Міністерство освіти і науки України Державний вищий навчальний

заклад «Донецький національний технічний університет»

Кафедра електронної техніки

Лабораторна робота № 1
з дисципліни
«Фізичні основи електроніки»
Тема: «ДОСЛІДЖЕННЯ ХАРАКТЕРИСТИК І ПАРАМЕТРІВ
ГЕРМАНІЄВОГО
P-N-ПЕРЕХОДУ В ПРЯМОМУ ТА ЗВОРОТНОМУ ВКЛЮЧЕННІ»

Виконав:
студент гр. АКТ-21 КовальовА. В.

Луцьк, 2022
 Мета роботи: дослідження характеристик і параметрів германієвого p-n
переходу на прикладі напівпровідникового діода, отримати практичні
навички роботи з діодами, провести вимірювання електричних параметрів,
побудувати вольт-амперні характеристики діода в прямому та зворотному
включенні.

Частина 1:

Рисунок 1 – Схема дослідження властивостей напівпровідникового

діода в прямому включенні

Фото зібраноїдосліджуваної схеми №1

 Фото зібраноїдосліджуваної схеми №2

Таблиця 1:
U01, B 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
U02=Uд, 0.2 0.395 0.524 0.575 0.602 0.62 0.633 0.644 0.653
B
△U=U01- 0 0.005 0.076 0.225 0.398 0.58 0.767 0.956 1.147
U02, B
Iд=△U/R1, 0 0.00005 0.00076 0.00225 0.00398 0.0058 0.00767 0.00956 0.01147
A

U01, B 2 2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6

U02=Uд, 0.66 0.667 0.672 0.677 0.682 0.686 0.69 0.694 0.697
B
△U=U01- 1.34 1.533 1.728 1.923 2.118 2.314 2.51 2.706 2.903
U02, B
Iд=△U/R1, 0.0134 0.01533 0.01728 0.01923 0.02118 0.02314 0.0251 0.02706 0.02903
A
 U01, B 3.8 4 4.2 4.4 4.6 4.8 5
U02=Uд, 0.701 0.704 0.706 0.709 0.712 0.714 0.716
B
△U=U01- 3.099 3.296 3.494 3.691 3.888 4.086 4.284
U02, B
Iд=△U/R1, 0.03099 0.03296 0.03494 0.03691 0.03888 0.04086 0.04284
A

△U = U01-U02;
△U1 = 0.2 – 0.2 = 0
△U2 = 0.4 – 0.395 = 0.005
△U3 = 0.6 – 0.524 = 0.076
△U4 = 0.8 – 0.575 = 0.225
△U5 = 1 – 0.602 = 0.398
△U6 = 1.2 – 0.62 = 0.58
△U7 = 1.4 – 0.633 = 0.767
△U8 = 1.6 – 0.644 = 0.956
△U9 = 1.8 – 0.653 = 1.147
△U10 = 2 – 0.66 = 1.34
△U11 = 2.2 – 0.667 = 1.533
△U12 = 2.4 – 0.672 = 1.728
△U13 = 2.6 – 0.677 = 1.923
△U14 = 2.8 – 0.682 = 2.118
△U15 = 3 – 0.686 = 2.314
△U16 = 3.2 – 0.69 = 2.51
△U17 = 3.4 – 0.694 = 2.706
△U18 = 3.6 – 0.697 = 2.903
△U19 = 3.8 – 0.701 = 3.099
△U20 = 4 – 0.704 = 3.296
△U21 = 4.2 – 0.706 = 3.494
△U22 = 4.4 – 0.709 = 3.691
△U23 = 4.6 – 0.712 = 3.888
△U24 = 4.8 – 0.714 = 4.086
△U25 = 5 – 0.716 = 4.284

Iд =△U/R1;
Iд1 = 0 / 100 = 0
Iд2 = 0.005 / 100 = 0.00005
Iд3 = 0.076 / 100 = 0.00076
Iд4 = 0.225 / 100 = 0.00225
Iд5 = 0.398 / 100 = 0.00398
Iд6 = 0.58 / 100 = 0.0058
Iд7 = 0.767 / 100 = 0.00767
Iд8 = 0.956 / 100 = 0.00956
Iд9 = 1.147 / 100 = 0.01147
Iд10 = 1.34 / 100 = 0.0134

Iд11 = 1.533 / 100 = 0.01533

Iд12 = 1.728 / 100 = 0.0728

Iд13 = 1.923 / 100 = 0.01923

Iд14 = 2.118 / 100 = 0.02118

Iд15 = 2.314 / 100 = 0.02314

Iд16 = 2.51 / 100 = 0.0251

Iд17 = 2.706 / 100 = 0.02706

Iд18 = 2.903 / 100 = 0.02903

Iд19 = 3.099 / 100 = 0.03099

Iд20 = 3.296 / 100 = 0.03206

Iд21 = 3.494 / 100 = 0.03494

Iд22 = 3.691 / 100 = 0.03691

Iд23 = 3.888 / 100 = 0.03888

Iд24 = 4.086 / 100 = 0.04086

Iд25 = 4.284 / 100 = 0.04284

4.5

3.5

2.5
△U
2
Iд
1.5

0.5

0
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25

Графік залежності △U від Iд №1

Частина 2:

Рисунок 2 – Схема дослідження властивостей напівпровідникового

діода в прямому включенні

 Фото зібраноїдосліджуваної схеми №3

Фото зібраноїдосліджуваної схеми №4

Таблиця 2:

U01, B 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8

U02=Uд, 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8

B

△U=U01- 0 0 0 0 0 0 0 0 0
 U02, B

Iд=△U/R1, 0 0 0 0 0 0 0 0 0
A

U01, B 2 2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6

U02=Uд, 2 2.2 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6

B

△U=U01- 0 0 0 0 0 0 0 0 0
U02, B

Iд=△U/R1, 0 0 0 0 0 0 0 0 0
A

U01, B 3.8 4 4.2 4.4 4.6 4.8 5

U02=Uд, 3.8 4 4.2 4.4 4.6 4.8 5

B

△U=U01- 0 0 0 0 0 0 0
U02, B

Iд=△U/R1, 0 0 0 0 0 0 0
A
 Графік залежності △U від Iд №2

Не бачу сенсу росписувати розрахунок цих нулів, але можливо це в мене

явісь неполадки з програмним забезпечення мультисім тому що коли
перевернув стрілку D1 оба вольтветра почали показувати однакові значення.
Приклад:

Працює с значеннями які більше ніж 50:

Висновки: дослідив характеристи і параметри германієвого p-n

переходу на прикладі напівпровідникового діода, отримав практичні

навички роботи з діодами, провів вимірювання електричних параметрів,

побудував вольт-амперні характеристики діода в прямому та зворотному

включенні.