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2023년 2학기 4주차

물성전자공학

실제 결정의 원자배열은 완전할까?


그리고 어떻게 만들지?
1.10 Crystalline Defects and Their Significance
1.11 Single-Crystal Czochralski Growth

http://bit.ly/ku_PhysicalElectronics_4w
• 주간 학습목표와 질문
69~77

Crystalline Defects & Their Significance


• Point defects (~eV) • Line defects (~100eV)
• Edge dislocations
𝐸
−𝑘 𝑣𝑇
• Vacancies: 𝑛𝑣 = 𝑁𝑒 𝐵
• 원자배열이 유한하여 선형태 결함
• Thermodynamic defects: 격자에
너지로 인해 원자가 빠져나와 결 • Screw dislocations
정 내로 확산, 격자의 왜곡 초래 • 특정 축 주위로 원자거리 정도로 돌아
• Ionic crystal: charge neutrality 가며 어긋남
• Schottky defect (양이온-음이온
쌍 결함), Frenkel defect (격자사
• Misfit dislocations: epilayer
이 공간으로 이온의 이동, AgCl) • Epilayer 경계면에 형성
• Impurities • Threading dislocations: epilayer
• Substitutional impurity
• Interstitial impurity
• Epilayer에서 misfit, screw
dislocation과 같이 복합적
79~82

Crystalline Defects & Their


Significance
• Planar defects • Stoichiometry
• Grain boundaries • 결정을 이루는 원자들이 정수비
• Nuclei를 중심으로 성장한 결정질 로 구성: CaF2, ZnO
들이 서로 만나는 계면/평면 • Nonstoichiometry
• 에너지가 크고 불순물, 결함 등의
밀도가 높은 영역
• 온도를 올릴 때 grain coursing
(grain growth) 으로 인해 grain
boundary 평면면적이 낮아짐
• Crystal surfaces
• 결정표면 원자들의 재구조화
• Dangling bond, adsorption
82~85

Single-Crystal growth
• Czochralski growth
• 씨앗 단결정을 용융된 재료에
서 천천히 돌리면서 끌어올릴
때 씨앗을 중심으로 실린더
형태의 단결정 성장
• 성장된 단결정 잉곳을 방향에
따라 잘라서 웨이퍼 형태로
제작
86~90

Glasses & Amorphous Semiconductors


• Long range order의 부재 • Crystalline vs Amorphous Si
• 결정질을 결정짓는 속성이나 • 전자빔에 의해 실리콘을 증발시
amorphous재료의 경우 무질서 켜 기판에 증착 시킬때 a-Si 막
• 비정질 SiO2: vitreous silica 형성: E-beam evaporation
• Glasses: Supercooled liquid • Dangling bond의 형성: 수소로
• 결정에서의 결함에 해당하는 것 passivation 처리(a-Si:H)
이 적음 • a-Si Solar Cell (수소 원자비10%)
• 액체 혹은 기체에서 급랭하여 비 • PECVD (Plasma-enhanced
정질 재료 생산 chemical vapor deposition) 방법에
• 기체>비정질고체의 예로 As2Se3 의해 대면적에 a-Si 막 형성 가능:
(X-ray detector) Solar Cell
90~94

Solid Solutions & Two-Phase Solids


• Phase? • Phase diagrams
• 같은 조성,구조,특성: 액체/고체 • Liquidus curve: 이상의 온도에
• 물/기름은 섞이지 않는 2-phase 서는 액체만 존재
• Solid solution: 다른 원자가 결 • Solidus curve: 이하의 온도에서
정 내에 골고루 혼합되어 결합 는 고체만 존재
• 예) Cu-Ni: FCC 구조내 혼합 • 예) 80% Cu – 20% Ni 합금을
• Isomorphous solid solution 1300°C에서 1000 °C로 냉각
• Solvent / Solute • 상평형도를 참조하여 각 조건에
• Interstitial solid solution 서의 상분포 예측 가능
• Solute atom: interstitial site 차지 • Lever rule: 액체/고체의 상대비
• γ-Iron crystal (FCC)
93
95~101

Zone Refining, Eutectic Phase diagram


• 불순물이 있을 때 용융점이 낮 • Solvus curve
아지는 특성: 용융된 액체에 • 용해도의 한계 표현
불순물이 집중되어 있어 국소 • Eutectic phase diagram
적으로 녹은 영역이 불순물이 • Pb-Sn 합금과 같이 온도에 따라
높은 상태 다양한 phase와 구성 존재
• 막대 형태의 실리콘덩어리가 있 • Eutectic point: 고체를 이룰 수 있
을 때 국소적으로 녹여가면 녹 는 최소 용융점
은 부분에 불순물이 주로 섞여 • Eutectic transformation: 특정 조
들어가 최종적으로 불순물 제거 성비에서 마치 단일 액체/고체 변
가능: Zone refined 환과 같은 현상
96
98
2023년 2학기 4주차
물성전자공학

실제 결정의 원자배열은 완전할까?


그리고 어떻게 만들지?
연습문제 1. Elementary Materials Science Concepts

http://bit.ly/ku_PhysicalElectronics_4w
다음 주에는?
• 2.1~2.2 (원서교재 125p~137p)
Chap.2 Electrical and Thermal Conduction
in Solids: Mainly Classical Concepts
• Classical Theory: The Drude Model
• Temperature Dependence of Resistivity: Ideal
Pure Metals

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