SBM

20 de Juny 2014
Data notes provisionals: 27 Juny
DEPARTAMENT D’ENGINYERIA ELECTRÒNICA
Període d’al·legacions: 30 Juny
Data notes revisades: 1 Juliol

Professor: Manel Dominguez.

Informacions addicionals:
x Duració de l’examen: 2h.

PROBLEMA 1 (7 Punts)

Volem conectar una RAM Magnetoresistiva a un microcontrolador AT91. Aquest tipus

de memòries són no volàtils però no es basen en els principis físics de les memòries
flash o EEPROM. Es una solució molt bona per aplicacions que han d’enmagatzemar
dades crítiques de manera ràpida.

L’estructura de la memòria és: 256Kx16, per tant el bus de dades és de 16 bits. El pin-
out de la memòria és el següent:

a) (0.5 punts) Indiqueu la capacitat total de la memòria en bytes.

La següent taula descriu el funcionament de la memòria en funció dels seus diversos

senyals d’entrada: