电子元器件

电子元器件包括：电阻、电容、电感、电位器、电子管、散热器、机电元件、连接器、半导体分立器件、电声器
件、激光器件、电子显示器件、光电器件、传感器、电源、开关、微特电机、电子变压器、继电器、印制电路板、集成
电路、各类电路、压电、晶体、石英、陶瓷磁性材料、印刷电路用基材基板、电子功能工艺专用材料、电子胶（带）制
品、电子化学材料及部品等。
一、元件：工厂在加工时没改变原材料分子成分的产品可称为元件。
元件属于不需要能源的器件。它包括：电阻、电容、电感。(又称为被动元件 Passive Components)
元件分为：
1、电路类元件：二极管，电阻器等等
2、连接类元件：连接器，插座，连接电缆，印刷电路板(PCB)
二、器件：工厂在生产加工时改变了原材料分子结构的产品称为器件。器件分为：
1、主动器件，它的主要特点是：(1)自身消耗电能(2)需要外界电源。
2、分立器件，分为(1)双极性晶体三极管(2)场效应晶体管(3)可控硅 (4)半导体电阻、电容。

组合电路
集成电路是一种采用特殊工艺，将晶体管、电阻、电容等元件集成在硅基片上而形成的具有一定功能的器件，英文
缩写为 IC，也俗称芯片。
集成电路，又称为 IC，按其功能、结构的不同，可以分为模拟集成电路、数字集成电路和数/模混合集成电路三大
类。
模拟集成电路是指由电容、电阻、晶体管等元件集成在一起用来处理模拟信号的模拟集成电路。有许多的模拟集成
电路，如集成运算放大器、比较器、对数和指数放大器、模拟乘(除)法器、锁相环、电源管理芯片等。模拟集成电路的
主要构成电路有：放大器、滤波器、反馈电路、基准源电路、开关电容电路等
数字集成电路是将元器件和连线集成于同一半导体芯片上而制成的数字逻辑电路或系统。根据数字集成电路中包含
的门电路或元器件数量，可将数字集成电路分为小规模集成(SSI)电路、中规模集成(MSI)电路、大规模集成(LSI)电路、
超大规模集成(VLSI)电路和特大规模集成(ULSI)电路。小规模集成电路包含的门电路在 10 个以内，或元器件数不超过
100 个；中规模集成电路包含的门电路在 10-100 个之间，或元器件数在 100-1000 个之间；大规模集成电路包含的门
电路在 100 个以上，或元器件数在 10-10 个之间；超大规模集成电路包含的门电路在 1 万个以上，或元器件数在 10-10
之间；特大规模集成电路的元器件数在 10-10 之间。它包括：基本逻辑门、触发器、寄存器、译码器、驱动器、计数
器、整形电路、可编程逻辑器件、微处理器、单片机、DSP 等

单片机（MCU)
单片机（Single-Chip Microcomputer）是一种集成电路芯片，是采用超大规模集成电路技术把具有数据处理能力的中
央处理器 CPU、随机存储器 RAM、只读存储器 ROM、多种 I/O 口和中断系统、定时器/计数器等功能（可能还包括显
示驱动电路、脉宽调制电路、模拟多路转换器、A/D 转换器等电路）集成到一块硅片上构成的一个小而完善的微型计算
机系统，在工业控制领域广泛应用。从上世纪 80 年代，由当时的 4 位、8 位单片机，发展到现在的 300M 的高速单片
机。

品牌：
 电源管理芯片：

电源管理芯片（Power Management Integrated Circuits），是在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检

测及其他电能管理的职责的芯片.主要负责识别 CPU 供电幅值，产生相应的短矩波，推动后级电路进行功率输出

电源管理的范围相对较广，包括电源转换（DC-DC、AC-DC 和 DC-AC）、电源分配和检测，以及结合了电源转换
和电源管理的系统。相应地，电源管理芯片的分类也包括这些方面，例如线性电源芯片、电压基准芯片、开关电源芯片、
LCD 驱动芯片、LED 驱动芯片、电压检测芯片、电池充电管理芯片、栅极驱动器、负载开关、宽带隙开关等。
二极管
二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件 [1] 。它具有单向导电性能， 即给二极管阳极和阴极加
上正向电压时，二极管导通。 当给阳极和阴极加上反向电压时，二极管截止。 因此，二极管的导通和截止，则相当于
开关的接通与断开开关二极管/ 普通二极管

稳压二极管/肖特基二极管

双向触发二极管/快恢复二极管

光电二极管/阻尼二极管

磁敏二极管/整流二极管

发光二极管/激光二极管

变容二极管 /检波二极管

其他二极管

二极管常见品牌：苏州固锝 苏州群鑫 扬州扬杰 乐山无线 常州银河 江苏捷捷 先科电子

三极管
 三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微
弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作
两个相距很近的 PN 结，两个 PN 结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方
式有 PNP 和 NPN 两种。

带阻三极管/磁敏三极管

开关晶体管 / 闸流晶体管

中高频放大三极管/低噪声放大三极管

低频、高频、微波功率晶体管/开关三极管

光敏三极管/微波三极管

高反压三极管/达林顿三极管

光敏晶体管/低频放大三极管

功率开关晶体管/其他三极管

三极管常见品牌：佛山蓝箭 江苏锢德 江苏长电 东莞先科等

场效应管
场效应晶体管（Field Effect Transistor 缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junction FET
—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称 MOS-FET）。由多数载流子参与导
电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态
范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。
（1）场效应管是电压控制器件，它通过 VGS(栅源电压)来控制 ID（漏极电流）；
（2）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。
（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；
（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；
（5）场效应管的抗辐射能力强；
（6）由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。

MOS 场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor,

MOSFET)。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型 MOS 场效应管可分为 NPN 型 PNP 型。NPN 型通常称为 N 沟道
型，PNP 型也叫 P 沟道型。对于 N 沟道的场效应管其源极和漏极接在 N 型半导体上，同样对于 P 沟道的场效应管其源
极和漏极则接在 P 型半导体上。场效应管的输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有
输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。
C-MOS 场效应管（增强型 MOS 场效应管）
电路将一个增强型 P 沟道 MOS 场效应管和一个增强型 N 沟道 MOS 场效应管组合在一起使用。当输入端为低电平
时，P 沟道 MOS 场效应管导通，输出端与电源正极接通。当输入端为高电平时，N 沟道 MOS 场效应管导通，输出端
与电源地接通。在该电路中，P 沟道 MOS 场效应管和 N 沟道 MOS 场效应管总是在相反的状态下工作，其相位输入端
和输出端相反。通过这种工作方式我们可以获得较大的电流输出。同时由于漏电流的影响，使得栅压在还没有到 0V，
通常在栅极电压小于 1 到 2V 时，MOS 场效应管既被关断。不同场效应管其关断电压略有不同。也正因为如此，使得该
电路不会因为两管同时导通而造成电源短路。
分类
场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS 管）两大类。
按沟道材料型和绝缘栅型各分 N 沟道和 P 沟道两种；按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝
缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和 MOS 场效应晶体管，而 MOS 场效应晶体管又分为 N 沟耗尽型和增强型；P
沟耗尽型和增强型四大类。
结型场效应管（JFET）
1、结型场效应管的分类：结型场效应管有两种结构形式，它们是 N 沟道结型场效应管和 P 沟道结型场效应管。
结型场效应管也具有三个电极，它们是：栅极；漏极；源极。
电路符号中栅极的箭头
常见国内外品牌：

场效应管

方向可理解为两个 PN 结的正向导电方向。
 2、结型场效应管的工作原理(以 N 沟道结型场效应管为例)，N 沟道结构型场效应管的结构及符号，由于 PN 结中的
载流子已经耗尽，故 PN 基本上是不导电的，形成了所谓耗尽区，当漏极电源电压 ED 一定时，如果栅极电压越负，PN
结交界面所形成的耗尽区就越厚，则漏、源极之间导电的沟道越窄，漏极电流 ID 就愈小；反之，如果栅极电压没有那
么负，则沟道变宽，ID 变大，所以用栅极电压 EG 可以控制漏极电流 ID 的变化，就是说，场效应管是电压控制元件。
绝缘栅场效应管
1、绝缘栅场效应管（MOS 管）的分类：绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是 N 沟道型和 P 沟道型。无论是
什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种。
2、它是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属—氧化物—半导体场效应管，简称 MOS 场效应管。
3、绝缘栅型场效应管的工作原理(以 N 沟道增强型 MOS 场效应管为例)它是利用 UGS 来控制“感应电荷”的多少，
以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层
中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的 N 区接通，形成了导电沟
道，即使在 VGS=0 时也有较大的漏极电流 ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也
随之而变，因而漏极电流 ID 随着栅极电压的变化而变化。
场效应管的工作方式有两种：当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗尽型；当栅压为零，漏极电流也为零，必须再
加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。

作用

1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容
器。
2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3.场效应管可以用作可变电阻。
4.场效应管可以方便地用作恒流源。
5.场效应管可以用作电子开关。
常见的场效应管
MOS 场效应管
即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为 MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-
Transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻
（最高可达 1015Ω）。它也分 N 沟道管和 P 沟道管。通常是将衬底（基板）与源极 S 接在一起。根据导电方式的不
同，MOSFET 又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当 VGS=0 时管子是呈截止状态，加上正确的 VGS 后，多数载
流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当 VGS=0 时即形成沟道，加上
正确的 VGS 时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。
VMOS 场效应管
VMOS 场效应管（VMOSFET）简称 VMOS 管或功率场效应管，其全称为 V 型槽 MOS 场效应管。它是继 MOSFET
之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了 MOS 场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（左右
0.1μA 左右），还具有耐压高（最高可耐压 1200V）、工作电流大（1.5A～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导
的线性好、开关速度快等优良特性。正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大
倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。

IGBT

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由 BJT(双极型三极管)和 MOS(绝缘栅型场效应

管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有 MOSFET 的高输入阻抗和 GTR 的低导通压降两方面的优
点。GTR 饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET 驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密
度小。IGBT 综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为 600V 及以上的变流系
统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT 模块是由 IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与 FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块
化半导体产品；封装后的 IGBT 模块直接应用于变频器、UPS 不间断电源等设备上；
IGBT 模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的 IGBT
也指 IGBT 模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见；
常见国内外品牌：