Struktur Devais

dan Cara Kerja Bipolar

Junction Transistor (BJT)
Bipolar Junction Transistor (BJT)

Simbol
Struktur Devais BJT npn
Disederhanakan

Mode Junction Emitor-Basis Junction Kolektor-Basis

Cut-off Reverse (mundur) Reverse (mundur)
Aktif Forward (maju) Reverse (mundur)
Saturasi Forward (maju) Forward (maju)
Struktur Devais BJT pnp

Mode Junction Emitor-Basis Junction Kolektor-Basis

Cut-off Reverse (mundur) Reverse (mundur)
Aktif Forward (maju) Reverse (mundur)
Saturasi Forward (maju) Forward (maju)
Prinsip Kerja Mode Aktif npn
Profil Konsentrasi Pembawa
Muatan Minor
Aliran Arus
• Pembawa muatan • Arus Kolektor
minoritas
iC  I S e vBE / VT
n p (0)  n p e vBE / VT arus saturasi IS-nya

• Arus difusi I S  AE qDn nP 0 / W

dengan
dn p ( x) nP 0  ni2 / N A
I n  AE qDn
dx
AE qDn ni2
 n p ( 0)  IS 
I n  AE qDn    N AW
 W 
Aliran Arus
• Arus emitor
• Arus Basis
iC iE  iC  iB
iB 

 1
sehingga iE  iC

I   1 v
iB   S e vBE / VT iE  ISe BE / VT
  
atau
 IS
iC  iE  iE iE  e vBE / VT
 1 
Model Sinyal Besar Aktif npn
Contoh 1

• Transistor dengan
IS 10-15A dan  100
terhubung seperti pada
gambar. Bila transistor
dalam mode aktif
tentukan VBE dan VCE
Jawaban : Contoh 1

• Dari arus basis BJT

IB
VBE  VT ln
Is / 
10 10 6
VBE  25 ln 15  690mV
10 / 100
dioda dalam mode aktif
• Dari rangkaian
VCE  VCC  I C RC

I C   I B  100  10  10 6  10 3 A
VCC  VBE 5  0,69
VCE  5  1 3  2V RB    431k
IB 10 5
Struktur Transistor Planar
Ringkasan Hubungan Arus
Tegangan Mode Aktif

iC  I S e vBE / VT iC  iE iB  1   iE

 IS
iC  vBE / VT iE
iB    e iC  iB iB 
   1


iCI  vBE / VT  iE    1iB
iE   S e 1
  


 1
Karakteristik iC-vCB Arus IE
Konstan

iC  I S e vBE / VT  I SC e vBC / VT

IS
iB  e vBE / VT  I SC e vBC / VT

 Model Sinyal Besar Saturasi

iC VCEsat  VBE  VBC  0,1 s.d 0,3V

 forced  
iB saturasi
Prinsip Kerja Mode Aktif pnp
Model Sinyal Besar Aktif pnp
 Karakteristik Arus-Tegangan

18/10/2022
 Simbol BJT dan Bias Mode Aktif
• Simbol • Bias
Contoh 2
Untuk transistor  100 dan iC
1mA pada vBE 0,7V, rancang
rangkaian agar arus kolektor
2mA dan tegangan kolektor
5V

18/10/2022
Jawaban Contoh 2
• Resistor di kolektor
VCC  VC 15  10
RC    5k
IC 2m
• Dari informasi transistor
IC 2
VBE  VBE 07  VT ln  0,7  0,025 ln
I C 07 1
VBE  0,717V

• Dari rangkaian
VE  VBE  0,717V
 1 100  1
IE  IC  2  2,02mA
 100
VE  VEE  0,717   15
RE    7,07 k
18/10/2022
IE 2,02m
 Model Grafis Mode Aktif
• Fungsi eksponensial tegangan • Fungsi temperatur
• Kurva tegangan basis-emitor bergeser ke
kiri 2mV/oC
iC  I S e vBE / VT
Kurva Beban DC
 Efek Early
• Kurva iC-vCE daerah aktif naik mendekati linier terhadap vCE
• Penyebab modulasi lebar basis (W) akibat vCE naik dengan vBE relatif tetap

VA tegangan Early
Pemodelan Efek Early
• Arus kolektor • Pendekatan
 v  VA
iC  I S e vBE / VT 1  CE  ro 
 VA  IC '
• Resistansi dinamik kolektor-emitor dimana IC ’ adalah arus kolektor yang
efek Earlynya kecil (diabaikan)
1
 i 
ro   C 
 vCE 
 v BE tetap 
v BE

V A  VCE IC '  I S e VT

ro 
IC
Model rangkaian dengan ro
• Untuk mode aktif
 Karakteristik Jangkauan Arus Besar
• Penguatan arus  tidak konstan, bergantung IC.
• vCE sangat besar menyebabkan junction mengalami breakdown
Karakteristik Saturasi
• Resistansi kolektor emitor
vCE
RCEsat 
iC iB  I B
iC  I C

• Penguatann arus

I Csat
 forced   forced  
IB
• Overdrive  forced

Model Rangkaian Saturasi
• Model dengan resitansi kolektor- • Model lebih disederhanakan
emitor
Contoh 3
• Untuk  50 dan VBE aktif 0,7V,
tentukan VBB agar transistor memiliki
a) Tegangan VCE=5V
b) Tegangan pada batas saturasi
c) Penguatan arus forced=10
Jawaban contoh 3
 Tegangan VCE=5V

VCE  VCC  I C RC

VCC  VCE 10  5
IC    5mA
RC 1k

IC
5m
IB    0,1mA
 50

VBB  VBE  I B RB  0,7  0,110  1,7V

Jawaban Contoh 3
 Batas saturasi VCE=0,3V

VCC  VCE 10  0,3

IC    9,7 mA
RC 1k
Batas saturasi penguatan arus  masih sama
 aktif

IC 9,7 m
IB    0,194mA
 50

VBB  VBE  I B RB  0,7  0,194 10  2,64V

Jawaban Contoh 3
 Saturasi VCE=VCEsat≈0,2V

VCC  VCE 10  0,2

IC    9,8mA
RC 1k
Saturasi forced=10

IC 9,8m
IB    0,98mA
 10

VBB  VBE  I B RB  0,7  0,98 10  10,5V

Rangkaian BJT Arus DC
Model Transistor
untuk Sinyal Besar DC
• Arus dan tegangan Transistor

• Keadaan Cut-Off
Model Transistor
untuk Sinyal Besar DC
• Keadaan Aktif

• Keadaan Saturasi
Contoh 4
• Bila  100 dan VBE
aktif 0,7V, tentukan
semua arus dan
tegangan rangkaian
Contoh 4
• Gambar Ulang • Gambar dengan arus dan tegangan
• Hitung mulai dari yang dapat langsung
diketahui, yaitu VE
Jawab Contoh 4
1. Asumsi aktif (VBE 0,7V),
tentukan tegangan
emitor
2. Hitung arus emitor
3. Asumsi  cukup besar
hitung arus kolektor
4. Tentukan tegangan
kolektor
5. Cek tegangan hasil
apakah sesuai dengan
asumsi aktif?
Contoh 5
• Bila  sekurangnya 50 dan VBE aktif
0,7V, tentukan semua arus dan
tegangan rangkaian
Jawab Contoh 5
1. Asumsi aktif (VBE
0,7V), tentukan
tegangan emitor
2. Hitung arus emitor
3. Asumsi  cukup besar
hitung arus kolektor
4. Tentukan tegangan
kolektor
5. Cek tegangan hasil
apakah sesuai dengan
asumsi aktif?
Jawab Contoh .5
1. Asumsi saturasi (VBE 0,7V), hitung tegangan
kolektor
2. Hitung arus kolektor
3. Gunakan tegangan saturasi, hitung
tegangan kolektor
4. Hitung arus kolektor
5. Hitung arus basis dari arus emitor dan arus
kolektor
6. Perhatikan forced apakah sesuai untuk
keadaan saturasi?
Buat kesimpulan hasil akhir.
Contoh .6
• Tentukan semua arus dan tegangan
rangkaian
Jawab Contoh .6
1. Asumsi cut-off (VBE<0,7V), arus emitor nol.
2. Tentukan tegangan emitor
3. Tentukan arus kolektor
4. Tentukan tegangan kolektor
5. Cek tegangan hasil apakah sesuai dengan
asumsi cut-off?
Contoh 7
• Tentukan semua arus dan tegangan
(jangan lupa transistor pnp)

• Jawab:
Asumsi awal aktif, mangapa?
Jawab Contoh .7
• Cek konsistensi
hasil
perhitungan
dengan asumsi
Catatan Perancangan
• Rancangan yang baik untuk tegangan dan arus bias penguat Transistor harus pasti
dalam keadaan aktif
• Rangkaian harus tidak sensitif terhadap perubahan 
1. Penguatan arus  bukanlah nilai pasti melainkan jangkauan, misalnya
minimum 75
tipikal 100
maksimum 150
2. Penguatan arus  juga fungsi temperatur
Contoh 8
• Tentukan arus dan tegangan bila
 100
Jawab Contoh 8
1. Perhatikan tegangan
kedua junction
2. Junction base-
emitter – forward
biased

VBE  0,7V
3. Junction base-
collector – reverse
biased

VBC  0,7V
Jawab Contoh 8
4. Tetapi bila  naik 10%
VB  0,7V
I B  43A
I C  4,73mA
VC  0,54V
VBC  0,16V
junction base-collector sekarang
forward biased, transistor
saturasi.
Contoh 9
• Tentukan arus dan tegangan bila 
minimum 30 dan arus maksimum
kolektor untuk mode aktif 0,5mA
Jawab Contoh 9
• Junction basis-emitor forward biased,
transistor aktif atau saturasi
• Bila dianggap aktif dan arus basis
dianggap sangat kecil

VB  0V
VE  0,7V
I E  4,3mA
VC  38V ?
Transistor harus dalam keadaan saturasi
Jawab Contoh 9

• Gunakan VB sebagai
variabel besaran arus
tegangan rangkaian
• Hasil penyelesaian
persamaan

VB  3,13V
VC  3,63V
I E  1,17mA
I C  0,86mA
I C 0,86
 forced    2,8
I B  0,31mA I B 0,31
SELESAI