BÀI THÍ NGHIỆM

ĐO ĐẶC TÍNH ĐIỆN CỦA VẬT LIỆU BÁN DẪN

I. MỤC ĐÍCH
1. Nghiên cứu ảnh hưởng của nhiệt độ đến tính chất điện của vật liệu bán dẫn dựa trên
đường đặc tuyến I-V
2. Xác định năng lượng hoạt hóa của chất bán dẫn theo nhiệt độ

II. MỘT SỐ KHÁI NIỆM

A. Đặc tính điện của bán dẫn

Vật chất ở thể rắn được chia ra làm ba loại: điện môi, bán dẫn và vật dẫn. Muốn định nghĩa chính
xác ba loại vật liệu này nói chung và vật liệu bán dẫn nói riêng chúng ta phải dựa trên cấu trúc
vùng năng lượng của điện tử trong các loại vật liệu đó. Tạm thời ta có thể định nghĩa vật liệu bán
dẫn dựa trên điện trở suất (là đại lượng đặc trưng cho sự cản trở dòng điện) của mỗi loại vật liệu
S
và được tính bằng ρ=R ; trong đó ρ là điện trở suất của vật liệu, R là điện trở, l là chiều dài
l
của khối vật dẫn và s là tiết diện ngang. Vật liệu có điện trở suất thấp cỡ (~ 10 -3 Ω.cm ) hoặc nhỏ
hơn là vật dẫn, điện trở suất cỡ như này (~ 10 8 Ω.cm ) hoặc cao hơn là điện môi, điện trở suất
nằm trong khoảng (10-3 – 108 Ω.cm) thì được gọi là bán dẫn.

Chúng ta cũng có một định nghĩa tương tự là độ dẫn (chính là nghịch đảo của điện trở suất), và
có thể được tính:

2
ne τ (1)
σ=
m

Trong đó n là số điện tử trên cm3, e là điện tích electron, m là khối lượng electron và  l à thời
gian mà electron di chuyển trước khi trải qua quá trình tán xạ ngẫu nhiên động lượng của nó.

Đối với chất bán dẫn, không có hạt tải mang điện tử tự do tại T = 0 K và  = 0 (p/t 1). Tất cả
các điện tử được liên kết với các nguyên tử của chúng. Tuy nhiên, chúng chỉ bị ràng buộc yếu
như được mô tả bởi năng lượng "dải vùng cấm", Eg. Ở nhiệt độ cao, có một nồng độ các electron
cân bằng được kích thích từ dải hóa trị đến "dải dẫn" nơi chúng có thể tự do chảy. "Lỗ trống"
trong dải hóa trị bị bỏ lại phía sau giúp các electron trong các nguyên tử lân cận dễ dàng chuyển
sang nguyên tử đó, cũng gây ra chuyển động điện tử; quá trình này được gọi là dẫn "lỗ". Cả hai
quá trình đều góp phần dẫn điện trong chất bán dẫn. Số lượng sóng mang "nội tại" như vậy có
sẵn để dẫn trong một chất bán dẫn, tức là, các electron và lỗ trống, được đưa ra bởi,

ni =n0 exp { }
−EG
2 kT
(2)

Trong đó n0 là số lượng electron hoặc lỗ trống có sẵn cho quá trình dẫn và Eg là năng lượng
vùng cấm. Độ dẫn điện do đó được đưa ra từ phương trình (1) bởi

σ=
n0 exp { }
−EG 2
2 kT
e τ
(3)

B. Đặc tính dòng-thế (I-V) của vật dẫn/điện trở

B.1. Một số khái niệm

Trong điện tử, mối quan hệ giữa dòng điện một chiều (DC), ký hiệu là I, thông qua một phần tử
điện tử và điện áp DC trên các cực của nó, ký hiệu là V, được gọi là đặc tính điện áp hiện tại của
phần tử. Nó còn được gọi là đường cong I-V (hoặc đường cong dòng-thế) khi chúng ta vẽ đồ thị
mối quan hệ trên hệ trục I-V.

Hình 1. Đặc tính dòng – thế I-V của điện trở

Theo định luật Ohm, đường cong I-V của điện trở tuyến tính là một đường thẳng đi qua nguồn
gốc của tọa độ, như trong Hình 1 (a). Dựa trên đồ thị này có thể tính được điện trở của chất bán
dẫn. Đường cong I-V trong Hình 1 đối xứng qua gốc tọa độ, được gọi là độ dẫn hai chiều. Hầu
như tất cả các loại bán dẫn có tính chất này. Trong thực tế, các yếu tố môi trường như nhiệt độ
hoặc đặc tính của vật liệu có thể tạo ra đường cong I-V phi tuyến tính như Hình 1(b).

B.2. Phương pháp đo dòng thế

Mạch thí nghiệm khảo sát diode/linh kiện bán dẫn miêu tả chi tiết trên hình 2. Theo đó,
thiết bị đo chuyên dụng Keitley có 2 nhiệm vụ chính: phát điện áp (V) thay đổi và đo lại giá
trị dung điện (I). Một đầu của diode hoặc linh kiện bán dẫn sẽ được nối với 2 chân Sense HI
và Force HI của Keysight 2911, đầu còn lại thì được nối với 2 chân Sense LO và Force LO

Hình 2. Sơ đồ nguyên lý quét I-V dùng Keysight 2911

của Keysight 2911. Sử dụng phần mềm quét I-V (viết bằng ngôn ngữ lập trình Labview)
cài trên máy tính (Hình 3) để đặt các thông số cho quá trình quét (Điện áp bắt đầu, điện
áp kết thúc, số điểm quét, thời gian trễ trong mỗi bước quét,..) cụ thể các thông số quan
trọng trên phần mềm:
TT Ký hiệu trên phần mềm Ý nghĩa
1 V-start Giá trị dưới của dải điện áp cần quét
2 V-stop Giá trị trên của dải điện áp cần quét
3 Delay Thời gian trễ trong mỗi bước quét
4 Number of point Số điểm quét
5 Type of sweeping Dạng quét
6 Current limit Giới hạn giá trị dòng điện
7 Time out Thời gian thoát khi không có kết nối
8 NPLC Tham số lọc nhiễu của thiết bị không chỉnh
9 Filter type Tham số lọc nhiễu của thiết bị không chỉnh
10 Number of filters Tham số lọc nhiễu của thiết bị không chỉnh
11 File name Tên file sẽ lưu kết quả đo
12 Output folder path Chỉ đường dẫn tới thư mục sẽ lưu kết quả
13 Nút “Start I-V sweep” Ấn nút này để bắt đầu quét I-V

1. Tiến hành thí nghiệm

1.1 Điều kiện thí nghiệm
- Nhiệt độ môi trường: t = …..oC
- Độ ẩm môi trường: RH =… %
1.2 Trình tự thí nghiệm
- Đặt linh kiện bán dẫn vào buồng đo, cho 2 chân của linh kiện tiếp xúc với kim đo,
như hình 3
 Hình 3: Sơ đồ minh họa buồng đo
- Bật nguồn Keysight 2911
- Kiểm tra dây nối từ buồng đo tới Keysight 2911 theo sơ đồ như hình 2
- Khởi động phần mềm đo I-V trên máy tính
- Thiết lập các thông số của quá trình quét (giá trị dưới, trên của dải điện áp cần quét,
số điểm cần quét, thời gian trễ của mỗi điểm quét, giá trị giới hạn dòng điện (giá trị
an toàn cho thiết bị).
- Nhập tên file và đường dẫn tới thư mục sẽ lưu kết quả đo.
- Ấn nút “ Start I-V sweep” trên phần mềm để bắt đầu quá trình quét.
- Đọc và ghi kết quả vào bảng

- Từ số liệu đã lưu, vẽ lại đường đặc tuyến I-V, tính toán các thông số liên quan
III. TIẾN HÀNH THÍ NGHIỆM
1. Đo đường đặc tuyến I-V của vật liệu bán dẫn SnOx với các điều kiện nhiệt độ khác
nhau
2. Đo đường đặc tuyến I-V của vật liệu bán dẫn SnO2 với các điều kiện nhiệt độ khác
nhau

Nhiệt độ 100 °C 150 °C 200 °C 250 °C

U(V) 0V
I(A)
U(V) 0.5V
I(A)
U(V) 1V
I(A)
U(V) 1.5V
I(A)
U(V) 2V
I(A)

1. Xác định năng lượng hoạt hóa của vật liệu bán dẫn SnOx theo nhiệt độ
Sự phụ thuộc nhiệt độ của độ dẫn điện SnOx được biểu thị bằng phương trình Arrhenius
−Ea
(4)
I =I 0 e
k BT ,

Trong đó I là dòng điện của SnO x được đo với điện áp đặt vào (ví dụ từ -5 đến 5 V); Ea là năng
lượng hoạt hóa nhiệt độc lập với nhiệt độ; kB là hằng số Boltzmann (8,62 × 10−5 eVK-1) và T là
nhiệt độ tuyệt đối. Dựa trên phương trình (4), đồ thị của Ln (I) so với 1/T (ví dụ minh họa trong
Hình 2) với một điện áp cụ thể, từ đó tính năng lượng hoạt hóa của vật liệu.

−Ea
Ví dụ: với I =I e k T
B
0
 ln ( I )= [ ]
−Ea 1
kB T
+ln(I 0 )
(5)

Hàm (5) có thể biểu diễn thành phương trình:

y=ax+ b (6)

Trong đó a là kết quả slope thu được từ fitting hàm Arrehenius plot giữa Ln(I) và 1/T như Hình 4
(a ~ slope của fitting)

-9
SnO 2 Nanofibers

-10 Arrhenius Fit

-11
Ln {I(A )}

-12
E a = 0.16 eV

-13

-14
0.0014 0.0016 0.0018 0.0020
1/T (K -1)

Hình 4. Mối liên hệ giữa Ln(I(A)) và 1/T

Bên cạnh việc dựa trên mối liên hệ giữa Ln(I(A)) và 1/T để tính năng lượng hoạt hóa, chúng ta
hoàn toàn có thể dựa trên mối liên hệ giữa Ln() với 1/T với  được tính dựa theo công thức (3),
để tính năng lượng hoạt hóa của vật liệu.

2. Xác định hệ số điện trở suất phụ thuộc nhiệt độ của vật liệu kim loại

Trong khi đó ảnh hưởng của nhiệt độ lên điện trở suất của kim loại được biết đến theo phương
trình:
ρ(T )=ρ o¿(T-To)¿ (7)
Sử dụng thí nghiệm tương tự với vật liệu Pt và xác định hệ số nhiệt độ của vật liệu này.