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기•술•특•집

Technical Feature
그림으로 배우는 전자회로의 기초 Ⅱ
학교에서는 소자/반도체의 성질에 대해 배우지만, 실제 현장에서 사용하는 회로는 훨씬 더 복잡하다.

심지어 동작을 이해하는 것조차 간단하지 않다. 이러한 레벨일 경우, 성능을 높이고 가격을 낮추며

납기에 맞추는 것은 어려운 일이다. 이와 관련, 전문가가 갖고 있는 부품 및 회로의 이미지를 그림으로

나타냄으로써 회로의 동작을 알기 쉽게 해설한다.

1장 그림으로 배우는 전자회로의 상식

2장 그림으로 배우는 콘덴서/코일/저항

3장 그림으로 배우는 발진 회로

4장 그림으로 배우는 다이오드/트랜지스터

5장 그림으로 배우는 전원 회로

6장 그림으로 배우는 마이컴/디지털 회로

월간 전자기술 2012 12 33
기술특집 그림으로 배우는 전자회로의 기초 (Ⅱ)
本 記事는 日本 CQ出版社가 發行하는「トランジスタ技術」誌와의 著作權 協定에 依據하여 提供받은 資料입니다.
그림으로 배우는 발진 회로
수정진동자가 발진하는 구조
1. 전압을 가하면 안정적으로 진동하는 주파수가 있다
수정진동자는 마이컴이나 디지털 회로의 클록 신호 생성
등에 사용된다. 그 속에는 무색투명한 판 형태의 수정판이 들
어 있다. 수정은 Si와 O2가 결합한 단결정이며 압전 특성을
갖고 있다.
압전 현상이란 기계적인 압력을 가하면 전하를 발생하는
성질이나, 전하를 가하면 왜곡을 일으키는 물리적인 성질을
말한다(그림 1).
수정 판면에 마주보는 전극이 달려 있고, 각각 수정진동자
의 외부 단자와 외부 전극에 연결되어 있다. 예를 들어 MHz
대에서 진동하는 수정진동자의 경우, 전압을 가하면 그림 2
와 같이 두께에 대해 직각 방향으로 진동한다.
수정은 상호 직각인 방향에서 X, Y, Z 결정축을 갖고 있다.
그 축에 대해 일정 각도에서 판형태를 잘라내면 주파수-온도
치직
부들부들
(a) 전압을 가하면 왜곡된다
그림 1. 압전 특성이란
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특성이 좋고 안정적으로 진동하는 수정편을 얻을 수 있다(그
림 3). 단, 수정진동자는 스스로 진동하지는 못한다. 아날로
그 반전 앰프와 함께 사용해야 한다.
2. 압력을 가하는 것뿐이라면 진동은 바로 멈춘다
수정 자체는 압전 특성을 갖고 있어 압력을 가하면 내부에
서 분극이 발생, 상대 면에 전하를 발생시킨다. 그러나 압력
을 계속 가하게 되면 발생한 전하는 매우 짧은 시간에 없어져
버린다.
그림 4는 실제로 수정진동자 양 단자에 5V의 직류 전압을
가해 개방했을 때의 발생 전압을 FET 프로브로 측정한 전압
파형이다. 전압을 가하면 멈춘 순간에 수정진동자 양 끝 직류
전압이 약 20㎲ 후 0V 부근으로 떨어지고, 그 후에는 교류
전압이 발생한 것처럼 보인다. 약 3ms 후에는 진동이 감쇠되
어 보이지 않게 된다(노이즈에 묻히게 된다).
진동하고 있는 것처럼 보이는 부분을 확대하면 그림 4(b)
치직
부들 부들
팟
(b) 왜곡되면 전압이 발생한다
 EE
와 같은 특성이 된다. 수정진동자 단자 사이에 발생한 교류 이어서 IN 단자에 나타난 교류 전압은 반전 앰프로 증폭되
전압의 주기는 1MHz이며 진폭은 40mVP-P 정도이다. 1MHz 어 OUT 단자에 가해진다. 이 동작이 수㎲～수ms 사이에 최

의 수정진동자가 진동하고 있다는 것을 알 수 있다.
여기서는 수정진동자에 가한 직류 전압을 OFF로 하여 측
정했지만 아무 것도 가하지 않은 상태에서 직류 전압을 더하
면 마찬가지로 교류 전압이 발생한다.
Technical Feature
대 진폭에 도달하여 계속 진동하게 된다. 계속되는 진동은 발
진이다.
최대 진폭은 반전 앰프의 전원 회로에서 공급되는 전압 범
위로 제한되므로, DC 5V에서 동작하는 발진 회로라면 0～＋

3. 반전 증폭되어 돌아오면 발진이 계속된다

수정진동자의 단자 2개에는 역상 교류 전압이 발생한다.
한쪽 단자에 발생한 교류 전압을 높은 임피던스의 반전 앰프
로 증폭해 수정진동자의 또 다른 한쪽 단자(가령 OUT 단자 반복한다 마주보는 면에서
(두께 미끄럼 진동) 역방향으로 왜곡된다
라고 한다)에 가하면, OUT 단자에 연결된 수정편의 전극에
가해진다. 그렇게 되면 반전 측 단자(IN 단자라고 한다)에는
OUT 단자에 가한 교류 전압에 비례하는 역위상 교류 전압이
발생한다. 그림 2. 수정진동자는 전압을 가할 경우 물리적으로 진동한다 (두께 미끄럼
진동의 수정편 단면)

덜덜덜덜
이얍! 부들
덜덜덜덜 부들

(a) 특정 두께로 자르면… (b) 전압을 가했을 때 특정 주파수에서 진동한다

그림 3. 잘라내는 두께를 바꾸면 안정적으로 진동하는 주파수가 변한다 (잘라내는 각도를 약간 바꾸면 주파수-온도 특성이 변한다)

수정진동자의 양단 전압이 급격하게 떨어진다

1MHz의 수정진동자
20mV/div 라는 것을 알 수 있다

확대
교류 전압이 어느 정도 발생한다
거의 진동이 수렴되었다 20mV/div

주파수는 1MHz

(a) 3ms 정도까지 교류 전압이 어느 정도 발생했다 (b) 고유의 주파수에서 진동하고 있다

그림 4. 1MHz 수정진동자에 DC5V를 가해 놓고 개방했을 때의 발생 특성

월간 전자기술 2012 12 35
기술특집 그림으로 배우는 전자회로의 기초 (Ⅱ)

5V 범위이다. 직류 전압이나 미소 노이즈 레벨 전압이다. 확실히 수정진동

자를 진동시키기 위해서는 발진 회로 전체가 일정한 조건을
4. 수정진동자와 발진 회로가 매치되지 않으면 움직이지 만족해야 한다(그림 5). < >
않는다
수정진동자는 발진 회로와 조합하면 안정적으로 진동할 수 수정발진 회로의 동작
있다. 진동의 종류는 회로에서 수정진동자 전극에 가해지는 그림 6은 수정발진 회로의 기본형을 나타낸 것이다. 디지

수정발진 회로가 동작을 시작할 때의 파형

수정발진 회로의 이상이라고 하면, 전원을 ON으로 한 직후 발

진 진폭이 안정적인 주파수로 출력 단자에 나타나는 것이다. 현
진폭이 서서히 증가
실에서는 발진 출력이 나타나는 동안 터무니없이 변화한다. 필 진동 시작
자는 다른 곳에서 전원 ON일 때의 실제 발진 파형을 본 적이 없
정상일 때는 진폭이 안정적
으므로소개해둔다.
진폭 급증 영역. 발진이
그림 A는 16MHz인 CMOS 수정발진 회로의 기동 특성을 나타 급격하게 안정된다

낸것이다. 그림A(a)가기동시의진폭변화, 그림A(b)가주파수 100mV/div

변화이다. 두개의그림은가로축의시간축을대비시킨것이다.
(a) 발진 진폭

5000 기동 시의 주파수 변화
1. 진동시작
3000 주파수는 아직
전압 레벨이 작아 측정할

발진 회로에서 수정진동자에 전압이 가해지면 발진 회로는 순 움직이고 있다 정상 시에는

주파수 편차 [×10-6]

주파수 안정
1000
간적으로 진동을 시작한다. 그러나 이 때의 진폭은 매우 작으므 0
수 없는 영역

로 노이즈에 묻힌다. 오실로스코프 등으로 진동 파형을 관측하 －1000

는것은매우어렵다. －3000
기동 시에는
주파수 변동 발진이 안정!
진폭이 서서히 증가할 경우 주파수도 측정할 수 있지만 수정진 －5000

동자의 일반적인 진동이 아니며, 발진주파수가 위아래로 약 －7000

0 500 1000 1500
－6000ppm～＋5000ppm이나크게변화한다. 주파수 편차가 ±6000ppm
정도 있다 (b) 주파수 편차

2. 이행기간 사진 A. 다양한 형태의 30cm 케이블과 그 인덕턴스

⇔ 부분에서는 수정진동자가 직렬 공진과 병렬 공진을 교대로 3. 안정발진

반복하면서 서서히 직렬 공진을 향해 이행한다. 이 때 진폭은 오
실로스코프로관측가능한레벨에서서서히증가한다.
그 후 진폭이 급격하게 증가할 때에는 수정진동자가 일반적인
진동으로 이행하므로 발진주파수도 빠르게 안정되어 간다.
1200㎲에서 1500㎲까지는 진폭이 정상 상태에 가까워지지만 발
진주파수가 약간 하강한다. 스케일 관계로 인해 주파수가 안정
된것으로보이지만, 실제로는주파수가약간하강하고있다.
수정발진 회로에서는 진폭이 완전히 안정되지 않을 경우 발진
주파수도 일정해지지 않는다. 일시적으로 진폭이 정상 대비
90%에도달할때까지의시간을시동시간이라고한다.
이 회로의 예에서는 전원을 ON으로 하고 나서 1500㎲ 후에는
안정된 진폭과 주파수로 발진하는 정상 발진이 된다. 발진 상태
가 완벽하게 안정될 때까지의 시간은 수정발진 회로의 회로 조
건에따라다르다.

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털 소자의 인버터를 반전 앰프로 동작시켜 수정진동자와 조 Rf가 접속됨에 따라 인버터의 입출력 단자는 자기 바이어
합했다. 스되어 거의 VDD/2로 되며 아날로그 반전 앰프로서 동작한

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발진 회로 전원이 ON되면 미소한 직류 전압이 수정진동자 다. 이로써 발진 초기의 미소한 진동도 증폭할 수 있게 된다.
에 가해지고 수정진동자는 진동하기 시작한다. 발진 시작 초 ① 반전 앰프는 보통 마이컴에 내장되어 있다
기에는 미약한 진폭이지만, 진동 전압이 반전 앰프의 IN 단
자에 가해지면 반전 증폭되어 역극성 진폭으로서 OUT 단자
에 나타난다. 동시에 이 진동 전압은 OUT 단자에 접속되어
수정진동자에 가해진다. 그러면 진동 전압의 진폭이 커져 발
진이 계속된다.

1. COMS 발진 회로의 동작
(1) 인버터(반전 앰프)와 귀환 저항 Rf
반전 앰프
그림 7은 CMOS 수정발진 회로의 기본형이다. 인버터는
C1
디지털 반전 소자이므로 그것만으로는 수정진동자를 발진시 C2 댐핑 저항

킬 수 없다. 이것을 아날로그 반전 앰프로 동작시키기 위해

그림 5. 수정진동자와 발진 회로가 잘 매치되지 않으면 바로 진동하지 않게
귀환 저항 Rf를 인버터의 IN과 OUT에 접속한다. 된다

마이컴은 최대 발진주파수의 1/2 정도에서 움직인다

1. 마이컴/LSI가 내장된 반전 증폭용 인버터나 귀환 저항 Rf 이 작아져 발진 회로의 신뢰성이 떨어지게 된다.

는 스스로 선택할 수 없다
예를 들면, 범용 인버터는 표 A와 같이 발진주파수에 적합한
특성이 있으므로 이 중에서 선택할 수 있다. 그러나 LSI 내장 인
버터는 IC 메이커가 인버터를 설계하므로 발진주파수에 맞춘
인버터를 스스로 선택할 수 없다.
2. 대부분은 주파수가 높은 영역에서 게인이 부족한 듯 하다
일반적으로 LSI에는 내부 분주 회로나 PLL 회로를 사용하여
몇 가지 주파수의 수정진동자를 사용할 수 있도록 설계되어 있
다. 그러나 수정진동자를 발진시키기 위한 인버터의 특성은 다
양하다. 특히 사용할 수 있는 상한 주파수에서 수정진동자를
발진시키기 위한 게인이 부족한 LSI는 상당히 많다.
수정발진 회로에서는 발진 마진(발진 회로의 부성 저항÷수
정진동자의 부하 시 공진 저항)의 기준이 되는 인버터 능력(게
3. 현실적인 답 : 상한 발진주파수가 20MHz인 마이컴이라면
1/2인 10MHz 정도에서 발진시키는 것이 더 좋다
LSI 데이터시트에‘4MHz, 8MHz, 12MHz, 16MHz, 20MHz
사용 가능’등 비교적 넓은 범위가 기재되어 있다면 16MHz나
20MHz의 게인이 작은 경우가 있으므로 주의가 필요하다.
그러한 경우 상한 주파수의 절반 이하의 주파수를 선택하면
충분히 큰 발진 마진을 쉽게 얻을 수 있다. 예를 들어 4MHz,
8MHz, 12MHz, 16MHz, 20MHz를 사용할 수 있는 LSI의 경우
8MHz에서 12MHz 사이에 클록 주파수를 선택하면 발진 마진
이나 여진 전력, 기타 여러 특성이 양호한 수정발진 회로를 쉽
게 얻을 수 있다.
표 A. 로직 반전에 이용하는 대표적인 범용 인버터

인)은 낮은 주파수대에서 커지고 높은 주파수대에서 작아진다. 범용 인버터 TC4069UBP TC74HCU04 TC74VHCU04

주파수대 [MHz] 10MHz 미만 10～20MHz 미만 20～30MHz 미만
그러한 경우 상한 주파수에서는 게인이 작아지므로 발진 마진

월간 전자기술 2012 12 37
기술특집 그림으로 배우는 전자회로의 기초 (Ⅱ)
언버퍼 타입의 범용 인버터가 수정발진 회로에 이용되고
있으며 범용 IC를 사용하여 수정발진 회로를 만드는 경우도
있다. 마이컴 클록으로서의 용도가 많은 현재는 대부분의 경
우 반전 앰프(인버터)가 내부 클록 발생 회로로 LSI에 내장되
어 있다. 이 경우 귀환 저항 Rf도 LSI에 내장되어 있다.
(2) 부하 콘덴서 C1, C2
이것은 다음과 같이 두 가지 역할을 담당한다.
① 역할 1 : 발진 회로를 안정시킨다
하나는 수정진동자 전극에 발생하는 전하를 충방전하여 발
진을 안정시키는 역할이다. 여기에 3pF 미만의 콘덴서를 사
용하면 기동이 불안정해져 수정진동자가 진동을 시작할 수
없게 될 수도 있으므로 각각 3pF 이상으로 해야 한다.
② 역할 2 : 발진주파수를 맞춘다
또 하나는 발진 회로의 부하용량으로 기능하여 발진주파수
를 원하는 주파수에 맞추는 역할이다. 이 부하용량에는 두 가
지가 있다. 한쪽은 수정진동자를 접속하는 단자에서 본 회로
측 콘덴서 성분인‘발진 회로의 부하용량’
이고, 다른 한쪽은
수정진동자를 제작할 때 수정진동자에 직렬 접속하여 원하는
주파수로 조정할 때의‘수정진동자의 부하용량’
이다.
C1과 C2를 적절한 값으로 선택해 회로 측 부하용량을 수정
진동자의 부하용량에 맞추면 원하는 주파수를 얻을 수 있다.
일반적으로 여기에는 CH 특성의 콘덴서를 사용한다. 발진
회로의 부하용량은 C1, C2나 프린트 기판, 인버터 등의 기생
용량 성분의 합계이다.
(3) 댐핑 저항 Rd
① 역할 1 : 고조파로 발진하는 것을
방지한다
MHz대의 수정진동자는 주로 3MHz
～60MHz 정도가 생산되고 있다. 일반
적으로 기본파 모드에서 진동하도록 설
Rf
IN OUT
반전 앰프
증폭
수정진동자
그림 6. 기본 중의 기본! 수정발진 회로는 수정
진동자와 반전 앰프를 조합한다
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계되어 있는데, 3배나 5배 등 홀수 차 오버톤 모드에서 진동
하는 성질을 갖고 있다.
오버 톤 주파수대의 게인이 기본파 주파수대보다 큰 반전
앰프와 조합하면 수정진동자는 기본파의 3배나 5배 등의 홀
수 차 오버톤 모드로 발진시킬 수 있다.
예를 들어 4MHz 수정진동자를 발진시킬 경우, 게인이
4MHz보다 12MHz로 큰 반전 앰프를 사용하면 12MHz에서
발진한다. 또한 12MHz나 그 이상의 주파수대에서 반전 앰프
의 게인을 작게 해야 한다. Rd는 이러한 목적으로 사용된다.
Rd는 주로 10MHz 이하의 CMOS 발진 회로에서 수정진동
자가 오버톤 발진하지 않도록 하기 위해 사용된다. C2와의 조
합으로 로우 패스 필터를 형성해 반전 앰프의 주파수 특성을
조정한다. 발진시키려고 하는 주파수의 3배 주파수대 앰프
게인을 저하시켜 오버톤 발진을 예방한다(그림 12).
② 역할 2 : 진동 에너지가 너무 커지지 않도록 억제한다
기타 10MHz 이상의 주파수대에서 수정진동자의 여진 전
력을 저하시키는 효과도 있다. 여진 전력이 커지면 수정발진
회로에서 허용 여진 전력이 작은 수정진동자를 안정적으로
발진시키기 위해 Rd가 사용된다.
주로 20MHz 이상이고 크기가 5.0mm×3.2mm 이하인
SMT 수정진동자를 발진시킬 때, Rx만으로는 여진 전력 저감
효과가 충분하지 않은 경우 등에 사용한다. Rx를 사용해도 여
진 전력이 허용값을 넘는 발진 회로에서는 Rd를 병용함으로
써 발진 주파수가 계속 변동하거나 미소한 점프를 반복하는
불량을 예방할 수 있다(그림 14).
귀환 저항
아날로그 반전 앰프
Rf
인버터 오버톤 발진 예방과
여진 전력 저감
Rd
Rx 여진 전력 저감과
오버톤 발진 예방
C1 C2
전하 충방전과 발진
주파수 결정
그림 7. CMOS 수정발진 회로의 기본형 (대부분 Rd, Rx, C1, C2가 추가된다)
 EE
EETechnical
(4) 여진 전류 제한 저항 Rx 서 약 8pF이 된다. 측정에는 부하용량＝8pF의 수정진동자를
수정진동자에 저항기를 직렬 접속하여 수정진동자에 흐르 사용했으므로 그림 10을 보면 그 때 주파수 편차의 오프셋 값

Technical
는 고주파 전류(여진 전류)를 제한해 여진 전력 증가를 방지 은 거의 제로이다. 이 때 실온 편차＝±50ppm(±800Hz)의

Feature
한다. 주로 20MHz 이상의 주파수대에서 5.0mm×3.2mm 수정진동자를 사용하면 양산 레벨의 발진주파수 편차는

Feature
이하 크기의 수정진동자를 전원전압이 3.3V～5V인 발진회 15999200Hz～16000800Hz의 범위가 된다.
로에서 발진시킬 때 사용한다. 다른 역할로서 Rd 정도는 아 C1, C2를 각각 8pF으로 변환하면 그림 9에서 회로의 부하
니지만 오버톤 발진을 예방하는 효과도 있다. < > 용량은 9pF보다 약간 커진다. 그 때 주파수 편차의 중심값
오프셋은 그림 10에서 약 －50ppm이 된다. 그렇다면 주파수
발진주파수는 외장 콘덴서 C1/C2로 미세 조정할 편차의 범위는 －100ppm～±0ppm이 되므로 주파수 환산
수 있다 으로는 (15998400Hz～16000000Hz)의 범위가 된다.
1. 부하 콘덴서 C1, C2의 용량값을 바꾸면 발진주파수를
미세 조정할 수 있다 3. 흐트러지면 안 된다! 수정진동자의 부하용량과 발진
수정진동자는 부하용량값(C1/C2 등)의 크기에 따라 발진주 회로의 부하용량
파수가 변화하는 성질을 갖고 있다. 수정진동자가 양산될 경 수정진동자의 부하용량은 제조 시 수정진동자에 직렬 접
우에는주파수편차중심값의오프셋이변화하게된다(그림 8). 속, 수정진동자의 내부를 미세 조정하여 원하는 주파수에 맞
예를 들어 수정진동자 메이커 카탈로그에 있는 부하용량값 추기 위한 콘덴서이다. 수정진동자 메이커의 카탈로그에는
이 8pF인 경우, 수정진동자에 8pF의 콘덴서를 직렬 접속하 8pF이나 12pF 등으로 기록되어 있다.
여 수정진동자의 직렬 공진점이 공칭주파수에 맞도록 수정진 회로의 부하용량이란, 수정진동자를 접속하는 단자에서 본
동자를 미세 조정한다.
다수의 수정진동자를 생산하면 공칭주파수에 대한 주파수 수정진동자의 부하용량
편차가 발생한다. 그 범위는 실온 편차라 불리며 공칭주파수 회로의 부하용량

에 대해‘±50×10-6’등과 같이 표시된다.

공칭주파수
2. 계산! C1과 C2를 바꿨을 때 주파수가 어느 정도 변할까?
특성도에서 16MHz인 경우를 예로 들어 수정진동자의 부
하용량과 발진 회로 부하용량의 관계에 대해 생각해 보자. 발진주파수가 내려간다

그림 9, 그림 10에서 Rd를 사용하지 않은 경우를 살펴보면

그림 8. 발진 회로의 부하용량(C1이나 C2)을 바꾸면 발진주파수가 바뀐다 (발진
부하 콘덴서 C1＝C2＝6pF일 때의 회로 부하용량은 그림 9에 회로의 부하용량이 더 크면 발진의 중심주파수가 공칭주파수보다 내려간다)

20 250
18 200
16 150
14 Rd 없음, 16MHz 100
주파수 편차의 오프셋
회로의 부하용량 [pF]

12 50
ΔF/F [×10-6]

10 0 Rd＝330Ω, 16MHz
8 Rd＝330Ω, 16MHz －50
6 －100
4 －150 Rd 없음, 16MHz
2 －200
0 －250
2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24
회로의 부하 콘덴서 C1＝C2 [pF] 회로의 부하 콘덴서 C1＝C2 [pF]

그림 9. 부하 콘덴서 용량값-발진 회로의 부하용량 특성 (C1과 C2가 동일할 때) 그림 10. 발진 회로의 부하 콘덴서와 주파수 편차의 오프셋 (C1＝C2일 때)

월간 전자기술 2012 12 39
기술특집 그림으로 배우는 전자회로의 기초 (Ⅱ)

용량성 성분의 합계이다. 부하용량 12pF의 수정진동자란, 그 어 수정 진동을 방해함으로써 일어난다.

림 7과 같은 수정발진 회로에서 C1이나 C2에 12pF을 사용한 메이커 출하 검사 시 대부분 검출되지만, ppm의 비율로
다는 것을 의미하는 것이 아니므로 주의한다. < > 검사에서 누락되어 출하되는 경우가 있다. 검사할 때 수정편
에 고착되어 있지 않으면 양품으로 출하되기 때문이다. DLD
부하 콘덴서 C1/C2 선택 방법에 따라 발진 정지 불량으로 내부 저항이 어느 정도까지 커지는지는 먼지의 크
난이도가 달라진다 기나 질량, 고착 강도에 따라 다르다.
1. 수정발진 회로의 증폭도를‘부성 저항’
이라고 한다
발진 회로의 증폭도를 나타내는 파라미터를 부성 저항이라 3. 내부 저항 증가에 의해 발진이 멈추지 않도록 발진
고 한다. 부성 저항은 발진 회로가 갖고 있는 능력이다. 수정 회로 증폭도에 보험을 든다 … 발진 마진
진동자의 내부 저항이 커졌을 때 어느 정도까지 발진 가능한 가령 내부 저항이 100Ω인 수정진동자가 1000Ω으로 변화
지를 나타내는 기준으로, 마이너스 저항값으로 나타낸다. 마 했을 때, 발진 회로의 부성 저항이 －500Ω인 경우에는 발진
이너스의 값이 클수록 게인이 커진다. 이 일어나지 않는다(그림 11). 이 회로의 부성 저항이 －1000Ω
이상으로 설계되어 있으면 발진이 일어나지 않는 불량은 피
2. 수정진동자에는 갑자기 내부 저항이 커지는 불량 할 수 있다. 발진 회로의 부성 저항을 어느 정도로 설계할 것
모드가 있다 인지는 보험과 동일한 효과가 있다.
수정진동자에는 돌발적으로 내부 저항이 커지는 불량 모드 발진 마진은 발진 회로의 부성 저항을 수정진동자 내부 저
가 있는데 DLD 불량이라고 한다. 수정진동자 제조 시 실수 항으로 나눈 값이다. 계산식의 분모가 되는 값은 수정진동자
로 내부에 봉입된 작은 먼지가 검사 후 수정편 전극에 고착되 카탈로그에 있는 직렬 저항 R1의 최대값을 토대로 회로의 부
하용량과 수정진동자의 등가상수에서 산출된다.
10
Rd＝330Ω, 48MHz
Rd 없음, 48MHz 4. 부성 저항은 부하 콘덴서 C1/C2에 따라 변화한다
부성 저항 [－Ω]

100
발진 회로의 발진 능력은 반전 앰프의 증폭도나 회로상수,
Rd＝330Ω, 16MHz
프린트 기판의 배선 패턴이 가진 기생 용량에 의해 좌우된다.
1000

발진주파수가 높으면 게인(부성 Rd 없음, 16MHz

이것이 마이너스의 저항값‘－R’
이다. 발진 마진이 크면 예
저항)이 작아진다
10000 기치 않은 수정발진 회로의 이상이 일어났을 때 비발진을 피
2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24
회로의 부하 콘덴서 C1＝C2 [pF]
할 수 있는 가능성이 커진다. 수정발진 회로의 이상이란, 반
전 앰프의 게인이 급격하게 저하하거나 수정진동자의 내부
그림 12. 댐핑 저항 Rd를 사용하면 3배 고주파의 부성 저항을 작게 할 수
있다 (부하 콘덴서 C1, C2를 바꾸면 부성 저항이 변화한다) 저항이 급격하게 커지는 트러블을 말한다.

부들 부들
부들 부들

(a) 부성 저항(증폭도)이 너무 작으면 (b) 부성 저항이 작으면 발진이

움직이지 않는다 가까스로 잘 멈춘다 (c) 부성 저항이 충분히 크면 안정적으로 발진한다

그림 11. 발진 회로의 증폭도‘부성 저항’

의 크기에 따라 발진 여유도가 달라진다

40
 EE
그림 12와 같이 C1, C2를 바꾸면 부성 저항이 변화한다. 그 2. 여진 전류가 너무 크면 … ② 자기 발열에 의해 발진
림 7의 댐핑 저항 Rd를 사용하면 3배 고조파의 부성 저항을 주파수가 변동한다

작게 할 수 있다.
5. 발진 마진은 너무 커도 독이 된다
발진 마진은 너무 커도 좋지 않다. 현실에서 10kΩ이 넘는
MHz대 발진 회로의 경우, 수정진동자 고유의 공진주파수와
관계없는 주파수에서 발진하기 쉬워지므로 바람직하지 않다.
강한 부성 저항 발진 회로는 보험이 되지만 너무 지나치면 역
효과가 발생하는 경우도 있는 것이다.
부하 콘덴서 C1/C2가 너무 크면 발진주파수가
점프/변동한다 … 최악의 경우 파괴된다
수정진동자의 내부 저항은 부하용량이 커지면 작아지는 성
질이 있다. 수정발진 회로는 정전압 회로이므로 수정진동자
의 내부 저항이 작으면 수정진동자에 큰 전류가 흘러 여진 전
력도 커진다. 여진 전력이 너무 크면 발진주파수가 점프하거
나 변동한다. 최악의 경우 파괴된다(그림 13).
1. 여진 전류가 너무 크면 … ① 발진주파수 점프가 일어
난다
수정발진 회로에서 진동 중인 내장 수정편은 그림 2와 같
은 편이를 반복한다. 진동 편이는 중심 부분에서 최대가 된
다. 편이량은 수정진동자에 흐르는 여진 전류에 비례하여 커
진다.
여진 전류가 너무 커지면 그림 2에 나타난 편이 부분의 왜
곡이 과대해진다. 이 경우 수정편의 평행도가 유지되지 않아
발진주파수 변동이나 미소한 점프가 일어난다.
Technical Feature
여진 전류와 수정진동자의 내부 저항(부하 시 공진 저항)에
의해 수정진동자 내부에서 소비되는 에너지가 여진 전력이
다. 다양한 수정발진 회로에서의 여진 전력이 32.768kHz인
경우에는 0.1μ
W～0.5μ
W 정도이며, MHz의 수정진동자에서
는 수μ
W～수mW이다. 그림 14는 그 예를 나타낸 것이다.
수정진동자는 주파수-온도 특성을 갖고 있기 때문에, 자기
내부 발열에 의해 발진주파수가 그 수정진동자의 온도 특성
< > 곡선에 따라 변화한다.
안정적인 주파수에서 발진하는 것이 바람직한 경우 여진
전력의 허용값이 수정진동자 메이커의 카탈로그에 기재되어
있으므로, 그 범위 내에서 수정진동자가 동작하도록 회로를
설계해야 한다.
MHz대 수정진동자에서는 모델명이나 공칭주파수에 따라
다르지만 100μ
W, 300μ
W, 500μ
W 등의 허용값이 있다.
3. 여진 전류가 너무 크면 … ③ 최악의 경우 파괴된다
여진 전력을 검토하지 않고 설계된 수정발진 회로의 경우,
수정진동자를 수mW에서 계속 동작시키면 결국 수정편이 부
서지므로 수정발진 회로 설계 시 주의가 필요하다. 32.768kHz
수정발진 회로인 경우 0.2μ
W 이하에서 동작시키면 수정편
파손 등의 트러블을 피할 수 있을 것이다. < >
진동자를 사용하지 않는다! RC만! … 이장발진 회로
디지털 회로에서는 기준 클록 신호를 사용한다. 마이컴이
있다면 수정진동자를 연결하는 것만으로도 클록 신호를 내부
에서 생성해 주지만, 마이컴이 없을 경우에는 개별적인 회로

1200
1100 댐핑 저항 Rd가 없으면 대부분
부들 부들 1000
부들 여진 전력이 크다
900
W]

800
여진 전력 [μ

700 Rd 없음, 16MHz

600
500
400
300
200 Rd＝330Ω, 16MHz
지직
100
0
2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24
회로의 부하 콘덴서 C1＝C2 [pF]

그림 13. 여진 전력이 너무 크면 최악의 경우 파괴된다 그림 14. 발진 회로의 부하용량 C1과 C2의 용량값이 커지면 여진 전력이
증가한다

월간 전자기술 2012 12 41
기술특집 그림으로 배우는 전자회로의 기초 (Ⅱ)

에서 생성해야 한다. 정밀도가 요구되는 로직 회로나 스위칭 로써 파형을 얻는다.

레귤레이터/D급 앰프의 타이밍 생성에는 이완 발진 회로가 디지털 회로의 클록에서 시간 정밀도가 별로 필요 없을 경
자주 사용된다. 스위치를 사용하여 충전과 방전(긴장과 이완) 우, 스위칭 레귤레이터나 D급 앰프 타이밍 발생 등의 용도에
을 주기적으로 전환함으로써 간단히 생성할 수 있다. 사용되며, 다음과 같은 메리트가 있다.

1. 비교적 간단하고 편리한 이장발진기

콤퍼레이터로‘한계’
(충전 산황)를
이장발진기는 RC를 사용하여 비교적 간단하게 주기 신호 C에 충전 감시한다

를 만들 수 있으므로 편리하다. 콘덴서의 충방전을 반복함으 방전

충방전
V C 컨트롤
방전
Z 스위치 충전
Z
Z
・
・
・ (a) 회로

쌓이면 스위치 ON
휴우

벌떡
충전
비어 있으면 OFF
방전
방전 스위치 ON
(b) 파형

그림 15. 긴장과 이완을 주기적으로 반복함으로써 진동하는 것이 이장발진 그림 16. R과 C로 클록 신호를 생성할 수 있는 원리 (충전되면 스위치 ON,
회로이다 비어 있으면 스위치 OFF)

VO＝VH
충전 방향
VO＝VL
콤퍼레이터
충방전 충전 방향
정귀환

VO＝VH OP 앰프
또는 콤퍼레이터
VL

정귀환 적분기

Vi가 여기를 넘어서면 0V를 넘으면

출력이 반전 출력이 반전

지수 곡선
직선!

충전 방향과 함께 충전의
(VH＝VL)일 때
상한, 하한도 반전된다.
콤퍼레이터는 한 개면 분압 기준점을
된다 반전한다

(a) OP 앰프/콤퍼레이터 한 개 (b) OP 앰프/콤퍼레이터/표준 로직 인버터 두 개

그림 17. RC를 사용한 발진 회로‘이장발진 회로’

42
 EE
주파수 가변은 C나 R 중
하나를 동시에 바꾼다

Technical Feature
발진기
본체
출력
인버터 A 인버터 B
사용하려면 히스테리시스
입력 타입으로 한다

Vth 부근에 안정화

머무른다 회로

지연 인버터 A가 직선적인 움직임

된다 을 보이면 Vth 부근의 움직임
이 불확실해진다 가변 저항 소자 등

그림 19. 정현파 발진 회로의 예 (이것도 간단하다. 진폭 안정화에 큰 회로가 필요

하므로 별로 사용하지 않는다)
이와 같이 되면 위험하다!
의 변화로
인해 지연된다
이전에는 트랜지스터 하나만 사용한 비안정 멀티바이브레이
터라는 회로도 널리 사용되었다. IC로는‘타이머 IC’
라고 불
그림 18. 주의! 표준 로직 IC 발진 회로 (이 구성은 이상 발진하므로 권하지 않는다.
가능하면 히스테리시스 입력 타입을 사용한다) 리는 NE555가 유명하다.

① 확실하게 발진한다 3. 로직 IC에 의한 발진 회로에서는 히스테리시스가 있

② 정해진 전압간 상하 동작을 위한 진폭을 유지하는 회로
가 필요 없다
③ 발진주파수를 쉽게 변경할 수 있다
발진주파수는 구형파가 기본이며, 회로 방식에 따라 삼각
파나 톱니파를 동시에 얻을 수도 있다. PWM 변조의 비교 기
준 파형 등에 사용된다.
2. 회로 동작
(1) OP 앰프/콤퍼레이터를 사용한다
OP 앰프나 콤퍼레이터로 구성된 그림 17(a), 그림 17(b)과
같은 회로는 많이 사용되고 있다.
그림 17(a)은 OP 앰프 또는 콤퍼레이터 1개로 구성되어 있
으며, 그림 17(b)은 OP 앰프가 2개 필요하지만 구형파와 삼
각파를 동시에 얻을 수 있다.
(2) 표준 로직 인버터를 사용한다
회로에 따라서는 표준 로직 인버터를 사용하여 클록 신호
를 만들 수 있으므로, 범용 OP 앰프가 발진되지 않는 높은 주
파수에서의 동작이나 로직 IC와의 혼재에 편리하다.
어떤 회로든 콘덴서 충방전 회로와 콘덴서 단자 전압을 검
출해 충전이나 방전을 전환하는 콤퍼레이터로 구성되어 있
다. 충방전 타이밍은 시간과 전압의 관계로 계산할 수 있다.
는 것을 사용한다
종종 로직 IC 등에서 사용되는 그림 18과 같은 회로는 주
의를 기울여야 한다. 이상 발진하는 경우가 있기 때문이다.
다른 유사한 회로는 히스테리시스가 있는 콤퍼레이터나 플립
플롭 등으로 충방전 전환 전압을 검출하며, 다음 전환점까지
는 잘못 검출하지 않도록 되어 있다.
그러나 그림 18과 같은 회로에서는 비교 레벨이 검출 전 방
향으로 돌아가 파형이 흐트러진다. 기본 회로에서는 슈미트
트리거 회로(히스테리시스가 있는 입력 회로)가 사용되었지
만‘전승’
되는 사이에 잊혀진 듯하다.
4. 보충 : 정현파 발진기는 디지털화되고 있다
그림 19와 같은 아날로그식 정현파 발진기는 거의 볼 수
없게 됐다. 진폭 안정화에 특수한 소자나 회로를 필요로 하는
등 어려운 점이 있기 때문이다.
한편, 디지털 기술이 발달함에 따라 메모리에 기억된 파형
데이터를 D-A 변환하여 아날로그 파형을 간단하게 얻을 수
있게 되었다.
대표적인 방식으로 DDS(Direct Digital Synthesizer)가
있으며, 전용 IC도 구할 수 있어 연결하기만 하면 안정적으로
동작한다. < >

월간 전자기술 2012 12 43
기술특집 그림으로 배우는 전자회로의 기초 (Ⅱ)

本 記事는 日本 CQ出版社가 發行하는「トランジスタ技術」誌와의 著作權 協定에 依據하여 提供받은 資料입니다.

그림으로배우는다이오드/트랜지스터

설계할 때 이 식을 사용하는 경우는 드물며 그림 2(b)와 같

반도체의 기본 소자! 다이오드
1. 2개의 다리를 가진 간단한 반도체 소자‘다이오드’
대부분의 다이오드는 전류의 흐름을 한 방향으로 정리하고
자 할 때 이용되지만 빛을 발하는 LED(Light Emitting
Diode)나 일정한 전압을 발생시키는 제너 다이오드 등 특수
한 용도에 사용되는 것도 있다.
여기서는 정류용 다이오드를 예로 들어 그 성질과 사용법
을 소개한다. 정류용 전원으로 교류를 직류로 펴는 정류 외에
고주파 검파 회로, 스위치 소자, 각종 역류 방지 소자 등에 사
용된다.
2. 다이오드의 정류 특성을 고찰한다
그림 1과 같이, 다이오드는 한 방향으로만 전류를 통과시
키는 정류 소자라고 할 수 있지만 그 정류 특성을 잘 살펴보
면 그림 2(a)와 같다.
이 간단한 모델을 이용한다.
(1) 정류 동작시키기 위해서는 순방향으로 0.6V 정도의
전압이 필요하다
다이오드가 가진 2개의 다리를 각각 애노드(Anode), 캐소
드(Kathode)라고 한다. 이 두 개의 단자 사이에 가하는 전압
(VX)이 역방향일 때, 즉 캐소드에 가해지는 전압이 애노드에
가해지는 전압보다 높을 때에는 전류가 흐르지 않는다. 순방
향일 때, 즉 캐소드에 가해지는 전압이 애노드에 가해지는 전
압보다 높을 때에는 전류(순방향 전류)가 흐른다.
순방향으로 흐르는 전류는 일정 전압(VF)을 넘을 때까지 거
의 제로이며, 순방향 전압이 VF에 도달하자마자 큰 전류가 흐
르기 시작한다.
전류가 흐르기 시작하는 전압은 소재의 반도체 종류와 구
조에 따라 다르며 다음과 같다.
・접합형 : 약 0.7V

역방향 : 전혀 열리지 않는다

캐소드 캐소드

어느 부분부터 급격하게 거의
모두 열리는 문과 같다
순방향 : 처음에는 열리지 않는다

애노드 애노드
(a) 역방향으로 전압이 가해지고 있을 때 (b) 순방향으로 전압이 가해지고 있을 때
(캐소드 전압 ＞ 애노드 전압) (캐소드 전압 ＜ 애노드 전압)

그림 1. 전류의 일방통행 소자‘다이오드’(순방향에서도 처음에는 열기 어렵지만 어느 부분부터 한꺼번에 모두 열린다)

44
 EE
・쇼트키 배리어형 : 약 0.3V
・LED(적색) : 약 2V VD

Technical Feature
ID
다이오드에 전류(IF)가 흐르면 순방향 전압(VF)과 그 순방향
A K
전류(IF)의 곱(VFIF)으로 나타낼 수 있는 전력 손실이 발생한다. (애노드) (캐소드)
ID ID

3. 다이오드의 성질 VF를 넘으면 갑자

－I0에 점근 기 모두 열린다
표 1은 다이오드의 성질을 정리한 것이다.
(1) 전극 사이에 콘덴서가 병렬로 접속되어 있는 것처럼 보 VD 0 VF VD

인다
q
(2) OFF일 때 역방향으로 전압이 가해지도록 사용하는 경 ID＝I0(e VD
kT －1) 실리콘 접합형 0.7V
쇼트키형 0.3V
우, OFF 직후에 단시간(역회복 시간) 역전류가 흐른다 강복 전압(역전압) :
넘으면 파괴된다
(3) OFF일 때에도 미소한 전류(리크 전류)가 흐른다
(a) 실제 특성 (b) 간단화한 특성
(4) 순방향 전류가 커지면 순방향 전압도 커진다
(5) 온도가 올라가면 순방향 전압은 작아진다 그림 2. 다이오드를 사용할 때 자주 하는 근사 [(a)와 (b) 모두 실물과는 다르다]

표 1. 다이오드의 성질

항목 의미 해설

G 애노드(A)-캐소드(K) 사이에 등가적으로 용량이

(1) 전극 사이에 콘덴서가 병렬로 1N4148 있다. 이 용량의 크기는 A-K 사이에 가해지는
Cj CT＝4pF
연결되어 있는 것처럼 보인다 전압에 따라 변화한다. 용량의 전압 의존성을 이
↑
이것이 Cj 용한 다이오드도 존재한다(가변용량 다이오드)
D

다이오드에 가하는 전압을 순방향에서 역방향

(2) OFF일 때 역방향으로 전압이 가해 으로 전환하면 한순간에 역방향으로 흐른다 전압이 순방향에서 역방향으로 갑자기 전환되면
지도록 사용하는 경우, OFF 직후 ＋V 단시간에 역방향으로 큰 전류가 흐른다. 고속으
거의 ＋V
단시간(역회복 시간) 역전류가 흐 0 0 로 스위칭하는 전원 등에서는 큰 손실이 된다
른다 －V 1N4148
trr trr＝4ns

ID ID
순방향뿐만 아니라 역방향으로도 미소한 리크 전
(3) OFF일 때에도 미소한 전류(리크 VD VD 류가 흐른다. 미소 신호 회로나 하이 임피던스
1N4148
전류)가 흐른다 IR 회로의 보호 소자, 배터리나 백업 전지의 역류
IR＝25nA
OFF일 때에도 TA＝25℃ 방지에 안이하게 사용하면 문제가 된다
약간 누설된다 VR＝25V

ID 전류가 클수록 VF가 커진다

1N4148
(4) 순방향 전류가 커지면 순방향 순방향 전압은 전류가 증가함에 따라 높아지며
전류

VF＝1.0Vmax
전압도 커진다 @IF＝10mA 1V 이상으로 되는 경우도 있다
10mA VF는 최대 1V
0 VD
전압
ID 고온 저온
순방향 전압은 순방향 전류가 일정해도 온도가
전류가 흐르기 시작
(5) 온도가 올라가면 순방향 전압은 하면 순방향 전압 VF 올라가면 작아진다. 실리콘 접합형에서는 보통
작아진다 는 온도에 따라 변한 －2mV/℃의 온도계수라고 한다. 품종에 따라 다
다(－2mV/℃)
르다
VD
0

월간 전자기술 2012 12 45
기술특집 그림으로 배우는 전자회로의 기초 (Ⅱ)

4. 접합형 쇼트키 배리어형이 있다 2. 과전압에 의한 파괴로부터 보호한다

정류용 소신호 다이오드에는 접합형과 쇼트키 배리어형의 기본적인 개념은, 과전류는 끊고 과전압은 단락하는 것이
두 종류가 있다(표 2). 므로 용도에 따라 적절한 소자를 선택한다. 과전류나 과전압
대부분의 접합형은 범용이며 쇼트키 배리어형은 파워 회로 이 가해짐에 따라 보호 소자 자체가 손상을 입는 경우도 많고
나 고주파 회로용이다. < > 수명이 정해져 있는 경우도 있으므로 주의가 필요하다. 헌신
적으로 회로를 보호하는 것이다.
다이오드의 응용 …‘보호 회로’ 신호 회로 내의 과전압 보호에 편리한 것이 다이오드이다
1. 헬멧과 보호장비의 중요성은 나중에 알게 된다 (그림 3). 일반 타입과 함께 제너 다이오드도 사용된다(그림
보호에는 돌발 사고에 대비하는 헬멧과 같은 것과 항상 받 4). 이러한 소자는 일정 전압을 넘으면 급격하게 전류가 흘러
는 공격으로부터 지키는 스포츠용 보호장비 등이 있다. 나오므로, 전압 제한 회로에서는 그것을 이용한다(그림 5).
전자 회로에도 정전기 등의 노이즈나 장치끼리 연결했을 회로 보호 외에도 전압 제한 회로를 사용하는데, 보호용 회로
때 발생하는 과대 전류 및 전류에 의해 전자 부품이 파괴되지 도 이치는 똑같다.
않도록 하는 다양한 보호 소자가 사용되고 있다. 그림 6은 다이오드를 사용한 과전압 보호 예를 나타낸 것이
실제 보호용 소자에는, 이상 전류가 흐르면 그 라인을 전기 다. 그림 6(e)에 대해 좀더 자세히 설명한다. 릴레이 내부의 스
적으로 끊어버리는 퓨즈가 있고, 온도가 올라가면 저항값이 위치는 마찬가지로 내장 솔레노이드(코일) 전류를 트랜지스터
올라가는 소자 PTC 등이 있다. 또한 정전기의 침입을 막는 등으로 ON/OFF 하면 열리거나 닫힌다. 이 때 코일에 흐르는
배리스터도 있다. 그리고 이 다이오드도 회로 보호에 이용할 전류는 급하게 멈춰지지 않으므로(제2장 참조) 트랜지스터가
수 있다. OFF됐을 때 코일에 흐르는 전류가 갈 곳이 없으면 약한 트랜
표 2. 파워/고속 용도라면 쇼트키 배리어가 적합하다 지스터를 파괴하여 흘러나온다. 이 때 코일과 다이오드를 병
타입 특징 용도 렬로 연결하여 도망갈 길을 확보해 두면, 전류는 이 다이오드
① VF가 높다 로 흐르므로 트랜지스터를 파괴되지 않도록 보호할 수 있다.
② 역회복 시간이 길다 일반용. 고내압이나 역전류가 문제
접합 되는 용도에서는 쇼트키보다 적합 IC 내부의 입출력 단자부에도 다이오드가 내장되어 있으
③ 역전류가 작다
하다
④ 내압이 높다 므로 과전압에서 IC를 보호한다. IC 입력 전압의 최대값은
① VF가 낮다
고속용. 스위칭 전원이나 고주파 대부분 VDD＋0.3V이지만 입력 신호를 남긴 상태에서 전원이
쇼트키 ② 역회복 시간이 짧다 회로에 적합하다. 소신호용으로서는
배리어 ③ 역전류가 많다 리크(역전류)가 장애이다. 만능은 꺼지면 0V로 된 VDD에 대해 0.3V 이상의 전압이 가해져 보
아니다.
④ 내압이 낮다 호 다이오드를 내장한 보람도 없이 정격 오버 상태로 되어 내

제너는 강복시켜 ID
사용한다. 일반 다
이오드는 파괴된다

실리콘 접합형 다 VF VZ
약하다
이오드에서는 VF
가 0.7V에 도달 0 약 0.7V VD
약하다
할 때까지 거의
흐르지 않는다 제너는 역방향 강
복 전압이 일정해
지는 것을 사용한 이 사이에 전류는
IF
다. 일반 다이오드 흐르지 않는다
VF≃0.7V 와 동일하다
강하다 이 사이에 ON되지 않
IR≃0 는다는 것도 이용한다
(a) 순방향으로 조금 누르면 (a) 역방향으로 강하게 (b) 역방향으로 강하게 눌러
흐르지만 역방향으로는 (b) 순방향으로 0.7V를 누르면 흐른다 흘러나오기 시작하면 전 (c) 범용 다이오드와 달리 역방향
흐르지 않는다 가하면 흘러나온다 압이 일정해진다 으로 흘러도 파괴되지 않는다

그림 3. 범용 다이오드 : 전류의 일방통행 그림 4. 제너 다이오드 : 한계를 넘으면 역방향으로도 전류가 모두 열리게 된다

46
 EE
장 보호용 다이오드에 과대 전류가 흐른다. 의 경우). 이 배율을 전류 증폭률이라고 하며 일반적으로 hFE
어느 정도의 전류에 견딜 수 있는지는 공표되어 있지 않은 라는 변수로 나타낸다.

Technical Feature
경우가 많으므로, 불안하면 IC 외부에 보호용 다이오드를 추 여기서는 바이폴러형을 예로 들어 그 사용 예를 소개한다.
가하 이중으로 보호한다. < > 또한, 트랜지스터의 동작은 리니어 증폭과 스위치 두 개로 분
류할 수 있다. 여기서는 스위치 소자로서 이용하는 경우에 대
전류를 ON/OFF하는 스위치 트랜지스터의 동작 해 소개한다.
트랜지스터는 구조에 따라 바이폴러형, 전계 효과형(FET)
등으로 분류할 수 있다. 1. 응용 예 … LED 점등 회로
트랜지스터의 베이스 단자에 전류를 넣으면 수십～수백 배 그림 7은 LED에 흐르는 전류를 트랜지스터로 ON/OFF하
의 전류로 증폭되어 컬렉터에서 이미터를 향해 흐른다(NPN 여 점등시키거나 소등시키는 회로이다.

・다이오드의 누설 전류
＋0.7V ＋(VZ＋VF)
ID
0
-0.7V -(VZ＋VF)
VD

ID 전혀 흐르지 않는
＋0.7V를 넘으면 전 －0.7V를 넘으면 전
VZ VF 것은 아니다
류가 흘러 신호 라인 류가 흘러 －0.7V보
의 전압이 0.7V보다 다 낮아지지 않게 VD
높아지지 않게 된다 된다
VF VZ 왜곡의 원인이 되기도 한다
・용량 성분에 의한 주파수 특성도 저하

(a) 전압을 ±VF 이하로 제한 (b) 전압을 ±(VZ＋VF) 이하로 제한

그림 5. 다이오드를 사용하면 신호 라인의 전압을 일정 범위로 억제할 수 있다

로직 IC나 OP 앰프

5V 3.3V 3.3V
역내압은 수V
밖에 없다
2SC1815

이미터가 베이스보다 Ⓐ
±(VZ＋VF) MOSFET에 내장되
수V(7V 전후) 높아지면 어 있는 것도 많다
로 제한
트랜지스터는 파괴된다
1N4148 점 Ⓐ의 전위가 전원전압(3.3V)이나 그라운드
전압(0V)을 넘으면 전류가 흐른다

(a) 바이폴러 트랜지스터의 베이스-이미터간 보호 (b) MOSFET의 게이트를 정전기로부터 보호한다 (c) 전원전압이 다른 IC를 보호한다
VCC
방전 루트 확보
릴레이 VCC
솔레노이드 펄스 폭을 결
1N4002 정하는 콘덴서
방전하지 않으
(1A 클래스) 면 IC에 VCC
트랜지스터가 OFF될 때 코
이상의 전압이
7805 일의 전류를 흘릴 경로가 없
12V 5V 가해진다
을 경우, 트랜지스터에 고압
차지가 남아 있으면 이 가해져 파괴된다
100μ 100μ 멀티 바이브
7805에 역전압이 가 74HC123
해진다 레이터
릴레이 드라이버 회로 등

(d) OFF일 때의 전원 IC를 보호한다 (e) 코일/솔레노이드를 ON/OFF할 때 (f) OFF 시 콘덴서가 충전된 상태에서 전원전압
VCC가 내려갔을 때

그림 6. 다이오드를 보호용 부품으로 이용한 예

월간 전자기술 2012 12 47
기술특집 그림으로 배우는 전자회로의 기초 (Ⅱ)

마이컴이 출력할 수 있는 전류는 너무 작아 LED를 직접
연결해도 점등시킬 수 없다. 그래서 그림 7과 같이 트랜지스
터를 추가했다.
(1) 회로 설계 순서
그림 7을 회로도로 그리면 그림 8과 같이 된다. 설계 순서
를 설명한다.
① 부하 전류를 정하고 전류 제한 저항 R2를 구한다
LED에 따라서는 1mA 정도의 전류로도 점등되지만, 여러
개의 LED를 나열했을 때 밝기에 편차가 나오지 않도록 좀
더 큰 메이커에서 지정한 전류를 흘린다. 여기서는 LED에
약 10mA의 전류(IL)를 흘리도록 했다.
우선 마이컴의 포트가 출력할 수 있는 최대 전류를 확인한
다. 대부분 4mA 정도이므로 직접 구동할 수 없기 때문에 트
랜지스터를 활용하게 된다.
트랜지스터는 스위치로 이용한다. LED 점등 시(트랜지스
터가 ON일 때) LED에 흐르는 전류(IL)는 전원전압(VCC), 전
류 제한 저항(R2), LED의 순방향 전압(VF)에 따라 결정된다.
VCC＝5V, VF＝2V, IL＝10mA라고 하면 다음과 같이 된다.

전기 신호로 컨트롤할 수
있는 스위치와 같다

LED를 밝게 점등시킬 수 220Ω

있을 정도의 전류를 출력 10kΩ
할 수 없다 VCC
(5V)
뭔가가 필요…

마이컴 마이컴

VCC
LED (5V)
트랜지스터
(a) 마이컴은 최대 출력 전류가 작으므로 LED를
점등시킬 수 없다 (b) 트랜지스터를 추가하면 LED를 ON/OFF할 수 있다

그림 7. 트랜지스터를 추가하면 마이컴으로 LED를 밝게 점등시킬 수 있다

① LED의 부하전류를 정하여 R2를 결정한다

CMOS 디지털 IC(전원전압 VDD)의
출력인 경우… ON일 때(이 상태일 때) 필요한
VDD－0.1V 정도 전류 IL이 흐르도록 한다
≃VDD
VF는 LED 고유의 값. 적색 타
입에서 약 2V(데이터시트에서
ON 확인한다)
VH
VL
OFF OFF
↓
보통 0V 입력 측은 여기서 IL은 10mA 흐르게 한다
이런 식으
로 보인다
③ R1을 결정한다 ON일 때 R1－Tr1의 베 라고 하면,
컬렉터 전류에 비해 이스-이미터 등가회로
베이스 전류가 매우
작다 베이스 현실적으로는 330Ω이나 270Ω

이미터
② IC가 IL을 허용할 수 있는 트랜지스터를 선택한다
약 0.7V IC(최대) » IL 2SC4116 등
베이스 전류는 여유를 갖고 크게 해야 확실하게 ON된다. VCE를 특성표에서 구해 PC＝ICVCE가 허용값을
IC 밑돈다는 것을 확인한다
이번에는 IB＝ 로 한다.
10

현실적으로는 3.9kΩ 또는 4.7kΩ이다. 10kΩ도 상관없다

그림 8. 전류 ON/OFF 스위치로 트랜지스터를 사용한다 … LED 점등 회로의 예

48
 EE
R2＝(VCC－VF)/IL＝(5V－2V)/10mA＝300Ω 회로로 나타낼 수 있다. R1은 다음과 같은 식으로 구한다.
R2는 300Ω이 아니라 270Ω이나 330Ω이 일반적이며 구하 R1＝(VH－VBE)/IB＝(5V－0.7V)/1mA＝4.3kΩ

기 쉬울 것이다.
② 트랜지스터의 종류를 결정한다
일본『트랜지스터기술』
지에서 많이 다루었던 2SC1815(생
산 중지 제품)와 거의 같은 규격으로 표면실장형인 2SC4116
을 선택했다. 두 제품은 허용 손실이 다른데, 2SC1815가
Pc＝400mW(최대)인데 비해 2SC4116은 100mW로 1/4이다.
이번 경우에는 둘 다 충분하다. 데이터시트의 VCE(sat)-IC 특성
에서 IC＝10mA이며 VC＝0.05V이므로 Pc＝0.1mW가 된다.
더 큰 전류나 높은 주파수를 가할 경우에는 트랜지스터가 견
딜 수 있는지 검토해야 한다.
③ 베이스 저항 R1을 결정한다
트랜지스터의 베이스에 흘려 넣는 전류 IB는 마이컴 I/O 단
자가 0V일 경우(LED 소등 시) 0A이고, 5V일 경우(LED 점
등 시) 다음과 같이 구한다.
트랜지스터의 베이스에 흘리는 전류는 다음과 같은 식으로
구한다.
IB ≧ hFE/IC
이번에 선택한 2SC4116의 hFE는 70～700이다. IB가 약간
이라도 부족하면 스위치가 ON과 OFF 사이의‘절반이 열린
로 되어 스위치로서 기능하지 않게 되므로, IC/hFE보다
상태’
여유를 갖고 큰 베이스 전류가 되도록 R1을 결정한다. 여기서
는 필요한 컬렉터 전류 IC(10mA)의 1/10(1mA)로 설정했다.
트랜지스터의 베이스-이미터 사이는 다이오드 특성이므
로 마이컴의 I/O 단자-R1-트랜지스터는 그림 8의 ③과 같은
Technical Feature
R1은 4.3kΩ이 아닌 3.9kΩ이나 4.7kΩ인 쪽이 구하기 쉬울
것이다. 1mA의 베이스 전류는 여유가 있으므로 10kΩ을 사
용해도 문제 없다. < >
트랜지스터의 동작
1. 어려운 것은 단순화하여 생각한다
트랜지스터는 그림 9와 같이 3개의 다리를 가진 반도체 소
자이다. 생각해야 할 파라미터는 이들 3개의 단자에 흐르는
전류와 각각의 단자 사이에 가해지는 전압뿐이다. 하지만 이
들의 움직임을 완전히 이해하고 회로를 만드는 것은 보통 사
람에게 어려운 일이다.
평범한 사람들을 위해 생각해 낸 것이 그림 10과 같은 트
랜지스터 모델(등가 회로)이다. 복잡한 동작을 대부분 간단한
유사 동작으로 치환한 것이다.
(1) 트랜지스터는 이렇게 간단히 나타낼 수 있다
자연 소재로 만들어진 트랜지스터를 제어하는 것은 간단하
지 않지만, 단 한 가지 해볼 만한 것이 있다. 그것은 직류에서
컬렉터 측 움직임에 베이스 측 움직임이 거의 영향을 받지 않
는다는 성질이다. 교류적으로는 베이스-컬렉터간 용량(Cob)
실물 모델화

컬렉터
(C)
드레인
컬렉터 전류
(D)
베이스 전류
컬렉터-이미
터간 전압
베이스
게이트
(B)
(G)

이미터 IB
베이스-이미터간 전류
전압 소스 IC＝hFE IB
(S) VBE＝0.7V
이미터
(E)
(a) 바이폴러 트랜지스터 (b) MOSFET

그림 9. 트랜지스터의 기본 파라미터 그림 10. 실물을 상세히 표현하는 것은 어렵지만, 단순화해도 많은 부분을

표현할 수 있다

월간 전자기술 2012 12 49
기술특집 그림으로 배우는 전자회로의 기초 (Ⅱ)

이 존재하며, 컬렉터와 베이스는 서로 영향을 준다. 베이스 전류(IB)가 일정다고 하면 컬렉터 전류(IC)는 hFEIB의
베이스 측 움직임과 컬렉터 측 움직임을 나누어 생각하면 크기까지 IC 축 위를 수직으로 상승하고, hFEIB에 도달하면
다음과 같다. VCE 축과 평행하게 된다[그림 12(b), 그림 12(c)]. IC 축 위는 전
・베이스-이미터간 : 다이오드 류의 크기에 상관없이 VCE＝0(쇼트), 즉 스위치가 ON인 상태
・컬렉터-이미터간 : 베이스 전류에 비례하는 전류원 이다[그림 12(d)]. VCE 축과 평행한 부분은 IC＝hFEIB와 같이,
(2) 간단한 모델을 사용하여 트랜지스터의 스위치 동작을 컬렉터 전류가 hFE에 따라 결정되는 정전류 특성으로 되어 있
고찰한다 다. 이 상태에서는 컬렉터와 이미터간 전압이 변해도 전류의
LED 점등 회로에 스위치로 사용된 트랜지스터의 움직임 크기는 변하지 않는다.
을 그림 12에서 생각해 보자. IB＝0A일 때에는 전압에 관계없이 IC＝0이므로 스위치가
① 입력 측 … 베이스에 흐르는 전류 OFF인 상태이다. 트랜지스터를 스위치로서 움직일 경우에
베이스-이미터간 다이오드는 순방향 전압(VBE)이 0.7V에 는 IC 축 위의 VCE＝0인 부분을 ON, VCE 축 위의 IC＝0인 부
도달한 부분에서 돌연 전류가 흘러나온다. 반대로 말하면, 어 분을 OFF로 하여 사용하고, 그 외의 부분은 사용하지 않도록
느 정도 전류를 흘렸을 때 VBE＝0.7V에서 일정해진다[그림 한다.
12(a)]. 이 때 흐르는 베이스 전류 IB는 다음과 같은 식에 따라 트랜지스터를 ON할 때에는 직각 구부러짐 특성을 가진[그
결정된다. 림 12(b)] IC＝hFEIB 부분을 사용하지 않도록 한다. hFEIB가 부
IB＝(Vin－0.7V)/RB 하 전류보다 커지도록 한다. 실제 IC-VCE 특성은 이렇게 깨끗
단, RB는 베이스 저항[Ω]이다. 하게 직각으로 구부러지지 않으며 IC의 상승과 함께 VCE도 소
② 출력 측 … 컬렉터 전류와 컬렉터-이미터간 전압 폭 증가한다. IB는 충분히 흐르게 하여 hFEIB >>부하 전류로 되
그림 12(b)～그림 12(c)를 보면서 컬렉터 전류와 컬렉터-이 도록 설정해야 한다(그림 13).
미터간 전압의 변화에 대해 설명한다. 이상은 단순화한 모델을 통해 고찰해 본 것이다. 그림 14

파라미터의 정의 실물 단순화한 모델

IC－VCE 특성 리니어 영역 : ON/OFF 동작 이상적인 ON 상태 :

ON 상태 으로는 사용하지 않는다 IC가 아무리 흘러도 VCE＝0
현실에서는 있을 수 없다
VCE＝0V라면 완전히 ON IC IC

크다 IC＝hFEIB

IB IC IB

VCE 작다

OFF 상태
VCE VCE
이상적인 OFF 상태 : VCE가
가해져도 IC가 흐르지 않는다

IB IB
IB－VBE 특성

IB

VBE VBE VBE

0.7V
일정

그림 11. 트랜지스터를 단순화해 보았다 (중요한 특성은 이 두 가지)

50
 EE
에 실제 동작에서 주의해야 할 점을 간단하게 기술해 둔다. VBE는 0.7V에서 거의 일정하다고 간주되며, 이미터의 전
위(VE)가 일정(VB－0.7V)하게 유지된다. 그 결과, 베이스 전

Technical Feature
2. 트랜지스터의 리니어 증폭 동작을 이용한 회로 압이 변화하면 이미터 전압 VE가 이 변화에 따른다. 이것이
리니어 동작을 고찰하는 것이야말로 모델을 간단하게 하는 폴로어(follower)라고 불리는 이유이다.
데 위력을 발휘한다. 베이스 전위를 교류 신호원으로 변화시키면 이미터 전위가
(1) 이미터 폴로어 이 변화에 따른다.
그림 15, 그림 16은 비교적 자주 이용되는 트랜지스터 회
로‘이미터 폴로어’
이다. 컬렉터-베이스 사이에 작은
용량(COB)이 있다 ON되어 있어도 전압이(포화 전압)
ON/OFF 동작에서 전하가 축 약간 남아 있으며, ICVCE(sat) 손실이
적된다 발생하여 열이 나온다
VCC(5V)
C C
IC

전류 제한 저항
220Ω VCE(sat)
IB RX
F E IC
ON시킬 때에는 RB
베이스에 충분한 Vin 0.7V
IB를 부여한다 컬렉터에서 베이스를 향해 누설 전류(ICBO)가
흐른다. 이 전류가 나갈 경로(RX)를 만들지
IB＝ Vin－0.7 » IC의 최대값 않으면 도중에 ON되는 경우도 있다
RB hFE

그림 13. 확실하게 ON시키려면 충분한 양의 베이스 전류를 흘려야 한다 그림 14. ON/OFF하는 트랜지스터 회로에서 일어나는 일

IB
IC IC

비례

0
VBE 0 IB＝0 IB
VBE＝0.7V 일정 VCE
실물도 여기에 가깝다.
IB는 VBE가 0.7V로 될 때까 IC는 IB에 비례(IC＝hFEIB)하고, IB가 일정할 비례상수인 hFE의 개체 차가 크므로 별
지 흐르지 않는다 때 IC는 VCE가 변해도 일정하다 로 사용되지 않는다

(a) IB와 VBE의 관계 (b) IC와 VCE의 관계 (c) IC와 IB의 관계

IC IB
IB＝크다 전류 제한 필요

ON
ON

OFF
0
IB＝0 VBE
VCE
IB＝0 VBE＝0.7V에서 ON
・IB＝0일 때, VCE에 관계없이, OFF
IC＝0, 즉 OFF ・IB는,
・IB＝충분히 클 때 VBE ＜ 0.7V에서 OFF
IC ＜ hFEIB VBE＝0.7V에 도달하면 ON
일 경우 IC에 관계없이, IB가 ON → IC도 ON
VCE＝0, 즉 ON IB는 VBE가 0.7V에 도달하면 단락적으로 흘러나온다
컬렉터-이미터 사이에 베이스 전류를 흘리면 ON된다

(d) ON 및 OFF일 때 IC와 IB의 관계 (e) ON 및 OFF일 때 IB와 VBE의 관계

그림 12. 그린 10에 나타난 단순화 모델의 특성 (베이스 전류 IB와 컬렉터 전압 VCE/컬렉터 전류 IC의 관계를 단순화하여 생각한다)

월간 전자기술 2012 12 51
기술특집 그림으로 배우는 전자회로의 기초 (Ⅱ)

베이스 전류 IB는 이미터 전류를 수십～수백의 전류증폭률 녀(PNP에서는 미남)에게 끌려 이미터에서 컬렉트로 많은 남
hFE로 나눈 작은 값이므로, 이미터 전류의 변화가 베이스 전 성(PNP에서는 여성)이 흘러내려 온다. 안에 있는 사람은 밖
류에 미치는 영향은 거의 없다. < > 의 회로를 모르므로 다리 3개의 상대 관계가 변하지 않으면
동작이 같다.
베이스 접지 회로는 이러한 느낌으로!
1. 트랜지스터 안에서는 회로에 대해 신경쓰지 않는다 2. 회로가 달라도 트랜지스터는 같은 동작!
트랜지스터 안에서는 언제나 그림 17과 같이 똑같은 일이 트랜지스터를 사용한 증폭 회로의 기본은 이미터 접지 증
일어나고 있다. NPN 트랜지스터에서는 베이스에 나타난 미
VCC
ICVCE가 열로 된다
발진 대책
수십～수백Ω IC

발진하기 쉬우므로
VCE
저항을 넣는다
VBE
출력을 쇼트하면 베이스에도
RE 과대 전류가 흐른다

트랜지스터의 전류 증폭 작용에 의해 I2가 크게 변화해도 입력 신호가 없어도

I1은 거의 변하지 않는다 컬렉터 전류는 흘려
둔다
hFE는 수십～수백

출력 전압(이미터의 전위)은 베이스의 전위에 대해 0.7V 정도 낮다 베이스-이미터간 전압은 품종에 따라 다르며,

동작 시 전류의 크기에 따라서도 다르다
－2mV/℃의 온도 특성도 있다
그림 15. 이미터 폴로어의 베이스 전류(입력 전류)와 이미터 전류
(출력 전류)의 관계 그림 16. 실제 이미터 폴로어의 구성 및 동작

게이트(베이스) 전류 제로에서도 ON되는 트랜지스터‘MOSFET’

그림 A는 MOSFET이라고 하는 트랜지스터 모델이다. 바이폴 프로서 동작할 수 있는 시간)이 길어져 발진하거나 손실이 증가
러 트랜지스터는 베이스에 가해지는 전류의 크기를 변화시켜 컬 한다.
렉터 전류를 제어하지만, MOSFET은 게이트에 가해지는 전압의
크기를 변화시켜 드레인 전류를 제어한다. 게이트에 전압을 가 D D
ID
하거나 가하지 않는 간단한 제어로 ON/OFF 스위치로 사용할 수 ID＝gfsVGS
Crss
있는 것이다. 바이폴러 트랜지스터가 필요한 베이스 전류(게이 VDS G
G
Ciss
VGS
트전류)는0A면된다.
S S
스위치가 ON되지 않는 경계가 되는 게이트 전압(게이트 임계
D
값 전압이라고 한다)은 3V일 수도, 또한 4V일 수도 있다. 제품에
따라다르다.
게이트는유전체를끼워다른전극과절연되어있으며콘덴서 S
게이트-소스 사이에 MOSFET
와 같은 성질을 나타내므로, 게이트에 전압을 가한 직후나 0V로 고유의 전압(게이트 임계값 전
압)을 가하면 드레인-소스 사
한직후에는큰충전전류나방전전류가흐른다. 이가 ON 상태로 된다 VGS＞Vth에서 ID가 흘러나온다
게이트에 가하는 ON/OFF 신호 전환 시간이 길면 MOSFET이
리니어로 동작하는 기간(스위치가‘절반 열린 상태’
로 되어 앰 그림 A. MOSFET은 VGS ＞ Vth에서 ON하는 스위치

52
 EE
폭 회로이지만, 교과서에서는 트랜지스터 1개를 사용한 회로 림 18(d)이다. 지금까지는 트랜지스터 안에 있는 사람들이 눈
로서 베이스 접지 회로도 소개되고 있다. 회로 이름이 다른 치 채지 못하게 베이스 접지처럼 되었다.

Technical Feature
것은 특징이 다르기 때문이지만 트랜지스터의 동작은 같다. (2) 작은 신호를 무시하면…
트랜지스터 안에 있는 사람이 눈치 채지 못하게 회로를 변경 컬렉터 측 Vin은 Vout에 대해 소진폭이라는 것을 무시해 본
해 봄으로써 그것을 확인해 보자. 다. 이어서 컬렉터 측 Vbias도 떼어내고 VC2＝VC－Vbias로 하여
IC≒IC2로 한다. 이렇게 하면 그림 18(e)과 같이 베이스 접지로
3. 안에 있는 사람이 눈치 채지 못하도록 이미터 접지를 된다. 이미터 접지와 베이스 접지 모두 트랜지스터 동작이 같
베이스 접지로 해본다
(1) 접지 위치를 바꿔 신호 부여 방법을 바꿔 본다
그림 18(a)은 이미터 접지 회로를 나타낸 것이다. 베이스 예쁜 애가
있대?
전류에 대해 전류 증폭 배율(hfe)된 컬렉터 전류가 흐르고 있 우와!
우와!
다. 이미터에 연결된 접지 마크를 베이스로 이동하여 그림
18(b)과 같이 베이스에 접지해 본다. 작은 베이스 전류에 큰
(hfe배) 컬렉터 전류가
트랜지스터 다리 3개의 전류와 전압의 관계는 이미터 접지 흐른다
와 다를 것이 없으므로, 트랜지스터 안에 있는 사람은 베이스
가 접지된 것을 눈치 채지 못하고 있다.
베이스
이어서 그림 18(c)과 같이 컬렉터 측에 베이스와 같은 신호
원을 추가하여 접지한다. 아직 이미터 접지와 동일한 전류 관 이미터 컬렉터

계이다.
입력 신호원을 완전히 돌려 이미터 측으로 이동한 것이 그 그림 17. 트랜지스터 3개의 각 단자 기능을 만화로 표현하면 이와 같다

베이스를 0V로 베이스

했기 때문에 이 접지 베이스에 있
쪽이 마이너스 는 것과 같은
인 바이어스, 신호원 추가
원래와 반대의
진폭으로 된다
이미터를
접지하고
있다

베이스 전류(IB)×전류증폭률(hfe) 베이스 전류(IB)×전류증폭률(hfe) 아직 베이스 전류(IB)×전류증폭률(hfe)

＝컬렉터 전류(IC) ＝컬렉터 전류(IC)인 관계는 변함이 없다 ＝컬렉터 전류(IC)인 관계에는 변함이 없다

(a) 이미터 접지 회로 (b) 베이스를 접지한다 (c) 컬렉터 측 VC에 Vbias와 －Vin 추가

입력 전류는
IB
출력 출력
입력

입력 전류는 비교
입력을 이미터
IB＋IC2
측으로 이동
Vout보다 입력
작으므로 컬렉터의
이렇게 해도 베이스 전류(IB)×전류증폭률(hfe) 무시한다 Vin
＝컬렉터 전류(IC)인 관계에는 변함이 없다

(d) 이미터 측으로 입력 이동 (e) 베이스 접지 회로 (f) 이미터 접지 회로의 입출력

그림 18. 이미터 접지 회로를 베이스 접지 회로로

월간 전자기술 2012 12 53
기술특집 그림으로 배우는 전자회로의 기초 (Ⅱ)

컬렉터-베이스간 용 출력 출력
량(미러 용량)을 경
출력
유하여 컬렉터 진폭
이 베이스 측으로
되돌아가 베이스 진
폭을 소거한다 전압 진폭이 작
으므로 베이스로
되돌아가는 진폭
이 작아진다
입력

(a) 이미터 접지는 주파수 특성이 나쁘다 (b) 베이스 접지를 추가하면 미러 용량의 영향이 작아져 (c) 실제 회로 구성
주파수 특성이 늘어난다

그림 19. 베이스 접지 회로의 응용‘캐스코드 회로’… 이미터 접지 증폭 회로의 주파수 특성이 늘어난다

다는 것을 알 수 있었을 것이다. 5. 베이스 접지 회로를 어디에 사용할 수 있을까?

4. 안에 있는 사람은 같은 일을 하고 있지만 밖에서 보면…
회로는 어느 사이에 베이스 접지로 됐지만, 트랜지스터적
으로 IB와 IC2의 관계는 그림 18(a)의 이미터 접지인 경우와 거
의 동일하다. 그렇다면 밖의 회로에서는 무엇이 변한 것일까.
그림 18(e)과 그림 18(f)을 보면서 비교해 본다. 트랜지스터
입장에서는 베이스와 컬렉터간 전압차에 실려 있던 Vin이 없
어졌지만, 원래 컬렉터 전압 진폭에 대해 작은 값이므로 무시
한다.
크게 바뀐 점으로는, 트랜지스터 안과 관계가 없는 바깥쪽
회로에서 입력 장소가 바뀌었다는 것을 들 수 있다. 또한 이
미터 접지에서는 IB였던 입력 전류가 IB＋IC로 증가했다. 그러
나 전압 진폭은 변하지 않았다. IC는 IB에 비해서 hfe배 큰 전
류이다.
입력 Vin에 대한 IB와 IC2의 변화는 이미터 접지일 때와 같지
만 Vout2도 이미터 접지와 같은 정도로 증폭된 진폭이 된다.
반복하지만, 트랜지스터적으로는 이미터 접지와 동일한 느낌
으로 움직이고 있다. 입력이 이미터 측에 왔을 때의 동작 특
징은 다음과 같다.
・같은 입력 진폭인데도 입력 전압이 거의 hfe배 흐르므로
입력 임피던스(전압 진폭/전류)가 낮다
・입출력 전류는 거의 같다
・입출력은 동상
・전압 증폭률은 이미터 접지와 같다
(1) 이미터 접지의 동작주파수 한계를 높일 수 있다
이미터 접지에서는 베이스 입력과 컬렉터 출력의 전압 진
폭이 역상으로 된다. 그림 19(a)와 같이 증폭된 역상 전압이
기생 용량을 통해 입력으로 되돌아오므로, 신호 주파수가 상
승함에 따라 입력이 소거되어 증폭률이 내려가 버린다. 이와
같이 반전 증폭된 출력으로 인해 기생 용량에서 입력에 피드
백이 걸려 접지에 대한 용량보다 큰 부하가 되는 것을 미러
용량이라고 한다.
그림 19(b)와 같이 베이스 접지를 컬렉터 측에 접속하면 이
미터 접지의 컬렉터 전압 진폭을 작게 할 수 있으므로 컬렉
터-베이스간 용량을 경유하여 베이스로 되돌아가는 역상 진
폭을 작게 할 수 있다. 베이스 접지의 컬렉터-베이스 사이에
도 동일한 기생 용량이 있지만 베이스는 접지되어 있으므로
출력 저항 RL과 기생 용량의 적분 회로로만 된다. 이미터 접
지 위에 베이스 접지 회로를 조합시키는 접속 방법을 캐스코
드 접속이라고 한다. 그림 19(c)의 회로 예에서는 동작 점을
정하기 위해 저항에 의한 분압 회로를 이용했다. C1은 베이스
전류의 변화에 따라 설정 전압이 변하지 않도록 하기 위한 커
패시터로, AC 접지라고 한다. < >
첨단이 만드는웹 매거진 포털
www.hellot.net

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