DEPARTAMENT: FÍSICA DE LA MATÈRIA CONDENSADA

ASSIGNATURA: FÍSICA DE L’ESTAT SÒLID - COL·LECCIÓ DE PROBLEMES

SEMESTRE: 2022 - Tardor

OBSERVACIÓ: la solució a alguns dels problemes senyalats amb (*) es penjarà al curs de Campus
Virtual de l’assignatura si per limitacions de temps no es poden resoldre a classe.

1 CRISTAL.LOGRAFIA I DIFRACCIÓ ELÀSTICA

1.1. En un model teòric útil de sòlid, els àtoms es descriuen com esferes rı́gides de radi R en contacte
entre si (empaquetament compacte). En aquest model, la fracció de volum total de sòlid ocupada
per àtoms s’anomena fracció d’empaquetament. Calculeu la fracció d’empaquetament de cadascuna
de les estructures següents, suposant que el paràmetre de xarxa en totes elles és a i que en els tres
primers casos la base és monoatòmica:
a) Cúbica simple.
b) Cúbica centrada en el cos.
c) Cúbica centrada en les cares.
d) Diamant.

1.2. Si anomenem Vc el volum de la cel.la primitiva d’una certa xarxa de Bravais:

a) Determineu el volum de la cel.la primitiva de la xarxa recı́proca corresponent, Vc∗ , en funció
de Vc .
b) Comproveu que la xarxa recı́proca de la xarxa recı́proca és la pròpia xarxa de Bravais.
c) Doneu l’expressió de la densitat superficial de punts d’un pla de la xarxa directa en funció de
Vc i de l’espaiat d de la famı́lia de plans a la qual pertany aquest pla.

1.3. Es diu xarxa de Bravais hexagonal a la generada pels tres vectors primitius següents:

1  √ 
~a1 = ax̂; ~a2 = a x̂ + 3ŷ ; ~a3 = cẑ.
2
a) Calculeu el volum de la cel.la de Wigner-Seitz d’aquesta xarxa de Bravais en funció dels
paràmetres de la xarxa, a i c.
b) Demostreu que la xarxa recı́proca és també hexagonal.
c) Determineu l’expressió que dóna l’espaiat d’una famı́lia de plans en funció dels ı́ndexs de Miller
(hkl) i dels paràmetres de la xarxa.

1.4. L’estructura cristal.lina hexagonal compacta (hcp) es defineix com una xarxa de Bravais hexagonal
(problema 1.3) amb una base de dos àtoms idèntics situats a ~r0 = ~0 i ~r1 = (~a1 + ~a2 )/3 + ~a3 /2.
a) Un cas particular interessant d’aquesta estructura cristal.lina és el cas ideal en què es considera
que els àtoms són esferes rı́gides en condicions d’empaquetament compacte (problema 1.1).
Determineu, en aquest cas particular:
i) La raó r = c/a.
ii) La fracció d’empaquetament i compareu-la amb la corresponent a un cristall de xarxa fcc
i base monoatòmica.
b) Calculeu el factor d’estructura geomètric per a aquesta estructura cristal.lina, tot determinant
en quines condicions hi ha extincions sistemàtiques.
Nota: Quan es tracta d’un cristall amb xarxa hexagonal i base monoatòmica, l’estructura cristal.lina
s’anomena hexagonal simple (sh).

1
1.5. El sulfur de zinc es troba a la naturalesa en dues formes cristal.logràfiques: la blenda (ab = 00 541 nm)
i la wurtzita (aw = 00 381 nm, c = 00 626 nm) (vegeu-ne l’estructura cristal.lina a la figura 1).

Figura 1: (i) Blenda. (ii) Wurtzita.

a) Determineu-ne la xarxa de Bravais i els vectors de la base atòmica adequats per descriure,
amb el mı́nim nombre d’àtoms, les estructures cristal.lines corresponents.
b) Sabent que les masses atòmiques del sofre i del zinc són AS = 320 065 g/mol i AZn = 650 409 g/mol,
respectivament, compareu les densitats d’ambdues estructures. (N.B.: expresseu les densitats
en g/cm3 .)
c) Calculeu les distàncies a primers veı̈ns en cada cas.
d) Mitjançant un experiment de difracció de raigs X, de longitud d’ona λ = 00 70 Å, volem conèixer
si una mostra natural conté alguna d’aquestes fases. A quin angle hauria d’aparèixer el primer
pic de difracció d’intensitat no nul.la de cada estructura?

1.6. Es fa un experiment de difracció de raigs X monocromàtics, de longitud d’ona λ = 10 54 Å, sobre

una mostra polvoritzada de NaCl, de paràmetre de xarxa a = 50 60 Å. Determineu el quocient entre
les intensitats dels dos primers anells de difracció, sabent que els factors de forma atòmics dels ions
Cl− i Na+ , en funció de l’angle de Bragg, venen donats per funcions de la forma

f (θ) = A exp{−B sin2 (θ)/λ2 },

on A = 180 0 i B = 20 30 Å2 per a Cl− , i A = 100 0 i B = 20 70 Å2 per a Na+ .

2
1.7. En un experiment de difracció de raigs X de longitud d’ona λ = 00 715 Å, realitzat amb un cristall
on els àtoms estan situats sobre els nusos d’una de les xarxes de Bravais del sistema cúbic, s’obté
una figura de difracció on els angles corresponents als cinc primers anells són els següents:

2θ(o ) 20’16 28’72 35’34 41’03 46’27

a) Indexeu els anells i digueu amb quines xarxes de Bravais cúbiques són compatibles.
b) Si la densitat de la mostra és ρ = 70 86 g/cm3 i la massa molecular és A = 550 847 g/mol,
determineu la xarxa de Bravais i el paràmetre de xarxa d’aquest material que concorda millor
amb les mesures anteriors.

1.8. En un experiment de difracció de Debye-Scherrer, realitzat sobre una mostra policristal.lina amb
una xarxa del sistema cúbic, s’obtenen quatre anells que corresponen als angles de la taula adjunta,

2θ(o ) 42’8 73’2 89’0 115’0

on θ és l’angle de Bragg.

a) Indexeu els anells i determineu quina és la xarxa de Bravais corresponent.
b) Comproveu que la base atòmica associada a aquesta xarxa de Bravais està formada per dos
àtoms iguals situats a (0, 0, 0) i (1/4, 1/4, 1/4) (referits a la cel.la convencional cúbica). Com
es diu aquesta classe d’estructura cristal.lina?
c) Si els dos àtoms que formen la base atòmica fossin diferents i el paràmetre de la xarxa de la
cel.la convencional cúbica fos el mateix, en quines posicions angulars apareixerien els quatre
primers anells de difracció?
p
1.9. Si una xarxa de Bravais 3D hexagonal verifica la relació ideal c/a = 8/3, on a i c són els paràmetres
de xarxa:
a) Demostreu que el seu espectre de difracció es pot indexar mitjançant la relació
s
λ N
sin θ = ,
a 96
essent N un nombre enter expressat en termes dels ı́ndexs de Miller, i especifiqueu els cinc
valors més petits de N .
b) Es vol estudiar l’estructura cristal.lina d’un cristall metàl.lic que presenta simetria hexagonal.
Sobre una mostra polvoritzada del metall es realitza un experiment de difracció pel mètode
de Debye-Scherrer, utilitzant raigs X de longitud d’ona λ = 00 71 Å. Els angles de Bragg per
als que s’obté difracció són a la taula adjunta:

θ(o ) 7’34 7’79 8’32 10’74

i) Indexeu l’espectre de difracció i determineu els valors dels paràmetres a i c.
ii) Decidiu si la base del cristall té un o més àtoms i raoneu la resposta.
Nota: Un conjunt possible de vectors primitius de la xarxa recı́proca de la xarxa hexagonal és el
següent: √ !
~b1 = √4π 3 1 4π
x̂ − ŷ ; ~b2 = √ ŷ; ~b3 =
2π
ẑ.
3a 2 2 3a c

3
2 ESTATS ELECTRÒNICS
2.1. Considereu un gas d’electrons lliures bidimensional de densitat superficial n.
a) Determineu-ne l’energia de Fermi en l’estat fonamental i la densitat d’estats a temperatura
finita.
b) Calculeu la dependència amb la temperatura del potencial quı́mic, tot igualant el nombre
d’electrons del gas de Fermi a la integral sobre tots els valors de l’energia de la densitat
d’estats multiplicada per la funció de distribució.

2.2. Considereu un cristall amb els àtoms situats sobre els punts d’una xarxa de Bravais unidimensional
de paràmetre a. Alguns electrons de cada àtom es poden propagar al llarg de la cadena sotmesos
al potencial dels ions, que és de la forma

U (x) = U cos(bx),
on b = 2π/a és el paràmetre de la xarxa recı́proca i U és negatiu i molt petit en comparació amb
l’energia d’electrons lliures de vector d’ona k = b.
a) Determineu, en primer ordre d’aproximació, l’expressió de la primera banda d’energia ε(k) i
especifiqueu el seu comportament en els lı́mits de la primera zona de Brillouin.
b) Representeu de forma esquemàtica la densitat d’estats, D(ε), corresponent a les dues primeres
bandes d’energia.

2.3. (*) Suposeu un sòlid bidimensional amb xarxa de Bravais hexagonal definida pels vectors primitius

a √ 
~a1 = 3 î − ĵ , ~a2 = aĵ,
2
√
on a = 2 3 Å, amb dos electrons de valència per cel.la primitiva, de massa efectiva m∗ = 10 2me .
a) Comproveu que els vector primitius de la xarxa de Bravais recı́proca són
√ 
~b2 = b î + 3 ĵ .

~b1 = b î,
2
√
on b = 4π/(a 3), i digueu de quina xarxa de Bravais es tracta.
b) Feu un esquema de la xarxa recı́proca i representeu-hi els vectors que la generen, la primera i
segona zones de Brillouin i els punts caracterı́stics: Γ (centre de l’espai recı́proc), ~kX = ~b1 /2
(centre d’un costat de la primera zona de Brillouin) i ~kM = (~b1 + ~b2 )/3 (vèrtex de la primera
zona de Brillouin).
c) En l’aproximació de xarxa buida:
i) Justifiqueu que la primera i la segona banda seran degenerades al llarg del camı́ de X a
M i que la segona i la tercera ho seran al llarg del camı́ de Γ a M. Quina ha de ser la
degeneració en el punt M?
ii) Trobeu quant val el moment de Fermi, kF , compareu-lo amb kX i kM i digueu en quines
bandes hi ha estats ocupats a T = 0.
iii) Representeu al llarg del camı́ M-Γ-X-M, en unitats d’E0 ≡ (h̄b)2 /(2m∗ ), les bandes d’e-
nergia per als vectors ~0, b~1 i b~2 , tot situant-hi l’energia de Fermi.
d) En el model d’electrons feblement lligats, si les úniques component de Fourier no nul.les del
potencial són U(10) = U(1̄0) = U(01) = U(01̄) = U(1̄1) = U(11̄) = −00 035E0 , determineu el valor
corregit de l’energia de la primera banda:
i) En el punt X.
ii) En el punt M.

4
 2.4. En l’estructura de bandes d’un cristall amb xarxa fcc considerem la direcció ΓL respecte de la cel.la
convencional cúbica, és a dir, amb vector d’ona ~k = η(2π/a)(x̂ + ŷ + ẑ), 0 ≤ η ≤ 1/2 (vegeu a la
figura 2 la primera zona de Brillouin corresponent).

√
Figura 2: Primera zona de Brillouin d’una xarxa fcc. La mida de qualsevol aresta és 2π/a. Coordenades
d’alguns punts significatius: K = (2π/a)(3/4, 0, 3/4); L = (2π/a)(1/2, 1/2, 1/2); U = (2π/a)(1/4, 1/4, 1);
W = (2π/a)(1/2, 0, 1).

a) Demostreu que en l’aproximació de xarxa buida l’expressió general de les bandes es pot escriure
com
h̄2 2π 2 h
  i
(0)
Ehkl (η) = (η − h)2 + (η − k)2 + (η − l)2
2me a
i que la tercera banda té degeneració tres, essent els tres vectors que donen lloc a aquesta
~ = (2π/a)(hx̂ + k ŷ + lẑ), amb (hkl) = (111̄), (11̄1), (1̄11).
degeneració G
b) Determineu en aquesta aproximació el valor de η que fa mı́nima l’energia i el valor de l’energia
en el mı́nim.
c) Es té ara un cristall en què els àtoms se situen sobre els nusos d’una xarxa de Bravais fcc, de
~ > 0, són
paràmetre a = 20 70 Å, els coeficients de Fourier del potencial del qual, per a |G|

10 92eV
UG~ ≡ U(h k l) = − ,
(h2 + k 2 + l2 )2

amb U(000) = 0. Determineu en aquest cas si la banda es desdoblarà, el valor de η que fa

mı́nima l’energia i el valor de l’energia en el mı́nim.

2.5. L’alumini té una estructura cristal.lina fcc, de paràmetre de xarxa a = 40 05 Å i base monoatòmica.
La seva estructura de bandes s’ajusta a un model d’electrons feblement lligats, amb una energia
d’ordre zero E (0) = h̄2 k 2 /2m∗ , amb m∗ = 10 1716me i coeficients de Fourier del potencial de la
forma U1 ≡ U(±1,±1,±1) = 00 40 eV i U2 ≡ U(±2,0,0) = U(0,±2,0) = U(0,0,±2) = 00 75 eV (els ı́ndexs
s’han pres referits a la cel.la convencional cúbica), essent nul.les totes les altres components.
a) En el model de xarxa buida:
i) Determineu l’expressió de les bandes d’energia en la direcció ΓK (vegeu la figura 2 a√la
pàgina 5) per als vectors de la xarxa recı́proca de mòdul més petit o igual que (2π/a) 3.
ii) Comproveu que la segona banda en la direcció ΓK té degeneració 2, excepte en els punts
Γ i K, en què la degeneració és 8 i 3, respectivament.
iii) Quant val l’energia en el punt K en aquest nivell d’aproximació?
b) Si s’inclou la interacció amb el potencial, calculeu com es trenca la degeneració en el punt K.

5
 2.6. Donada una cadena lineal monoatòmica de longitud L i constant de xarxa a:
a) Calculeu:
i) La banda s en l’aproximació d’electrons fortament lligats, tot suposant solapament de les
funcions d’ona només a primers veı̈ns.
ii) L’energia de Fermi a T = 0, si cada àtom aporta un sol electró de conducció.
iii) La densitat d’estats D(E).
b) Representeu la banda d’energia dins la primera zona de Brillouin i la densitat d’estats en
funció de l’energia i justifiqueu les divergències observades en aquesta última.

2.7. (*) Tot utilitzant l’aproximació d’electrons fortament lligats per a la banda s d’una xarxa de Bravais
bidimensional quadrada:
a) Determineu la forma de la banda d’energia corresponent.
b) Determineu la forma general de les corbes isoenergètiques.
c) Preciseu la forma d’aquestes corbes prop del centre (punt Γ), i al voltant dels vèrtexs (punt
M) i dels centres dels costats (punt X) de la primera zona de Brillouin.
d) Feu un esquema de les bandes d’energia al llarg del camı́ Γ-X-M-Γ.

2.8. A temperatures baixes, l’estructura de bandes d’un sòlid cristal.lı́ de xarxa bcc, amb paràmetre de
xarxa cúbica convencional a = 40 23 Å i un electró de valència per cel.la primitiva, pot aproximar-se
mitjançant un model d’electrons feblement lligats. [Vegeu la primera zona de Brillouin d’una xarxa
bcc a la figura 3.]

√
Figura 3: Primera zona de Brillouin d’una xarxa bcc. La mida d’una aresta és 3π/a. Coordena-
des d’alguns punts significatius: H = (2π/a)(0, 1, 0); N = (2π/a)(1/2, 1/2, 0); G = (2π/a)(1/4, 3/4, 0);
P = (2π/a)(1/2, 1/2, 1/2); F = (2π/a)(1/3, 2/3, 1/3).

Sabent que l’amplada de la banda en la direcció ΓN, on N = (2π/a)(1/2, 1/2, 0) referit a la cel.la
convencional cúbica, és ∆ = 30 42 eV i que la massa efectiva dels electrons prop del fons d’aquesta
banda és m = 10 22me :
a) Calculeu el coeficient de Fourier del desenvolupament del potencial corresponent al vector de
~ 110 = (2π/a)(1, 1, 0).
la xarxa recı́proca G
b) Obtingueu l’energia en el mı́nim de la segona banda en el model d’electrons feblement lligats.

6
 c) En l’aproximació de xarxa buida, determineu:
i) El vector d’ona de Fermi kF . Quant val la relació kF /kN on ~kN = G
~ 110 /2?
ii) L’energia de Fermi i compareu-la amb l’energia en el mı́nim de la segona banda obtinguda
en el 2n apartat.
d) Dels resultats dels apartats anteriors:
i) Digueu si hi ha estats ocupats a la segona banda.
ii) Deduı̈u com és la superfı́cie de Fermi del material i justifiqueu la seva forma en el model
d’electrons feblement lligats.

2.9. Considereu un cristall d’estructura fcc, de paràmetre de xarxa a = 40 5 Å i base monoatòmica

d’àtoms divalents.
a) Determineu el radi, kE , de l’esfera que té el mateix volum que la primera zona de Brillouin
(vegeu la figura 2 a la pàgina 5).
b) Calculeu l’energia dels electrons amb |~k| = kE en el model de xarxa buida, E (0) (kE ).
c) A què correspon aquesta energia? Justifiqueu la resposta.
d) Compareu el radi d’aquesta esfera amb les distàncies ΓX i ΓL de la primera zona de Brillouin.
Està aquesta esfera continguda en la primera zona de Brillouin?
e) Trobeu les energies corresponents al màxim de la primera banda i els mı́nims de la segona i la
tercera i compareu-les amb E (0) (kE ).
f) D’acord amb els resultats anteriors, en quines bandes hi haurà estats ocupats?

7
3 DINÀMICA DELS ELECTRONS DE BLOCH I CLASSIFICACIÓ
DELS SÒLIDS
3.1. El mı́nim de la banda de conducció d’un semiconductor es troba a ~k = ~0 i es caracteritza per un
tensor de massa efectiva inversa de la forma:
 
αxx 0 0
1
 
=  0 αyy αyz 
 
m∗
0 αyz αzz

a) Determineu la forma de la banda a l’entorn de ~k = ~0, tot aproximant l’energia fins a segon
ordre.
b) Si sotmetem el semiconductor a un camp elèctric E ~ e , en quina o quines direccions d’E
~ e l’ac-
celeració serà paral.lela a aquest camp si αxx 6= αyy = αzz .

3.2. L’energia d’una banda s d’un determinat sòlid d’estructura cristal.lina fcc, de constant a i base
monoatòmica, es pot aproximar mitjançant un model d’electrons fortament lligats amb interaccions
a primers veı̈ns.
a) Trobeu l’expressió general de l’energia per a aquesta banda, en funció dels paràmetres del
model.
b) Doneu una aproximació vàlida de l’energia per a punts de la zona de Brillouin propers al punt
W = (2π/a)(1/2, 0, 1) (vegeu la figura 2 a la pàgina 5), amb ~k = ~kW + ~δ.
c) Determineu l’expressió del tensor de massa efectiva inversa en aquest punt.
d) Si sotmetem el sòlid a un camp magnètic B ~ = B x̂ trobeu la freqüència caracterı́stica i la
trajectòria en l’espai recı́proc corresponent a un electró inicialment a ~k0 = ~kW − δ0 ẑ.

3.3. (*) Un electró d’un sòlid es troba en una banda de la forma

h̄2 kα2
E(~k) = E0 +
X
2me f
α∈{x,y,z} α

amb E0 , fx > fy > fz constants positives.

a) Si s’aplica un camp magnètic constant i uniforme B ~ = B ẑ i l’estat inicial de l’electró és
~k = (0, k0 , 0):
i) Trobeu les equacions del moviment de l’electró en l’espai recı́proc.
ii) Determineu-ne la freqüència caracterı́stica ωz .
b) Generalitzeu els resultats anteriors per a B ~ en la direcció de qualsevol dels altres dos eixos,
α = x, y.
c) Determineu els valors dels fα si les mesures de les freqüències caracterı́stiques són

ωx = 00 98ω0 , wy = 00 92ω0 , wz = 00 85ω0 ,

on ω0 és la freqüència ciclotró, ω0 ≡ eB/me .

8
3.4. Sigui un material conductor d’estructura cristal.lina hexagonal simple i vectors primitius de la xarxa

a √ 
~a1 = a x̂, ~a2 = x̂ + 3 ŷ , ~a3 = a ẑ.
2
La seva banda de conducció s’ajusta bé a un model d’electrons fortament lligats amb un únic
orbital atòmic isòtrop per àtom, essent l’abast del solapament entre orbitals només rellevant a
primers veı̈ns.
a) Demostreu que, en aquest nivell d’aproximació, la forma de la banda de conducció a ~k ∼ ~0 ve
donada per

3 2
  
E(~k) = E0 + γa2 kx + ky2 + kz2 .
2
b) Obtingueu el tensor invers de la massa efectiva.
c) Per determinar el valor de γ, es realitza un experiment de ressonància de ciclotró, sotmetent
el sòlid a un camp magnètic uniforme B ~ = B ẑ i un camp elèctric oscil.lant E
~ e = Ee expıωt x̂.
i) Escriviu les equacions semiclàssiques del moviment en l’espai directe.
ii) Suposant que aquestes equacions admeten solucions oscil.lants en el pla perpendicular al
camp magnètic de la forma

x = x0 exp{ıωt}, y = y0 exp{ıωt},
determineu x0 i y0 en funció dels paràmetres de la banda.
iii) Determineu el valor de γ sabent que s’observa ressonància per a un valor de la freqüència
del camp elèctric oscil·lant ωr .

3.5. (*) Les funcions de Bloch dels portadors no incorporen els efectes de les interaccions amb les
vibracions dels ions, els defectes o les impureses presents en el material. Una forma aproximada
d’incorporar aquests efectes és suposar que originen una fricció que fa que els portadors adquireixin
una velocitat d’arrossegament, ~va . En aquestes circumstàncies, l’equació semiclàssica del moviment
s’escriu com
d~va 1 ~va
 
= ∗
F~ − ,
dt m τ
on (1/m∗ ) és el tensor invers de massa efectiva dels portadors, F~ és la força externa aplicada i ~va /τ
representa l’acceleració de la velocitat d’arrossegament deguda a la fricció, essent τ el que es coneix
com a temps de relaxació. Suposant que la banda és parabòlica, q és la càrrega dels portadors i el
règim és estacionari (~va no depèn de t), estudiarem les següents situacions:
a) La força exterior és deguda únicament a un camp elèctric extern E ~ e.
~
i) Demostreu que ~va és proporcional a Ee i especifiqueu-ne el factor de proporcionalitat.
ii) Doneu la densitat del corrent ~j i la conductivitat elèctrica de Drude, σ0 .
b) La força externa és causada per l’acció simultània d’un camp elèctric E~ e = Ee x̂ i d’un camp
magnètic B ~ = B ẑ, que dóna lloc a una força de Lorentz que actua sobre els portadors i els
desvia de la seva trajectòria. Si les càrregues no són drenades lateralment, s’origina un camp
~ H = EH ŷ (camp Hall) que en el règim estacionari s’oposa al desplaçament transversal
elèctric E
dels portadors, cosa que fa que la velocitat d’arrossegament tingui només component en la
direcció x̂ (~va = va x̂).
i) Escriviu l’equació del moviment i trobeu va .
ii) Determineu EH , la densitat del corrent, j i el coeficient Hall [RH ≡ EH /(jB)] en funció
de la càrrega i la densitat de portadors, n.
iii) Especifiqueu els resultats anteriors per a portadors tipus electró i tipus forat.

9
 c) Sotmetem a un camp magnètic B = 00 5 T i una diferència de potencial V = 200 mV en
la direcció x̂ una làmina de plata, de longitud lx = 20 60 cm, amplada ly = 10 70 cm i gruix
lz = 50 µm, els portadors de la qual són electrons. El corrent que s’hi estableix és I = 10 A i
la diferència de potencial en la direcció ŷ és VH = −10 µV. Calculeu:
i) El coeficient Hall i la densitat de portadors.
ii) La conductivitat i el temps de relaxació.

3.6. L’estructura de bandes d’un semimetall del sistema cúbic, format per àtoms de valència 2, és tal
que el màxim de la banda d’energia més baixa admet una aproximació del tipus

(h̄~k)2
E(~k) ∼ E1 − ,
2m1
mentre que el fons de la segona banda es pot descriure mitjançant sis mı́nims localitzats al llarg de
les direccions [1 0 0], [0 1 0] i [0 0 1]. Aquests es poden aproximar mitjançant equacions de la forma

h̄2 (~k − ~k0 )2

E(~k) ∼ E2 + .
2m2

En aquestes expressions E1 , E2 , m1 i m2 són constants reals i positives i ~k0 un vector que dóna la
posició del mı́nim. A més a més, E1 = E2 + δE amb δE positiu i petit.
a) Feu un esquema de les bandes en la direcció [1 0 0], per a energies properes a E1 i E2 , tot
indicant la posició estimada de l’energia de Fermi.
b) Determineu el potencial quı́mic a temperatura zero (energia de Fermi) d’aquest semimetall en
funció dels paràmetres E1 , E2 , m1 i m2 .

3.7. Considereu un semiconductor intrı́nsec, a una temperatura T |E −µ|/kB , i suposeu que les bandes
de valència i de conducció tenen un comportament parabòlic. Prenent l’origen d’energies a la part
superior de la banda de valència:
a) Obtingueu l’expressió per a la densitat de portadors en funció de la temperatura.
b) Determineu l’expressió que dóna la dependència del potencial quı́mic amb la temperatura.

3.8. (*) L’arsenur de gal.li (GaAs) és un material semiconductor amb una estructura cristal.lina del tipus
de la zinc-blenda i una estructura de bandes que es mostra a la figura 4.
Sabent que l’estructura electrònica per als electrons de valència és 4s2 4p1 per al Ga i 4s2 4p3 per a
l’As, contesteu les següents qüestions:
a) Quantes bandes hi ha per a una energia per sota de E = 0?
b) A partir de l’esquema de bandes de la figura 4:
i) A quins valors de ~k es troben el màxim de les bandes de valència i el mı́nim de la banda
de conducció?
ii) Doneu un valor aproximat de l’amplada de la banda prohibida.
c) Se sap que el fons de la banda de conducció admet una aproximació parabòlica amb una massa
efectiva escalar mc = 00 067me . Per a les bandes de valència, les aproximacions parabòliques a
l’entorn de E = 0 donen lloc a dues bandes de forats pesats, de massa efectiva m1 = 00 450me ,
i una de forats lleugers, de massa m2 = 00 082me . En aquesta aproximació:
i) Determineu la dependència del potencial quı́mic amb la temperatura.
ii) Quant val la concentració de portadors en cadascuna de les bandes?

10
 Figura 4: Estructura de bandes del GaAs.

Nota: En l’aproximació parabòlica es poden usar les expressions següents per a les concentracions
de portadors en una banda:
3/2 3/2
mn kB T µ − Ec mp kB T Ev − µ
     
n(T ) = 2 exp , p(T ) = 2 exp .
2πh̄2 kB T 2πh̄2 kB T

3.9. (*) L’energia d’interacció entre dos ions que formen part d’un sòlid iònic es pot escriure com

1 Zi Zj e 2 ri,j
 
Ui,j = ± + λ exp − ,
4πε0 ri,j ρ

on el primer terme representa la interacció de Coulomb i el segon terme correspon al potencial

repulsiu efectiu que descriu els efectes del principi d’exclusió de Pauli entre els electrons dels ions i
i j, havent-se de considerar només entre ions veı̈ns.
En el cas d’un sòlid iònic unidimensional format per ions alternats de càrrega ±e:
a) Calculeu la distància d’equilibri entre ions i l’energia de cohesió per partı́cula.
b) Particularitzeu els resultats per a ρ = 00 35 Å i λ = 00 5 · 10−15 J.

11
4 MOVIMENT DELS IONS. FONONS
4.1. En molts casos les relacions de dispersió experimentals es poden reproduir molt bé si se suposa que
els ions i el núvol dels electrons de valència tenen desplaçaments diferents (modes de respiració).
Considereu una cadena lineal monoatòmica amb separació d’equilibri a i suposeu que cada ió, de
massa M , només interacciona amb el seu núvol electrònic, de massa m, de manera que la força és
proporcional al desplaçament relatiu dels seus centres de masses, essent C2 la constant de força,
mentre que els núvols electrònics d’àtoms veı̈ns interaccionen amb una constant de força C1 . Si els
desplaçaments dels ions i dels núvols electrònics de l’àtom n-èsim respecte de les posicions d’equilibri
corresponents són de la forma unα = Aα exp{ı(qna − ωt)}, on α = I per als ions i N per als núvols
electrònics:
a) Determineu les equacions del moviment.
b) Demostreu que la relació de dispersió ve donada per l’expressió
(
1 qa

2
ω (q) = C2 (m + M ) + 4M C1 sin2
2mM 2
" 2 #1/2 )
qa 2 2 qa
± C2 (m + M ) + 4M C1 sin − 16mM C1 C2 sin
2 2

c) Sabent que mM , demostreu que la relació de dispersió per a la branca acústica es pot
aproximar per

4C1 C2 sin2 (qa/2)

ω 2 (q) ≈ .
M C2 + 4C1 sin2 (qa/2)
d) Trobeu en aquest lı́mit la velocitat del so i la freqüència màxima, sabent que

∂ω 2 ∂ω
= 2ω .
∂q ∂q
e) Compareu els resultats obtinguts amb els que es troben per al cas d’àtoms rı́gids.

4.2. (*) El grafè és una estructura cristal·lina bidimensional formada per àtoms de carboni disposats
en una xarxa hexagonal amb una base de dos àtoms idèntics √ situats a ~r1 = (~a1 + ~a2 )/3 i ~r2 =
2(~a1 + ~a2 )/3, respectivament, on ~a1 = ax̂ i ~a2 = (a/2)(x̂ + 3ŷ) (vegeu la figura 5). Les vibracions
perpendiculars al pla del grafè es poden descriure considerant interaccions harmòniques només a
primers veı̈ns, amb una constant de força C. Si ens limitem a aquestes vibracions transversals:

Figura 5: Grafè.

12
 a) Quantes branques i de quina natura (acústiques o òptiques) hi haurà a la relació de dispersió?
b) Quines seran les equacions del moviment dels àtoms?
c) Determineu l’expressió formal de les relacions de dispersió, ω(~q), per a les diferents branques.
d) Trobeu el lı́mit de la relació de dispersió corresponent a la branca acústica per a longituds
d’ona llargues.
e) Quina serà la velocitat de propagació de les ones elàstiques en aquest lı́mit?

4.3. Un dels efectes de la superfı́cie d’un sòlid sobre els modes de vibració és l’existència de modes de
vibració localitzats. Aquests modes són oscil.lacions d’una freqüència ω superior al valor màxim de
la freqüència d’un fonó ordinari, que s’esmorteeixen a l’allunyar-se de la superfı́cie. Per estudiar-
los considerem un model unidimensional senzill format per una cadena semiinfinita d’àtoms, n =
0, 1, 2, 3... Els àtoms n ≥ 1 estan distribuı̈ts uniformement, a una distància entre primers veı̈ns a,
interaccionant a primers veı̈ns amb constant C. Per contra, l’àtom a la superfı́cie (n = 0) està a
una distància a0 > a de l’àtom n = 1, amb el que interacciona amb una constant C 0 6= C.
a) Raoneu per què el mode (
Aeıωt , n=0
un = n −qna ıωt
B(−1) e e , n=6 0
és, en principi, una bona descripció d’un mode de superfı́cie.
b) Determineu l’espectre de freqüències ω(q) d’aquests modes de superfı́cie.
c) Demostreu que les condicions que les equacions del moviment imposen sobre A i B, juntament
amb la relació de dispersió, impliquen que aquests modes només poden existir si C 0 ≥ 4C/3.

4.4. Alguns metalls presenten una anomalia en les corbes de dispersió de fonons, ω(~q), consistent en
un canvi abrupte del pendent a l’entorn de certs vectors especı́fics, ~q0 . Aquest efecte s’anomena
anomalia de Kohn, i es creu que és degut a la forma en què la interacció fonó-electró afecta les
constants d’interacció. Com a model senzill per estudiar l’anomalia de Kohn es proposa un cristall
unidimensional de paràmetre de xarxa a, base monoatòmica i constants d’interacció entre els ions
n i n0 = n ± p, p > 0,

sin(p q0 a)
Cp = C , ∀p > 0,
pa
essent C i q0 constants caracterı́stiques del metall.
a) Escriviu les equacions del moviment.
b) Trobeu la relació de dispersió, ω(q).
c) Demostreu que aquest model presenta una anomalia de Kohn en forma de tangent vertical a
ω(q) en q = q0 . [Suggeriment: treballeu amb ω 2 (q).]

4.5. Un feix de neutrons, de longitud d’ona λ0 = 30 50 Å, massa en repòs Mn ≈ 10 675 × 10−27 kg i vector
d’ona ~k0 = k0 x̂ incideix sobre un sòlid d’estructura cristal.lina cúbica simple, de constant de xarxa
a = 40 25 Å, i base monoatòmica. Alguns neutrons dispersats surten del sòlid seguint la direcció
[111], amb una longitud d’ona λ1 = 20 33 Å.
a) Es tracta d’un procés d’emissió o d’absorció d’un fonó?
b) Quina és l’energia i el vector d’ona del fonó implicat en el procés?
c) A partir d’aquests resultats, doneu un valor aproximat per a la velocitat del so.

13
 Figura 6: Geometria experimental del problema 4.6.

4.6. L’argó cristal·litza a baixa temperatura en una estructura fcc de constant de xarxa a = 50 21 Å.
S’estudia una mostra policristal·lina d’argó mitjançant dos experiments de dispersió de neutrons
amb longitud d’ona λ0 = 10 81 Å segons la següent geometria (i = 1, 2):

a) En un primer experiment s’analitzen els neutrons dispersats amb la mateixa energia que el
feix incident (λ1 = 10 81 Å) i s’observa un pic quan l’angle entre el dos feixos, 2θ1 , és 350 0◦ .
i) Quin procés fı́sic ha experimentat el feix de neutrons incident?
ii) Quina és la famı́lia de plans responsable d’aquest procés? Quin és el vector de la xarxa
~ associat a aquesta famı́lia de plans?
recı́proca, G,
b) Si ara, en un segon experiment fent servir la mateix energia del feix incident, s’analitza el feix
de neutrons dispersats corresponents a una longitud d’ona λ2 = 10 80 Å, s’observa un màxim
d’intensitat en el detector quan l’angle entre els dos feixos, 2θ2 , és 340 5◦ .
i) Quin procés fı́sic ha experimentat ara el feix de neutrons incident? S’ha absorbit (destruı̈t)
o s’ha emés (creat) un fonó?
ii) Si la massa dels neutrons en repòs és Mn ≈ 10 675 × 10−27 kg i la constant de Planck
reduı̈da és h̄ ≈ 10 055 × 10−34 J·s, quina és l’energia del fonó?
iii) Quin és el mòdul del vector d’ona ~q del fonó implicat si suposem que el vector de la xarxa
~ és el mateix que al primer experiment?
recı́proca, G,
iv) Estima la velocitat del so en l’argó.

14