Lời nói đầu

Bộ lọc tần số đóng vai trò quan trọng trong hệ thống thông tin bằng sóng
điện từ, nhất là trong thời đại hiện nay, khi công nghệ không dây đang phát triển
một cách nhanh chóng. Phổ tần số sóng điện từ là nguồn tài nguyên có hạn và phải
được chia sẻ. Bộ lọc có nhiệm vụ phân tách hoặc kết hợp các tần số khác nhau. Yêu
cầu quan trọng trong việc thiết kế các bộ lọc tần số đó là khả năng chống nhiễu giữa
các tín hiệu có tần số khác nhau. Như vậy đặc tính lọc, hay đáp ứng tần, của một bộ
lọc phải có khả năng lựa chọn và loại bỏ các tần số trong dải tần một cách tối ưu
nhất. Không nằm ngoài xu hướng nhỏ gọn hóa các thiết bị thông tin liên lạc, các bộ
lọc có kích thước nhỏ, hiệu suất cao và giá thành thấp đang ngày càng được quan
tâm nghiên cứu và phát triển.

Những tiến bộ gần đây trong công nghệ vật liệu, bao gồm vật liệu siêu dẫn
nhiệt độ cao (High-temperature Superconductors – HTS), mạch tích hợp đơn tinh
thể cao tần (Monolithic Microwave Integrated Circuits – MMIC), hệ vi điện cơ
(Microelectromechanic Systems – MEMS) … đã trở thành động lực mạnh mẽ thúc
đẩy việc nghiên cứu các cấu trúc lọc vi dải (microstrip) cũng như các dạng bộ lọc
khác cho các ứng dụng cao tần. Bên cạnh đó, với sự giúp sức của các công cụ hỗ trợ
thiết kế bằng máy tính (CAD tools), chẳng hạn như các phần mềm mô phỏng trường
điện từ đã tạo nên một cuộc cách mạng trong lĩnh vực phân tích thiết kế mạch cao
tần.

Theo dạng đáp ứng tần, người ta chia bộ lọc tần số thành bốn loại: Bộ lọc
thông thấp (Low-pass filter – LPF), Bộ lọc thông cao (High-pass filter – HPF), Bộ
lọc thông dải (Band-pass filter – BPF) và Bộ lọc chắn dải (Band-stop filter – BSF).
Trong đó, bộ lọc thông dải đóng vai trò gần như quan trọng nhất trong các thiết bị
thông tin dùng sóng điện từ và có lý thuyết phân tích thiết kế khá phức tạp. Đồ án
này nhằm giới thiệu một phương pháp thiết kế bộ lọc thông dải , với khả năng loại
bỏ tần số ngoài dải thông đạt mức cao nhất có thể.

Qua đây, tôi xin chân thành cảm ơn PGS,TS Đào Ngọc Chiến ( Bộ môn Hệ
Thống Viễn Thông- Khoa Điện Tử Viễn Thông – Đại học Bách Khoa Hà Nội) đã

1
hướng dẫn tận tình chu đáo cho tôi để hoàn thành nhiệm vụ , mục tiêu đồ án đề ra.
Đồng thời tôi xin cảm ơn cô Nguyễn Bích Huyền và các thầy cô giáo trường Đại
học Bách Khoa Hà Nội đã tạo điều kiện cho tôi nghiên cứu, phát triển đề tài, cảm
ơn gia đình và bạn bè đã giúp đỡ , động viên tôi trong thời gian qua.

Hà Nội, ngày 29 tháng 5 năm 2011

Sinh Viên

Trân Thị Hoài

Tóm tắt đồ án

2
Ngày nay với sự phát triển của thiết bị điên tử và thiết bị quang ngày càng nhỏ đi ,
các nhà khoa học luôn luôn không ngừng hướng tới công nghệ mới để tối ưu và thu
nhỏ kích thước của thiết bị nhằm thỏa mãn nhu cầu ngày càng cao của con người .
Đồ án này nhằm giới thiệu phương pháp thiết kế mạch lọc thông dải băng thông hẹp
kích thước nhỏ dựa trên cấu trúc vòng cộng hưởng. Trong đồ án này, một bộ lọc sẽ
được thiết kế để hoạt động trong dải tần 3G, tần số từ 1920 MHz đến 2170 MHz,
băng thông tỷ lệ đạt đến 90%. Mạch lọc được mô phỏng và phân tích trên phần
mềm HFSS 12.

Mục lục

3
Lời nói đầu............................................................................................................... 1
Tóm tắt đồ án...........................................................................................................3
Mục lục.................................................................................................................... 4
Danh sách hình vẽ....................................................................................................6
Danh sách các từ viết tắt..........................................................................................8
Bảng đối chiếu thuật ngữ Anh – Việt.......................................................................9
Phần mở đầu..........................................................................................................10
Chương 1...............................................................................................................12
Giới thiệu...............................................................................................................12
1.1. Bộ lọc tần số, vai trò và sự phát triển..............................................................12
1.2. Động lực nghiên cứu.......................................................................................15
1.3. Kết quả mong muốn........................................................................................16
Tổng kết chương.....................................................................................................17
Chương 2...............................................................................................................18
Cơ sở lý thuyết.......................................................................................................18
2.1. Lý thuyết chung về phân tích mạch điện cao tần.............................................18
2.1.1. Lý thuyết đường truyền vi dải..................................................................19
2.1.2. Phân tích mạng siêu cao tần.....................................................................21
2.1.2.1. Các tham số của mạng siêu cao tần...................................................21
2.1.2.2. Ma trận tán xạ S................................................................................22
2.1.2.3. Ma trận trở kháng Z và dẫn nạp Y.....................................................24
2.1.2.4. Ma trận truyền đạt ABCD.................................................................25
2.2. Lý thuyết về mạch lọc cao tần.........................................................................27
2.2.1. Khái quát về mạch lọc tần số...................................................................27
2.2.2. Bộ lọc thông thấp.....................................................................................28
2.2.3. Mạch lọc thông dải sử dụng linh kiện tham số tập trung..........................31
2.2.4. Mạch lọc với bộ biến đổi trở kháng và dẫn nạp.......................................32
2.3. Phân tích cấu trúc vòng cộng hưởng...............................................................35
2.3.1. Mô hình đường truyền của cấu trúc cộng hưởng vòng.............................36
2.4. Giới thiệu phần mềm Ansoft HFSS 12...........................................................42
Chương 3...............................................................................................................50

4
Phân tích thiết kế và mô phỏng bộ lọc thông dải băng tần 3G...............................50
3.1. Giới thiệu........................................................................................................50
3.2. Cơ sở thiết kế bộ lọc thông dải băng thông hẹp..............................................51
3.2.1. Các mode sóng trên vòng cộng hưởng.....................................................51
3.3. Mạch lọc thông dải băng tần 3G.....................................................................54
Chương 4...............................................................................................................63
Kết luận chung và hướng phát triển.......................................................................63
4.1. Kết luận chung................................................................................................63
4.2. Hướng phát triển trong tương lai.....................................................................63
Tài liệu tham khảo.................................................................................................65

Danh sách hình

5
Hình 1. 1 Bốn loại bộ lọc:......................................................................................11
Hình 1. 2 Sơ đồ khối của một máy thu phát vô tuyến song công............................12
Y
Hình 2. 1 Phổ tần số của sóng điện từ cao tần [1]....................................................18
Hình 2. 2 Đường truyền vi dải. a) Cấu trúc hình học. b) Phân bố trường................19
Hình 2. 3 Mạng cao tần hai cửa (bốn cực)...............................................................21
Hình 2. 4 Mạng hai cửa nối tầng và mạng hai cửa tương đương.............................26
Hình 2. 5 Đáp ứng tần của bốn loại mạch lọc lý tưởng:..........................................28
Hình 2. 6 Sơ đồ mạch lọc hai cửa với hệ số truyền đạt và hệ số phản xạ................28
Hình 2. 7 Đáp ứng tần của mạch lọc thông thấp bậc 3............................................29
Hình 2. 8 Mạch lọc thông thấp dạng bậc thang với các linh kiện tham số tập trung30
Hình 2. 9 Sơ đồ mạch lọc thông dải hình bậc thang................................................31
Hình 2. 10 Đồ thị tổn hao xen theo tần số của mạch lọc thông dải..........................32
Hình 2. 11 Sơ đồ khối bộ biến đổi trở kháng (a) và bộ biến đổi dẫn nạp (b)...........33
Hình 2. 12 Biến đổi tương đương giữa thành phần trở kháng nối tiếp và dẫn nạp
song song sử dụng các bộ biến đổi: a )trở kháng (K); b) dẫn nạp (J).......................34
Hình 2. 13 Mạch lọc thông dải tham số phân tán sử dụng các bộ biến đổi [1]........35
Hình 2. 14 Cấu trúc cộng hưởng vòng một cửa.......................................................36
Hình 2. 15 Sóng đứng trên hai đoạn của vòng cộng hưởng.....................................38
Hình 2. 16 Sóng đứng trên hai đoạn của vòng cộng hưởng.....................................39
Hình 2. 17 Họ sản phẩm của Ansoft........................................................................43
Hình 2. 18 Cách chia phần tử hữu hạn trong HFSS: (a) thành các tam giác trên bề
mặt, (b) thành các tứ diện trong không gian ba chiều..............................................44
Hình 2. 19 Bộ quét tần số........................................................................................46
Hình 2. 20 Giao diện xây dựng mô hình và thiết lập mô phỏng của phần mềm HFSS
................................................................................................................................ 48
Hình 2. 21 Giao diện thể hiện kết quả mô phỏng....................................................48

Hình 3. 1 Mạch cộng hưởng dạng vòng..................................................................52

Hình 3. 2 Mạch lọc bậc hai sử dụng linh kiện tham số tập trung.............................53
Hình 3. 3 a) Sơ đồ; b) Dạng đáp ứng tần.................................................................53

6
Hình 3. 4 Mạch lọc cộng hưởng dạng vòng.............................................................55
Hình 3. 5 Cấu trúc đường vi dải gấp khúc tương ứng với thành phần mạch điện....56
Hình 3. 6 Mô hình mạch lọc cộng hưởng dạng vòng..............................................57
Hình 3. 7 Hệ số truyền đạt của mạch lọc khi thay đổi thông số d............................58
Hình 3. 8 Hệ số truyền đạt khi thay đổi khoảng cách giữa 2 vòng cộng hưởng.......58
Hình 3. 9 Hệ số truyền đạt khi thay đổi bề dày (w1) của vòng cộng hưởng ...........59
Hình 3. 10 Hệ số hao ngược S11 khi thay đổi bề dày của đế tiếp điện....................59
Hình 3. 11 Hệ số truyền đạt khi thay đổi bề dài của đế tiếp điện (w)......................60
Hình 3. 12 Mạch lọc thông dải băng tần 3G (từ 1920 – 2170 MHz). Các kích thước
có đơn vị mm........................................................................................................... 61

Hình 3. 13 Kết quả mô phỏng hệ số tổn hao ngược ( S 11 ) và hệ số truyền đạt (

S 12 ).................................................................................................................... 61

Danh sách các từ viết tắt

7
 PCB Printed Circuit Board Bảng mạch in
RF Radio Frequency Tần số vô tuyến điện
LO Local Oscillator Bộ dao động nội
IF Intermediate Frequency Trung tần
CST Computer Simulation Technology Công nghệ mô phỏng bằng
máy tính
LNA Low Noise Amplifier Bộ khuếch đại tạp âm thấp
FDTD Finite Differental Time Domain Phương pháp vi sai hữu hạn
theo miền thời gian
TM Transverse Magnetic Sóng từ ngang
VSWR Voltage Standing Wave Ratio Tỷ số sóng đứng về điện áp
TEM Transverse Electric Magnetic Sóng điện từ ngang
SIR Stepped-Impedance Resonator Bộ cộng hưởng trở kháng
nhảy bậc
FET Field Effect Transistor Transistor hiệu ứng trường

Bảng đối chiếu thuật ngữ Anh – Việt

STT Thuật ngữ tiếng Anh Thuật ngữ tiếng Việt

1 Microwave Vi ba (cao tần)
2 Baseband Băng cơ bản
3 Lowpass Filter Bộ lọc thông thấp
4 Bandpass Filter Bộ lọc thông dải

8
 5 Highpass Filter Bộ lọc thông cao
6 Bandstop Filter Bộ lọc chắn dải
7 Microstrip line Đường truyền vi dải
8 Cell Ô, khối nhỏ
9 Mesh Lưới, sự tạo lưới
10 Group Delay Trễ nhóm

Phần mở đầu

Để đáp ứng nhu cầu thông tin mọi lúc mọi nơi, công nghệ truyền thông
không dây đang ngày càng được quan tâm nghiên cứu và phát triển. Các thiết bị
thông tin vô tuyến được thu nhỏ kích thước ở mức tối đa để tăng khả năng tích hợp,
đặc biệt là trong các hệ thống thông tin di động và thông tin vệ tinh. Mạch lọc tần số
là thành phần không thể thiếu trong các thiết bị này. và hướng phát triển của các cấu
trúc lọc không chỉ ở việc cải thiện đặc tính hoạt động mà còn ở sự nhỏ gọn trong
kích thước vật lý. Đối với các thiết bị thông tin di động và vệ tinh, các dạng mạch
lọc thông dải thường được sử dụng, nhờ giá thành rẻ và dễ dàng chế tạo bằng công

9
nghệ mạch in (PCB). Các giải pháp thu nhỏ kích thước mạch lọc thông dải bao
gồm sử dụng đế điện môi có hằng số điện môi lớn, hay bẻ cong các đường dải dẫn
của các cấu trúc lọc truyền thống, hay nghiên cứu đưa ra các cấu trúc lọc có kích
thước nhỏ gọn hơn. Trong đó giải pháp thứ ba đang được quan tâm phát triển và đạt
được những kết quả nhất định.

Một trong những cấu trúc được áp dụng cho việc thiết kế các bộ lọc đó là cấu
trúc cộng hưởng dạng vòng. Cấu trúc này khi được kích thích sẽ gây nên hiện tượng
cộng hưởng hai mode sóng. Hiện tượng này làm cho một vòng cộng hưởng hoạt
động giống như hai bộ cộng hưởng riêng rẽ. Điều này đồng nghĩa với việc, nếu một
mạch lọc bậc N cần có N bộ cộng hưởng ghép với nhau thì dùng cấu trúc vòng cộng
hưởng hai mode sóng sẽ làm giảm số lượng bộ cộng hưởng đi một nửa, do đó làm
giảm kích thước vật lý của toàn bộ mạch lọc. Bên cạnh đó, vòng cộng hưởng hai
mode sóng còn được dùng để thiết kế các bộ lọc dải rộng, với đáp ứng tần có độ dốc
tối đa, cải thiện khả năng chọn lọc và cách ly tần số. Trong đồ án này, một mạch lọc
với dải 3G (từ 1920 MHz đến 2170 MHz) sẽ được thiết kế, nhằm minh họa cho
phương pháp thiết kế một bộ lọc thông dải băng hẹp dựa trên cấu trúc vòng cộng
hưởng, với sự giúp đỡ của phần mềm mô phỏng trường điện từ HFSS 12. Đồ án
được trình bày thành ba chương. Trong chương 1 trình bày ngắn gọn về vai trò và
hiện trạng phát triển của bộ lọc. Tiếp theo đó chương 2 là những kiến thức cơ bản
về cao tần và mạch lọc. Ở chương 3 là những phân tích thiết kế bộ lọc thông dải
hoạt động ở dải tần 3G.

10
Chương 1

Giới thiệu
1.1. Bộ lọc tần số, vai trò và sự phát triển
Bộ lọc tần số là một bộ lựa chọn tần số, cho phép tín hiệu trong một dải tần
mong muốn đi qua và chặn lại những tín hiệu trong dải tần khác. Theo dạng đáp
ứng tần, người ta chia bộ lọc tần số thành bốn loại: bộ lọc thông thấp, bộ lọc thông
cao, bộ lọc thông dải và bộ lọc chắn dải. Hai loại bộ lọc đầu tiên cho phép tín hiệu
trong toàn bộ dải tần phía dưới và phía trên tần số cắt đi qua, còn hai loại bộ lọc còn
lại cho phép truyền qua hoặc chặn lại tín hiệu trong một dải tần nhất định nằm giữa

11
tần số cắt trên và tần số cắt dưới. Hình 1.1 mô tả dạng đáp ứng tần và ký hiệu sơ đồ
khối của từng loại bộ lọc.

Hình 1. 1
Bốn loại bộ lọc:
a) thông thấp; b)
thông cao; c) thông dải;
d) chắn dải.
Bộ lọc là thành phần
không thể thiếu trong các hệ thống khai thác tài nguyên tần số sóng điện từ, bao
gồm từ thông tin di động, thông tin vệ tinh, radar, định vị dẫ đường, cảm biến và
các hệ thống khác. Với sự tiến bộ của thông tin và các ứng dụng trên nền vô tuyến
điện, phổ tần có hạn của sóng điện từ phải chia sẻ cho ngày càng nhiều hệ thống.
Tín hiệu điện từ của từng hệ thống chỉ được giới hạn trong một khoảng phổ tần nhất
định. Các bộ lọc được dùng để lựa chọn và giới hạn tín hiệu trong khoảng tần số đó.
Chúng đóng nhiều vai trò khác nhau trong một hệ thống, như trong Hình 1.2 là sơ
đồ một máy thu phát vô tuyến.

12
 Hình 1. 2 Sơ đồ khối của một máy thu phát vô tuyến song công
.

Phần sơ đồ khối phía trên thực hiện chức năng thu, còn phần phía dưới thực
hiện chức năng phát. Hai chức năng này sử dụng chung một anten, một bộ song
công (duplexer) và bộ dao động nội (LO). Có thể thấy, nhiều bộ lọc được sử dụng
trong hệ thống và thực hiện các nhiệm vụ khác nhau. Chẳng hạn như trong phần
thu, bộ lọc phía sau LNA được dùng để chặn tần số ảnh và tần số rò rỉ từ đường
truyền. Nếu không có sự ngăn chặn này, tính hiệu tần số ảnh cũng sẽ được đổi
xuống trung tần (IF) và gây ra nhiễu, làm giảm tỷ số tín hiệu trên tạp âm (S/N) của
hệ thống. Sau bộ trộn tần, bộ lọc thông thấp sẽ khử đi thành phần không mong
muốn trong tín hiệu sau trộn cũng như tần số rò từ bộ dao động nội. Trong phần
phát, một bộ lọc được đặt giữa bộ trộn và bộ khuếch đại công suất để lựa chọn tần
số mong muốn và loại bỏ các tần số khác được tạo ra sau bộ đổi tần lên. Cả khối
phát và khối thu đều sử dụng chung một bộ song công gồm hai mạch lọc thông dải.
Một bộ lọc có dải thông là dải tần thu, được dùng để lựa chọn tần số cho bộ thu và
khử các tín hiệu khác truyền đến bộ thu. Với bộ lọc kia, tần số trung tâm là tần số
phát, bộ lọc này sẽ giúp loại bỏ nhiễu và tần số giả ngoài băng.
Lý thuyết về mạch lọc lần đầu tiên được đề xuất một cách độc lập bởi
Campbell và Wagner vào năm 1915. Kết quả có được xuất phát từ những nghiên
cứu về đường truyền có tải và lý thuyết cổ điển về các hệ dao động. Các nghiên cứu
sau đó phát triển theo hai hướng độc lập, đó là nghiên cứu lý thuyết về các tham số
ảnh (image-parameter) và lý thuyết tổn hao xen (insertion-loss).

13
 Phương pháp tham số ảnh được phát triển vào những năm 1920 bởi
Campbell, Zobel và một vài người khác. Phương pháp này giúp xây dựng các mạch
lọc thụ động sử dụng linh kiện tham số tập trung. Các tham số ảnh mô tả mạng hai
cửa khác hẳn các tham số tán xạ như đã biết. Sự mô tả này được lý tưởng hóa vì các
tham số đầu vào và đẩu ra của một khâu hai cửa trong phương pháp này thường
không thể hiện chính xác được. Vì thế phương pháp tham số ảnh chỉ là phương
pháp xấp xỉ. Ưu điểm của phương pháp này là có thể thiết kế ra những mạch lọc bậc
cao mà không cần sự trợ giúp của máy tính. Đây là phương pháp thiết kế bộ lọc duy
nhất được biết đến cho đến năm 1939 và cũng là phương pháp thủ công duy nhất.
Tuy nhiên, người thiết kế khó có thể kiểm soát được đặc tính của dải thông và dải
chắn khi sử dụng phương pháp này. Vì thế nếu yêu cầu độ chính xác nhiều hơn thì
phương pháp này không đảm bảo.
Lý thuyết về tổn hao xen tỏ ra thông dụng và có hiệu quả hơn phương pháp
tham số ảnh được Darlington và Cauer đề xuất vào năm 1939. Về cơ bản, lý thuyết
này sẽ xấp xỉ các đặc tính của mạch lọc bằng hàm truyền đạt, và xây dựng nên một
mạch điện thỏa mãn hàm truyền đạt đó. Như vậy, bài toán xấp xỉ hóa và bài toán
thực hiện có thể được giải quyết riêng rẽ một cách tối ưu và chính xác nhất. Với
phương pháp này, việc thiết kế mạch lọc được chia thành 2 bước: Xác định hàm
truyền đạt thỏa mãn yêu cầu đặc tính của mạch lọc; tổng hợp mạch điện sử dụng
đáp ứng tần đã được ước lượng bằng hàm truyền đạt. Tuy nhiên, phương pháp này
chưa được chú ý ngay do yêu cầu một khối lượng tính toán khổng lồ. Cho đến giữa
những năm 1950, phương pháp này mới bắt đầu được áp dụng rộng rãi. Với sự tiến
bộ của các hệ thống máy tính tốc độ cao, phương pháp tổn hao xen dần dần trở nên
thông dụng hơn cả phương pháp tham số ảnh. Phương pháp này sẽ được đề cập lỹ
hơn trong chương 2 của đồ án.
Cùng với sự hoàn thiện của lý thuyết, các thiết kế mạch lọc được phát triển
từ các mạch cộng hưởng tham số tập trung LC đến các cấu trúc cộng hưởng tham số
phân tán như cáp đồng trục, ống dẫn sóng và đường vi dải. Đồng thời, những tiến
bộ trong công nghệ vật liệu đã thúc đẩy quá trình nghiên cứu chế tạo các dạng cấu
trúc lọc khác, như vật liệu gốm, thạch anh, hay vật liệu siêu dẫn … Mạch lọc vi dải
là một dạng cấu trúc lọc quan trọng nhờ khả năng tích hợp trên mạch in.

14
 Đối với các hệ thống thông tin vô tuyến cao tần, nhiều dạng cấu trúc lọc
được sử dụng như cáp đồng trục, cấu trúc điện môi, ống dẫn sóng và cấu trúc vi dải.
Các bộ lọc đồng trục có nhiều ưu điểm, như có khả năng che chắn điện từ, ít tổn hao
và kích thước nhỏ, tuy nhiên lại khó chế tạo. Các cấu trúc điện môi cũng có kich
thức nhỏ và ít tổn hao, nhưng bù lại giá thành của các bộ lọc tương đối cao và kỹ
thuật xử lý phức tạp là điểm hạn chế của dạng bộ lọc này. Bộ lọc ống dẫn sóng được
áp dụng khá rộng rãi, nhờ khả năng kiểm soát công suất và tính khả thi trong các
úng dụng cao tần, nhược điểm của chúng là có kích thước lớn.
Hiện nay, các mạch lọc thông dải được sử dụng nhiều trong các thiết bị thông
tin vô tuyến nhờ những ưu điểm vượt trội, như sự dễ dàng trong việc chế tạo.

1.2. Động lực nghiên cứu

Trong các hệ thống thông tin vô tuyến, mạch lọc được sử dụng với nhiều
dạng đáp ứng tần khác nhau, như thông thấp, thông cao, thông dải hay chắn dải.
Trong các dạng đó, mạch lọc thông dải được sử dụng rộng rãi nhất. Nhiều phương
pháp thiết kế mạch lọc thông dải đã được đề xuất. Để đạt được yêu cầu về hoạt
động trong dải thông cố định không phải là điều quá khó khăn. Tuy nhiên khi đặt ra
yêu cầu dải tần phải hẹp, và kích thước vật lý của mạch lọc phải được thu nhỏ tối đa
thì bài toán sẽ trở nên phức tạp hơn. Trong các hệ thống thông tin vệ tinh và thông
tin di động hiện nay, việc thu nhỏ kích thước của mạch lọc đã trở thành vấn đề quan
trọng bậc nhất. Mặc dù kích thước mạch thông dải có thể thu nhỏ được bằng cách
chế tạo trên đế điện môi có hằng số điện môi lớn, nhưng việc thay đổi cấu trúc hình
học của mạch thông dải lại thường được tính đến, vì hằng số điện môi lớn thường
dẫn đến hiện tượng sóng mặt và gây tổn hao nhiều hơn. Đối với các mạch lọc dải
hẹp, giải pháp thay đổi cấu trúc hình học thường thấy đó là bẻ gấp các đoạn đường
truyền thẳng trên các mạch lọc thông thường để có dạng mạch lọc mới với kích
thước nhỏ hơn
Bên cạnh đó, sự tiến bộ vượt bậc trong việc tính toán trường điện từ, cũng là
một động lực quan trọng góp phần lớn vào sự phát triển của những cấu trúc mạch
lọc phức tạp. Các phương pháp tính toán trường điện từ như phương pháp MoM
(Method of Moments), phương pháp phần tử hữu hạn (FEM-Finite Element

15
Method), phương pháp vi sai hữu hạn miền thời gian (FDTD-Finite Difference
Time Domain) đã được phát triển trong những năm gần đây. Cùng với sự xuất hiện
của các công cụ mô phỏng trường điện từ sử dụng các phương pháp trên, kết quả
mô phỏng trở nên đáng tin cậy và càng gần hơn với kết quả đo đạc. Ngày nay, với
những chiếc máy tính với khả năng tính toán được cải thiện một cách đáng kể, các
nhà nghiên cứu đã có thể đẩy nhanh quá trình phát triển các dạng cấu trúc lọc tần số
mới.
Chính vì thế, ngày càng xuất hiện nhiều các bộ lọc sử dụng cấu trúc cộng
hưởng vòng với các kiểu kích thích khác nhau, được nối thêm các đoạn, các nhánh
nhằm đạt được các đặc tính lọc mong muốn, nhưng với mục đích chung đều là để
tạo ra các mạch lọc có kích thước nhỏ, chi phí thấp và khả năng chọn lọc tần số tối
ưu.

1.3. Kết quả mong muốn

Trong đồ án này, tôi sẽ tập trung nghiên cứu, giới thiệu một phương pháp
thiết kế mạch lọc thông dải có dải thông hẹp, dải tần trong dải 3G, từ 1920 MHz
đến 2170 MHz, đáp ứng tần trong dải thông phải có độ dốc tối đa để tăng khả năng
chọn lọc tần số.
Quá trình phân tích thiết kế và mô phỏng được thực hiện bằng phần mềm
HFSS 12, tính toán trường điện từ bằng phương pháp vi phân hữu hạn miền thời
gian (Finite Difference Time Domain – FDTD) để thu được tham số tổn hao ngược
và hệ số truyền đạt

Tổng kết chương

Như vậy có thể thấy, với vai trò là một thành phần không thể thiếu trong các
hệ thống thông tin bằng sóng điện từ, mạch lọc tần số và các lý thuyết phân tích
thiết kế mạch lọc đã có một quá trình phát triển lâu dài và tương đối hoàn thiện.
Tuy nhiên việc nghiên cứu các lý thuyết mới vẫn tiếp tục được thực hiện trong thời
gian gần đây dựa trên những phương pháp tính toán cơ bản nhằm tạo ra những

16
cấu trúc lọc kích thước gọn nhẹ và khả năng chọn lọc tần số tối ưu nhất. Các lý
thuyết này sẽ được trình bày chi tiết hơn trong các chương sau.

Chương 2

Cơ sở lý thuyết
2.1. Lý thuyết chung về phân tích mạch điện cao tần

17
 Khái niệm siêu cao tần (Microwave) dùng để chỉ sóng điện từ dao động điều
hòa có tần số trong khoảng từ 300 MHz đến 300 GHz, với chiều dài bước sóng
tương ứng từ λ = c/f = 1 m tới λ = 1 mm. Sóng điện từ với tần số trên 30 GHz đến
300 GHz gọi là dải sóng milimeter; phổ tần phía trên dải sóng milimeter là của tia
hồng ngoại, với bước sóng từ 1 µm đến 1 mm. Bên trên dải tần của tia hồng ngoại
là phổ tần của ánh sáng nhìn thấy được, phổ tần của tia cực tím và sau đó là tia X.
Bên dưới dải phổ siêu cao tần là dải tần vô tuyến điện (Radio Frequency – RF).
Ranh giới giữa dải tần vô tuyến điện và dải siêu cao tần thường không cố định. Vì
thế theo nghĩa rộng, các ứng dụng cao tần thường được hiểu là các thiết bị, hệ thống
điện hoạt động trong dải tần từ 300 kHz đến 300 GHz. Dải tần này được chia thành
các băng tần nhỏ hơn, như trong Hình 2.1 [1].

Hình 2. 1 Phổ tần số của sóng điện từ cao tần [1]

2.1.1. Lý thuyết đường truyền vi dải

Một cấu trúc vi dải thông thường được minh họa trong Hình 2.2a. Dải dẫn
sóng có bề rộng W và độ dày t được đặt trên một đế điện môi có hằng số điện môi
ϵr
tương đối và chiều dày h, bên dưới đế là mặt phẳng kim loại nối đất. Phân bố

trường trên đường truyền vi dải được mô tải trong Hình 2.2b.

18
 (a)

Hình 2. 2 Đường truyền vi dải. a) Cấu trúc hình học. b) Phân bố trường

Giả sử không có đế điện môi (ϵ r =1) , đường truyền lúc này sẽ trở thành

đường dây song hành với hai dải dẫn phẳng cách nhau một khoảng là 2h (Mặt
phẳng nối đất có thể được loại bỏ theo nguyên lý ảnh gương) [2]. Trong trường hợp
này, ta có một đường truyền sóng TEM đơn giản, với vận tốc pha

v p =c=3.108 m/s và hằng số lan truyền β=k 0=ω √ μϵ .

Khi đặt dải dẫn lên trên đế điện môi, và phía trên là môi trường không khí,
việc phân tích đường truyền lúc này trở nên phức tạp hơn. Phần lớn trường điện từ
sẽ truyền trong vùng điện môi giữa dải dẫn và mặt phẳng nối đất, còn một phần đi
vào vùng không khí phía trên đế. Như vậy đường truyền vi dải không phải là một

19
đường truyền sóng TEM hoàn toàn, vì vận tốc pha của sóng TEM trong vùng điện

môi là c / √ ϵ r , nhưng vận tốc pha trong vùng không khí sẽ là c.

Trên thực tế, trường điện từ trên đường truyền vi dải là một kiểu lai tạp giữa
sóng TM-TE. Nhưng trong hầu hết các ứng dụng thực tế, chiều dày đế điện môi là

rất nhỏ so với chiều dài bước sóng (h ≪ λ) , nên có thể coi sóng truyền trong

đường vi dải gần như sóng TEM (quasi-TEM) [2]. Vận tốc pha và hằng số lan
truyền khi đó được tính như sau:

c
v p=
√ ϵ eff (2.1)

β=k 0 √ ϵ eff (2.2)

ϵ eff
Với là hằng số điện môi hiệu dụng:

ϵ+1 ϵ−1 1
ϵ eff = +
2 2
√ 1+12
h
W
(2.3)

Trở kháng đặc trưng của đườ ng truyền vi dải có thể được tính như sau:

{
60 8h W W
ln
√ ϵ eff W 4 h(+ v ớ i ≤1
h )
Z0= 120 π W
v ớ i ≥1 (2.4)
h
√ ϵ eff [ W
h
+1.393+ 0.667 ln
W
h (
+ 1.444 )]
Z0
Nếu cho trước giá trị trở kháng đặc trưng và hằng số điện môi tương

đối, tỷ số W /h có thể được tính như sau:

20
 {[
8 eA W
v ớ i <2
W 2A
e −2 h
=
h (2.5)
}]
ϵ −1
2
π
B−1−ln ( 2 B−1 )+ r
2 ϵr {
ln ( B−1 ) +0.39−
0.61
ϵr
W
v ớ i >2
h

Trong đó: A=
60 √
Z 0 ϵ r +1 ϵ r−1
2
+
ϵ r +1 (
0.23+
0.11
ϵr )
377 π
B=
2 Z 0 √ϵ r

2.1.2. Phân tích mạng siêu cao tần

2.1.2.1. Các tham số của mạng siêu cao tần

Một mạch lọc cao tần nói riêng hay một mạch điện cao tần có hai đầu cuối
V 1 ,V 2
nói chung có thể được mô tả bằng một mạng hai cửa như Hình 2.3, với và

I1 , I2 Z 01
là điện áp và cường độ dòng điện lần lượt tại cửa 1 và cửa 2, và

Z 02 Es
là trở kháng đầu cuối, là điện áp nguồn. Ở đây, điện áp và dòng điện là

các đại lượng dao động điều hòa theo thời gian. Điện áp ở cửa 1 bằng:

v 1 ( t ) =|V 1|cos ( ωt +ϕ )=ℜ (|V 1|e j (ωt +ϕ ) )=ℜ(V 1 e jωt ) (2.6)

Biên độ điện áp tại cửa 1 được coi là biên độ phức và có thể viết như sau:

V 1=|V 1|e jϕ (2.7)

21
 Hình 2. 3 Mạng cao tần hai cửa (bốn cực)

Đối với một mạch cao tần, việc đo cường độ dòng điện và điện áp đôi khi không
quan trọng bằng đo công suất vào và ra. Mặt khác, ở tần số siêu cao, việc đo điện áp
và dòng điện thường chỉ cho những đại lượng như tỷ số sóng đứng (SWR), hệ số
phản xạ… Tham số dễ đo nhất là công suất tới và công suất phản xạ, điều kiện thử
lý tưởng là khi mạng 2 cửa được phối hợp tải. Người ta định nghĩa các biến số
a1 , b1 a2 , b2
và , trong đó a biểu thị sóng công suất tới và b biểu thị cho sóng

công suất phản xạ. Mối quan hệ giữa các biến công suất và điện áp, dòng điện là:

V n= √ Z 0n ( an +b n)

1
I n= (a n−b n)
√ Z0n với n = 1; 2 (2.8a)

Hay

Vn
an =
1
2 ( √Z0n
+ √Z0n I n
)
Vn
bn =
1
2 ( √ Z0n
+ √Z0n I n
) với n = 1; 2 (2.8b)

Với các định nghĩa biến số trên, công suất tại cửa n là:

1 1
Pn= ℜ ( V n . I ¿n ) = (an a¿n−b n b ¿n) (2.9)
2 2

22
 an a¿n /2
Dấu (*) thể hiện giá trị liên hợp phức. Ở đây có thể thấy là công

bn b¿n /2
suất tới cửa n, còn là công suất phản xạ tại cửa n.

2.1.2.2. Ma trận tán xạ S

Hệ phương trình tuyến tính mô tả hoạt động của mạng hai cửa như trong
Hình 2.3 sử dụng sóng công suất là các biến số:

b 1=S 11 a1 + S12 a2
b2=S 21 a1 + S22 a2 (2.10)

Viết dưới dạng ma trận:

[][
b1
b2
S S
= 11 12 . 1
a
S 21 S 22 a2 ][ ] (2.11)

Hay [ b ] =[ S ] . [ a ]

Ma trận S được gọi là ma trận tán xạ của mạng hai cửa.

S mn
Các tham số tán xạ được xác định như sau:

S 11=
b1
a1 | a2=0
S 21 =
b1
a2 | a1=0

S 21=
b2
a1 |
a2=0
S 22=
b2
a2 |a1=0
(2.12)

an =0
Trong đó thể hiện rằng cửa n được phối hợp trở kháng hoàn toàn

(không có phản xạ từ tải).

23
 S 11 S 22 S 12 S 21
Các tham số và được gọi là hệ số phản xạ, còn và

được gọi là hệ số truyền đạt. Các tham số tán xạ thường là các số phức nên được
biểu diễn dưới dạng biên độ và pha. Giá trị biên độ thường được đổi sang đơn vị
decibels (dB).

S mn=|S mn| e j ϕ mn

|Smn|[ dB ] =20 log|S mn|dB m, n = 1; 2 (2.8)

Đối với bộ lọc, người ta định nghĩa hai tham số sau:

L A=−20 log |Smn|dB m, n = 1; 2 (m ≠ n)

LR =20 log |S nn|dB n = 1; 2 (2.9)

LA LR
Trong đó là tổn hao xen giữa cửa n và cửa m, là tổ hao ngược tại

cửa n. Ngoài ra, người ta còn định nghĩa tỷ số sóng đứng về điện áp (Voltage
Standing Wave Ratio – VSWR) như sau:

1+|S nn|
VSWR= (2.10)
1−|S nn|

Khi một tín hiệu được truyền qua một mạch lựa chọn tần số như mạch lọc,
tín hiệu ở đầu ra sẽ có một khoảng trễ nhất định so với tín hiệu ở đầu vào. Tham số
trễ quan trọng cần được xem xét trong bộ lọc là trễ nhóm, hay trễ đường bao tín
hiệu, được định nghĩa là:

−d ϕ21
τd= (s) (2.11)
dω

Tham số tán xạ có một số tính chất quan trọng khi phân tích mạng cao tần.
S 12=S 21
Đối với mạng hai cửa tương hỗ . Nếu mạng hai cửa là đối xứng, thì ngoài

24
 S 11=S 22
tính chất tương hỗ, còn có . Giả sử mạng hai cửa không có tổn hao, tổng

công suất truyền qua và công suất phản xạ trở lại phải bằng tổng công suất tới. Định
luật bảo toàn năng lượng trong mạng hai cửa không có tổn hao có thể viết như sau:

2 2
|S21| +|S11| =1

2 2
|S12| +|S 22| =1 (2.12)

2.1.2.3. Ma trận trở kháng Z và dẫn nạp Y

Mối quan hệ giữa điện áp và dòng điện trong mạng hai cửa Hình 2.3 có thể
được viết như sau:

V 1=Z11 I 1 +Z 12 I 2

V 2=Z 21 I 1 + Z 22 I 2 (2.13)

Viết dưới dạng ma trận:

[ ][
V1
V2
Z
= 11
Z 12 I 1
.
Z 21 Z 22 I 2 ][ ] (2.14)

Hay [ V ] =[ Z ] . [ I ]

Ma trận Z được gọi là ma trận trở kháng vì bốn tham số của nó đều liên
quan đến trở kháng.

Ngoài ra người ta còn định nghĩa ma trận dẫn nạp Y:

[][
I1
I2
Y
= 11
Y 12 V 1
.
Y 21 Y 22 V 2 ][ ] (2.15)

Hay [ I ]= [Y ] . [V ]

25
 Khi đánh giá một hệ thống gồm nhiều mạng hai cửa ghép nối theo kiểu nối
tiếp hoặc song song, ma trận trở kháng Z và ma trận dẫn nạp Y thường được áp
dụng, giúp cho việc tính toán trở nên dễ dàng hơn.

2.1.2.4. Ma trận truyền đạt ABCD

Mối quan hệ giữa điện áp và dòng điện ở cửa 1 với điện áp và dòng điện ở
cửa 2 của mạng hai cửa trong Hình 2.3 được biểu diễn bằng hệ thức sau:

V 1= A V 2−B I 2

I 1 =C V 2−D I 2 (2.16)

Viết dưới dạng ma trận, ta có:

[ ] [ ][ ]
V1
I1
= A
C
B . V2
D −I 2 (2.17)

Bốn tham số trong ma trận ABCD có thể xác định bằng cách thực hiện các
phép đo ở mạch hai cửa với điều kiện ngắn mạch và hở mạch. Ma trận ABCD có
những tính chất sau:

Đối với mạng hai cửa tương hỗ: AD – BC = 1 (2.18)

Đối với mạng hai cửa đối xứng: A = D (2.19)

Nếu mạng hai cửa không có tổn hao, A và D có giá trị thực còn B và D có giá
trị thuần ảo.

Ma trận ABCD đóng vai trò quan trọng trong việc phân tích hệ thống cao tần
bao gồm nhiều mạng hai cửa được ghép nối với nhau theo kiểu nối tầng. Kiểu ghép
nối này thường được sử dụng trong việc phân tích thiết kế mạch lọc, vì hầu kết các
kiểu mạch lọc đều được cấu tạo nên từ các thành phần ghép nối tầng với nhau. Đầu
tiên, ta xét trường hợp đơn giản, cấu trúc nối tầng bao gồm hai mạng hai cửa như
trong Hình 2.4.

26
 Hình 2. 4 Mạng hai cửa nối tầng và mạng hai cửa tương đương

Với cấu hình nối ghép như trên, ta có:

[ ][ ] [ ][ ]
' ''
V 1 V1 V 2 V2
= ' và = ''
I1 I1 I2 I2

Đầu vào của mạng N” là đầu ra của mạng N’, nên:

[ ][ ]
V '2
−I '2
=
V '1'
I '1'

Theo (2.17) ta có:

[ ][
V '1
][ ] [ ][ ][ ]
'
V ''1 ''
B' . V 2 A # B . V2
'
= A' và =
I1 C' D ' −I '2 I '1' C # D −I '2'

Mối quan hệ giữa điện áp và dòng điện ở hai đầu cuối của hệ thống là:

[ ] ([ ] [ ]) [ ] [ ] [ ]
' '
V1 A B A #B V B . V2
= ' ' . . 2 =A (2.20)
I1 C D C # D −I 2 C D −I 2

27
 Như vậy, hệ thống mạng hai cửa ghép tầng tương đương với một mạng hai
cửa có ma trận ABCD bằng tích các ma trận ABCD thành phần. Điều này đúng cho
hệ thống bao gồm các mạng hai cửa nối tầng với mọi số lượng.

2.2. Lý thuyết về mạch lọc cao tần

2.2.1. Khái quát về mạch lọc tần số

Mạch lọc tần số là một mạch hai cửa, có chức năng lựa chọn tín hiệu trong
một dải tần số mong muốn, bằng cách cho các tín hiệu đó đi qua và làm suy hao tín
hiệu ở các dải tần số không mong muốn (dải chắn). Mạch lọc thường xuất hiện
trong các máy thu phát cao tần.

Theo dạng đáp ứng tần, người ta chia mạch lọc tần số thành bốn loại: mạch
lọc thông thấp (Low-pass filter – LPF), mạch lọc thông cao (High-pass filter –
HPF), mạch lọc thông dải (Band-pass filter – BPF) và mạch lọc chắn dải (Band-stop
filter – BSF). Hai loại mạch lọc đầu tiên cho phép tín hiệu trong toàn bộ dải tần phía
dưới và phía trên tần số cắt đi qua, còn hai loại mạch lọc còn lại cho phép truyền
qua hoặc chặn lại tín hiệu trong một dải tần nhất định nằm giữa tần số cắt trên và
tần số cắt dưới. Hình 2.5 minh họa dạng đáp ứng tần lý tưởng của bốn loại mạch lọc
trên.

Tại các tần số thấp (thường là dưới 500 MHz), mạch lọc có thể được tạo
thành từ các linh kiện tham số tập trung là cuộn cảm, tụ điện. Nhưng khi tần số hoạt
động của mạch lọc ở trong dải siêu cao tần, điện kháng và điện nạp của các thành
phần mạch điện không còn biến thiên tuyến tính theo tần số nữa. Việc thiết kế mạch
lọc siêu cao tần phải tính đến các tham số phân tán trên mạch. Tuy nhiên ở tần số
tương đối thấp và dải tần hẹp, các thành phần tham số phân tán vẫn có thể được xấp
xỉ dưới dạng các linh kiện tham số tập trung. Việc tính toán và tổng hợp bộ lọc theo
phương pháp cũ vẫn có thể được áp dụng với độ chính xác tương đối cho dải tần
siêu cao.

28
 Hình 2. 5 Đáp ứng tần của bốn loại mạch lọc lý tưởng:
a) lọc thông thấp; b) lọc thông cao; c) lọc thông dải; d) lọc chắn dải

2.2.2. Bộ lọc thông thấp

Vs
Hình 2.6 mô tả sơ đồ một mạch lọc hai cửa có nguồn điện áp với trở

Zs ZL
kháng nguồn , trở kháng tải . Với giả thiết sóng công suất tới mạch lọc

có biên độ bằng 1; biên độ của sóng phản xạ và sóng truyền qua sẽ bằng hệ số phản

xạ R(ω) và T (ω) , là các hàm phụ thuộc tần số.

Hình 2. 6 Sơ đồ mạch lọc hai cửa với hệ số truyền đạt và hệ số phản xạ .

29
 Ω=ω/ω c
Mạch lọc thông thấp có thể được đặc trưng bởi tần số chuẩn hóa

ωc
với là tần số cắt, và đáp ứng tần được đặc trung bởi tham số tổn hao xen giữa:

1
L ( Ω )=
|T ( Ω )|
2
(2.21)

L(Ω) FN (Ω)
Ngoài ra, còn được biểu diện thông qua hàm đa thức , với

N là bậc của mạch lọc thông thấp.

L ( Ω )=1+k 2 F N ( Ω) (2.22)

Với k là hằng số, liên quan đến độ gợn của đáp ứng tần trong dải thông. Việc

lựa chọn F N ( Ω ) tùy thuộc vào yêu cầu về khả năng loại bỏ tần số ngoài dải thông

và độ gợn đáp ứng tần cho phép trong dải thông. Thông thường có hai dạng: Bộ lọc
phẳng tối đa (maximally flat) hay còn gọi là bộ lọc Butterworth và bộ lọc có gợn
đồng đều (equal-ripple) hay còn gọi là bộ lọc Chebyshev.

Đối với bộ lọc Butterworth, tổn hao xen giữa bằng:

2 2N
L ( Ω )=1+k Ω (2.23)

Còn đối với bộ lọc Chebyshev:

2 2
L ( Ω )=1+k T N (Ω) (2.24)

với T N ( Ω ) là đa thức Chebyshev bậc N.

Hình 2.7 mô tả tham số tổn hao xen giữa của mạch lọc thông thấp bậc 3. Giá

Lc
trị tổn hao xem tại tần số cắt (Ωc =1) bằng . Nhìn vào hai đồ thị, có thể thấy

rõ ràng đáp ứng tần của mạch lọc Chebyshev tăng nhanh hơn ở dải tần phía trên tần

30
số cắt so với mạch lọc Butterworth. Nói cách khác, bộ lọc Chebyshev có đặc tính
lọc dốc hơn, gần hơn với dạng đặc tính lọc của bộ lọc lý tưởng như trong Hình 2.5.

Hình 2. 7 Đáp ứng tần của mạch lọc thông thấp bậc 3.

a) kiểu Butterworth; b) kiểu Chebyshev.

Hình 2.8 là hai dạng mạch lọc thông thấp kiểu bậc thang, trong đó
gk g0 gN +1
là thành phần điện dung hoặc điện cảm chuẩn hóa thứ k, và là

điện trở hoặc điện dẫn chuẩn hóa của nguồn và tải.

Hình 2. 8 Mạch lọc thông thấp dạng bậc thang với các linh kiện tham số tập trung
Lc =3 dB Ωc =1
Đối với mạch lọc thông thấp kiểu Butterworth, với tại ,

gk
các giá trị chuẩn hóa được tính theo công thức sau:

g0=g N +1=1

gk =2 sin ( 22k −1
N )
π k =1,2,3, … , N (2.25)

31
 Lc Ωc =1
Đối với mạch lọc Chebyshev, giả sử cho trước giá trị tại ,

hằng số k có thể được tính như sau:

2
Lc =10 log ⁡( 1+ k ) (2.26)

Bậc của mạch lọc Chebyshev N được xác định từ yêu cầu về độ suy hao
gk
trong dải chắn theo đồ thị trong tài liệu tham khảo []. Các giá trị được tính

như sau:

2 a1
g1=
sinh ( 2βN ) (2.27a)

4 a k−1 a k
gk = k =2,3, … , N (2.27b)
b k−1 gk−1

gN +1=
{ 1 vớ i N l ẻ
2 k +1−2 k √ 1+k v ớ i N ch ẵ n
2 2 (2.27c)

Trong đó:

β=ln
( ( √ 1+ k 2 +1 )
( √1+ k 2−1 ) ,) ak =sin ( 22k−1
N )
π

bk =sinh 2 ( 2βN )+ sin ( kπN )

2

2.2.3. Mạch lọc thông dải sử dụng linh kiện tham số tập trung

Mẫu bộ lọc thông thấp ở trên được đặc trưng bởi một mạch điện hình bậc
gk
thang có các thành phần điện cảm và điện dung ( ) trong miền tần số chuẩn hóa

32
 Ω=ω/ω c
( ). Áp dụng phương pháp trên vào việc tính toán thiết kế các dạng lọc

khác như thông cao, thông dải hay chắn dải trong miền tần số thực, người ta sử
dụng một phép biến đổi tần số để đưa đồ thị đáp ứng tần trong miền tần số chuẩn
hóa Ω về miền tần số ω. Cùng với đó là một phương pháp biến đổi trở kháng đồng
thời giữa trở kháng nguồn tải với điện kháng của các thành phần mạch lọc. Sơ đồ
mạch lọc thông dải hai cửa và đồ thị tham số tổn hao xen theo tần số được mô tả
trong Hình 2.9 và Hình 2.10

Hình 2. 9 Sơ đồ mạch lọc thông dải hình bậc thang

Hình 2. 10 Đồ thị tổn hao xen theo tần số của mạch lọc thông dải

Công thức biến đổi tần số từ tần số chuẩn hóa của mạch lọc thông thấp sang
tần số thực của mạch lọc thông dải:

ω0 ω ω0
Ω= ( −
ω c2 −ωc 1 ω 0 ω ) với ω0 =√ ω1 ω2 (2.28)

33
 Từ hình 2.9, có thể thấy các thành phần điện dung và điện cảm trong mạch
lọc thông thấp sẽ được biến đổi thành các nhánh cộng hưởng LC song song và nối
tiếp trong mạch lọc thông dải, với điều kiện tổn hao xen tại tần số cắt trên và tần số
Ωc =1
cắt dưới của mạch thông dải phải bằng giá trị tổn hao xen tại của mạch

Lk Ck
thông thấp ban đầu. Như vậy, các giá trị và của từng nhánh cộng hưởng

sẽ được tính như sau:

gk RL ωc 2−ω c1
Lk = ; Ck = 2
ω c2−ωc 1 ω0 gk RL đối với nhánh LC nối tiếp (2.29)

ω
R L (¿ ¿ c 2−ωc 1)
R (ω −ωc 1) g đối với nhánh LC song song (2.30)
Lk = L c22 ;C k = ¿k
ω0 g k

2.2.4. Mạch lọc với bộ biến đổi trở kháng và dẫn nạp

Bộ lọc thông dải trong Hình 2.9 được xây dựng từ bộ lọc thông thấp trong
Hình 2.8, bao gồm các bộ cộng hưởng kiểu nối tiếp hoặc song song được ghép trực
tiếp với nhau. Trong triển khai thực tế, đôi khi việc thiết kế đồng thời các bộ cộng
hưởng kiểu nối tiếp và song song là không dễ dàng, nhất là ở dải tần siêu cao. Vì
thế, người ta sử dụng các bộ biến đổi trở kháng hoặc dẫn nạp để liên kết các bộ
cộng hưởng cùng một kiểu nối tiếp hoặc song song với nhau tạo thành mạch lọc
thông dải. Hình 2.11 mô tả bộ biến đổi trở kháng và bộ biến đổi dẫn nạp, có tác
Zb Yb Za
dụng biến đổi trở kháng hoặc dẫn nạp ở một đầu thành trở kháng

Ya
hoặc dẫn nạp khi nhìn vào đầu kia của bộ biến đổi. Giá trị trở kháng đặc

trưng và dẫn nạp đặc trưng của các bộ biến đổi này lần lượt là K và J. Ta có:

34
 Hình 2. 11 Sơ đồ khối bộ biến đổi trở kháng (a) và bộ biến đổi dẫn nạp (b)

2 2
K J
Z a = ;Y a= (2.31)
Zb Yb

Y p (ω)
Xét một mạng bao gồm phần tử dẫn nạp đặt giữa hai bộ biến đổi

trở kháng như trong Hình 2.12a. Trở kháng vào nhìn từ hai đầu của mạng bằng
2
K Y p (ω) Z s(ω )
cũng bằng trở kháng nối tiếp . Như vậy dẫn nạp song song

Y p (ω) được biến đổi thành trở kháng nối tiếp Z s ( ω ) . Tương tự, trở kháng nối

tiếp Z s ( ω ) đặt giữa hai bộ biến đổi dẫn nạp J cũng tương đương một phần tử dẫn

nạp song song Y p (ω) như trong Hình 2.12b. Đặc tính này của các bộ biến đổi có

thể giúp chuyển mạch lọc có sơ đồ như Hình 2.9 thành một mạch lọc chỉ bao gồm
các bộ công hưởng nối tiếp hoặc song song. Quan trọng hơn, nó giúp cho việc triển
khai các bộ lọc cao tần trở nên thuận tiện hơn khi các bộ cộng hưởng chỉ bao gồm
các thành phần tham số phân tán nối tiếp hoặc song song.

35
 Hình 2. 12 Biến đổi tương đương giữa thành phần trở kháng nối tiếp và dẫn nạp
song song sử dụng các bộ biến đổi: a )trở kháng (K); b) dẫn nạp (J)

Hình 2.13a và 2.13b [1] mô tả hai dạng mạch lọc thông dải sử dụng bộ biến đổi
trở kháng và biến đổi dẫn nạp. Trong trường hợp thứ nhất, mạch chỉ bao gồm các bộ

X k (ω)
cộng hưởng nối tiếp với điện kháng , và giữa hai bộ cộng hưởng liên tiếp

X k (ω) X k +1 (ω) K k , k+1 (ω) . Trong

nhau và là một bộ biến đổi trở kháng

B k (ω)
trường hợp thứ hai, chỉ có các bộ cộng hưởng song song với điện nạp

J k , k+1 (ω) . Các bộ cộng hưởng

được nối với nhau qua các bộ biến đổi dẫn nạp

thường là các cấu trúc ống dẫn sóng hay đường truyền siêu cao tần có các giá trị
tham số phân tán. Cách tính giá trị K và J cũng được cho trong hình.

36
 Hình 2. 13 Mạch lọc thông dải tham số phân tán sử dụng các bộ biến đổi [1]

2.3. Phân tích cấu trúc vòng cộng hưởng

Mạch cộng hưởng vi dải hạng vòng kín được nghiên cứu rộng rãi cho nhiều
ứng dụng, như anten kích thước nhỏ, mạch bộ lọc hai mode sóng. Lý thuyết phân
bố trường của mạch cộng hưởng vòng được đề xuất lần đàu tiên bởi Wolff và
Knoppik, trong đó mô hình vách từ (magnetic-wall model) đã được sử dụng để
nghiên cứu về ảnh hưởng của độ cong lên tần số cộng hưởng. Kết quả những nghiên

37
 2 πr =n λ g
cứu về sau đã chỉ ra các tần số mode cộng hưởng phải thỏa mãn với n

= 1, 2, 3, …, r là bán kính trung bình của vòng cộng hưởng tròn, n là số mode, và
λg
là bước sóng được truyền đi. Nhưng nói chung, chỉ có mạch cộng hưởng vòng

hình tròn mới có lý thuyết tính toán đầy đủ các mode tần số của nó. Đối với mạch
cộng hưởng vòng hình vuông, sử dụng mô hình vách từ để tính được tần số các
mode là rất khó, vì điều kiện biên phức tạp của nó. Gần đây, Hsieh và Chang đã sử
dụng một mô hình đường truyền đơn giản không bị ảnh hưởng bởi điều kiện biên để
tính toán các mode sóng trong mạch cộng hưởng vòng với hình dạng bất kỳ, từ tròn,
vuông đến uốn khúc. Phương pháp mô hình đường truyền này còn được dùng để
suy ra mạch linh kiện tham số tập trung tương đương của các bộ cộng hưởng vòng
kín và vòng hở.

2.3.1. Mô hình đường truyền của cấu trúc cộng hưởng vòng

Hình 2.14 mô tả một cấu trúc cộng hưởng vòng một cửa. Đối với một cấu
l1
trúc vòng thông thường, chiều dài tổng l có thể được chia thành hai đoạn và

l2
.

Hình 2. 14 Cấu trúc cộng hưởng vòng một cửa.

38
 Trong trường hợp vòng hình vuông, mỗi đoạn có thể được xem như một đường
Z1 Z2 l1
truyền. và lần lượt là các hướng tọa độ tương ứng với các đoạn và

l2 Z 1,2 <0
. Vòng được tiếp điện bởi một nguồn điện áp V tại một điểm có .

Z 1,2
Điểm gốc 0 của và giá trị điện áp V được chọn tùy ý. Đối với một đường

truyền có tổn hao, điện áp và dòng điện trên hai đoạn được tính như sau:

+¿(e− jβ Z + Γ 1 ( 0 ) e jβ Z )
1 1

V 1 ( Z 1 )=V ¿0 (2.32a)

+¿ (e− jβ Z + Γ 2 ( 0 ) e jβ Z )
2 2

V 2 ( Z 2) =V ¿0 (2.32b)

V +¿
0 − jβ Z jβ Z
(e −Γ 1 ( 0 ) e )
1 1

Z0 (2.32c)
I 1 ( Z 1) =¿

V +¿
0 − jβ Z jβ Z
(e −Γ 2 ( 0 ) e )
2 2

Z0 (2.32d)
I 2 ( Z 2 )=¿

+¿ e− jβ Z 1,2

+Z 1,2
Trong đó V ¿0 là sóng truyền đi theo hướng , còn

+¿ Γ 1,2 ( 0 ) e jβ Z 1,2

−Z 1,2
V ¿0 là sóng phản xạ lại theo hướng ; β là hằng số lan truyền;

Γ 1,2 ( 0 ) Z 1,2 =0 Z0
là hệ số phản xạ tại ; và là trở kháng đặc trưng của vòng.

Tại tần số cộng hưởng, trên cấu trúc vòng sẽ tồn tại sóng đứng. Chiều dài nhỏ nhất
của vòng cộng hưởng có khả năng làm xuất hiện sóng đứng trên nó có thể xác định
được từ vị trí mà tại đó biên độ sóng có giá trị lớn nhất. Giá trị tuyệt đối của biên độ
điện áp lớn nhất trên vòng cộng hưởng được xác định như sau:

39
 +¿ λg
¿ V 1 ( Z 1 ) |max =2 V ¿0 với Z 1=m 2 , m=0,−1,−2,−3, … (2.33a)

+¿ λg
¿ V 2 ( Z 2 ) |max=2 V ¿0 với Z 2=m 2 , m=0,−1,−2,−3, … (2.33b)

gλ
Dòng điện tại vị trí Z 1,2 =m 2 bằng:

I 1 ( Z1 ) | λg =I 2 ( Z2 ) | λg =0
Z 1=m
2
Z 2=m
2 (2.34)

Tương tự, giá trị tuyệt đối của biên độ dòng điện lớn nhất trên vòng cộng
hưởng được xác định như sau:
V +¿ 0
2 1 λg
Z0 Z =(m− ) ,m=0,−1,−2,−3, …
với 1
2 2 (2.35a)
¿ I 1 ( Z 1 ) |max =¿

V +¿
2 0 1 λg
Z0 với Z 2=(m− 2 ) 2 ,m=0,−1,−2,−3, … (2.35b)
¿ I 2 ( Z2 ) |max =¿

1 λg
Và điện áp tại Z 1,2 =(m− ) bằng:
2 2

V 1( Z1)| 1 λg
=V 2 ( Z 2 ) | 1 λg
=0
Z 1=(m− )
2 2
Z 2=(m− )
2 2 (2.36)

l1
Hình 2.15 mô tả giá trị tuyệt đối của điện áp và dòng điện trên hai đoạn

l2
và của vòng cộng hưởng trong trường hợp sóng đứng. Như trên Hình 2.15,

λ g /2
sóng đứng lặp lại theo bội số của trên mỗi đoạn. Như vậy để có thể xảy ra

λ g /2
hiện tượng sóng đứng, chiều dài ngắn nhất của mỗi đọan phải bằng , đây là

mode cơ bản của vòng cộng hưởng. Với các mode cao hơn thì:

40
 λg
l 1=l 2=n , n=1,2,3, … (2.37)
2

n là số mode sóng. Như vậy chiều dài tổng cộng của vòng cộng hưởng bằng:
l=l 1 +l 2=n λ g (2.38)

Hình 2. 15 Sóng đứng trên hai đoạn của vòng cộng hưởng

Hai dạng mạch cộng hưởng vi dải vòng kín được mô tả trong Hình 2.16. Các
phương trình liên hệ giữa bước sóng và kích thước của vòng cộng hưởng hình
vuông và hình tròn tương ứng được đưa ra trong (2.39) và (2.40).

41
 Hình 2. 16 Sóng đứng trên hai đoạn của vòng cộng hưởng

4 W =n λ g (2.39a)

nc
f 0=
4 W √ μr ϵ eff (2.39b)

2 πr =n λ g (2.40a)

nc
f 0=
2 πr √ μr ϵ eff (2.40b)

λg
với là bước sóng, W là chiều dài cạnh vòng hình vuông, r là bán kính

f0 8
trung bình của vòng tròn, n là số mode, là tần số cộng hưởng, c=3.10 m/s ,

μr ϵ eff
là độ từ thẩm tương đối và là hằng số điện môi tương đối hiệu dụng của

đế điện môi.

2.4. Giới thiệu phần mềm Ansoft HFSS 12

Phần mềm mô phỏng trường điện từ HFSS 12 ( Ansoft High Frequency

Structure Simulator) là một phần mềm mô phỏng dùng để giải trường điện từ dựa
trên phương pháp phần tử hữu hạn (FEM) toàn song cho cấu trúc ba chiều bất kỳ.
HFSS sử dụng phương pháp phần tử hữu hạn toàn sóng ba chiều để tính toán
các đặc trưng điện học của các linh kiện tần số cao và tóc độ cao. Với HFSS, các kỹ
sư có thể tách các tham số kí sinh ( S, Y, Z), hình dung trường điện từ ba chiều

42
(trường khu gần và trường khu xa) tạo ra các mẫu chương trình mô phỏng chuyên
dùng cho mạch in ( SPICE – Simulation Program Ưith Integrated Cỉcuit Emphais),
và thực hiện thiết kế tố ưu.
HFSS mô tả chính xác hoạt động điện của các linh kiện và đánh giá hiệu quả
chất lượng tín hiệu, bao gồm tổn hao đường truyền, tổn hao phản xạ do không phối
hợp trở kháng, đối ngẫu kí sinh, và phát xạ. HFSS có thể mô phổng các trường điện
từ, dòng điện và phát xạ trong một cấu trúc ba chiều bất kỳ bao gồm kim loại, điện
môi, vật liệu từ …..dựa trên phương pháp phần tử hựu hạn ba chiều. HFSS được sử
dụng rộng rãi trong công nghiệp cho tần số vô tuyến RF, anten và thiết kế mạch.
Theo www.ansoft.com, HFSS là phần mềm chuẩn công nghiệp cho việc tách
tham số S và chương trình mô phỏng chuyên dùng cho mạch in toàn sóng (full
wave SPICE) và cho mô phỏng điện từ của các linh kiện tần số cao với tốc độ cao.
HFSS được sử dụng rộng rãi cho việc thiết kế của các phần tử thụ động nhúng trên
chip, các đầu nối mạch in, anten, các linh kiện RF/vi ba, và các gói IC tần số cao.

HFSS phát triển các sản phẩm khoa học, giảm thời gian phát triển và khẳng
định rõ hơn thành công của thiết kế.

Phiên bản mới nhất của HFSS đưa ra những phát triển sản phẩm tới các kỹ sư
RF/vi ba và mở rộng việc phối hợp thiết kế điện từ tới các nhánh khác của kỹ sư
làm việc trong các khu vực thiết kế IC RF/analog và các thiết kế multi-gigabit cũng
như EMI/EMC.
HFSS được dùng để mô phỏng các đầu nối, các ống dẫn sóng, các linh kiện
trên chip, các anten, v.v… và dùng cho việc khảo sát các tham số, tối ưu cấu trúc,
v.v…
HFSS là một phần của họ sản phẩm của Ansoft

2.4.1. Mô Phỏng

2.4.1.1 Phương pháp phần tử hữu hạn

HFSS được dựa trên phương pháp phần tử hữu hạn ba chiều. Đó là một
phương pháp miền tần số (các lời giải được tính cho từng tần số riêng biệt). Phương
pháp phần tử hữu hạn chia cả không gian thành các phần tử hữu hạn (tam giác hoặc
tứ diện) và mô tả trường trong mỗi miền con bằng một hàm cục bộ. Với thể tích

43
tổng cộng của N miền con, trường tán xạ có thể được mở rộng thành một loạt các
hàm cơ bản đã biết với các hệ số mở rộng chưa biết. Giá trị của số lượng trường
véc-tơ ở các điểm trong mỗi tứ diện được nội suy số học từ các giá trị ở các đỉnh và
trung điểm các cạnh. Bộ mô phỏng biến đổi các phương trình Maxwell thành các
phương trình ma trận, có thể được giải sử dụng các phương pháp số học. Thời gian
mô phỏng tỉ lệ với N (khi được giải theo phương pháp lặp) hay N 3 (nếu ma trận hệ
thống được đảo trực tiếp)

Hình 2. 17 Họ sản phẩm của Ansoft

44
 Hình 2. 18 Cách chia phần tử hữu
hạn trong HFSS: (a) thành các tam giác
trên bề mặt, (b) thành các tứ diện trong
không gian ba chiều

(a) (b)

2.4.1.2 Tính toán

Quá trình phân tích thích ứng
Một phân tích thích ứng là một quá trình giải trong đó lưới được lặp tinh chỉnh
trong những vùng có lỗi cao, làm tăng độ chính xác của lời giải. Người sử dụng đặt
các tiêu chuẩn điều khiển cho việc tinh chỉnh lưới trong lời giải trường thích ứng.
Nhiều vấn đề có thể được giải quyết chỉ bằng việc sử dụng tinh chỉnh thích ứng.
1. HFSS tạo ra một lưới khởi tạo
2. Sử dụng lưới khởi tạo, HFSS tính toán các trường điện từ tồn tại bên
trong cấu trúc khi nó được kích thích ở tần số nghiệm. (Nếu bạn đang
chạy một tần số quét, một nghiệm thích nghi được thực hiện chỉ ở tần
số nghiệm cụ thể)

45
 3. Được dựa trên lời giải phần tử hữu hạn hiện tại, HFSS xác định các
vùng chứa vấn đề mà việc tác nghiệm gặp lỗi. Tứ diện trong những
vùng này được tinh chỉnh.
4. HFSS tạo ra một lời giải khác sử dụng lưới đã tinh chỉnh.
5. t nhanh sẽ chứa một sự mô tả chính xác các đặc điểm gần cộng
hưởnHFSS tính lại lỗi, và quá trình lặp này (giải – phân tích lỗi – tinh
chỉnh) lặp lại cho đến khi các tiêu chuẩn hội tụ được thỏa mãn hoặc
hoàn tất số lần thông qua thích ứng.
6. Nếu tần số quét được thực hiện, HFSS sẽ giải vấn đề ở các điểm tần
số khác mà không cần tinh chỉnh thêm nữa
Các bộ quét tần số
Thực hiện một bộ quét tần số khi người sử dụng muốn tạo ra một lời giải qua
một dải các tần số. Ta có thể lựa chọn một trong những loại bộ quét sau:
1. Nhanh: Tạo ra một lời giải trường đầy đủ duy nhất cho mỗi phép chia
trong một khoảng tần số. Tốt nhất cho các mẫu đột ngột cộng hưởng
hay thay đổi hoạt động trong băng tần số. Một bộ quég.
2. Rời rạc: Tạo ra các lời giải trường ở các điểm tấn số cụ thể trong một
dải tần. Tốt nhất khi chỉ có vài điểm tần số cần thiết phải mô tả chính
xác các kết quả trong một dải tần.
3. Nội suy: Đánh giá một lời giải cho toàn bộ dải tần. Tốt nhất khi dải
tần rộng và đáp ứng tần số là bằng phẳng, hay nếu sự yêu cầu bộ nhớ
của bộ quét nhanh vượt quá tài nguyên của bạn.

46
 Hình 2. 19 Bộ quét tần số

Kích thích
Thiết lập các kích thích cho một thiết kế HFSS cho phép bạn cụ thể hóa các
nguồn trường điện từ và các điện tích, các dòng điện hay các điện áp trên vật hay
trên bề mặt: Wave port; Lumped port; Sóng tới; Nguồn điện áp; Nguồn dòng điện;
Nguồn phân cực từ.
Các đường biên
Các điều kiện biên cụ thể hóa đặc tính trường trên các bề mặt của vùng bài toán
và các giao diện vật thể. Khu vực này của những chú ý kỹ thuật bao gồm thông tin
về các loại đường biên: Perfect E; Perfect H; Trở kháng; Phát xạ; PML; Chất dẫn
điện hữu hạn; Đối xứng; Chủ - tớ; Lumped RLC; Trở kháng phân lớp; Các mặt
phẳng đất vô hạn.
Các vật liệu
Các tính chất của vật liệu tuyến tính:
- Hệ số từ thẩm tương đối
- Hệ số điện môi tương đối
- Điện dẫn khối
- Tổn hao điện môi tiếp tuyến
- Tổn hao từ tiếp tuyến

47
 Các tính chất của vật liệu ferít:
- Đường bão hòa từ
- Hệ số Lande G
- Delta H
Thông tin cũng bao gồm những điều sau:
- Các vật liệu không đẳng hướng
- Các tính chất của vật liệu phụ thuộc tần số

Loại lời giải

1. Lời giải Driven Modal
Lựa chọn loại lời giải Driven Modal khi bạn muốn HFSS tính các hệ số S dựa
trên cách thức của linh kiện thụ động, các cấu trúc tần số cao như vi dải, các ống
dẫn sóng và các đường truyền dẫn. Các lời giải ma trận S sẽ được biểu diện thành
cách số hạng của các năng lượng tới và phản xạ của các mốt ống dẫn sóng.
2. Lời giải Driven Terminal
Lựa chọn loại lời giải Driven Terminal khi bạn muốn HFSS tính toán các tham
số S dựa trên đầu cuối của các cổng truyền dẫn đa chất dẫn. Các lời giải ma trận S
sẽ được biểu diễn thành các số hạng của các điện áp đầu cuối và các dòng điện đầu
cuối.
3 Lời giải mốt riêng
Lựa chọn loại lời giải mốt riêng để tính các mốt riêng, hay các cộng hưởng của
một cấu trúc. Bộ giải mốt riêng tìm các tần số cộng hưởng của cấu trúc và các
trường ở các tần số cộng hưởng.

2.5.1.3 Giao diện mô phỏng bằng phần mềm HFSS

48
Hình 2. 20 Giao diện xây dựng mô hình và thiết lập mô phỏng của phần mềm HFSS

Hình 2. 21 Giao diện thể hiện kết quả mô phỏng

Tổng kết chương

49
 Trong chương 2, tôi đã trình bày những cơ sở lý thuyết cần thiết cho việc
phân tích thiết kế cấu trúc của một mạch lọc thông dải. Xuất phát từ những lý
thuyết cơ bản về phân tích mạng siêu cao tần và đường truyền sóng, đến lý thuyết
về mạch lọc cao tần, từ đó phân tích những đặc tính quan trọng của mạch cộng
hưởng dạng vòng. Đây là tiền đề quan trọng để thực hiện quá trình phân tích thiết
kế mạch lọc thông dải băng tần 3G sẽ được trình bày chi tiết ở chương sau của đồ
án.

Chương 3

50
Phân tích thiết kế và mô phỏng bộ lọc
thông dải băng tần 3G

Trong chương này, tôi sẽ trình bày phương pháp phân tích và thiết kế một bộ
lọc thông dải băng thông hẹp, độ dốc của đáp ứng tần đạt mức tối đa. Mạch lọc sử
dụng cấu trúc vòng cộng hưởng, được thêm vào hai nhánh dải dẫn nhắm tạo nên
các điểm không tại các vị trí tần số cần thiết trên hàm truyền đạt, từ đó có được đặc
tính lọc mong muốn.

3.1. Giới thiệu

Mạch cộng hưởng vòng được ứng dụng rộng rãi trong nhiều thiết bị như bộ
lọc thông dải, bộ ghép công suất, bộ trộn tần, mạch dao động và anten … Cấu trúc
này có nhiều ưu điểm, như tổn hao do bức xạ thấp, hệ số phẩm chất (Q factor) cao
và kích thước nhỏ. Để đạt được yêu cầu về băng thông cho các ứng dụng trong một
số hệ thống thông tin hiện đại, đã có nhiều giải pháp thiết kế các bộ lọc thông dải sử
dụng cấu trúc vòng cộng hưởng. Bằng cách ghép các nhánh vòng sát sau tạo ra các
các khe hở mạch hay điều chỉnh chiều dài của các đường tiếp điện, hai dải chắn sẽ
xuất hiện trên đáp ứng tần ở ngay trước và sau các tần số cắt trên và tần số cắt dưới,
và như vậy sẽ tạo nên một dải thông đáp ứng với tỷ lệ đến 50% tần số trung tâm.
Tuy nhiên những bộ lọc kiểu này thường có suy hao lớn, và để dải tần chắn nhằm
chống can nhiễu từ các dải tần khác, nhiều cấu trúc lọc phải được mở rộng, nhưng
như thế đồng nghĩa với việc làm cho kích thước mạch lọc tăng lên.

Các phương án thiết kế mới đã được đề xuất. Trong, các nhánh đường truyền
đã được đặt vào các góc của vòng cộng hưởng nhằm cải thiện suy hao ngoài dải
thông của bộ lọc. Các nhánh đường truyền có chiều dài bằng nhau và toàn bộ cấu
trúc được thu gọn bằng cách thay thế các nhánh bằng các đoạn đường vi dải hình
chữ T và đặt vào bên trong vòng cộng hưởng. Cấu trúc này được cải tiến bằng cách

51
thêm vào các nhánh đường truyền có chiều dài khác nhau, như thế các dải thông
nhỏ tại các vị trí tần số bội của tần số cộng hưởng chính sẽ bị triệt tiêu, làm suy hao
tại dải tần số chắn phía sau dải thông được tăng lên.

Trong đồ án này, tôi xin đề xuất một mô hình mạch lọc khác trên cơ sở các
mô hình đã được nghiên cứu hoàn thiện, vừa có khả năng cái thiện suy hao ngoài
dải thông, vừa có kích thước đạt mức nhỏ nhất có thể. Quan trọng hơn, phương
pháp thiết kế này có thể áp dụng để giải quyết các yêu cầu thiết kế mạch lọc thông
dải băng thông hẹp và sườn đáp ứng tần của dải thông có độ dốc cao.

3.2. Cơ sở thiết kế bộ lọc thông dải băng thông hẹp

3.2.1. Các mode sóng trên vòng cộng hưởng

Hai mode sóng với hai tần số tách biệt nhau có thể được kích thích trên vòng
cộng hưởng bằng cách làm mất cấu trúc đối xứng của vòng, như sử dụng các đường
tiếp điện không đối xứng, hay thêm vào các nhánh đường truyền … Hai mode sóng
là nghiệm của phương trình Maxwell cho mô hình vách từ của vòng cộng hưởng:
E z=[ A J n ( kr ) + B N n ( kr ) ] cos ⁡( nϕ) (3.1a)

n
H r=
jω μ0 r
[ A J n ( kr ) + B N n ( kr ) ] sin ⁡( nϕ) (3.1b)

k ' '
H ϕ=
jω μ0
[ A J n ( kr )+ B N n ( kr ) ] cos ⁡( nϕ )
(3.1c)

Và:
E z=[ A J n ( kr ) + B N n ( kr ) ] sin (nϕ) (3.2a)

n
H r=
jω μ0 r
[ A J n ( kr ) + B N n ( kr ) ] cos (nϕ) (3.2b)

k
H ϕ=
jω μ0
[ A J 'n ( kr )+ B N 'n ( kr ) ] sin ⁡(nϕ) (3.2c)

52
 Hiện tượng hai mode sóng có thể được giải thích trên mô hình vách từ như
sau: Nếu một vòng cộng hưởng không bị xáo trộn cấu trúc và được tiếp điện đối
xứng, thì chỉ một trong số các mode sóng suy biến được kích thích. Cả hai mode
sóng được truyền theo hai chiều ngược nhau trên vòng cộng hưởng và trực giao với
nhau nên không xảy ra ảnh hưởng tương hỗ. Tuy nhiên, nếu vòng cộng hưởng bị
xáo trộn cấu trúc đối xứng, thì hai mode sóng sẽ cùng bị kích thích và ghép tương
hỗ với nhau.

+
Hình 3. 1 Mạch cộng hưởng dạng vòng

Các biểu thức (3.1) và (3.2) chưa giải thích được tại sao hiện tượng hai mode
sóng chỉ xảy ra với các mode lẻ thay vì mode chẵn khi vòng cộng hưởng được thêm
vào các nhánh hay được xẻ rãnh. Thêm vào đó, mô hình vách từ cũng không giải
thích được hiện tượng này với điều kiện biên phức tạp. Hiện tượng hai mode sóng
có thể được giải thích một cách đơn giản và tổng quát hơn nhờ mô hình đường
truyền được trình bày trong Mục 2.3.1, bằng cách coi vòng cộng hưởng như hai
λ g /2
mạch cộng hưởng giống nhau được nối song song. Nếu cấu trúc vòng

không bị xáo trộn và được kích thích bằng các đường tiếp điện đối xứng, hai mạch
cộng hưởng giống nhau sẽ có cùng kiểu đáp ứng tần chồng lấn lên nhau. Tuy nhiên,
nếu một trong hai bộ cộng hưởng nửa sóng bị thay đổi, hai chế độ tần số khác nhau

53
sẽ được kích thích và ảnh hưởng tương hỗ lẫn nhau. Để khảo sát trạng thái hai mode
sóng, phân bố mật độ dòng điện trên một vòng cộng hưởng được gây xáo trộn cấu
trúc bằng một tấm dẫn nhỏ phía trên bên phải, như trong Hình 3.1, sẽ được mô
phỏng bằng phần mềm HFSS và kết quả được trình bày trong Hình 3.2. Cấu trúc
vòng cộng hưởng hình vuông được thiết kế sao cho mode sóng cộng hưởng cơ bản
ϵ r =4.4
có tần số là 2 GHz, đế điện môi có và chiều dày h=1.6 mm .

3.2.1. Mạch lọc dựa trên cấu trúc vòng cộng hưởng hai mode sóng

Một bộ lọc bậc hai có thể được thiết kế như phương pháp đã nêu trong
Chương 2. Dạng sơ đồ nguyên lý tương đương sử dụng linh kiện tham số tập trung
C1 C5
được mô tả như trong Hình 3.4. Các tụ và là tụ ghép bộ cộng hưởng và

các cửa. Các bộ cộng hưởng là các khung LC song song được ghép với nhau bằng
C3
tụ .

Hình 3. 2 Mạch lọc bậc hai sử dụng linh kiện tham số tập trung

Như đã nói trong Chương 2, mỗi vòng cộng hưởng tương đương với hai bộ
cộng hưởng đối với hai mode sóng nếu như được kích thích một cách thích hợp.
Nếu hai mode sóng này được kết hợp với nhau sẽ tạo ra một cấu trúc có đáp ứng tần
như một mạch lọc thông dải. Hay nói cách khác, một mạch lọc thông dải có thể
được xây dựng chỉ bằng một cấu trúc vòng cộng hưởng được làm xáo trộn cấu trúc
đối xứng. Hình 3.3 thể hiện một cấu trúc lọc như vậy.

54
 Hình 3. 3 a) Sơ đồ; b) Dạng đáp ứng tần

0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
S21 & S11
S11 S21

Tần số (GHz)

(b

Có thể thấy với câu trúc trên, đáp ứng tần ở dải thông có độ dốc khá cao, suy
hao ở dải chắn dưới 20 dB, hai điểm cực truyền đạt có thể thấy rõ ràng trong
khoảng tần số bên trong dải thông. Tuy nhiên băng thông của bộ lọc này khá hẹp, tỷ
lệ chỉ bằng 12% tần số trung tâm.

Nếu bằng một cách nào đó, ta có thể kéo được nhiều tần số cộng hưởng của
các mode sóng khác nhau về gần nhau, khi đó ta có thể tạo ra một mạch lọc thông
dải có băng thông hẹp và sườn dải thông dốc . Điều này có thể đạt được bằng cách
thêm vào cấu trúc vòng cộng hưởng một vài nhánh đường truyền .Phương pháp
này sẽ được áp dụng trong khi thiết kế bộ lọc

3.3. Mạch lọc thông dải băng tần 3G

Với những phân tích ở trên, trong phần này, một mạch lọc thông dải băng
thông rộng sử dụng vòng cộng hưởng vi dải sẽ được thiết kế để hoạt động trong dải
tần 3G, từ 1920 MHz đến 2170MHz. Dải thông có độ gợn tối đa suy hao ở dải chắn
đạt mức cao nhất là -29 dB để có được đặc tính chọn lọc tần số tốt nhất.

55
 Cf
Trong sơ đồ Hình 3.2, các tụ điện tại điểm kích thích cho vòng cộng

hưởng sẽ được thay thế bằng cấu trúc dải xen kẽ trên đường tiếp điện. Cấu trúc này
góp phần làm tăng suy hao trong dải chắn phía trước dải thông (các tần số dưới
1920MHz). Chu vi vòng cộng hưởng sẽ bằng chiều dài toàn bước sóng tại
f g=1920 MHz
. Các nhánh đường truyền được thay thế bằng các cấu trúc rẽ

nhánh, làm giảm kích thước của toàn bộ cấu trúc lọc. Các đường tiếp điện được kéo
dài sang hai bên của cấu trúc xen kẽ, làm tăng chiều dài ghép tương hỗ giữa đường
tiếp điện và vòng cộng hưởng, nhờ đó suy hao trong dải chắn dưới 2170 MHz được
tăng lên mức tối đa.

Hình 3. 4 Mạch lọc cộng hưởng dạng vòng

Cấu trúc vòng cộng hưởng ở hình vẽ trên bao gồm hai đường truyền không khép
kín và có khoảng cách ở giữa. Với độ rộng mỗi đường là w1, khe hở của mỗi đường
là g và độ rộng của đường tiếp điện là w. Khi tiếp điện cho vòng cộng hưởng thì

56
dòng điện chạy qua hai vòng hoạt động như cuộn cảm và khoảng cách giữa hai
đường là g1 sẽ làm cho dòng điện trong các vòng ảnh hưởng nhau như một điện

dung. V ới cấu trúc trên với mỗi đường gấp khúc sẽ có mạch điện dạng:

Hình 3. 5 Cấu trúc đường vi dải gấp khúc tương ứng với thành phần mạch điện

57
 Hình 3. 6 Mô hình mạch lọc cộng hưởng dạng vòng
Mạch lọc được thiết kế ở trên hình 3.6 dựa trên mô hình cộng hưởng dạng
vòng bằng cách ghép các nhánh đối xứng nhau trên một mặt của cùng một đế điện
môi mà vẫn đạt được đáp ứng tần số yêu cầu.

Sau khi mô phỏng bằng phần mềm HFSS 12 thì có một số kết quả thu
được thể hiện ở các hình dưới đây. Hệ số truyền đạt thay đổi khi ta thay đổi từng
thông số kích thước chiều dài của mỗi vòng cộng hưởng, độ rộng đường truyền và
khoảng cách giữa là g. Với thông số d khi được tăng lên thì sẽ đạt ở hai băng tần số
nhưng khoảng đạt của các băng tần đó là nhỏ. Chính vì vậy khi thiết kế mạch lọc

58
trong dải tần 3G mong muốn thì cần bộ lọc đó đạt trong 1 băng tần và khoảng rộng
băng tần phải hẹp.

Khi có dòng điện chạy qua vòng cộng hưởng hoạt động như một điện cảm
L và khoảng cách giữa hai vòng tạo nên một tụ điện C. Thay đổi khoảng cách giữa
2 vòng cộng hưởng dẫn đến giá trị của tụ điện C thay đổi và tần số cộng hưởng
cộng hưởng ở một dải tần khác. Lúc đó hệ số truyền đạt được thể hiện như hình 3.8
và 3.7 dưới đây.

Hình 3. 7 Hệ số truyền đạt của mạch lọc khi thay đổi thông số d

59
 Hình 3. 8 Hệ số truyền đạt khi thay đổi khoảng cách giữa 2 vòng cộng hưởng

Từ hình 3.8 cho thấy khi thay đổi khoảng cách giữa hai vòng cộng hưởng không
đạt được tần số cộng hưởng mong muốn nên ta thay đổi bề dày của vòng cộng
hưởng w1. Khi thông số w1 được tăng lên thì tương ứng với kích thước vòng tăng

khi đó tần số cộng hưởng sẽ f 0=1/2 π √ LC sẽ giảm, còn khi w1 giảm thì tần số

f0
cộng hưởng sẽ tăng.. Điều này được thể hiện rõ trong hình 3.9

60
 Hình 3. 9 Hệ số truyền đạt khi thay đổi độ rộng (w1) của vòng cộng hưởng .

Hình 3. 10 Hệ số hao ngược S11 khi thay đổi độ rộng đường tiếp điện

Với mỗi thông số của mạch lọc đều có thể làm thay đổi tần số cộng hưởng
nhưng có những thông số mang tác động nhỏ hoặc tác động lớn lên tần số cộng
hưởng. Bề dày của đế tiếp điện của bộ lọc mang tính chất như thế thể hiện trong
hình 3.10 và 3.11

61
 Hình 3. 11 Hệ số truyền đạt khi thay đổi bề dài của đế tiếp điện (w)

Từ kết quả thay đổi các thông số kết hợp lại ta có hình 3.12 mô tả kích
thước cuối cùng của mạch lọc thông dải với các thông số g1 =0.3mm ,l1=
12.5mm ,l2=10.7mm ,l3=4.8mm ,d=0.7mm ,w1=0.4mm w=1.9mm , w2= 5mm mô
hình được xây dựng trên đế điện môi FR4, có hằng số điện môi tương đối
ϵ r =4.4
, bề dày h = 1.6 mm. Kết quả mô phỏng mạch lọc bằng phần mềm HFSS

được trình bày ở Hình 3.13, bao gồm đáp ứng tần. Từ Hình 3.13 có thể thấy, dải
thông của mạch lọc là từ 1920MHz đến 2170 MHz, hệ số truyền đạt xấp xỉ bằng 1
Một đặc tính quan trọng khác cưa bộ lọc là hệ số tổn hao lớn hơn -29dB. Kích
thước tổng cộng của toàn cấu trúc chỉ là 24,7 mm × 32.5 mm.

62
Hình 3. 12 Mạch lọc thông dải băng tần 3G (từ 1920 – 2170 MHz). Các kích thước có đơn
vị mm

63
 S 11 S 12
Hình 3. 13 Kết quả mô phỏng hệ số tổn hao ngược ( ) và hệ số truyền đạt ( )

Tổng kết chương

Trong chương này, tôi vừa trình bày phương pháp thiết kế và kết quả mô
phỏng mạch lọc thông dải băng thông hẹp. Cấu trúc lọc được chế tạo trên đế điện
môi FR4 dày 1.6 mm. Bằng cách thêm vào vòng cộng hưởng các nhánh đường
truyền có chiều dài thích hợp, ta có thể đạt được điều kiện cộng hưởng nhiều mode
sóng, tức là tạo ra các điểm cực truyền đạt tại những tần số lân cận nhau. Từ đó
tạo nên một mạch lọc có băng thông rộng và sườn dải thông dốc. So với cấu trúc
lọc truyền thống, cấu trúc này có chiều dài chỉ bằng một nửa, và có khả năng chọn
lọc tần số tối ưu hơn hẳn.

64
Chương 4

Kết luận chung và hướng phát triển

4.1. Kết luận chung

Đồ án đã trình bày những lý thuyết căn bản được áp dụng vào quá trình phân
tích thiết kế các mạch lọc thông thường. Bên cạnh đó, những vấn đề có liên quan
đến cấu trúc vòng cộng hưởng vi dải hai mode sóng cũng được đề cập một cách
khái quát. Với sự hỗ trợ của phần mềm mô phỏng, phân bố trường và đặc tính cộng
hưởng của cấu trúc này đã được thể hiện một cách trực quan, khẳng định tính đúng
đắn của lý thuyết phân tích.

Một mạch lọc thông dải băng hẹp, có dải tần từ 1.92 GHz đến 2.17GHz đã
được xây dựng, nhằm minh họa cho phương pháp thiết kế sử dụng cấu trúc cộng

65
hưởng vòng. Với việc tạo ra nhiều mode cộng hưởng có tần số gần nhau, ta có thể
đạt được một dải thông rộng với đáp ứng tần có sườn dốc, làm tăng khả năng chọn
lọc tần số. Quan trọng hơn, mạch lọc thiết kế ra có kích thước nhỏ gọn, do đó có
khả năng tích hợp trong nhiều hệ thống.

4.2. Hướng phát triển trong tương lai

Kết quả tính toán trong đồ án này mới chỉ dừng lại ở mức độ mô phỏng. Cấu
trúc này chỉ có thể được kiểm chứng một cách xác thực nhất thông qua việc đo đạc
trên thiết bị thật. Vì vậy trước khi được áp dụng trong thực tế, công việc đầu tiên
cần làm là chế tạo một bộ lọc với các thông số như trong phương án thiết kế đưa ra,
tiến hành đo đạc để thu được đặc tính chính xác của nó.

Bên cạnh đó, trong điều kiện thông tin mọi lúc mọi nơi như hiện nay, việc
tạo ra các bộ lọc có khả năng tùy biến cao đang là đề tài thu hút được sự chú ý của
các nhà nghiên cứu. Khái niệm Bộ lọc thích nghi (Adaptive Filter) ra đời từ yêu cầu
đó. Đã có một số nghiên cứu nhằm thiết kế ra các bộ lọc có khả năng thay đổi đặc
tính lọc bằng kích thích điện (reconfigurable filter) sử dụng cấu trúc vòng cộng
hưởng đa mode sóng và các linh kiện tích cực như Varactor hay FET. Vì thế, đồ án
này hoàn toàn có khả năng phát triển theo hướng tạo ra các bộ lọc thích nghi có
băng thông tùy biến và kích thước nhỏ, có thể ứng dụng được trong nhiều hệ thống
truyền thông hiện đại.

66
Tài liệu tham khảo

[1] Jia-Sheng Hong, M. J. Lancaster, Microstrip Filters for RF/Microwave

Applications, John Wiley & Sons, 2001.

[2] David M. Pozar, Microwave Engineering, Second Edition, John Wiley & Sons,
1998.

[3] Kai Chang, Lung-Hwa Hsieh, Microwave Ring Circuit and Related Structures,
Second Edition, Wiley-Interscience, John Wiley & Sons, Inc., Publication, 2004

[4] Lung-Hwa Hsieh and Kai Chang, “Compact, Low Insertion-Loss, Sharp-
Rejection, and Wide-Band Microstrip Bandpass Filters”, IEEE Transactions On
Microwave Theory and Techniques, Vol. 51, No. 4, pp. 1241-1246, April 2003.

[5] Sheng Sun and Lei Zhu, “Wideband Microstrip Ring Resonator Bandpass Filters
Under Multiple Resonances”, IEEE Transactions On Microwave Theory and
Techniques, Vol. 55, No. 10, pp. 2176-2182, October 2007.

67
[6] Sheng Sun and Lei Zhu, "Wideband microstrip ring resonator bandpass filter
with asymmetrically-loaded stubs," in Asia-Pacific Microwave Conf. (APMC'08),
December 16-20, 2008.

[7] M. Makimoto, S. Yamashita, Microwave Resonators and Filters for Wireless

Communication: Theory, Design and Application, Springer-Verlag Berlin
Heidelberg, 2001.

[8] Phạm Minh Việt, Kỹ thuật siêu cao tần, Nhà xuất bản Khoa học và Kỹ thuật,
2002.

[9] Reinhold Ludwig, Pavel Bretchko, RF Circuit Design – Theory and

Applications, Prentice Hall, 2000.

[10] Allen Taflove and Susan C. Hagness, Computational Electrodynamics: The

Finite-Difference Time-Domain Method, Artech House, 2nd ed., MA 2000.

68