Professional Documents
Culture Documents
+metal-Oksi̇t-Yarii̇letken Yapilar (Mos)
+metal-Oksi̇t-Yarii̇letken Yapilar (Mos)
yarıiletken (MOS) olmak üzere entegre devre uygulamalarında yaygın olarak üç çeşit
kapasitör birim alan başına en yüksek kapasitans yoğunluğuna sahiptir [26]. Paralel plaka
yapılı MIM ve MOM kondansatörler, iki metal plakadan ve aralarında bir dielektrik
tabakadan oluşur. MIM kondansatör, MOM kondansatörden daha ince bir yalıtkan tabakaya
kondansatöre kıyasla daha yüksek sızıntı (kaçak) akım nedeniyle daha yüksek bir kapasitans
yoğunluğu sağlamaktadır.
MOS yapılar, omik kontak yapılmış bir yarıiletken üzerine yalıtkan bir oksit tabakası ve bu
oksit tabakası üzerine de bir metal tabakanın büyütülmesiyle oluşan yapılardır. Metal ve
özellikleri belirlemektedir. Oksit tabaka, metal ile yarıiletken arasındaki yük geçişlerini
düzenler [27-29].
MOS yapının şematik gösterimi Şekil 2.1’de verilmiştir. Şekilde görüldüğü gibi, MOS
yapıdaki alt metal kontak omik, üst metal kontak doğrultucu olarak adlandırılmaktadır.
2
Yarıiletkenin p-tipi olması durumunda, m>s için omik ve s>m için doğrultucu kontak
uygulanan yani kapı gerilimidir. Metal plaka yarıiletkene göre pozitif bir gerilim ile
İdeal bir MOS yapısı için bazı özellikler aşağıda verilmiştir [29].
i) Termal denge şartlarında ve uygulanan sıfır beslemde (VG=0), ϕm ile ϕs arasında enerji
farkı yani ϕms iş fonksiyonu sıfırdır. P-tipi yarıiletken için şu şekilde verilir:
3
Eg Eg
∅ms = ∅m − ( + + B ) = ∅m − ( + − ∅p ) = 0 (2.1)
2q q
ii) VG=0 olduğunda enerji bantları düzdür ve bu durum düz bant koşulu olarak bilinir.
iii) Hem oksit hem de oksit-yarıiletken arayüzeyinde yük merkezi ve kusur durumları
bulunmaz.
v) Herhangi bir beslem şartı altında, oksit tabakası ve metal yüzeyindeki yükler ile
vi) Oksit boyunca hiçbir dc akım akmaz yani oksit direnci sonsuzdur.
İdeal MOS yapının VG=0 durumunda enerji-band diyagramı Şekil 2.2’de gösterilmiştir.
4
Şekil 2.2. VG=0 durumunda ideal bir MOS (p-tipi) yapının enerji-band diyagramı
İdeal bir MOS yapısına VG ≠ 0 olacak şekilde gerilim uygulandığında, yükler eşit miktarda
gerilimi altında, oksit boyunca hiçbir yük transferinin olmadığı, yani sonsuz bir dirence sahip
olduğu varsayılmaktadır.
İdeal bir MOS kapasitörde, arayüzey tuzakları, oksit yükleri ve iş fonksiyonu farkından
𝑉𝐺 = 𝑉𝑂𝑋 + 𝑆 (2.2)
Burada, VOX oksit üzerindeki potansiyeli ve ΨS yüzey potansiyelini yani arayüzeydeki band
Burada, QM metaldeki birim alan başına yükü, QN tersinim bölgesindeki birim alan başına
yükü, QS, bulk yarıiletkende birim alan başına toplam yükü ve QSC ise uzay yük bölgesinde
biriken yükü göstermektedir [30,31]. Ayrıca, qNAWd ise Wd genişliğindeki uzay yük
Yüzey potansiyeli,
𝑞𝑁𝐴 𝑊𝑑2
𝑆 = 2𝜀𝑠 𝜀0
(2.4)
sabitleridir.
Metal ve yarıiletken arasındaki yalıtkan oksit tabakadan dolayı MOS kapasitansı olarak
adlandırılan bir kapasitans oluşmaktadır. MOS kapasitansına karşılık gelen eşdeğer devre
Şekil 2.3’de verilen COX oksit kapasitansını ve CSC ise uzay yük veya tükenim bölgesi (Cd)
yarıiletken yüküyle değişir. Şekil 2.3’de görüldüğü gibi MOS kondansatörün eşdeğer
kapasitansı, iki kapasitansın seri bağlanmasına eşdeğerdir. Buna göre, toplam kapasitans
𝑂𝑋𝜀0 𝐴
𝐶𝑂𝑋 = (2.6)
𝑑𝑂𝑋
Burada, OX yalıtkan oksit tabakanın dielektrik sabiti ve dOX oksit kalınlığı ve MOS alanıdır.
Uzay yük kapasitansı, CSC, aşağıdaki eşitlikle verilir [31] ve ΨS’in bir fonsiyonudur.
𝑆 𝜀0 𝐴
𝐶𝑆𝐶 = (2.7)
𝑊𝑑
Uygulanan gerilime bağlı olarak p-tipi MOS kondansatörde meydana gelen durumların
Şekil 2.4. Uygulanan ön gerilim koşulları altında p-tipi bir MOS kapasitörün enerji bant
diyagramı a) Yığılım (V<0) durumu b) Tükenim (V>0) durumu c) Tersinim (V≫0) durumu
Metal elektrota büyük bir negatif ön gerilim uygulandığında yarıiletken yüzeyin yakınında
bir deşik yığılımı meydana gelir. Metal elektrota büyük bir pozitif ön gerilim uygulandığında
yarıiletken yüzeyin yakınında kuvvetli bir tersinim bölgesi oluşturulur. MOS kapasitöre
küçük bir pozitif ön gerilim uygulandığında yarıiletken yüzeyin altında bir tükenim bölgesi
aşağıda verilmiştir.
2.1.1. Yığılım
Metal plakaya negatif gerilim uygulandığında, yarıiletkenden metale doğru oluşan elektrik
alan yarıiletkendeki çoğunluk yük taşıyıcıları olan deşikleri yarıiletken arayüzeyine doğru
çekecektir. Bu durumda, yarıiletkenin valans bandı Fermi enerji seviyesine yaklaşır ve iletim
bandı da yukarı doğru bükülür. Böylece, bant bükülmesi yarıiletken yüzeyinin yakınında
birikmesinden dolayı bu durum yığılım olarak adlandırılır (Şekil 2.4.a). Kuvvetli yığılım
8
durumunda arayüzeyde biriken yükün yüzey yani uzay yükü olması nedeniyle CSC çok
büyüktür (CSC→ ∞). Bundan dolayı, toplam kapasitans yani MOS kapasitansı oksit
kapasitans (COX) değerine eşit olur (C→COX). Bu, MOS kapasitörün maksimum
2.1.2. Tükenim
Metal plakaya küçük bir pozitif gerilim uygulandığında, oksit tabaka içinde oluşan elektrik
ve bantlar aşağı doğru bükülür (Şekil 2.4.c). Böylece, yarıiletken yüzeyinde deşiklerin
tükendiği bir tükenim bölgesi oluşur. Bu durum tükenim olarak adlandırılır. Bu bölgede,
tükenim tabakası genişliği uygulanan gerilim ile değişir. Ayrıca, toplam kapasitans
2.1.3. Tersinim
Metal plakaya büyük bir pozitif gerilim uygulandığında, bantlar aşağı doğru daha fazla
bükülür (Şekil 2.4.d) ve saf enerji seviyesi Ei, Fermi enerji seviyesinin altına geçer. Böylece,
olmaya başlar ve p-tipi yarıiletken yüzeyi n-tipi yarıiletken gibi davranır. Bu olay,
tabakası maksimum genişliğe ulaşır ve uygulanan ön gerilim arttıkça sabit kalır. Böylece,
Bir ideal MOS yapının hem fiziksel hem de elektriksel özelikleri oksitteki ve oksit-
gibi kusurlar MOS yapının ideal özelliklerinden sapmasına neden olurlar. Bu durumda,
MOS yapı gerçek MOS yapı olarak adlandırılmaktadır. Gerçek bir MOS yapısında ortaya
çıkan yükler: i) Oksit-yarıiletken arayüzeyinde silikonun yasak bant aralığı içine yerleşmiş
enerji seviyeleri olarak ifade edilen arayüzey tuzaklanmış yükler ii) yarıiletken arayüzeyinde
veya yakınına yerleşmiş uygulanan elektrik alan altında hareketsiz bulunan sabit oksit yükler
iii) oksitte tuzaklanmış yükler ve iv) hareketli iyonik yükler [3,4,26,31-35]. Bu yükler Şekil
2.5’de gösterilmiştir.
lokalize olmuşlardır. Bu yükler genellikle Na+, K+, Li+, H+, H3O+ iyonlarıdır. Mobil yük
olarak da bilinen bu yükler sodyum gibi alkali metal iyonlarından elde edilebilir. Bu iyonlar
kaymaya neden olabilir. Sıcaklık arttıkça, iyonik mobilite arttığından mobil yük etkileri daha
belirgin hale gelir. Alkali metal iyonları, metalizasyon ve oksit biriktirme işlemleri sırasında
ortaya çıkar. Ayrıca, kimyasal temizleme işlemi sırasında bu iyonları içeren kimyasal
Arayüzeye yakın oksitte tuzaklanmış yükler sınır tuzak yükü olarak da adlandırılır. Bu
yükler oksit içinde arayüzeye yakın bulunurlar ve yarıiletken yüzeyi ile yük alışverişi
yaparlar. Bunlar genellikle nötürdür ve elektronlar veya deşikler oksit tuzakları tarafından
arayüzeyinden çok küçük mesafelerde bulunan tuzaklanmış oksit yükleridir. Oksit tuzak
yükleri, ideal C-V eğrisinde voltaj kaymasına neden olabilir. Oksit tuzakları, safsızlıklar
elektron ve deşiklerin bir kısmı sonradan oksitte tuzaklanabilir. İyonlaşmış tuzaklar MOS
yapının C-V eğrisini etkiler. Gerilim değerini pozitiften negatife doğru artırırken ölçülen
kapasitans değerleri ile gerilim değerini negatiften pozitife doğru artırırken ölçülen
11
arayüzeyinden uzağa yerleştirilmiş olan tuzaklanmış yük, sabit oksit yükü olarak
büyütme sıcaklığına bağlı olup genellikle pozitiftir. Yükün miktarı, yüzey potansiyelinden
bağımsız olarak sabit kaldığından, sabit yük teorik C-V eğrisine ilave kapasitans katkısında
bulunmayacaktır. Arayüzeyde pozitif veya negatif sabit yük nedeniyle C‐V eğrisinde voltaj
ekseni boyunca kayma meydana gelir. Bununla birlikte, oksit içinde bulunan sabit yük, C-V
eğrisinin bir ΔV voltajı kadar paralel kaymasına neden olur. Net pozitif yük, deneysel eğriyi
idealden sola kaydırırken net negatif yük, sağa paralel bir kaymaya neden olur. Bir başka
deyişle, pozitif sabit oksit yükleri, C-V eğrisinin ideal C-V eğrisine göre uygulanan
geriliminin negatif değerlerine doğru kaymasına, negatif sabit oksit yükleri ise uygulanan
geriliminin pozitif değerlerine doğru kaymasına sebep olmaktadır. Sabit oksit yük miktarı,
yarıiletken arayüzeyinde yasak enerji bant aralığı içindeki dağılmış enerji seviyeleridir.
Arayüzey durumları verici veya alıcı tipinde olabilir. Bir verici seviyesi dolu ise yüksüz ve
12
boş ise pozitif yüklü olur. Bir alıcı seviyesi boş ise nötr ve bir elektron alarak negatif yüklü
olur [3,4]. Bir gerilim uygulandığı zaman, arayüzey tuzak seviyeleri valans ve iletkenlik
bantları ile aşağı ve yukarı doğru hareket ederler. Böylece, arayüzey tuzağındaki yük
ve valans bandı ile yük alışverişi yapmasıyla oluşur. Bu yük değişimi MOS kapasitansına