Chương 3 - Transistor

Điện tử cho Công nghệ thông tin
IT3420
Điện tử cho CNTT
• Chương 1: RLC và ứng dụng

• Chương 2: Diode và ứng dụng
• Chương 3: Transistor và ứng dụng
• Chương 4: Khuếch đại thuật toán
• Chương 5: Cơ sở lý thuyết mạch số
• Chương 6: Các cổng logic cơ bản
• Chương 7: Mạch tổ hợp
• Chương 8: Mạch dãy
Tài liệu tham khảo:
Microelectronics circuit analysis and design, 4th edition, Donal A.Neamen (Chapter 5, 6)
2
Chương 3 Transistor và ứng dụng
3.1 Cấu tạo và phân loại

3.2 Chế độ hoạt động
3.3 Phân tích một chiều
3.4 Phân tích xoay chiều
3.5 Ứng dụng của transistor
4
3.1 Cấu tạo và phân loại transistor BJT
• Transistor là một loại linh kiện bán dẫn chủ động, đóng vai trò vô cùng
quan trọng trong kỹ thuật điện tử, là một trong các đơn vị cơ bản cấu
thành các mạch điện của máy tính và các thiết bị điện tử khác.
• Ngoài ra, do khả năng đáp ứng nhanh và chính xác, transistor được sử
dụng trong nhiều ứng dụng tương tự và số như mạch khuếch đại, đóng
cắt, điều chỉnh điện áp, điều khiển tín hiệu, và tạo dao động.
• Transistor có thể được tích hợp trên một diện tích rất nhỏ để tạo thành
các mạch tích hợp (IC), giúp thu nhỏ kích thước máy tính, thiết bị.
• Tuỳ thuộc theo công nghệ chế tạo, transistor có nhiều loại khác nhau,
phổ biến nhất bao gồm:
• Transistor lưỡng cực (BJT)
• Transistor hiệu ứng trường (JFET, MOSFET)
5
• Transistor lưỡng cực BJT (Bipolar junction transistor) có hai tiếp xúc p-
n được tạo nên bởi 3 miền bán dẫn loại p và n xếp xen kẽ nhau.
• Transistor BJT có 3 cực như sau:
• B (base - cực nền)
• C (collector - cực thu)
• E (emitter - cực phát)
• Transistor BJT là một thiết bị có 3 cực, hoạt động với nguyên lý sử
dụng điện áp giữa 2 cực để điều khiển dòng qua cực còn lại.
• Theo sự phân bố của các miền bán dẫn, transitor BJT được chia thành
2 loại:
• Transistor npn
• Transistor pnp
6
• Transistor npn
E C
Cực phát Cực thu
B
Cực nền
• Transistor pnp
E C
Cực phát Cực thu
B
Cực nền
7

8
• Các chế độ hoạt động của transistor BJT

• Chế độ hoạt động tích cực thuận
• Các dòng điện trong transistor được điều khiển bởi yếu tố nào
• Mối quan hệ giữa các dòng điện của transistor ở chế độ tích cực thuận
• Ký hiệu và quy ước
9
Các chế độ hoạt động của transistor BJT
• Transistor BJT được cấu thành từ 2 lớp tiếp giáp pn, mỗi lớp có thể
hoạt động ở vùng tích cực thuận/ngược tuỳ theo điện áp đặt trên 2
cực
E C
B
• Do đó, có 4 khả năng kết hợp phân cực → 4 vùng hoạt động
Tích cực
Bão hòa
ngược
Khóa Tích cực thuận

10
Chế độ hoạt động tích cực thuận
• Xét transistor npn: ở chế độ tích cực thuận VBE>0 và VBC<0

Khi VBE>0: Lớp tiếp giáp Lớp tiếp giáp Khi VBC<0:
B-E phân cực thuận B-E B-C B-C phân cực ngược
n p n
Dòng
phóng
electron
11
Chế độ hoạt động tích cực thuận
• B-E phân cực thuận: dòng • Lớp tiếp giáp E-B và B-C
electron từ n phóng sang p →
mật độ hạt dẫn thiểu số tăng
mạnh ở p.
• B-C phân cực ngược: mật độ
electron ở vùng tiếp giáp ≈ 0.
• Dòng electron được phóng từ E, Lỗ trống
khuếch tán qua B, bị quét qua

vùng tiếp giáp B-C, và được thu
lại ở vùng C.
• Từ đó xuất hiện 3 dòng điện:
TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG

School of Information and Communication Technology
12
Dòng IE transistor npn được điều khiển bởi?
• Do lớp tiếp giáp B-E phân cực • Xét dòng

thuận → dòng qua lớp tiếp giáp B-
E tỉ lệ với điện áp phân cực B-E.
→ Dòng cực phát IE được tính
theo công thức:
Lỗ trống
• Bởi vì:
Dòng iE được điều khiển bởi
áp đặt trên 2 cực B-E (vBE)
Với:
Tham số điện của lớp tiếp giáp
13
Dòng IC transistor npn được điều khiển bởi?
• Số lượng electron tới cực C • Xét dòng

trong 1 đơn vị thời gian tỉ lệ với
số lượng electron được phóng ra
cực B (tỉ lệ với điện áp phân cực
đặt trên B-E)
• Do đó, dòng IC tỉ lệ với điện áp
phân cực đặt trên B-E và độc lập
Lỗ trống
với điện áp phân cực đặt trên B-

C như sau:
Dòng iC được điều khiển bởi

14
Dòng IB transistor npn được điều khiển bởi?
• IB1 : Dòng lỗ trống từ B sang E tỉ • Xét dòng

lệ với điện áp phân cực B-E vì p-
n phân cực thuận
• IB2 : Dòng lỗ trống kết hợp với

electron từ cực E phát sang, tỉ lệ
với điện áp phân cực B-E Lỗ trống
• Dòng IB là tổng của IB1 và IB2 do

đó cũng tỉ lệ với điện áp phân
cực B-E: Dòng iB được điều khiển bởi
15
Mối quan hệ giữa các dòng điện ở chế độ tích cực thuận
Coi transistor là 1 nút đơn: • Transistor npn:

• Ở chế độ tích cực thuận:
• Từ đó tính được:
• Hay:
• Đặt:

16
Mối quan hệ giữa các dòng điện ở chế độ tích cực thuận
Coi transistor là 1 nút đơn: • Transistor pnp:

• IE tỉ lệ với điện áp phân cực đặt
trên B-E
• IC tỉ lệ với điện áp phân cực đặt

trên B-E, hướng ra ngoài
• IB cũng tỉ lệ với điện áp phân cực

đặt trên B-E
Điện áp đặt trên cực E (+) hơn so với điện áp đặt trên cực B
17
Ký hiệu và quy ước
• Transistor npn • Transistor pnp

18
Ký hiệu và quy ước
Transistor npn Transistor pnp
Cho cả hai loại transistor
19
Các chế độ hoạt động của transistor BJT
cực
E C
B
Tích cực
Bão hòa Chế độ khoá và bão hoà
ngược
sẽ được giải thích trong
Khóa Tích cực thuận phần tiếp theo
20

21
Mục đích
• Tìm điểm làm việc của transistor (tìm giá trị các dòng điện transistor tại
điểm làm việc)
• Phân cực 1 chiều transistor là một phần quan trọng trong thiết kế các
bộ khuếch đại lưỡng cực.
• Sử dụng mô hình tuyến tính từng đoạn lớp tiếp giáp p-n để phân tích 1
chiều cho các mạch transistor.
• Transistor trong 1 bộ khuếch đại tuyến tính phải được phân cực ở chế
độ tích cực thuận.
• Sử dụng mạch E chung và đường tải cho mạch E chung.
22
Nội dung
• Giải thích một số khái niệm

• Phân tích một chiều mạch E chung
• Các chế độ hoạt động bão hoà và khoá
• Tổng kết phương pháp phân tích một chiều mạch transistor
• Đặc tính truyền điện áp của transistor
• Phân cực cho transistor
• Nhắc lại định lý Thevenin và phương pháp tính điện trở, điện áp tương
đương Thevenin
• Thiết kế điểm làm việc cho transistor
23
Giải thích một số khái niệm
• Nguồn áp
• Nguồn dòng
• Mạch E chung
27
Giải thích một số khái niệm - Nguồn áp
• Nguồn áp: là linh kiện hai cực có • Nguồn áp lý tưởng: cung cấp
thể cung cấp một điện áp cố một điện áp không đổi cho bất
định, bao gồm: kỳ tải/dòng điện đầu ra nào mà
– Nguồn áp một chiều mạch điện yêu cầu.
– Nguồn áp xoay chiều Điện áp không đổi cho
bất kỳ dòng điện nào
Thực tế
Nguồn áp Nguồn áp
một chiều (DC) xoay chiều (AC)
28
Giải thích một số khái niệm - Nguồn dòng
• Nguồn dòng: là linh kiện hai cực • Nguồn dòng lý tưởng: cung cấp
có thể cung cấp một dòng điện một dòng điện không đổi cho
không đổi, được ký hiệu như bất kỳ tải/điện áp đầu ra nào mà
sau: mạch điện yêu cầu.
Dòng điện không đổi cho
bất kỳ điện áp nào
Thực tế
Nguồn dòng

29
Giải thích một số khái niệm - Mạch E chung
• Mạch E chung là mạch có • Mạch E chung transistor npn

chung thành phần tín hiệu xoay
chiều
• Tín hiệu vào được đưa vào từ Ra
B-E Vào
• Tín hiệu ra lấy từ C-E
• Tín hiệu vào và ra: • Mạch E chung transistor pnp
– Có chung thành phần tín hiệu
xoay chiều
– Ngược pha
– Khuếch đại về mặt biên độ. Vào
Ra

30
Phân tích một chiều mạch npn E chung
• Xét mạch E chung npn sau: • Xét vòng mạch ①:
2
• Xét vòng mạch ②:
1
• Nếu tính được:

• Giả thiết B-E phân cực thuận B-C phân cực ngược, transistor
ở chế độ tích cực thuận
31
Phân tích một chiều
• Xét mạch E chung npn: • Mạch tương đương 1 chiều
• B-E: tương đương diode phân

cực thuận, điện áp hạ trên B-E là
VBE(on)
• C-E: tương đương nguồn dòng • Công suất tiêu thụ:
có giá trị bằng
32
• Xét mạch E chung pnp sau: • Xét vòng mạch ①:
2
1
• Nếu tính được:

• Giả thiết B-E phân cực thuận
B-C phân cực ngược, transistor ở
chế độ tích cực thuận
33
• Xét mạch E chung pnp: • Mạch tương đương 1 chiều
• E-B: tương đương diode phân

cực thuận, điện áp hạ trên E-B là
VEB(on)
• C-E: tương đương nguồn dòng • Công suất tiêu thụ:
có giá trị bằng
34
Ví dụ 3.1
• Cho mạch E chung npn như sau: • Xét vòng mạch ①

– VBE (on)= 0.7V
– β = 200
• Tìm: 1
– IB, IC , IE
– VCE , công suất tiêu thụ PT
35
Ví dụ 3.1
• Cho mạch E chung npn như sau: • Xét vòng mạch ②

– VBE (on)= 0.7V
– β = 200
• Công suất tiêu thụ transistor PT

tính được như sau:
2
• Tìm: 1
– IB, IC , IE
– VCE , công suất tiêu thụ PT
36
Ví dụ 3.2
• Cho mạch E chung pnp như sau: • Xét vòng mạch ①:

– VEB (on) = 0.6V
– RB = 580kΩ
– β = 100
1
• Tìm:
– IB, IC , IE
1 +
– RC sao cho 𝑉𝐸𝐶 = 𝑉
2

37
Ví dụ 3.2
• Cho mạch E chung pnp như sau: • Xét vòng mạch ②:

– VEB (on) = 0.6V
– RB = 580kΩ
– β = 100
1
• RC tính được như sau:
• Tìm:
– IB, IC , IE
1 +
– RC sao cho 𝑉𝐸𝐶 = 𝑉
2

38
Các chế độ hoạt động khác
cực
E C
B
Tích cực ngược Bão hòa Sử dụng đặc tính V-A

để quan sát chế độ
Khóa Tích cực thuận khoá và bão hoà.
39
• Đặc tính V-A biểu diễn mối quan • Đặc tính V-A mạch E chung
hệ giữa dòng iC và điện áp VCE ứng Chế độ tích cực thuận
với các giá trị iB khác nhau.
• Với
Transistor ở chế độ tích cực thuận:
• Với
Transistor không còn ở chế độ tích
cực thuận, dòng iC nhanh chóng
giảm về 0.
vCE(V) npn hoặc vEC (V) pnp
40
• Xét transistor npn mạch E chung: • Đặc tính V-A (tuyến tính từng
đoạn lớp tiếp giáp B-E)
Dòng IB và điện áp
VBE tại điểm làm việc
Đặc tính lớp Đường tải

tiếp giáp BE
• Từ phương trình dòng điện IB: • VBB<VBE(on): B-E phân cực ngược →
IB=0
• VBB>VBE(on): B-E phân cực thuận →
VBB tăng → IB tăng → IC thay đổi?
41
• Đặc tính V-A lớp B-E 𝑽BB tăng • Đặc tính V-A mạch E chung
Dòng IB và điện áp Chế độ tích cực thuận
IB tăng
tiếp giáp BE IC tăng
Xét vòng mạch ①

2
Xét vòng mạch ②
Phương trình đường tải 1
đầu vào lớp B-E
Phương trình đường tải lớp C-E
42
Chế độ bão hoà • Đặc tính V-A mạch E chung

• 𝑽BB tăng → IB tăng → IC tăng Chế độ tích cực thuận
• IB tăng → IC không tăng Bão

Bãohoà
hoà
Đường tải
Trạng thái bão hoà Đường tải
• Vùng bão hoà: Điểm

Điểm làm
làm việc
việc Q
𝑉𝐶𝐸(𝑠𝑎𝑡) 0.1 − 0.3𝑉

43
• Chế độ khoá • Đặc tính V-A mạch E chung

Dòng IB và điện áp Chế độ tích cực thuận
Bão hoà

Đường tải
tiếp giáp BE
Đặc tính V-A tuyến tính từng đoạn lớp

tiếp giáp B-E và đường tải Điểm làm việc
𝑉𝐵𝐵 < 𝑉𝐵𝐸 𝑜𝑛 ; 𝐼𝐵 = 𝐼𝐶 = 0

Transistor khoá Khoá
𝐼𝐵 = 𝐼𝐶 = 𝐼𝐸 = 0; 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶
44
Tổng kết các chế độ hoạt động của transistor BJT
Transistor npn Transistor pnp

• Chế độ tích cực thuận • Chế độ tích cực thuận
– VCE>VBE (on) – VEC>VEB (on)
–c –c
• Chế độ bão hoà • Chế độ bão hoà
– VCE (sat)=0.1-0.3V – VEC (sat)=0.1-0.3V
–c –c
• Chế độ khoá • Chế độ khoá
–C𝑉𝐵𝐵 < 𝑉𝐵𝐸 𝑜𝑛 –C𝑉𝐵𝐵 < 𝑉𝐸B 𝑜𝑛
– c𝐼𝐵 = 𝐼𝐶 = 0 – c𝐼𝐵 = 𝐼𝐶 = 0

45
Phương pháp phân tích một chiều
• Phân tích đáp ứng 1 chiều mạch transistor BJT cần biết chế độ hoạt
động của transistor
1. Giả thiết transistor ở chế độ tích cực thuận với:
VBE = VBE on , IB > 0, IC = 𝛽IB
2. Phân tích mạch “tuyến tính” với các giả thiết này
3. Đánh giá kết quả
• Nếu các giá trị tham số giả định ban đầu đúng và VCE > VCE sat , thì giả thiết
ban đầu là đúng
• IB < 0, transistor có thể ở trạng thái khoá
• VCE < 0, transistor có thể ở trạng thái bão hoà
4. Nếu giả thiết ban đầu không đúng, thực hiện giả thiết mới, phân tích
mạch tuyến tính mới và lặp lại từ bước 3.
46
Ví dụ 3.3
• Cho mạch điện như hình sau, giả

thiết nếu transistor phân cực ở
trạng thái bão hoà, VCE=VCE (sat)
– VBE (on) = 0.7V
– β = 100
– VCE (sat) = 0.2V
• Tính:
– Dòng và áp bão hoà
– Công suất tiêu thụ trên transistor

47
Ví dụ 3.3
• Cho mạch transistor với các

thông số sau:
– VBE (on) = 0.7V
– β = 100
– VCE (sat) = 0.2V
VCE<0
Transistor ở Không thể

trạng thái bão hoà
xảy ra
48
Ví dụ 3.3 – Nhận xét
• Khi transistor ở trạng thái bão hòa:
49
Bài tập 3.1
• Cho mạch E chung pnp như sau: 3.3V

– VEB (on) = 0.7V
– VEC (sat) = 0.2V
– β = 110
• Tìm: IB, IC , IE , 𝑉𝐸𝐶 với:
• VBB=2V 150kΩ
• VBB=1V
VBB
Đáp án:
• Với VBB=2V • Với VBB=1V
• IB =4μA • IB =10.7μA
• IC =0.44mA • IC =0.62mA 5kΩ
• VEC =1.1V • VEC =0.2V
50
Bài tập 3.2
• Cho mạch điện như hình vẽ có: Đáp án:

– VBE (on) = 0.7V • Với VI=0.2V
– VCE (sat) = 0.2V – IB = IC = 0A
– β = 50 – VO =5V
• Với – P =0W
– VI =0.2V
• Với VI=3.6V
– VI =3.6V
– IB = 4.53mA
• Tìm: – IC = 10.9mA
– VO, IB , IC, P
– 𝑉𝑂 = 0.2V
• Tìm: – 𝑃 = 5.35mW
– VI để VBC = 0V
– Tính công suất P của transistor • Với VBC=0V
– VI =0.825V
– P =6.98mW
51
Bài tập 3.3
• Cho mạch điện như hình vẽ:

– VBE (on) = 0.7V
– β = 75
• Tính toán các đặc tính của mạch điện
• Vẽ phương trình đường tải VCE
Đáp án:
• Đặc tính của mạch điện
– IB = 2.665µA
– IC = 0.2mA
– IE = 0.203mA
– VCE = 1.59V
• Phương trình đường tải:
55
Ví dụ 3.4
• Thiết kế mạch B chung như hình vẽ để:

• IEQ = 0.5mA
• VECQ = 4.0V
• Giả thiết:
• β= 120
• VEB (on) = 0.7V
58
Ví dụ 3.4
• Áp dung định luật Kirchoff cho vòng B-E • Mạch điện có:
(giả thiết ở trạng thái tích cực thuận): • IEQ = 0.5mA
• VECQ = 4.0V
• β= 120
• Từ đó tính được: • VEB (on) = 0.7V
• Mặt khác:
• Áp dụng định luật Kirchoff cho vòng C-E:

59
Ví dụ 3.4
• Thiết kế mạch B chung như hình • Đáp án:

vẽ để:
– IEQ = 0.5mA
– VECQ = 4.0V

60
Bài tập 3.4
• Cho mạch như hình vẽ, biết:

• VBE (on) = 0.7V
•
• Tìm:
• Đáp án:
IB = 2.5μA
IC = 0.2575mA
IE = 0.26mA
β = 103
α = 0.9903846154
61
Bài tập 3.5
• Cho mạch như hình vẽ, biết:

• VEB (on) = 0.7V
• β= 85
• Tìm:
• Đáp án:
• IB = 6.25μA
• IC = 0.531mA
• IE = 0.5375mA
• VEC = 3.575V
63
Bài tập 3.6
• Thiết kế mạch B chung như hình

vẽ để:
– IEQ = 0.125mA
– VECQ = 2.2V
– β= 110
– VEB (on) = 0.7V
• Đáp án:
– RE =18.4kΩ
3V 3V
– RC =12.1kΩ

64
Bài tập 3.7
• Thiết kế mạch điện transistor • Mạch transistor pnp

pnp như hình, sao cho:
• Có thể chọn:
– Điện trở
– Transistor có:
• Đáp án:
– RB =185kΩ

65
Đặc tính truyền điện áp
• Đặc tính truyền điện áp biểu • Đặc tính truyền điện áp transistor npn
diễn mối quan hệ giữa điện áp Khoá
đầu ra ứng với điện áp đầu vào.
• Đặc tính truyền điện áp của
transistor giúp quan sát được
trạng thái hoạt động của
transistor khi biết điện áp vào. Tích cực
thuận
transistor bao gồm:
– Trạng thái tích cực thuận Bão hoà
– Bão hoà
VCE(sat)
– Khoá
VBE(on)
67
• Đặc tính truyền điện áp biểu • Đặc tính truyền điện áp transistor pnp
diễn mối quan hệ giữa điện áp
đầu ra ứng với điện áp đầu vào. Bão hoà
transistor giúp quan sát được
trạng thái hoạt động của
transistor khi biết điện áp vào. Tích cực
thuận
transistor bao gồm:
– Trạng thái tích cực thuận
Khoá
– Bão hoà
– Khoá
68
Ví dụ 3.5 Vẽ đặc tính truyền điện áp transistor npn
• Vẽ đặc tính truyền điện áp cho • Xét mạch transistor npn:

mạch như hình vẽ:
– VBE (on) = 0.7V
– VCE (sat) = 0.2V
– β = 120
• Cần xét đối với trường hợp điện áp

đầu vào sao cho:
– Transistor khoá
– Transistor tích cực thuận
– Transistor bão hoà

69
• Xét vòng mạch ①: • Xét mạch transistor npn:
• Nếu: Transistor khoá
• Nếu:
Transistor ở trạng thái
tích cực thuận hoặc bão hoà 2
• Xét vòng mạch ② 1
• Điện áp đầu ra:

70
• Ở trạng thái khoá: • Đặc tính truyền điện áp transistor npn

VO = 5V Khoá
• Ở trạng thái bão hoà:
VO = VCE(sat) = 0.2V
• Như vậy, khi transistor tích cực
Tích cực
thuận, điện áp đầu ra nằm trong dải:
thuận
• Với:
Bão hoà
• Lần lượt thay vào:
VCE(sat)
VBE(on)
71
• Đặc tính truyền điện áp • Transistor npn
Khoá Khoá
Tích cực thuận
Bão hoà
Tích cực thuận
Bão hoà

72
Ví dụ 3.6 Vẽ đặc tính truyền điện áp transistor pnp
• Vẽ đặc tính truyền điện áp cho • Xét mạch transistor pnp:

mạch như hình vẽ:
– VEB (on) = 0.7V
– VEC (sat) = 0.2V
– β = 80
• Cần xét đối với trường hợp điện áp

đầu vào sao cho:
– Transistor khoá
– Transistor tích cực thuận
– Transistor bão hoà

73
• Xét vòng mạch ①: • Xét mạch transistor pnp:
• Nếu: Transistor khoá 1
2
• Nếu:
Transistor ở trạng thái
tích cực thuận hoặc bão hoà
• Điện áp đầu ra:

74
• Ở trạng thái khoá: • Đặc tính truyền điện áp transistor npn

VO = 0V
Bão hoà
• Ở trạng thái bão hoà:
VO = 5-VEC(sat) = 5-0.2V = 4.8V
• Như vậy, khi transistor tích cực thuận,
điện áp đầu ra nằm trong dải: Tích cực
thuận
• Với:
• Lần lượt thay vào: Khoá

75
• Đặc tính truyền điện áp • Transistor pnp

Bão hoà
Bão hoà
Tích cực thuận
Khoá
Tích cực thuận
Khoá

76
Vai trò của đặc tính truyền điện áp: Phân cực transistor
• Xét phân cực transistor ở điểm • Đặc tính truyền điện áp:
bắt đầu vùng bão hòa, có điểm
làm việc tại Q.
– Nửa dương của tín hiệu vào:
transistor ở vùng bão hòa, điện áp
đầu ra không đổi.
– Nửa âm của tín hiệu vào: transistor
ở vùng tích cực, đáp ứng điện áp Điểm làm việc Q
đầu ra xuất hiện.
Thời gian

Thời gian
77
• Xét phân cực transistor ở điểm • Đặc tính truyền điện áp:
bắt đầu vùng khoá, có điểm làm Điểm làm
việc tại Q. việc Q
transistor ở vùng tích cực, đáp ứng
điện áp đầu ra xuất hiện.
– Nửa âm của tín hiệu vào: transistor Thời gian
ở vùng khoá, điện áp đầu ra không
đổi.
Thời gian

Thời gian
78
• Xét phân cực transistor ở giữa • Đặc tính truyền điện áp:
vùng tích cực, có điểm làm việc
tại Q:
transistor ở vùng tích cực, đáp ứng
điện áp đầu ra xuất hiện. Điểm làm
– Nửa âm của tín hiệu vào: transistor việc Q
ở vùng tích cực, đáp ứng điện áp
đầu ra xuất hiện.
Thời gian
Nếu phân cực không đúng, tín hiệu đầu
ra sẽ bị sai khác so với tín hiệu đầu vào
Phân cực bằng 1 điện trở Phân cực bằng 2 điện trở
Thời gian
79
Phân cực transistor bằng một điện trở cực B
• Xét mạch transistor npn phân • Mạch tương đương:

cực như sau:
• Tụ CC ngăn dòng tín hiệu vào 1

chiều và dẫn tín hiệu xoay chiều
• Dòng IB tại điểm làm việc được
→ Đối với tín hiệu vào 1 chiều, quyết định bởi điện trở RB
có thể coi tụ CC là hở mạch
80
Ví dụ 3.7 Tính điểm làm việc Q đối với mạch phân cực bằng 1 transistor
• Thiết kế mạch như hình vẽ để: • Mạch transistor npn phân cực
bằng 1 transistor RB:
• Giả thiết:

81
• Với: • Mạch transistor npn phân

cực bằng 1 transistor RB:
• Tính được:
• Nhận xét: RC = 6kΩ Xác lập điểm

RB = 1.13MΩ làm việc Q
82
• Xét đặc tính VA lớp tiếp giáp CE • Mạch transistor npn phân cực
• Với: RC = 6kΩ Thoả mãn điểm

RB = 1.13MΩ
làm việc Q
83
• Thiết kế mạch như hình vẽ để: • Mạch transistor npn phân cực
• Giả thiết:
Note: Trên thực tế, hệ số khuếch đại β

không phải là 1 giá trị cố định mà biến đổi
trong 1 dải, ví dụ:
Điểm làm việc Q thay đổi như thế nào?
84
• Xét đặc tính VA lớp tiếp giáp CE: • Xét mạch transistor npn phân
Điểm làm việc thay cực bằng 1 transistor RB:
đổi lớn khi β thay đổi
(Không đổi)
• Giữ nguyên RB → nếu β thay đổi

→ điểm làm việc Q?
85
Phân cực transistor bằng hai điện trở
• Xét mạch transistor phân cực • Mạch tương đương đối

bằng R1, R2 như sau: với tín hiệu vào 1 chiều
Tụ CC ngăn dòng tín hiệu

vào 1 chiều và dẫn tín
hiệu xoay chiều
→ Đối với tín hiệu vào 1

chiều, có thể coi tụ CC là
hở mạch

86
• Mạch tương đương đối với tín • Mạch tương đương Thevenin
hiệu vào 1 chiều
Để giải mạch tương

đương, cần chuyển sang
mạch tương đương
Thevenin.

87
Định lý Thevenin
• Là một phương pháp phân tích được sử dụng để biến một mạch phức
tạp thành mạch tương đương đơn giản chứa một điện trở đơn mắc nối
tiếp với một nguồn áp.
• Phát biểu định lý: Bất kỳ một mạch tuyến tính nào có chứa vài điện trở
và nguồn áp có thể được thay thế bằng mạch chỉ có duy nhất 1 điện
trở và 1 nguồn áp mắc nối tiếp với nhau qua tải.
• Các bước phân tích mạch:
• Tính điện áp tương đương Thevenin VTH
• Tính điện trở tương đương Thevenin RTH
• Vẽ lại mạch tương đương với VTH và RTH mắc nối tiếp với điện trở tải
88
Tính điện áp tương đương Thevenin
• Xét mạch điện sau: • Điện áp tương đương

Thevenin:
Điện áp Thevenin
Khép
kín vòng
Hở tương đương là
mạch
mạch điện áp hạ trên • Vẽ lại mạch tương đương:
hai đầu A và B.
• Mở điện trở tải VTH = VAB = VR3

• Tính toán, đo lường
điện áp mạch hở.

89
Tính điện trở tương đương Thevenin
• Xét mạch điện với nguồn • Điện trở tương đương

điện áp ngắn mạch: Thevenin:
Điện trở Thevenin
tương đương là điện
Ngắn trở nhìn vào từ hai
mạch đầu A và B sau khi • Mạch tương đương
nguồn áp
ngắn mạch các nguồn Thevenin:
áp và hở mạch các
nguồn dòng.
• Mở dòng điện nguồn và
ngắn mạch nguồn áp.
RTH=R2 nối tiếp R1//R3
• Tính toán, đo lường điện
trở mạch hở.
90
• Xét mạch transistor phân cực • Mạch tương đương đối

bằng R1, R2 như sau: với tín hiệu vào 1 chiều
Tụ CC ngăn dòng tín hiệu

vào 1 chiều và dẫn tín
hiệu xoay chiều
→ Đối với tín hiệu vào 1

chiều, có thể coi tụ CC là
hở mạch

91
• Cách phân tích mạch tương đương

92
• Cách phân tích mạch tương đương: cắt tải tại A-B
𝑉𝐶𝐶
𝑉𝑇ℎ𝑒𝑣𝑒𝑛𝑖𝑛 = 𝑉𝐴𝐵 = 𝑅2
𝑅1 + 𝑅2
𝑅1 𝑅2
𝑅𝑇ℎ𝑒𝑣𝑒𝑛𝑖𝑛 = 𝑅1 𝑅2 =
𝑅1 + 𝑅2
93
• Mạch transistor phân cực bằng • Mạch Thevenin tương đương:

R1, R2

94
• Mạch tương đương Thevenin • Giá trị tại điểm làm việc 1 chiều:

95
Ví dụ 3.7 Phân tích một chiều mạch transistor phân cực bằng 2 điện trở
• Cho mạch điện có:
• Tìm
• Điểm làm việc Q khi 𝛽=100?
• Điểm làm việc Q khi 𝛽 thay đổi

96
• Mạch Thevenin tương đương: • Tính điện trở và điện áp mạch

Thevenin tương đương:

97
• Tính dòng transistor:
98
Điểm làm
việc Q
Điểm làm việc Q ổn định hơn
99
Nhận xét
• Điện trở R1 và R2 có thể phân cực transistor trong vùng tích cực bằng
cách sử dụng các giá trị điện trở thấp cỡ kΩ.
• Ngược lại, phân cực bằng 1 điện trở đơn cần giá trị điện trở lớn cỡ MΩ
• Phân cực bằng điện trở R1 và R2, khi 𝛽 thay đổi, sự thay đổi của ICQ và
VCE đã giảm.
• Bổ sung điện trở RE cũng có khuynh hướng ổn định điểm làm việc Q
hơn.
100
Nhận xét
• Để thiết kế điểm làm việc Q ổn • Nếu:

định:
• Bởi vì:
• Có thể chọn RTH sao cho:

101
Ví dụ 3.8 Thiết kế mạch phân cực ổn định
• Thiết kế mạch phân cực điện áp • Cho:

như mạch như hình sau:
• Thiết kế mạch (chọn RE và điện
trở phân cực R1 và R2) sao cho
mạch phân cực ổn định.
• Chọn transistor có các giá trị:
• Giả thiết transistor có hệ số

khuếch đại nằm trong dải:

102
• Nhận xét:
• Nếu điện áp hạ trên RE lớn thì sẽ phải tăng nguồn VCC để giữ VCE theo yêu cầu.
• Do đó, có thể chọn điện áp hạ trên RE cỡ VBE(on).
• Với hệ số khuếch đại lớn:
• Chọn một giá trị tiêu chuẩn cho RE:

• Tính được:
𝑉𝑅𝐸 =
103
• Sử dụng mạch tương đương • Với:

Thevenin:
• Để mạch phân cực ổn định: • Tính được:
• Hay:

104
• Mặt khác:
• Suy ra:
• Thu được:
• Có thể chọn:
105
• Với:
• Tính được:
• Dòng qua cực B:
• Với:
• Tính được:

106
• Nhận xét:
• Điểm làm việc Q được coi là ổn định với sự thay đổi của 𝛽
• Điện trở phân cực R1 và R2 có giá trị hợp lý trong dải kΩ
• IC thay đổi từ -8.2%÷+3% khi 𝛽 giảm/tăng 60 từ giá trị 120.
Điểm làm
việc Q

107
Ví dụ 3.9 Thiết kế mạch đáp ứng yêu cầu điểm làm việc
• Thiết kế mạch điện như hình bên • Mạch transistor npn

sao cho điểm làm việc có các giá
trị như sau:
– VECQ=7V
– ICQ ≅ 0.5mA
– VRE ≅ 1V

108
• Thực hiện phân tích 1 chiều với • Mạch tương đương Thevenin
mạch tương đương Thevenin:
• Giả thiết:
• Điện trở và điện áp tương đương

Thevenin tính được như sau:
• Với: Có thể chọn:

109
• Để mạch ổn định:
• Điện áp tương đương Thevenin có thể tính được:
• Phương trình điện áp vòng E-B:
110
• Transistor phân cực ở chế độ tích cực thuận, do đó:
• Thay vào phương trình điện áp vòng E-B thu được:
• Với:
• Thay vào phương trình điện áp vòng E-B được:

111
• Điện trở Thevenin tương đương đã tính được:
• Thay giá trị R1 tính được:

• Phương trình điện áp vòng E-C tính được như sau:
• Thay:
• Thu được:

112
Ví dụ 3.9 Nhận xét:
• Các giá trị đã tính được bao gồm: • Mạch được thiết kế như sau:
• Các giá trị điện trở tìm được là giá

trị chuẩn, trừ , do đó,
có thể chọn
• Vì điểm làm việc được thiết kế ổn
định nên điện trở R2 thay đổi
không ảnh hưởng nhiều đến điểm
làm việc.

113
Bài tập 3.8
• Cho mạch điện có: • Mạch điện:

– VBE (on) = 0.7V
– β = 150
– RE=2kΩ
– RC=10kΩ
• Thiết kế mạch ổn định điểm
làm việc sao cho điện áp đầu
ra tại điểm làm việc = 0V.
• Tìm giá trị ICQ và VCEQ? • Đáp án
• ICQ =0.5mA
• VCEQ =3.99V
• R1 = 167kΩ
• R2 = 36.9kΩ
114
Bài tập 3.9
• Cho mach điện như hình vẽ: • Mạch điện:

– β = 120, VBE (on) = 0.7V
• Thiết kế mạch sao cho:
– ICQ = 0.15mA
– RTH = 200kΩ
• Tìm giá trị VCEQ?
• Đáp án
– IBQ = 1.25µA
– IEQ = 0.15125mA
– VCEQ = 1.30V
115
Bài tập 3.10
a. Thiết kế mạch phân cực ổn định • Cho mạch điện như hình vẽ:
có:
b. Sử dụng kết quả phần a,

Với
Tìm sự thay đổi của ICQ
c. Làm lại phần a và b
Với

117
Bài tập 3.10 – Đáp án
a. Câu a c. Câu c
b. Câu b
118

123
• Một mạch điện tử có các tín hiệu đầu vào bao gồm các thành phần một
chiều và xoay chiều.
Nguồn cấp
một chiều
Tín hiệu Mạch Tín hiệu

Tín hiệu
đầu vào điện tử đầu ra
đầu vào
xoay chiều

124
• Phân tích mạch transistor bao gồm:

• Phân tích một chiều (DC): xác định điểm làm việc và phân cực
• Phân tích xoay chiều (AC): xác định tín hiệu xoay chiều đầu ra
• Phương pháp phân tích: coi mô hình là tuyến tính

• Áp dụng quy tắc xếp chồng
• Phân tích riêng rẽ một chiều (DC) và xoay chiều (AC)
• Xếp chồng kết quả
125
• Phân tích một chiều: xác định điểm làm việc Q

• Phân tích xoay chiều: xác định tín hiệu xoay chiều đầu ra
126
Mạch tương đương xoay chiều
Mạch E chung Mạch AC tương đương
127
Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ
Coi transistor npn như một Mạch tương đương  lai tín hiệu
mạng tín hiệu nhỏ 2 cổng nhỏ đơn giản với transistor npn
𝑉𝑇 𝐼𝐶𝑄
𝑟𝜋 = Điện trở đầu vào BE 𝑔𝑚 = Điện dẫn truyền
𝐼𝐵𝑄 𝑉𝑇
128
Mạch tương đương 𝜋 lai
Điện áp đầu ra:
Điện áp điều khiển:
Hệ số khuếch đại:
129
Ví dụ 3.9
• Tính hệ số khuếch đại điện áp tín hiệu nhỏ:
130
Ví dụ 3.9 – Phân tích 1 chiều
• Mạch tương đương 1 chiều:

𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 (𝑜𝑛) 1.2 − 0.7
𝐼𝐵𝑄 = = = 10 𝜇𝐴
𝑅𝐵 50
𝐼𝐶𝑄 = 𝛽𝐼𝐵 = 100 ∗ 0.01 = 1𝑚𝐴
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶
= 12 − 1 ∗ 6 = 6𝑉
𝐼𝐵𝑄 = 10 𝜇𝐴
𝐼𝐶𝑄 = 1𝑚𝐴
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 6𝑉
Transistor ở chế độ tích cực thuận
131
Ví dụ 3.9 – Mạch tương đương tín hiệu nhỏ
Hệ số khuếch đại:
132
Ví dụ 3.9 – Phân tích mạch tín hiệu nhỏ TĐ
• Phân tích xoay chiều mạch tương đương 𝜋 lai:
133
• Xét điện áp vào dạng hình sin:
• Dòng điện xoay chiều tại cực B tính được như sau:
• Dòng điện xoay chiều tại cực C tính được như sau:
• Điện áp xoay chiều tại cực C-E tính được như sau:
134
• Tín hiệu vào – ra mạch E chung
135
Phân tích xoay chiều
• Bước 1: Phân tích mạch chỉ với nguồn một chiều DC. Kết quả thu được
điểm làm việc một chiều Q. Transistor cần phải được phân cực trong
vùng tích cực thuận để tạo ra bộ khuếch đại tuyến tính.
• Bước 2: Thay thế các phần tử với mô hình tương đương tín hiệu nhỏ.
Sử dụng mô hình tín hiệu như hình  cho transistor.
• Bước 3: Phân tích mạch tín hiệu nhỏ tương đương với việc thiết lập các
thành phần DC bằng 0 để tính ra đáp ứng của mạch với tín hiệu đầu
vào thay đổi theo thời gian.
• Bước 4: Xếp chồng kết quả.
136
137
• Xếp chồng kết quả:
Tổng giá trị tức thời

Giá trị 1 chiều
Giá trị tức thời xoay chiều
Giá trị pha
138
Ví dụ 3.9 – Xếp chồng kết quả
• Tổng dòng điện tức thời tại cực B được tính như sau:
= 10 + 4.75𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡 𝜇𝐴
• Tổng dòng điện tức thời tại cực C được tính như sau:
= 1 + 0.475𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡 𝑚𝐴
• Tổng điện áp tức thời tại cực C-E được tính như sau:
= 6 − 2.85𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡 𝑉
139
Mạch tương đương 𝜋 lai có hiệu ứng Early
• Kéo dài đặc tuyến Volt-Ampere ở vùng tích cực thuận sẽ hội tụ tại 1
điểm. Điểm này gọi là điểm điện thế Early VA.
Điện áp Early
• VA thường có giá trị nằm trong dải:
140
Mạch tương đương 𝜋 lai có hiệu ứng Early
Mạch tín hiệu nhỏ

tương đương với hệ
số điện dẫn có hiệu
ứng Early
Mạch tín hiệu nhỏ

tương đương với hệ
số khuếch đại dòng
có hiệu ứng Early
𝑉𝑨
𝑟𝒐 = Trở kháng đầu ra transistor tín hiệu nhỏ
𝐼𝑪𝑄
141
Ví dụ 3.10
• Hệ số khuếch đại điện áp (không tính đến ro) đã tính được Av = -11.4
• Tìm hệ số khuếch đại điện áp tín hiệu
nhỏ có tính đến hiệu ứng điện trở
đầu ra ro với các thông số:
142
Ví dụ 3.10
• Mạch tín hiệu nhỏ tương đương với trở kháng đầu ra ro:
143
Ví dụ 3.10
• Trở kháng đầu ra tín hiệu nhỏ tính được như sau:
• Từ đó tính được hệ số khuếch đại điện áp tín hiệu nhỏ:
Hệ số khuếch đại điện áp giảm khi xét hiệu ứng Early

144

3.2 Chế độ làm việc
145
3.5 Mạch khuếch đại E chung cơ bản
• Mạch như hình vẽ:

• Thực hiện phân tích 1 chiều tìm điểm làm việc Q
• Thực hiện phân tích xoay chiều tìm mối quan hệ
giữa tín hiệu vào và ra bằng mạch tương đương
xoay chiều.
146
Mạch khuếch đại E chung cơ bản
Điện áp điều khiển:
Hệ số KĐ điện áp:
147
• Mắc thêm điện trở RE có tác dụng ổn định điểm làm việc.
148
• Mạch xoay chiều tương đương:
Điện trở đầu vào:
149
• Điện trở đầu vào bộ khuếch đại:
• Điện áp vào:
• Hay:
150
• Hay:
• Nếu:
• Hệ số khuếch đại:
151
Ví dụ 3.11
• Tìm:
• Hệ số khuếch đại điện áp
• Điện trở vào
152
Ví dụ 3.11 – Phân tích 1 chiều
• Tính được:
Transistor phân cực ở vùng tích cực thuận
153
Ví dụ 3.11 – Mạch tương đương xoay chiều
• Mạch xoay chiều tương đương tín hiệu nhỏ:
154
Ví dụ 3.11 – Phân tích xoay chiều
• Các tham số mạch 𝜋 lai:
• Điện trở đầu vào cực B:
• Điện trở đầu vào bộ khuếch đại:
155
Ví dụ 3.11 – Phân tích xoay chiều
• Hệ số khuếch đại điện áp:
• Sử dụng công thức xấp xỉ:
• Tính được:
156
Ví dụ 3.11 – Nhận xét
• Hệ số khuếch đại điện áp giảm nhẹ khi thêm vào điện trở RE vì (1 +
𝛽)R E dưới mẫu số.
• Có thể sử dụng công thức xấp xỉ để tính hệ số khuếch đại điện áp khi
thiết kế mạch khuếch đại E chung có điện trở RE
• Hệ số khuếch đại điện áp gần như độc lập với sự thay đổi của hệ số 𝛽.
157
Ví dụ 3.12
• Cho mạch khuếch đại pnp như hình có

VEB(on)=0.7V, β=80, và VA =∞.
• Tìm điểm làm việc và hệ số khuếch đại tín
hiệu nhỏ.
158
Ví dụ 3.12
• Phân tích 1 chiều:
• Phương trình điện áp vòng E-B viết được:
• Transistor phân cực ở chế độ tích cực thuận, do đó:
159
Ví dụ 3.12
• Từ đó:
• Tính được:
160
Ví dụ 3.12
• Phân tích xoay chiều:
161
Ví dụ 3.12
• Phân tích xoay chiều:
• Phương trình điện áp vòng B-E:
• Suy ra:
162
Ví dụ 3.12
• Hệ số khuếch đại điện áp:
• Tính được:
• Sử dụng công thức xấp xỉ:
Gần với giá trị thực tế

163
Bài tập 3.11
• Cho mạch như hình vẽ:
a. Vẽ điểm làm việc Q trên đường tải 1

chiều
b. Tìm hệ số khuếch đại điện áp tín hiệu
nhỏ
c. Tìm dải hệ số khuếch đại điện áp nếu
R1 và R2 thay đổi ±5%
164
a. Câu a
b. Câu b
c. Câu c
165
Bài tập 3.12
• Tìm R1 và R2 để mạch ổn định điểm

làm việc với điểm làm việc nằm giữa
đường tải.
• Tìm hệ số khuếch đại điện áp tín
hiệu nhỏ:
170
• R1＝20.1kΩ
• R2＝ 3.55kΩ
• Av = -5.75
171
Bài tập 3.13
• Thiết kế mạch điện như hình sau để ổn định điểm làm việc và có hệ số
khuếch đại điện áp tín hiệu nhỏ:
• Biết:
174
175
Bài tập 3.14
• Cho mạch như hình vẽ:
a. Tìm hệ số khuếch đại điện

áp Av
b. Tìm trở kháng ra Ro
Câu a
Câu b
Bài tập 3.15
• Cho mạch điện như hình vẽ có các thông số:

• RE = 0.3 kΩ 12V
• RC = 4kΩ
• R1 = 14.4kΩ
• R2 = 110kΩ
• RL = 10kΩ
• Transistor có các thông số:
• β = 100,
• VEB (on) = 0.7 V, and
• VA = ∞
a. Tìm điểm làm việc ICQ và VECQ
b. Tìm các thông số tín hiệu nhỏ: gm, rπ và ro
c. Tìm hệ số khuếch đại tín hiệu nhỏ
• Câu a:
• ICQ = 1.6 mA
• VECQ = 5.11 V
• Câu b:
• gm =61.54mA/V
• rπ =1.625kΩ
• ro =∞
• Câu c:
• Av = −8.95
179
Hết chương 3
180

Chương 3 - Transistor

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Chương 3 - Transistor

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Điện tử cho Công nghệ thông tin

• Chương 1: RLC và ứng dụng

3.1 Cấu tạo và phân loại

3.1 Cấu tạo và phân loại

• Các chế độ hoạt động của transistor BJT

Khóa Tích cực thuận

• Xét transistor npn: ở chế độ tích cực thuận VBE>0 và VBC<0

khuếch tán qua B, bị quét qua

TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG

• Do lớp tiếp giáp B-E phân cực • Xét dòng

• Số lượng electron tới cực C • Xét dòng

với điện áp phân cực đặt trên B-

TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG

• IB1 : Dòng lỗ trống từ B sang E tỉ • Xét dòng

• IB2 : Dòng lỗ trống kết hợp với

• Dòng IB là tổng của IB1 và IB2 do

Coi transistor là 1 nút đơn: • Transistor npn:

TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG

Coi transistor là 1 nút đơn: • Transistor pnp:

• IC tỉ lệ với điện áp phân cực đặt

• IB cũng tỉ lệ với điện áp phân cực

• Transistor npn • Transistor pnp

TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG

Transistor npn Transistor pnp

Cho cả hai loại transistor

3.1 Cấu tạo và phân loại

• Giải thích một số khái niệm

TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG

• Mạch E chung là mạch có • Mạch E chung transistor npn

TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG

• Xét mạch E chung npn sau: • Xét vòng mạch ①:

• Nếu tính được:

• Xét mạch E chung npn: • Mạch tương đương 1 chiều

• B-E: tương đương diode phân

• Xét mạch E chung pnp sau: • Xét vòng mạch ①:

• Nếu tính được:

• Xét mạch E chung pnp: • Mạch tương đương 1 chiều

• E-B: tương đương diode phân

• Cho mạch E chung npn như sau: • Xét vòng mạch ①

• Cho mạch E chung npn như sau: • Xét vòng mạch ②

• Công suất tiêu thụ transistor PT

• Cho mạch E chung pnp như sau: • Xét vòng mạch ①:

TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG

• Cho mạch E chung pnp như sau: • Xét vòng mạch ②:

TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG

Tích cực ngược Bão hòa Sử dụng đặc tính V-A

Đặc tính lớp Đường tải

Xét vòng mạch ①

Chế độ bão hoà • Đặc tính V-A mạch E chung

• IB tăng → IC không tăng Bão

• Vùng bão hoà: Điểm

𝑉𝐶𝐸(𝑠𝑎𝑡) 0.1 − 0.3𝑉

TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG

• Chế độ khoá • Đặc tính V-A mạch E chung

Đặc tính lớp Đường tải

Đặc tính V-A tuyến tính từng đoạn lớp

𝑉𝐵𝐵 < 𝑉𝐵𝐸 𝑜𝑛 ; 𝐼𝐵 = 𝐼𝐶 = 0

Transistor npn Transistor pnp

TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG

• Cho mạch điện như hình sau, giả

TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG

• Cho mạch transistor với các

Transistor ở Không thể

• Khi transistor ở trạng thái bão hòa: