NAME:______________________________________

    PUID:  ______________________________________  
 
 
ECE  305  Exam  4:  SOLUTIONS  Fall  2014  
October  31,  2014  
Mark  Lundstrom  
Purdue  University  
 
 
This  is  a  closed  book  exam.    You  may  use  a  calculator  and  the  formula  sheet  at  the  end  of  
this  exam.  
 
There  are  three  questions.    To  receive  full  credit,  you  must  show  your  work  (scratch  
paper  is  attached).  
 
The  exam  is  designed  to  be  taken  in  50  minutes.  
 
Be  sure  to  fill  in  your  name  and  Purdue  student  ID  at  the  top  of  the  page.  
 
DO  NOT  open  the  exam  until  told  to  do  so,  and  stop  working  immediately  when  time  is  
called.  
 
The  last  page  is  an  equation  sheet,  which  you  may  remove,  if  you  want.  
 
 
75  points  possible  
 
1)   5  points  per  part  –  25  points  total  
 
2)   5  points  per  part  –  40  points  total  
 
3)   5  points  per  part  –  10  points  total.  
 
 
 
-­‐-­‐-­‐-­‐-­‐-­‐-­‐-­‐-­‐-­‐-­‐-­‐-­‐-­‐-­‐-­‐-­‐-­‐-­‐-­‐-­‐-­‐-­‐-­‐-­‐    Exam  Integrity  Statement    -­‐-­‐-­‐-­‐-­‐-­‐-­‐-­‐-­‐-­‐-­‐-­‐-­‐-­‐-­‐-­‐-­‐-­‐-­‐-­‐-­‐-­‐-­‐-­‐-­‐  
 
I  certify  that  I  have  neither  given  nor  received  unauthorized  aid  on  this  exam.      
 
Write  out  the  above  statement:  
 
 
 
 
 
Signature:   ______________________________________________  
 
ECE-­‐305     1   Fall  2014  
 Exam  4  SOLUTIONS:  ECE  305   Fall  2014  
Answer  the  five  multiple  choice  questions  below  by  drawing  a  circle  around  the  one,  
best  answer.    
 
1a)   For  a  Si  diode  under  a  forward  bias  of   V A = 0.6  V,  approximately  what  is  the  
maximum  splitting  in  the  quasi-­‐Fermi  levels?  
a)    1.2  eV.  
b)    0.6  eV.  
c)    0.3  eV.  
d)    0.026  eV.  
e)    0.052  eV  
 
1b)   The  saturation  current  of  a  long  N+P  junction  is I 0 = qA ( Dn Ln ) ni2 N A ?    How  does  
 
this  expression  change  for  a  short  PN  junction?  
( )
a)   Dn Ln  is  replaced  by   coth Dn Ln    
b)   Dn L  is  replaced  by   sinh ( D
n n
L )  
n

c)   Dn L  is  replaced  by   tanh ( D

n n
L )    
n

d)   Dn Ln  is  replaced  by   Dn WN  where   WN  is  the  length  of  the  undepleted  N-­‐region.  
e)   Ln  is  replaced  by   Ln π .      
 
1c)   The  small-­‐signal  model  for  a  NP  diode  consists  of  a  resistor  in  parallel  with  two  
capacitors.    How  does  the  small-­‐signal  model  for  a  MS  diode  compare?  
a)    It  is  identical  to  the  model  for  the  NP  diode.  
b)    It  is  the  same,  except  that  the  resistor  is  missing.  
c)    It  is  the  same,  except  that  the  junction  capacitance  is  missing.  
d)    It  is  the  same,  except  that  the  diffusion  capacitance  is  missing.  
e)    It  has  the  same  three  components,  but  they  are  in  parallel,  not  in  series.
 
 
1d)   Ohmic  contacts  are  typically  made  by  doping  the  semiconductor  adjacent  to  the  
metal  as  heavily  as  possible.    Why?  
a)    To  increase  the  electron  affinity.  
b)    To  decrease  the  electron  affinity.  
c)    To  increase  the  width  of  the  depletion  region  and  suppress  tunneling.  
d)    To  decrease  the  width  of  the  depletion  region  and  enhance  tunneling.  
e)    To  decrease  the  image  force  lowering.
 
 
1e)   What  effect  does  an  increase  in  the  Schottky  barrier  have  on  the  IV  characteristics  of  an  
MS  diode?  
a) It  increases  the  ideality  factor,   n .  
b) It  decreases  the  ideality  factor,   n .  
c) It  increases  the  saturation  current  density,   J 0 .  
d) It  decreases  the  saturation  current  density,   J 0 .  
e) It  lowers  the  reverse  breakdown  voltage.  
ECE-­‐305     2   Fall  2014  
 Exam  4  SOLUTIONS:  ECE  305  
Fall  2014  
 
2)   This  problem  concerns  the  equilibrium  NP  junction  with  two  metal  contacts  shown  
below.    Consider  first  the  separate  N  and  P  regions  and  the  metal.    The  N-­‐type  
semiconductor  is  doped  so  that   E FN = EC  (we  are  assuming  non-­‐degenerate  carrier  
statistics).    The  P-­‐type  semiconductor  is  doped  so  that   E FP = EV .    The  work  function  
of  the  metal  is  equal  to  the  electron  affinity  of  the  semiconductors,   Φ M = χ S .    Assume  
EG = 1.5 eV  for  the  semiconductor.  Answer  the  following  questions.    

 
2a)   Draw  energy  band  diagrams  of  the  four  isolated  layers  –  1)  metal,  2)  N-­‐
semiconductor,  3)  P-­‐semiconductor,  and  4)  metal.    Indicate  the  Fermi  level  on  each  
diagram.    HINT:    Be  sure  that  the  vacuum  level,   E0 ,  is  the  same  is  each  case.  
 
                   1)  metal          2)  N-­‐semiconductor                3)  P-­‐semiconductor        4)  metal.  

 
 
 
ECE-­‐305     3   Fall  2014  
 Exam  4  SOLUTIONS:  ECE  305   Fall  2014  
 
2b)   Draw  the  energy  band  diagram  of  the  metal-­‐N-­‐type  semiconductor  junction.  
 

 
 
Note  that  there  is  no  bandbending.  
 
 
2c)   Determine  the  built-­‐in  potential  in  volts  for  the  metal-­‐N-­‐type  semiconductor  
junction.  
 
Solution:  
 
qVbi = E FM − E FN = 0       Vbi = 0
 
(The  built-­‐in  potential  
  is   t he   b andbending   in  the  semiconductor  –  there  is  no    
bandbending.)
 
 
2d)   Sketch  the  energy  band  diagram  of  N-­‐P  semiconductor  junction.  Indicate  the  built-­‐in  
potential  on  your  sketch.  
 

 
 
 
 
ECE-­‐305     4   Fall  2014  
 Exam  4  SOLUTIONS:  ECE  305   Fall  2014  
 
2e)   Determine  the  built-­‐in  potential  in  volts  for  the  N-­‐P  semiconductor  junction.    Hint:    
you  can  do  this  with  either  the   Vbi  formula  for  an  NP  junction  or  by  remembering  
that   Vbi  is  the  difference  in  work  functions  divided  by  q.    Assume   EG = 1.5 eV  and  
provide  numerical  answer.  
 
Solution:  
 
We  can  do  this  two  ways.    First,  recall  that   Vbi  is  the  difference  in  Fermi  levels  before  
the  two  layers  are  brought  into  contact.      
qVbi = E FN − E FP = EC − EV = EG  ,  so   Vbi = EG q = 1.5 V  
 
k BT ⎛ N A N D ⎞
Another  way  to  do  this  is  to  use  the  formula  for  an  NP  junction:   Vbi = ln ⎜ 2 ⎟  
q ⎝ ni ⎠
N A  is  really  the  equilibrium  hole  concentration,   N A = p0 P = NV e(
EV − E FP ) k BT
.  
Since  the  Fermi  level  on  the  p-­‐side  is  at  the  valence  band  edge,   N A = p0 P = NV .  
Similarly  for  the  N-­‐side,   N D = n0 N = N C  
Putting  this  in  the   Vbi  formula:
k BT ⎛ N A N D ⎞ k BT ⎛ N C NV ⎞ k BT ⎛ N C NV ⎞ EG
Vbi = ln ⎜ 2 ⎟ = ln ⎜ 2 ⎟ = ln ⎜ −E k BT ⎟ = q ,  
q ⎝ ni ⎠ q ⎝ ni ⎠ q ⎝ N C NV e G ⎠
which  is  the  same  answer.  
 
2f)   Draw  the  energy  band  diagram  of  the  P-­‐type  semiconductor-­‐metal  junction.    Indicate  
the  built-­‐in  potential  on  your  sketch.  
 
Solution:  

 
 
 
Note  that   Φ Bp = EG ,  a  very  large  Schottky  barrier,  while  for  the  N-­‐layer,   Φ Bn = 0 .  

ECE-­‐305     5   Fall  2014  

 Exam  4  SOLUTIONS:  ECE  305   Fall  2014  
 
2g)   Determine  the  built-­‐in  potential  in  volts  for  the  P-­‐type  semiconductor  –metal  
junction.  
 
Solution:  
The  built  in  potential  is  the  difference  in  Fermi  levels  of  the  isolated  materials.    The  
Fermi  level  of  the  metal  is  aligned  with  the  conduction  band  of  Si.    The  Fermi  level  of  
the  P-­‐type  semiconductor  is  at  the  valence  band,  so  
qVbi = E FM − E FP = EC − EV = EG   Vbi = EG q = 1.5 V  
 
Note:    We  consider  the  built-­‐in  potential  to  be  a  positive  quantity,  but  the  sign  of  the  
voltage  drop  (i.e.  which  side  of  the  junction  is  more  positive)  is  needed  for  the  next  
part.  
 
 
2h)   Determine  the  built-­‐in  voltage  in  volts  of  the  entire  structure.    It  is  easiest  to  do  this  by  
setting  the  voltage  on  the  right  contact  to  zero  (reference)  and  then  adding  up  the  built-­‐
in  voltages  of  the  three  junctions  in  series  to  find   VLEFT ,  which  is  the  built-­‐in  potential  of  
the  entire  structure.    HINT:    Be  careful  about  the  signs!  
 
Solution:  
 
The  right  metal  is  at   V = 0 .    From  the  figure  in  2a)  we  see  that  the  P-­‐layer  voltage  will  
be   − EG q  .    From  the  figure  in  2a),  we  see  that  the  N-­‐layer  must  be  more  positive  by  
the  built-­‐in  potential  of  the  NP  junction,  so  the  volage  of  the  N-­‐layer  is  
− EG q + EG q = 0 .  
 
There  is  not  built-­‐in  potential  between  the  left  metal  and  the  N-­‐semiconductor,  so  the  
voltage  of  the  left  metal  layer  is  zero.  
 
We  conclude  that  the  voltages  on  the  two  metal  contacts  are  the  same,  which  
explains  why  we  can’t  measure   Vbi  of  the  NP  junction.  

ECE-­‐305     6   Fall  2014  

 Exam  4  SOLUTIONS:  ECE  305   Fall  2014  
 
3)   The  figure  below  shows  the  equilibrium  carrier  densities  (per  cm3)  vs.  position  for  
an  NP  junction  in  equilibrium.    Assume  that  both  regions  are  long.  Note  that  the  
edges  of  the  transition  region,   −xn  and   x p ,  are  indicated  and  that  the  vertical  axis  is  
logarithmic.    Assume  that   µ n = 1000 cm 2 V-s ,   µ p = 100 cm 2 V-s ,  and  
Ln = Lp = 10−4 cm .  

 
 
( )
3a)   Compute   n x p  and  the  electron  current  density  at,   x = x p  for  a  forward  bias  of  
V A = 0.2  V.    
 
Solution:  

( )
According  to  the  law  of  the  junction:     n x p = n0 p e
qV A k BT
=
ni2 qVA
NA
e
k BT
 

eqVA kBT = e0.2 0.026 = 2.2 × 103  

( ) ( )
From  the  plot:   n x p = 1011 ,  so   n x p = n0 p eqVA k BT
= 2.2 × 103 × 1011 = 2.2 × 1014  

( )
n x p = 2.2 × 1014 cm -3  

( )
Since  the  P-­‐region  is  long,   Δn x > x p = Δn x p e ( ) −( x−x p ) Ln

 
dΔn ( x )
( )
The  current  density  is     J n x = x p = −qDn
dx
=q
Dn
Ln
( )
Δn x p    because  we  are  in  low  
x=x p

level  injection  and  there  is  no  drift  current.      

Putting  in  numbers:  

( ) D
( )
J n x = x p = q n Δn x p = 1.6 × 10−19
Ln
0.026 × 1000
10 −4
× 2.2 × 1014 = 9.2 A/cm 2  

J ( x = x ) = 9.2 A/cm  
n p
2

ECE-­‐305     7   Fall  2014  

 Exam  4  SOLUTIONS:  ECE  305  
Fall  2014  
 
3b)   Sketch  the  electron  and  hole  densities  under  forward  bias  of   V A = 0.2  V.  Indicate  the  
( ) ( )
numerical  values  of   n x p  and   p −xn  on  your  sketch.    Remember:    Both  the  N  and  P  
regions  are  long.    To  help  you  draw  the  plots,  the  magnitude  of  the  minority  carrier  
diffusion  lengths  are  indicated  on  the  template  below.  
 
 
 

 
 
 
( )
From  part  3a)     n x p = n0 p eqVA k BT
= 2.2 × 1014  
Note  also  that   p ( x ) = p
p 0n
eqVA k BT
= 2.2 × 103 × 109 = 2.2 × 1012  
 
In  the  undepleted  N  and  P  regions,  the  excess    minority  carrier  concentrations  decay  as  
p( x) ∝ e
− x−xn Lp
()
 and   n x ∝ e
− x−x p Ln
.  These  are  straight  lines  on  a  log  plot.    Because  the  
regions  are  long,  all  excess  carriers  decay  and  we  are  left  with   p0 N and   n0 P  far  away  from  
the  junction  (about  three  diffusion  lengths  past  the  edges  of  the  transition).  
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

ECE-­‐305     8   Fall  2014