，并把虚、实部分开，得
β
 α′
Z in = Z 0′ (1 − j ) coth[( jβ + α ′)l ]
β
Z 0′ α′
= ′
{[sinh(2α l ) − sin(2 β l )]
cosh(2α ′l ) − cos(2 β l ) β
(2.15)
α′
− j[ sinh(2α ′l ) + sin(2 β l )]}
β
式中采用的是自由空间相位常数 β . 可以证明 , 当 α 'l<<1
时, 上式可简化为
Rr Z 0′ sin(2 β l )
Z in = 2 2
−j (2.16)
( Rr / Z 0′ ) + sin β l 2 ( Rr / Z 0′ )2 + sin 2 β l
当 ( Rr / Z 0′ )2 ≪ sin 2 β l 且l≤0.4
0.4λλ 时，上式又可简化为
Rr
Z in = 2 − jZ 0′ cot( β l ) (2.17)
sin β l
由式(2.16)计算的对称振子输入电阻和电抗随l/λ变化的曲
线如下图所示，图中参变量为振子的平均特性阻抗Z'0 。

由此图可总结出对称振子天线输入阻抗的如下特点：

返回1
1 返回
(1) 对称振子的平均特性阻抗Z'0愈小，输入阻抗Zin=Rin+
jXin随l/λ的变化就愈小，阻抗曲线就愈平缓，其频率特
性就愈好。实际中常采用加大振子直径的办法来降低特
性阻抗，以展宽工作频带。短波波段使用的笼形对称振
子(P67)就是基于这个原理。
(2) 当l<λ/4时，输入阻抗呈容性, 并有不大的输入电阻。
(3)当l≈λ/4时(半波振子)，输入电抗为零，对称振子就如
一个串联谐振电路。此时Zin≈Rin= Rr=73
=73Ω。
(4) 当λ/4<l<λ/2时，输入阻抗呈感性；
/4<
(5) 当l≈λ/2时(全波振子)，振子相当于一个并联谐振电路,
输入电抗为零, 输入电阻为最大值, 此时由式(2.16)有
Z 0′2
Z in = Rin = (2.18)
Rr
链接
(6) 对称振子谐振长度的缩短现象
对称振子的谐振长度是其输入阻抗的虚部为零时的
长度。由前面图可见，Xin=0对应的电长度略小于0.25和
略小于0.5。这一现象称之为缩短效应。振子天线愈粗，
缩短愈多。所以，实际使用的半波振子全长是小于半个
波长的。产生缩短的原因大致有两点：
①以上计算是取β'=β, 但由于电流波沿振子边传输边辐
射有衰减, 使得相位常数变大β'>β , 波长缩短λ'<λ 。
②振子天线的“末端效应”。振子导体有一定直径，使振
子馈电端和两个末端的分布电容增大, 馈电端的效应使得附
加电容与天线输入阻抗一起并联在馈电传输线上，引起误差；两
个末端的效应使得末端电流不为零，这将使振子的等效
长度增大，造成谐振长度缩短，如下图所示。
链接
 显然，振子愈粗，缩短效应愈明显。因此，设计半波
振子天线时要考虑缩短效应。
半波和全波振子的输入阻抗都是纯电阻，易于和馈
线匹配。但是与全波振子相比，在半波振子长度附近其
阻抗曲线要平缓的多，工作频带要宽的多。因此，在工
程中大多采用半波振子。
 2.2 感应电动势法
坡印亭矢量法是在以天线中心为球心，远区距离r为
半径的一个球面上对坡印亭矢量(功率密度)积分求出辐
射功率，然后求得天线的辐射电阻。坡印亭矢量法只涉
及远场的实功率，不涉及近场的储能虚功率，因此它只
能求电阻，不能求电抗。
天线的辐射功率包括实功率和虚功率两部分:
■实功率是向空间辐射的有功功率，为坡印亭矢量法计
算的部分，可由远场来计算；
■虚功率是存储于天线附近的无功功率，必须由近场来
计算，这恰恰是计算天线输入电抗的部分。
2.2.1 单根圆柱对称振子的辐射阻抗
1. 圆柱对称振子的近区场
圆柱对称振子如下图所示, 并建立坐标系。对问题的
分析采用圆柱坐标, 设近区场点P的坐标为(ρ,φ,z), 它与
,z),
天线轴线上的中心点和上下端
点的距离分别为
⎧r = ρ 2 + z 2
⎪
⎪ 2 2
R
⎨ 1 = ρ + ( z − l ) (2.19)
⎪ 2 2
R
⎪⎩ 2 = ρ + ( z + l )
式中，l为振子臂长。在求解问
题之前我们作如下两点假设：
返回
①振子上电流为正弦分布，振子截面半径a很小(a<<l)，
电流在圆柱表面是均匀的，因此可看作电流集中在振子
轴线上，其表示为：
I ( z ) = I m sin[ β (l − | z |)] (2.20)
②馈电间隙δ很小(δ <<l)，其影响可忽略。
由振子上的电流分布可求得矢量磁位为
µ l e − jβ R
A = zˆ 0 ∫−l I ( z′) R dz′ (2.21)
4π
1 1 ∂Az
并利用关系 H = ∇ × A = ϕˆ [− ] (2.22)
µ0 µ 0 ∂ρ
I m − jβ R1
可得 Hϕ = j [e + e − jβ R2 − 2 cos( β l )e − jβ r ] (2.23)
4πρ
再由麦氏方程 ∇ × H = jωε 0E ，可得
η0 I m e − jβ R1 e − jβ R2 e − jβ r
Eρ = j [( z − l ) + (z + l) − 2 z cos( β l ) ] (2.24)
4πρ R1 R2 r

η0 I m e − jβ R1 e − jβ R2 e − jβ r
和 Ez = − j [ + − 2 cos( β l ) ] (2.25)
4π R1 R2 r

圆柱对称振子的近区电磁场只有三个分量Hφ、Eρ和
Ez，这三个场分量的最后一项在振子臂长l 恰好为λ/2的奇
数倍时为零。
当ρ=a时，这三个近场分量就是振子圆柱表面的场。
2. 感应电动势法求辐射阻抗
假如我们把坡印亭矢量法中的大球面缩小，直到缩小
到天线的圆柱表面，通过这一封闭柱面的总功率表示为
1
Pr = �∫∫ E × H *
ids (2.26)
2 s
式中，s为圆柱表面，ds = nds
ˆ ，n̂ 为圆柱表面的外法线单位
矢量，ds为积分面元。从形式上看，式(2.26)与坡印亭矢
量法求辐射功率的表示相同，但其中的电磁场已经不同。
坡印亭矢量法中所用的电磁场是远区场，这里的积分面
在天线表面，式中的电磁场必须是近场。
式(2.26)中的电磁场矢量分别为 E = ρˆ Eρ + zE ˆ z和 H = ϕˆ Hϕ ,
则
E × H * = zE
ˆ ρ H ϕ* − ρˆ Ez H ϕ* (2.27)
返回
 当振子半径很小时，封闭柱面的上下底面的积分可忽
略不计，只考虑圆柱侧面的积分。此时
ds = ρˆ ds = ρˆ adϕ dz
把式(2.27)代入(2.26), 并注意到近场各分量与坐标φ无关,
得 1 2π l
Pr = − ∫ dϕ ∫ Ez (a, z ) Hϕ* (a, z )adz
2 0 −l

1 l *
= − ∫ Ez (a, z ) Hϕ (a, z )2π adz (2.28)
2 − l

由安培环路定律 2π aHϕ (a, z ) = I ( z ) ，则得

1 l
Pr = − ∫ Ez (a, z ) I * ( z )dz (2.29)
2 −l
式中，[-Ez(a,z)dz]表示振子dz小段上驱动电流流动的感应
电动势，故此法称之为“感应电动势法”。
链接
 1 1
由 Pr = | I m |2 Z r = I m I m* Z r (2.30)
2 2
可得归算为波腹电流Im的辐射阻抗Zr为
1 l
Zr = − ∫ Ez (a, z ) I * ( z )dz (2.31)
I m I m* −l

η0 I m e − jβ R1 e − jβ R2 e − jβ r
把 E z (a, z ) = − j [ + − 2 cos( β l ) ]ρ = a
4π R1 R2 r
和 I ( z ) = I m sin[ β (l − | z |)] 和代入式(2.31)，得
η0 l e − jβ R1 e − jβ R2 e − jβ r
Zr = j ∫−l sin β (l − | z |)[ R1 + R2 − 2 cos(β l ) r ]ρ =a dz
4π
= Rr + jX r (2.32)
式中， r = a 2 + z 2 , R1 = a 2 + ( z − l )2 , R2 = a 2 + ( z + l )2
a为振子截面半径, β=2π/λ, η0=120π. 经一系列运算后,
上式的实部电阻和虚部电抗可用正、余弦积分表示如下
Rr = 30 {2[C + ln(2 β l ) − Ci (2 β l )]
+ cos(2 β l )[C + ln( β l ) + Ci (4 β l ) − 2Ci (2 β l )]
+ sin(2 β l )[ Si (4 β l ) − 2 Si (2 β l )]} (2.33)
X r = 30 {2 Si (2 β l ) + cos(2 β l )[2 Si (2 β l ) − Si (4 β l )]
− sin(2 β l )[2Ci (2 β l ) − Ci (4 β l ) − Ci (2 β a 2 / l )]} (2.34)
式(2.33)表示的辐射电阻与坡印亭矢量法所得结果完
全相同，因为在无耗空间中，通过包围辐射源的任意封
闭面的实功率是一样的。
由式(2.33)和(2.34)可计算并并绘出辐射电阻和电抗随
l/ λ变化的曲线如下图所示。
 当电流采用近似的正弦分布时，所得辐射电阻与振子
的截面半径无关，但辐射电抗的值却随振子截面半径的
增大而减小。因此宽频带天线往往采用粗振子，粗振子
天线有较小的电抗。
对常用的半波振子辐射阻抗为
Z r |l =λ / 4 = 73.1 + j 42.5 (Ω) (2.35)
在式(2.30)中, 如果波腹电流Im换成输入电流Iin=Imsinβl，
则得“归算于输入电流的辐射阻抗”，即输入阻抗
Zr ⎧⎪ Rin = Rr / sin 2 ( β l )
Z in = 2 ⎨ (2.36)
sin β l 2
⎪⎩ X in = X r / sin ( β l )
对半波振子(βl=π/2
/2))，其输入阻抗就是其辐射阻抗。
至此，我们讨论了单个振子天线的辐射阻抗，和输入阻抗的分
析方法。但对于由若干天线组成的阵列天线，各天线之间相距很
近，互相耦合很强，不容忽略。
2.2.2 二元耦合对称振子的互阻抗
相距较近的天线之间将发生很强的电磁耦合，它们周围空间的
电磁场要发生变化，每个天线上的电流、辐射功率和输入功率也
将改变。因此，与电流、功率相联系的辐射阻抗和输入阻抗也将
发生变化。
1. 二元耦合振子天线的阻抗方程
任意排列的对称振子二元阵如下图所示。当振子 1单
独存在时，它在电源的激励下产生电流I1，并建立满足本
身边界条件的电磁场，设其表面的切向电场为 Ez11。然后
在振子1的附近放置振子2，
此时振子2上的电流将在振子1
的表面产生切向电场Ez12(称为
感应电场)。此时振子1表面上
的总切向电场为
Ez1 = Ez11 + Ez12 (2.37)
在振子2影响下，振子1的
总辐射功率为
返回
 1 l1 1 l1
Pr1 = − ∫ E z1 I1 dz1 = − ∫ ( E z11 + E z12 ) I1*dz1
*

2 − l1 2 − l1
= P11 + P12 (2.38)
1 l1
式中， P11 = − ∫ Ez11 I1*dz1 (2.39)
2 − l1
1 l1
P12 = − ∫ E z12 I1*dz1 (2.40)
2 − l1
■P11是振子1单独存在时的辐射功率, 称为自辐射功率；
■P12是由振子2的影响, 在振子1上的感应电动势[-Ez12dz1]
产生的功率，称为感应辐射功率。
同理，可得在振子1影响下振子2的总辐射功率为
返回
 Pr 2 = P21 + P22 (2.41)
1 l2
式中， P21 = − ∫ Ez 21 I 2*dz2 (2.42)
2 − l2
1 l2
P22 = − ∫ Ez 22 I 2*dz2 (2.43)
2 − l2
■P22是振子2单独存在时的自辐射功率；
■P21是由振子1的影响, 在振子2上的感应电动势[-Ez21dz2]
产生的感应辐射功率。
⎧ 2 Pr1 2 P11 2 P12
设振子 和 上电 ⎪
1 2 2
= 2
+ 2
流的波腹值分别为 I1m ⎪ 1m | I | | I1m | | I1m |
⎨ (2.44)
和 I2m ， 由 式 (2.38) 和 ⎪ 2 Pr 2 2 P21 2 P22
= +
(2.41)可得 ⎪⎩ | I 2 m | | I 2 m | | I 2 m |2
2 2

链接
 ⎧ I 2m
⎪ Z r1 = Z11 + I Z12
则 ⎪ 1m
(2.45)
⎨
⎪ Z = I1m Z + Z
⎪⎩ r 2 I 2 m 21 22

2 Pr1
式中， Z r1 = | I1m |2
为振子1的总辐射阻抗； (2.46a)
2 Pr 2 (2.46b)
Zr 2 = 为振子2的总辐射阻抗；
| I 2 m |2
2 P11
Z11 = 2 为振子 1 单独存在时的自阻抗； (2.46c)
| I1m |
2 P12
Z12 = * 为振子2对振子1影响的感应互阻抗；(2.46d)
I1m I 2 m
2 P22 (2.46e)
Z 22 = 为振子 2 单独存在时的自阻抗；
| I 2 m |2
2 P21
返回 Z 21 = * 为振子1对振子2影响的感应互阻抗；(2.46f)
I 2 m I1m
根据互易原理 Z12 = Z 21 (2.47)
如果振子1和振子2的几何尺寸相同，则 Z11 = Z 22
对式(2.45)的第一和第二式两边分别乘以I1m和I2m，并
记，U1= I1m Zr1，U2= I2m Zr2 ，则得阻抗方程
⎧U1 = I1m Z11 + I 2 m Z12
⎨ (2.48)
⎩U 2 = I1m Z 21 + I 2 m Z 22
由此关系可以得到二元耦合振子天线的等效电路，如下
图所示。
对于二元耦合振子，振子的
自阻抗前面式 (2.32) 已经求得，
根据互易原理，我们只需计算互
阻抗Z12即可。
链接
 1 l1 * 2 P12
由 P12 = − ∫− l1 Ez12 I1 dz1 和 Z12 = * 得
2 I1m I 2 m
1 l1
*
Z12 = − * ∫ E I dz1
z12 1 (2.49)
I1m I 2 m − l1

要计算任意排列的二元耦合对称振子之间的互耦电场
Ez21是较复杂的。然而，在实际应用时对称振子组成的阵
列中，各振子均是平行排列的，且几何尺寸相同 ( 即 l1=
l2=l)。这种情况下的计算是较容易的。
1. 平行等长对称振子二元阵的互阻抗
平行二元耦合对称振子的互阻抗可由式 (2.49) 计算，
此式中的互耦电场是振子 2 在振子 1 的表面产生的切向电
场，它可由前面式(2.25)计算，即
返回
 η I 2 m e − j β R1 e − j β R2 e− jβ r
Ez12 =−j [ + − 2 cos( β l ) ] (2.50)
4π R1 R2 r
在如图z´坐标系下，式中
r = d 2 + ( z′ + H )2
R1 = d 2 + ( z′ + H − l ) 2
R2 = d 2 + ( z′ + H + l )2
振子1上电流分布为
I1 ( z ) = I1m sin β (l − | z ′ |)
(2.51)
把式(2.50)和(2.51)代入(2.49)得
jη l e − jβ R1 e − jβ R2 e − jβ r
Z12 =
4π ∫−l sin β (l − | z′ |)[ R1 + R2 − 2 cos( β l ) r ]dz′
链接
或 Z12 = R12 + jX 12 (2.52)
R12 = 15 {sin( w0 )[2 Si ( w1 ) − 2 Si ( w1′) − Si ( w2 ) + Si ( w2′ ) − Si ( w3 ) + Si ( w3′ )]
− cos( w0 )[−2Ci ( w1 ) − 2Ci ( w1′ ) + Ci ( w2 ) + Ci ( w2′ ) + Ci ( w3 ) + Ci ( w3′ )]}
(2.53)
X 12 = 15 {sin( w0 )[2Ci ( w1 ) − 2Ci ( w1′ ) − Ci ( w2 ) + Ci ( w2′ ) − Ci (w3 ) + Ci (w3′ )]

− cos( w0 )[2 Si ( w1 ) + 2 Si ( w1′ ) − Si ( w2 ) − Si ( w2′ ) − Si ( w3 ) − Si ( w3′ )]}

(2.54)
式中， w0 = β H (2.55a)
w1 = β ( d 2 + H 2 + H ) (2.55b)
w1′ = β ( d 2 + H 2 − H ) (2.55c)
w2 = β [ d 2 + ( H − 2l )2 + ( H − 2l )] (2.55d)
 w2′ = β [ d 2 + ( H − 2l )2 − ( H − 2l )] (2.55e)
w3 = β [ d 2 + ( H + 2l )2 + ( H + 2l )] (2.55f)

w3′ = β [ d 2 + ( H + 2l ) 2 − ( H + 2l )] (2.55g)

由式(2.53)、(2.54)和(2.55)可计算平行排列的等长二元
耦合对称振子之间的互阻抗，并可得到书上P369－386的
半波对称振子互阻抗表。

对两种特殊排列形式，即共轴排列和并排平行排列，
绘出了互阻抗Z12随间距的变化曲线，如下图所示。
 两个耦合振子之间的互耦强弱，主要反映在互阻抗值
上。由上面两图可见：
①互阻抗值随间距的变化呈波动变化，而且间距愈大，
互阻抗值逐渐变小，呈 “ 震荡衰减状 ” ，这说明两振子之
间的互耦随间距增大而减小；
②并排平行排列的两个振子之间的互阻抗的变化幅度比
共轴排列的要大些，说明前者的互耦要强些。
③互阻抗的实部R12有正有负，它表示另一根振子在这根
振子上附加的感应电动势源而产生的；而自辐射阻抗的
实部为大于零的正数，它表示振子单独存在时全部辐射
的有功功率均由它吸收。
【例2.1】如图为两种情况的半波振子二元阵，查表计算
各振子的辐射阻抗Zr1和Zr2。
解：已知半波振子的自阻抗为
Z11 = Z 22 = 73.1 + j42.5 (Ω)
■图(a)： d / λ = 0.25
H /λ = 0
返回
 表中无d/
d/λλ=0.25对应的Z12值，可查得前后两个值取平
均。得
43.1 + 38.5 26.8 + 29.8
Z12 = Z 21 = −j = 40.8 − j28.3 (Ω)
2 2
I 2m
Z r1 = Z11 + Z12 = 73.1 + j42.5 + j(40.8 − j 28.3) / 2
I1m
= 87.25 + j62.9 (Ω)
I1m
Zr2 = Z12 + Z 22 = − j2(40.8 − j28.3) + 73.1 + j42.5
I 2m
= 16.5 − j39.1 (Ω)
■图(b)： d / λ = 0.24, H / λ = 0.5
查表得 Z12 = Z 21 = 11.7 − j11.9 (Ω)
链接
则 Z r1 = Z11 + Z12 = 84.8 + j30.6 (Ω)
Z r 2 = Z r1

2.3 无源振子
前面讨论的二元耦合振子，是每个单元都加激励的情
况，输入端电压分别为 U1和 U2 。若两个耦合振子中有一
个不加激励，这个不加激励的振子就称作无源振子，或
寄生振子。无源振子广泛应用于短波和超短波波段中。
例如，八木天线(见书上P131图6-12)，就是由一个无源反
射器，一个激励振子和多个无源引向器振子组成的。
要计算由一个激励振子和一个无源振子组成的二元阵
的方向图、辐射阻抗等参量，首先要确定无源振子上的
电流分布及其与激励振子上电流分布之间的关系。
 如果能调节无源振子上的电流幅度和相位，就能得到
二元阵所需要的方向图。无源振子上的电流幅度和相位
的调节，大致可用如下两种方法：
■改变无源振子的长度，及两振子间距，以改变其自阻
抗和互阻抗；
■在无源振子上接入可变电抗，如一段短路传输线，调
节短路点位置，可改变接入电抗的大小和相位。

含无源振子的二元阵如图所
示。有两种情况，即无源振子接
入电抗XL和无源振子短路。
1. 无源振子和激励振子上的电流比
由二元耦合振子的阻抗方程式(2.48)，即
⎧U1 = I1m Z11 + I 2 m Z12
⎨
⎩U 2 = I1m Z 21 + I 2 m Z 22
振子2是无源的，U2=0。该阻抗方程中的阻抗Zij是归为波
腹电流 Im 的辐射阻抗。如果要改为归为输入电流 Iin 的输
入阻抗，则改阻抗方程可写作
⎧U1 = I1in Z11in + I 2in Z12in
⎨ (2.56)
⎩0 = I1in Z 21in + I 2in ( Z 22in + jX L )
式中， I km I *pm
Z kpin = *
Z kp , k , p = 1, 2 (2.57)
I pin I kin
 若U1和XL已知，归算于波腹电流的各阻抗也可算得，
此式可解出振子 1和2上的输入电流Ikin。假设振子上的电
流为正弦分布
I k ( z ) = I km sin β (lk − | z |) , k = 1, 2 (2.58)
则 I kin = I km sin β lk (2.59)
这样，就可采用前面的方法求得二元阵的辐射方向图。
为简单起见, 这里只求无源振子和激励振子上的电流比。
由式(2.56)的第二式可得
I 2in Z12in R12in + jX 12in
=− =− (2.60)
I1in Z 22in + jX L R22in + j ( X 22in + X L )

式中用了关系 Z21in =Z12in。令 I 2in / I1in = me jα ，得

 R122 in + X 122 in
m= (2.61)
R222 in + ( X 22in + X L )2
X 12in X 22in + X L
α = π + arctan( ) − arctan( ) (2.62)
R12in R22in
由式(2.56)可得振子1的输入阻抗为
U1
Z1in = = Z11in + me jα Z12in (2.63)
I1in
如果振子1为半波振子，则输入电流就是波腹电流。
若将无源振子的可调电抗短路XL=0，则
R122 in + X 122 in
m= (2.64)
R222 in + X 222 in
 X 12in X 22in
α = π + arctan( ) − arctan( ) (2.65)
R12in R22in

2. 含无源振子的二元阵方向图
含无源振子的二元阵的阻抗方程为
⎧U1 = Z11 I1 + Z12 I 2
⎨
⎩0 = Z 21 I1 + ( Z 22 + jX L ) I 2
⎧ L1 , L2 ≤ λ / 2 , I1 , I 2 → I1m , I 2 m
⎨
⎩ L1 ≤ λ / 2, L2 > λ / 2 , I1 → I1m , I 2 → I 2in = I 2 m sin β l
I2 Z12
=− = me jα
I1 Z 22 + jX L
若L1=L2: fT (θ , ϕ ) = f 0 (θ , ϕ ) f a (θ , ϕ )
cos( β l cos θ ) − cos( β l )
其中 f 0 (θ ) =
sin θ
f a (θ ) = 1 + me jψ , ψ = β d cos θ y + α

两个振子的电流幅度比m和相位差α，取决于无源振
子的自阻抗、互阻抗, 以及接入无源振子的可调电抗XL。
改变m和α，都会引起二元阵方向图的变化。

要调整二元阵的方向图,可以采用改变无源振子长度、
两振子间距和可调电抗的办法来实现。
书上P41图2-17给出了二元阵的H面方向图随无源振子
的阻抗相角 arctan[( X 22in + X L ) / R22及间距
in ] d的变化。
3. 无源振子可作引向器和反射器
调节无源振子的长度及两振子间距及可变电抗，可改
变m和α。
■若使0< 0<α<<π，则二元阵的方向图最大值指向激励振子
方向，无源振子就为反射器；
■若使π<α<2 π，则二元阵方向图最大值指向无源振子方
<2π
向，无源振子就为引向器。
若不计可变电抗，这时的电流幅度比m和相位差α见
式(2.68)和(2.69)，则
①当无源振子臂长 2l2> λ /2 时： X22>0 ， tan-1(X22/R22)>0 ，
若间距 d=(0.15~0.4) λ , 有 X12<0, R12>0 ， tan-1(X12/R12)<0 ，
则0<α<π，即无源振子上的电流相位超前于激励振子的
电流相位，此时无源振子起反射器作用。
②当无源振子臂长 2l2< λ /2 时： X22<0 ， tan-1(X22/R22)<0 ，
若间距 d=(0.15~0.4) λ , 使 tan-1(X12/R12)-tan-1(X22/R22)>0 ，
则π<α<2π，即无源振子上的电流相位滞后于激励振子的
<2π
电流相位，此时无源振子起引向器作用。
总之，在间距d=(0.15~0.4)λ内，无源振子作为反射器
时的长度，应略大于串联谐振长度，作为引向器时的长
度，应略小于串联谐振长度。实际中应综合调整间距和
振子长度, 以便使无源振子具有良好的反射或引向作用。
从含无源振子的二元阵可以引伸出方向性较强的含
多个无元振子组成的端射直线阵天线。例如八木天线。
 2.4 对称振子阵的阻抗
1. 阵列中各振子的辐射阻抗
设天线阵有n个单元，二元阵的耦合振子阻抗方程式
(2.48)可推广到n元阵。即：
n
U i = ∑ I mj Z ij , i = 1, 2,⋯ , n (2.66)
j =1

可写成矩阵形式 [U ] = [ Z ][ I ] (2.67)
⎡U1 ⎤ ⎡ Z11 Z12 ⋯ Z1n ⎤ ⎡ I m1 ⎤
⎢U ⎥ ⎢ Z Z ⋯ Z ⎥ ⎢ I ⎥
2n
即 ⎢ 2 ⎥ = ⎢ 21 22 ⎥ ⎢ m2 ⎥ (2.68)
⎢⋮ ⎥ ⎢⋯ ⋯ ⋯ ⎥ ⎢⋮ ⎥
⎢ ⎥ ⎢ ⎥⎢ ⎥
⎣U n ⎦ ⎣ Z n1 Z n 2 ⋯ Z nn ⎦ ⎣ I mn ⎦
返回
 方阵中的各元素为 Zij ， i, j=1,2, … ,n 。当 j=i时 , Zii 表示
=1,2,…
第 i 个振子的自阻抗，当 j ≠ i时 , Zij 表示第 j个振子对第 i 个
振子的互阻抗。
由式 (2.66) 等号两边同除以 Imi 可得阵列中各振子的辐
射阻抗
n I n
Z ri = ∑ mj Z ij = Z ii + ∑ Z ij′ , i = 1, 2,⋯ , n (2.69)
j =1 I mi j =1, j ≠i

I mj
式中, Z ij′ = Z ij 称为第j个振子对第i个振子的感应辐射
I mi
阻抗。当Imj= Imi时，感应辐射阻抗就等于互阻抗。
对于电流等幅同相且单元几何尺寸相同的天线阵，式
(2.69)可简化为
链接
 n
Z ri = ∑ Z ij , i = 1, 2,⋯ , n (2.70)
j =1

上面各式中的辐射阻抗、自阻抗和互阻抗均是归算于
波腹电流的。
2. 天线阵的总辐射阻抗
天线阵的总辐射功率 P Σ , 等于各单元辐射功率的总
和，即 n
1 n
PΣ = ∑ Pri = ∑ | I im |2 Z ri (2.71)
i =1 2 i =1
于是，归算于第k个振子波腹电流的总辐射阻抗为
2 PΣ n
| I im |2
ZΣ = 2
=∑ 2
Z ri (2.72)
| I km | i =1 | I km |
 若是由半波振子组成的阵列，且电流等幅同相，则有
n
Z Σ = ∑ Z ri (2.73)
i =1

即等幅同相的半波振子阵列的总辐射阻抗为各单元辐射
阻抗之和。
3. 天线阵的方向性系数
由阵列总辐射阻抗取其实部，可得阵列天线的总辐射
电阻RΣ=Re(ZΣ), 若求得阵列的方向图函数fT(θ,φ)及最大
指向(θm, φm), 对称振子阵列的方向性系数可由下式计算
120 fT2 (θ m , ϕ m )
D= (2.74)
RΣ
【例2.2】对如图所示的全波振子，要求(1)导出其方向图
函数；(2)计算总辐射阻抗；(3)计算方向性系数D。
解：全波振子可以看作是一个共
轴半波振子二元阵。且二元阵的
垂直间距H=0.5 =0.5λλ，平行间距d=0。
(1) 方向图函数
fT (θ , ϕ ) = f 0 (θ , ϕ ) f a (θ , ϕ )
cos(π cosθ / 2)
式中，单元方向图函数: f 0 (θ , ϕ ) =
sin θ
βH
二元阵因子： f a (θ , ϕ ) = 2 cos( cosθ ) = 2 cos(π cosθ / 2)
2
2 cos 2 (π cosθ / 2) cos(π cosθ ) + 1
则 fT (θ , ϕ ) = =
sin θ sin θ
返回
直接由对称振子方向图函数公式：
cos( β l cos θ ) − cos β l
fT (θ , ϕ ) =
sin θ
取2l=λ，βl=π,, 也可得到同样结果。
(2) 总辐射阻抗ZΣ
单元1的辐射阻抗为： Z r1 = Z11 + Z12
单元2的辐射阻抗为： Z r 2 = Z 21 + Z 22
因Z11=Z22, Z12=Z21, 则Zr1=Zr2, 因此只须求出Z11和Z12即可。

半波振子自辐射阻抗： Z11 = 73.1 + j 42.5 ( Ω)

查表(H/
H/λλ=0.5, d/ =0))得互阻抗： Z12 = 26.4 + j 20.2 (Ω)
d/λλ=0
Z r1 = Z11 + Z12 = 99.5 + j 62.7 (Ω)
链接
由式(2.73)得二元阵(即全波振子)的总辐射阻抗为
Z Σ = Z r1 + Z r 2 = 2 Z r1 = 199 + j125.4 (Ω)
(3) 方向性系数D
总辐射电阻为： RΣ = Re( Z Σ ) = 199 (Ω)
全波振 子 的 最 大 辐 射 方 向 在 其 侧 向 θ m= π /2 ， 则 fT( θ
m)=2，由下式得
120 fT2 (θ m , ϕm ) 120 × 4
D= = = 2.412
RΣ 199
注 ：把全波振子拆分为两个半波振子组成的二元阵，就
可以方便地利用书上 P369 的 “ 半波振子的互阻抗表 ” 及已
知的半波振子辐射阻抗值，计算全波振子的Zr及D。
【例2.3】对如图所示的半波振子三元阵，要求(1)导出其
方向图函数; (2)计算总辐射阻抗; (3)计算方向性系数D。
解：(1)三元阵总场方向图函数
fT (θ , ϕ ) = f 0 (θ , ϕ ) f a (θ , ϕ )
式中，单元方向图函数为
cos(π cos θ / 2)
f 0 (θ , ϕ ) =
sin θ
三元阵因子为 3
sin( β d sin θ sin ϕ )
f a (θ , ϕ ) = 2
1
sin( β d sin θ sin ϕ )
2
(2)总辐射阻抗ZΣ
返回
单元1的辐射阻抗为： Z r1 = Z11 + Z12 + Z13
单元2的辐射阻抗为： Z r 2 = Z 21 + Z 22 + Z 23
单元2的辐射阻抗为： Z r 3 = Z 31 + Z 32 + Z 33
由于结构的对称性，则 Z r 3 = Z r1
半波振子自辐射阻抗： Z11 = 73.1 + j 42.5 (Ω)
互阻抗可查表求得：
( H / λ = 0, d12 / λ = 0.5), Z12 = Z 21 = Z 23 = −12.5 − j 29.9 (Ω)
( H / λ = 0, d13 / λ = 1), Z13 = 4 + j17.7 (Ω)
Z r1 = Z11 + Z12 + Z13 = 64.6 + j 30.3 (Ω )
Z r 2 = Z 21 + Z 22 + Z 23 = 48.1 − j17.3 (Ω)
链接
半波振子三元阵的总辐射阻抗为
Z Σ = Z r1 + Z r 2 + Z r 3 = 2 Z r1 + Z r 2 = 177.3 + j 43.3 (Ω)

(3) 方向性系数D
总辐射电阻为： RΣ = Re( Z Σ ) = 177.3 (Ω)
三元阵的最大辐射方向在其侧向θm=π/2，φm=0，则f(θ
m ,φm)=3，得

120 f a2 (θ m , ϕ m ) 120 × 9
D= = = 6.09
RΣ 177.3
另外，见书上P43例2.5。
 *2.5 阵列中对称振子天线的输入阻抗
当振子天线组成阵列之后，由于互耦的影响使得其
输入阻抗与其单独存在时是不同的。但是阵列中单元天
线输入阻抗的计算仍然可采用两种近似方法，一种是等
值传输线法，一种是直接归算法。
1、直接归算法((感应电动势法))
前面我们采用感应电动势法计算了单个对称振子及
其耦合二元阵及n元阵列的辐射阻抗问题。对称振子天线
的辐射阻抗采用的定义为：
Z r = 2 Pr / | I |2
(2.75)
式中， Pr为天线的辐射功率； I 为振子天线上的电流，这
个电流通常可以选择为波腹电流和馈电点的输入电流。
■如果选择波腹电流，上式就表示 “归算于波腹电流的辐
射阻抗”；
■如果选择输入电流，则上式表示 “归算于输入电流的辐
射阻抗”，即输入阻抗。
如果天线无欧姆热损耗，则Pin=Pr，即
1 1 | I m |2 Zr
| I in | Zin = | I m |2 Z r
2
Zin = 2
Zr = 2 (2.76)
2 2 | I in | sin β l

式中用了关系: I in = I ( z ) |z =0 = I m sin β l
当输入点电流为波节点时上式无效。因此上式只适合
于长度为2l< λ的振子。
对于n元阵，第k个振子归算于波腹电流的辐射阻抗为
 n
I mi
Z rk = ∑ Z ki , k = 1, 2,⋯ , n (2.77)
i =1 I mk

由式(2.76)可得第k个振子天线的输入阻抗为
Z rk
Zin,k = 2 , k = 1, 2,⋯ , n (2.78)
sin β lk
式中，lk为第k个振子的半长度。

2、等值传输线法
阵列中振子单元上的电流分布仍然近似为正弦分布，
因此仍然可采用等值传输线方法。这种方法适合于任何
长度的对称振子，但等效传输线中的参数因互耦影响应
重新计算。
由书上式(2.35)，阵列中第k个对称振子的输入阻抗仍然可
写作
Z in ,k = Z c′,k (1 − jα k′ / β ) cot[(α k′ + jβ )lk ] (2.79)
式中，Z c′,k和 α k′ 分别为第k个振子的特性阻抗和衰减常数，
β 为相位常数。若为孤立振子时，特性阻抗可由书上式
(2.23) 或 (2.31) 计算，衰减常数可由书上式 (2.33) 计算。但
是在阵列中，第k个振子要受其它振子的互耦影响，其特
性阻抗和衰减常数应该修正。
(1) 特性阻抗的修正
阵列中第k个对称振子的辐射阻抗为
n n
I mi
Z rk = ∑ Z ki = Z kk + ∑ Z ki′ (2.80)
i =1 I mk i =1,i ≠ k
 I mi
式中, Z ki′ = Z ki为第i个振子对第k个振子的感应辐射阻抗。
I mk
设 X 为除第
′
rk k个振子以外的其它振子对第 k 个振子的感
应电抗的总和 n
X rk′ = Im( ∑ Z ki′ ) (2.81)
i =1,i ≠ k

把 X rk′均匀分布在整个振子上。做法是设单位长度上的附
加电抗为X1，则
1 l 2 1 2
∫ I k ( z ) X 1dz = I mk X rk′ (2.82)
2 0 2
代入 I k = I mk sin β (l − z ) ，积分后得
2 X rk′
X1 = (2.83)
sin(2 β lk )
lk [1 − ]
2 β lk
由书上P31式(2.24)，在分布电感的感抗上加上X1得
ω L1 + X 1 X1
Z c′,k = = Z 0′k 1 + (2.84)
ω C1 β Z 0′ k
式中对称振子的平均特性阻抗 为
Z 0′k = L1 / C1 = 120[ln(2lk / ρ k ) − 1]

(2) 衰减常数的修正
把书上式(2.33)中的Rr改成Rrk，Z 0′改成 Z c′,k，l改成lk即可，
Rrk
α k′ = (2.85)
sin(2 β lk )
Z c′,k lk [1 − ]
2 β lk
式中, Rrk是式(2.80)的实部，即Rrk＝Re(
Re(Zrk)。
同样，当振子长度lk≤0.4
0.4λλ时，可由下式计算输入阻抗
Rrk
Z in ,k = 2 − jZ c′,k cot( β lk ) (2.86)
sin β lk

2.6 地面对天线阻抗的影响
前面我们讨论了地面对天线方向图的影响，这里讨论
地面对天线阻抗的影响。天线方向图及阻抗的改变将直
接影响到天线的方向性系数、增益等。地面对天线阻抗
影响的分析这里采用镜像法。
近地天线常见的有三种情况，即近地水平天线、近
地垂直天线和垂直接地天线，如下图所示。也可以是由
它们组成的近地阵列天线。
1、垂直接地天线
如上图(c)所示。垂直接地天线考虑镜像之后，其总场
就是一个自由空间对称振子的贡献，但只有上半空间有
辐射场。此时由坡印亭矢量法计算辐射电阻时，只需对
上半空间积分，即
30 2π π /2
Rr = ∫ dϕ ∫ f 2 (θ , ϕ )sin θ dθ (2.87)
π 0 0
 可以证明：长为 l 的垂直接地天线的辐射电阻，是全
长为2l的自由空间对称振子辐射电阻的一半。即
1
Rrg = Rr (2.88a)
2
如用感应电动势法求其辐射阻抗，也可以证明：长
为 l 的垂直接地天线的辐射阻抗，是全长为 2l 的自由空间
对称振子辐射阻抗的一半。即
1
Z rg = Z r (2.88b)
2
自由空间半波振子的辐射阻抗为： Z r = 73.1 + j 42.5 (Ω)
则长为l=λ/4的垂直接地天线的辐射阻抗为：
Z rg = 36.55 + j 21.25 (Ω)
若用等效传输线法求其输入阻抗，其平均特性阻抗应为
2l
Z 0′ = 60[ln( ) − 1] (2.89)
ρ
此时按书上 P33 式 (2.36) 计算的输入阻抗也为自由空间全
长为2l的对称振子的输入阻抗的一半。垂直接地天线后面
还将详细介绍。
2、近地垂直和水平天线
设近地天线上的波腹电流为Im，自阻抗为Z11，镜像电
流波腹值为I'm，镜像天线与原天线的互阻抗为Z'11，则近
地天线的辐射阻抗为
I m′
Z r = Z11 + Z11′ (2.90)
Im
(1) 近地垂直天线
如图 (b) 所示。其镜像天线为
正像，正像的波腹电流I'm＝Im，
则此天线的辐射阻抗为：
Z r = Z11 + Z11′ (2.91)

(2) 近地水平天线
如图(a)所示。其镜像天线为负像，负像的波腹电流
I'm＝－Im，则此天线的辐射阻抗为：
Z r = Z11 − Z11′ (2.92)
3、近地垂直和水平二元阵情况
近地二元阵考虑镜像之后，可看作是四元阵，如下
图所示。二元阵各单元的辐射阻抗为
 I 2m I1′m I 2′ m
Z r1 = Z11 + Z12 + Z11′ + Z12′
I1m I1m I1m
(2.93)
I1m I1′m I 2′ m
Zr2 = Z 21 + Z 22 + ′ +
Z 21 ′
Z 22
I 2m I 2m I 2m

式中，I1m、I2m分别为天线1和2上的波腹电流；
I'1m、I'2m分别为镜像天线1'和2'上的波腹电流；
Z11、Z22分别是天线1和2的自辐射阻抗；
Z12、Z21分别是天线1和2的互阻抗；
Z'11、Z'22分别是天线1和2与其镜像间的互阻抗；
Z'12 、Z'21为天线1与天线2的镜像间的互阻抗；
返回
(1) 近地水平二元阵
有I'1m=－I1m， I'2m=－I2m，由式(2.93
(2.93))得
I 2m
Z r1 = Z11 − Z11′ + ( Z12 − Z12′ )
I1m
(2.94)
I1m
Zr2 = ′ ) + Z 22 − Z 22
( Z 21 − Z 21 ′
I 2m

若二元阵中有一个天线无源, 如设天线2无源, Zr2=0，则

′ − Z 22 ) /( Z 21 − Z 21
I1m / I 2 m = ( Z 22 ′)
′ = Z 21
又因 Z 21 = Z12 , Z 21 ′ , 得
( Z12 − Z12′ ) 2
Z r1 = Z11 − Z11′ − (2.95)
′
Z 22 − Z 22
链接
(2) 近地垂直二元阵
有I'1m=I1m， I'2m=I2m，由式(2.93
(2.93))得
I 2m
Z r1 = Z11 + Z11′ + ( Z12 + Z12′ )
I1m
(2.96)
I1m
Zr2 = ′ ) + Z 22 + Z 22
( Z 21 + Z 21 ′
I 2m
在垂直二元阵中若设天线2无源, Zr2=0，则
′ + Z 22 ) /( Z 21 + Z 21
I1m / I 2 m = −( Z 22 ′)
′ = Z 21
又因 Z 21 = Z12 , Z 21 ′ , 得
( Z12 + Z12′ ) 2
Z r1 = Z11 + Z11′ − (2.97)
′
Z 22 + Z 22
 如果近地二元阵各单元电流等幅同相 I1m ＝ I2m ，则上
面的表达式就简单了。各阻抗元素可查表求得，从而可
计算各单元的辐射阻抗，近地二元阵的总辐射阻抗就可
确定(ZΣ=Zr1+Zr2)，若已知近地二元阵的方向图函数，就
可由式(2.74)计算近地二元阵的方向性系数。
书上2.8节“圆柱天线理论”不作要求。