半導體微影製程OPC技術

課堂作業
講師:吳俊昇
學生:林郁書
學號:M56111119

1
AI參數
• Chatbot URL:OpenAI ChatGPT GPT-3.5
Microsoft Bing Chat with GPT-4 More Precise
Google Bard
• 給 Chat Bot 的提示語 :You are an expert in photolithography, and tell
me what processes affect resolution and Depth of field,please.

2
會影響解析度(resolution,R)的製程參數
𝜆
R = K1
𝐴𝑁
• 光源波長(λ)
• 數值孔徑（AN）
• K1 為與製程相關的常數，一般和下列有關
➢光阻特性及品質
➢光學鄰近校正 (OPC) 等先進校正技術設計光罩與光罩品質
➢曝光製程:包含曝光劑量、後曝光焙燒、發展時間、硬焙燒等
➢設備及程序的控制精細度 解析度提升技術(RET)常見的如下
➢鏡頭像差 源光罩最佳化 (SMO)
次解析度輔助特徵（SRAF）
➢解析度提升技術(RET) 多重圖形曝光
晶圓和光罩校準 3
偏光
會影響景深(depth of field,DOF)的製程參數
𝜆
𝐷𝑂𝐹 = K 2
𝐴𝑁 2
• 光源波長(λ)
• 數值孔徑（AN）
• K 2 為與製程相關的常數，一般和下列有關
➢光阻類型及品質和厚度
➢曝光製程:包含曝光劑量、後曝光焙燒、發展時間、硬焙燒等
➢設備及程序的控制精細度
景深提升技術(DOFET)常見的如下
➢晶圓的表面粗糙度 離軸燈飾(OAI)
➢景深提升技術(DOFET) 相移光罩
源光罩最佳化 (SMO)
偏光 4
解析度與景深的交互關係
• 解析度愈好(R愈小)，可提升電晶體密度
• 景深愈好(DOF愈大)，可提高製程良率
• 在相似的製程下， R和DOF是正相關的，也就是提升電晶體密度
將降低製程良率，而提高製程良率會減少電晶體密度
• 在製造產品時，製程解析度和景深的選擇，需在電晶體密度和製
程良率之間取得平衡