Professional Documents
Culture Documents
مبدأ تضخيم الاستطاعة - الحصة 1 و الحصة 2
مبدأ تضخيم الاستطاعة - الحصة 1 و الحصة 2
-1ﻣﻘﺪﻣﺔ :
ﻓﻲ اﻟﻌﺪﯾﺪ ﻣﻦ اﻟﺪارات اﻟﻜﮭﺮﺑﺎﺋﯿﺔ و اﻻﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺔ ﻻ ﺳﯿﻤﺎ أﺟﮭﺰة اﻟﺒﺚ و اﻻﺳﺘﻘﺒﺎل و ﺑﻌﺾ أﺟﮭﺰة اﻟﻘﯿﺎس ﺗﺴﺘﻘﺒﻞ إﺷﺎرات
ﺿﻌﯿﻔﺔ اﻟﺴﻌﺔ و ﻻﺳﺘﻐﻼﻟﮭﺎ ﯾﺠﺐ ﺗﻀﺨﯿﻤﮭﺎ ﻟﻜﻦ ﻓﻲ ﺑﻌﺾ اﻟﺤﺎﻻت ﺗﺒﻘﻰ ھﺪه اﻻﺳﺘﻄﺎﻋﺔ ﻏﯿﺮ ﻛﺎﻓﯿﺔ ﻟﺘﺸﻐﯿﻞ اﻟﺤﻤﻮﻟﺔ .
ﻣﺜﺎل :اﻻﺷﺎرة اﻟﺼﺎدرة ﻋﻦ ﻣﯿﻜﺮوﻓﻮن ﺑﻌﺪ ﺗﻀﺨﯿﻤﮭﺎ ﻻ ﯾﻤﻜﻦ أن ﺗﺸﻐﻞ ﻣﻜﺒﺮ اﻟﺼﻮت ﻟﺪا وﺟﺐ اﺳﺘﻌﻤﺎل طﺎﺑﻖ أﺧﺮ
ﻟﻠﺘﻀﺨﯿﻢ دوره ﺗﻮﻓﯿﺮ اﻻﺳﺘﻄﺎﻋﺔ اﻟﻜﺎﻓﯿﺔ.
ﻣﻜﺒﺮ ﺻﻮت
ﯾﺒﯿﻦ اﻟﺸﻜﻞ اﻵﺗﻲ اﻟﺘﺼﻤﯿﻢ اﻟﻤﺒﺪﺋﻲ ﻟﻄﺎﺑﻖ ﻣﻀﺨﻢ.
اﻟﺘﻐﺪﯾﺔ اﻟﻤﺴﺘﻤﺮة
Alimentation : Pfاﻻﺳﺘﻄﺎﻋﺔ اﻟﻤﻮﻓﺮة ﻣﻦ طﺮف اﻟﺘﻐﺬﯾﺔ
: Pdاﻻﺳﺘﻄﺎﻋﺔ اﻟﻀﺎﺋﻌﺔ ﺑﻤﻔﻌﻮل ﺟﻮل
Pf
ﻓﻲ اﻟﻤﻀﺨﻢ
Pc Pu : Puاﻻﺳﺘﻄﺎﻋﺔ اﻟﻤﻔﯿﺪة )اﻟﻤﻨﺘﺠﺔ(.
إﺷﺎرة اﻟﺘﺤﻜﻢ طﺎﺑﻖ ﺗﻀﺨﯿﻢ اﻟﺤﻤﻮﻟﺔ
Commande Amplificateue Charge : Pcاﺳﺘﻄﺎﻋﺔ اﻟﻤﺴﺘﻘﺒﻠﺔ ﻓﻲ ﻣﺪﺧﻞ اﻟﻤﻀﺨﻢ
Pd
ﺣﺴﺐ ﻣﺒﺪأ ﺣﻔﻆ اﻻﺳﺘﻄﺎﻋﺎت ﻟﺪﯾﻨﺎ :
𝒅𝒅𝑷𝑷 𝑷𝑷𝒄𝒄 + 𝑷𝑷𝒇𝒇 = 𝑷𝑷𝒖𝒖 +
-2ﺣﺴﺎب اﻟﻤﺮدود :
اﻻﺳﺘﻄﺎﻋﺔ اﻟﻤﻔﯿﺪة )اﻟﻤﻨﺘﺠﺔ( :
و ھﻲ اﻻﺳﺘﻄﺎﻋﺔ اﻟﺘﻲ ﯾﻮﻓﺮھﺎ طﺎﺑﻖ اﻟﺘﻀﺨﯿﻢ ﻟﻠﺤﻤﻮﻟﺔ
اﻻﺳﺘﻄﺎﻋﺔ اﻟﻤﻤﺘﺼﺔ ﻣﻦ طﺮف ﻣﻀﺨﻢ اﻻﺳﺘﻄﺎﻋﺔ:
اﻻﺳﺘﻄﺎﻋﺔ اﻟﻜﻠﯿﺔ اﻟﺘﻲ ﯾﻤﺘﺼﮭﺎ ﻣﻀﺨﻢ اﻻﺳﺘﻄﺎﻋﺔ ﻣﻦ ﻣﺼﺪري اﻟﺘﻐﺬﯾﺔ
𝒇𝒇𝑷𝑷 𝑷𝑷𝒂𝒂 = 𝑷𝑷𝒄𝒄 +
𝒇𝒇𝑷𝑷 = 𝒂𝒂𝑷𝑷 ⇒ 𝒄𝒄𝑷𝑷 ≫ 𝒇𝒇𝑷𝑷
اﻟﻤﺮدود:
ﯾﻤﺜﻞ ﻣﺮدود اﻟﻤﻀﺨﻢ اﻟﻨﺴﺒﺔ ηﺑﯿﻦ اﻻﺳﺘﻄﺎﻋﺔ اﻟﻤﻔﯿﺪة ) Puاﻟﻤﺴﺘﮭﻠﻜﺔ ﻣﻦ طﺮف اﻟﺤﻤﻮﻟﺔ( و اﻻﺳﺘﻄﺎﻋﺔ اﻟﻤﻤﺘﺼﺔ
. Pa
𝒖𝒖𝑷𝑷
= 𝜼𝜼
𝒂𝒂𝑷𝑷
Ic
Icmax
ﻣﺴﺘﻘﯿﻢ اﻟﺤﻤﻮﻟﺔ
اﻟﺴﻜﻮﻧﻲ
Q
Vce
Vcc
اﻟﻤﺒﺪأ :
ﻧﺴﺘﻌﻤﻞ ﻓﻲ ھﺬه اﻟﺪراﺳﺔ ﺗﺮﻛﯿﺐ ﺑﻤﻘﺤﻠﯿﻦ ﻣﺘﻜﺎﻣﻠﯿﻦ ،ﺑﻤﻌﻨﻲ ﻣﻘﺤﻞ ﻣﻦ ﻧﻮع NPNو ﻣﻘﺤﻞ ﻣﻦ ﻧﻮع PNP
) ﻣﺘﻤﺎﺛﻠﯿﻦ ﻓﻲ اﻟﺨﺼﺎﺋﺺ( ﯾﻌﺮف ھﺬا اﻟﺘﺮﻛﯿﺐ ﺑﺎﺳﻢ "اﻟﺘﺮﻛﯿﺐ دﻓﻊ – ﺟﺬب" ). (Push – Pull
ﻓﻲ ھﺬا اﻟﺼﻨﻒ ﻣﻦ اﻟﻤﻀﺨﻤﺎت ﯾﻜﻮن ﻣﻄﺎل ) ﺳﻌﺔ ( اﻹﺷﺎرة اﻟﻤﺮاد ﺗﻀﺨﯿﻢ اﺳﺘﻄﺎﻋﺘﮭﺎ ﻛﺒﯿﺮة ،ﻟﺬا ﯾﺠﺐ ﺗﻀﺨﯿﻢ
اﻻﺳﺘﻄﺎﻋﺔ ﻋﻦ طﺮﯾﻖ ﺗﻀﺨﯿﻢ اﻟﺘﯿﺎر ﻓﻘﻂ .
ﻧﺴﺘﻌﻤﻞ ﺗﺮﻛﯿﺐ ذﻓﻊ و ﺟﺬب ﯾﺤﺘﻮي أﺳﺎﺳﺎ ﻋﻠﻰ ﻣﻘﺤﻠﯿﻦ ﻣﺘﻜﺎﻣﻠﯿﻦ ﺗﺮﻛﯿﺐ ﺗﺎﺑﻊ ). (Av=1
ﻣﻘﺤﻞ ﺛﻨﺎﺋﻲ اﻟﻘﻄﺐ ﻣﻦ ﻧﻮع NPNﯾﻘﻮم
ic1 ﺑﺘﻀﺨﯿﻢ اﺳﺘﻄﺎﻋﺔ اﻟﻨﻮﯾﺔ اﻟﻤﻮﺟﺒﺔ.
ib1 ﻣﻘﺤﻞ ﺛﻨﺎﺋﻲ اﻟﻘﻄﺐ ﻣﻦ ﻧﻮع PNPﯾﻘﻮم
T1 Vce1 Vcc ﺑﺘﻀﺨﯿﻢ اﺳﺘﻄﺎﻋﺔ اﻟﻨﻮﯾﺔ اﻟﺴﺎﻟﺒﺔ.
إذن زﻣﻦ ﺗﺸﻐﯿﻞ ﻛﻞ ﻣﻘﺤﻞ ھﻮ ﻧﺼﻒ دور )(T/2
ie is RL
𝑒𝑒𝑏𝑏𝑣𝑣 𝑣𝑣𝑒𝑒 − 𝑣𝑣𝑏𝑏𝑒𝑒 − 𝑣𝑣𝑠𝑠 = 0 ⇒ 𝑣𝑣𝑒𝑒 = 𝑣𝑣𝑠𝑠 +
Vbe 𝑠𝑠𝑣𝑣
Vs
Ve = 𝑠𝑠𝑖𝑖
T2 Vce2 𝐿𝐿𝑅𝑅
ib2 Vcc
ic2
.1ﺗﺤﻠﯿﻞ إﺷﺘﻐﺎل اﻟﺘﺮﻛﯿﺐ :ﻧﻔﺮض أن اﻟﻤﻘﺎﺣﻞ ﻣﻦ اﻟﺴﯿﻠﯿﺴﯿﻮم و ﺑﺎﻟﺘﺎﻟﻲ :
Vbe= 0,6Vﻣﻦ أﺟﻞ ﻣﻘﺤﻞ ﻣﻦ ﻧﻮع NPNو Vbe= -0,6Vﻣﻦ أﺟﻞ ﻣﻘﺤﻞ ﻣﻦ ﻧﻮع PNP
ic1 T1 : −𝑪𝑪. 𝟔𝟔𝟔𝟔 < 𝐯𝐯𝐞𝐞 < +𝑪𝑪. 𝟔𝟔𝟔𝟔 و T2ﻓﻲ ﺣ�ﺎل ﺣﺼ�ﺮ ←
ib1 is = 0 ; Vs = 0
T1 Vce1 Vcc T1 :𝐯𝐯𝐞𝐞 > 𝑪𝑪, 𝟔𝟔𝟔𝟔 ﻧﺎﻗﻞ و T2ﻣﺤﺼﻮر
ie Vbe is RL
𝑒𝑒𝑏𝑏𝑣𝑣 𝑣𝑣𝑒𝑒 − 𝑣𝑣𝑠𝑠 − 𝑣𝑣𝑏𝑏𝑒𝑒 = 0 ⇒ 𝑣𝑣𝑒𝑒 = 𝑣𝑣𝑠𝑠 +
Vs
Ve T2 𝑠𝑠𝑣𝑣
Vcc = 𝑠𝑠𝑖𝑖
𝑅𝑅
T1 :𝐯𝐯𝐞𝐞 < −𝑪𝑪, 𝟔𝟔𝟔𝟔 ﻣﺤﺼﻮر و T2ﻧﺎﻗﻞ
ﺗﺸﻮھﺎت
ﻣﻼﺣﻈﺔ :اﻟﺘﺸﻮھﺎت و ﻣﻌﺎﻟﺠﺘﮭﺎ
𝒃𝒃𝒃𝒃𝒗𝒗 < 𝒃𝒃𝒗𝒗 < 𝒃𝒃𝒃𝒃𝒗𝒗 −اﻟﻤﻘﺤﻠﯿﻦ ﻓﻲ ﺣﺎﻟﺔ ﺣﺼﺮ وﺑﺎﻟﺘﺎﻟﻲ is = 0إذا ﺗﯿﺎر اﻟﺨﺮوج ﻟﯿﺲ ﺟﯿﺒﻲ ،و ﺑﺎﻟﺘﺎﻟﻲ ﻧﻼﺣﻆ وﺟﻮد
ﺗﺸﻮھﺎت ﻓﻲ اﻟﺘﻘﺎطﻊ )(Distorsion de Croisementﻋﻠﻰ إﺷﺎرة اﻟﻤﺨﺮج ﻛﻤﺎ ﻣﻮﺿﺢ ﻋﻠﻰ اﻟﺸﻜﻞ.
ﯾﻌﻮد اﻟﺘﺸﻮه اﻟﻤﻼﺣﻆ إﻟﻰ ﺗﻮﺗﺮ اﻟﻌﺘﺒﺔ ﻟﻠﻮﺻﻠﺔ ﻗﺎﻋﺪة – ﺑﺎﻋﺚ ) (B-Eﻟﻠﻤﻘﺤﻞ و ﯾﺴﺎوي ھﺬا اﻟﺘﻮﺗﺮ 0,6 Vﻓﻲ ﺣﺎﻟﺔ ﻣﻘﺤﻞ
ﻣﻦ اﻟﺴﯿﻠﯿﺴﯿﻮم و 0,3 Vﻓﻲ ﺣﺎﻟﺔ ﻣﻘﺤﻞ ﻣﻦ اﻟﺠﺮﻣﺎﻧﯿﻮم.
ﻟﻠﺘﺨﻠﺺ ﻣﻦ اﻟﺘﺸﻮه ﻋﻠﻰ إﺷﺎرة اﻟﻤﺨﺮج ،ﻧﻠﺠﺄ إﻟﻰ إﺑﻌﺎد ﻧﻘﻄﺔ اﻟﺴﻜﻮن ﻗﻠﯿﻼ ﻋﻦ ﻧﻘﻄﺔ اﻟﺤﺼﺮ ﺑﺤﯿﺚ ﯾﻜﻮن اﻟﻤﻘﺤﻠﯿﻦ ﻧﺎﻗﻠﯿﻦ
ﻣﻦ أﺟﻞ ﺗﻮﺗﺮ ﻓﻲ اﻟﻤﺪﺧﻞ ﻣﻌﺪوم.
اﻟتر�یب اﻟثﺎﻨﻲ اﻟتر�یب اﻷول
R R
Vce1 Vcc
I T1 Vce1 Vcc T1
R
R1 Vbe1 R ie D1 Vbe1 is
ie is
Vbe2 D2 Vbe2
R2 Vs Vs
T2 Vce2 Vcc
T2 Vce2 Vcc Ve
Ve
R
R
ﺗﺤﺴﺐ اﻟﻤﻘﺎوﻣﺎت ﺑﺪﻗﺔ ﺑﺤﯿﺚ ﯾﻜﻮن اﻟﺘﻮﺗﺮ ﺑﯿﻦ طﺮﻓﻲ اﻟﺜﻨﺎﺋﯿﺎت D1و D2ﻣﻤﺎﺛﻠﺔ ﻟﻠﻤﻘﺎﺣﻞ ) Siأو .( Ge
اﻟﻤﻘﺎوﻣﺘﯿﻦ R1و R2ﻣﺴﺎوﯾﺎ ﻟﺘﻮﺗﺮ اﻟﻌﺘﺒﺔ ﻟﻠﻤﻘﺤﻠﯿﻦ. ﺗﻮﺗﺮ اﻟﻌﺘﯿﺔ ﻟﻠﺜﻨﺎﺋﯿﺎت ﯾﺴﺎوي ﺗﻮﺗﺮ اﻟﻌﺘﺒﺔ VBEQﻟﻠﻤﻘﺎﺣﻞ.
و ﻣﻨﮫ Vs𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠 = Vcc 𝑎𝑎𝑠𝑠Is𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠 = Ics ﺗﻜﻮن ھﺪه اﻻﺳﺘﻄﺎﻋﺔ أﻋﻈﻤﯿﺔ ﻣﻦ أﺟﻞ
𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐2
𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠Pu =
𝐿𝐿𝑅𝑅 2.
اﻻﺳﺘﻄﺎﻋﺔ اﻟﻤﻮﻓﺮة ﻣﻦ طﺮف اﻟﺘﻐﺬﯾﺔ :
Pa = Vcc . Ismoy ﺧﻼل ﻧﺼﻒ دور :
Pa = 2. Vcc . Ismoy ﺧﻼل دورة ﻛﺎﻣﻠﺔ :
Ismax Vsmax
= Ismoy =
π 𝐿𝐿𝑅𝑅 π.
2. 𝑉𝑉𝑐𝑐2𝑐𝑐
𝑃𝑃a =
π. 𝑅𝑅𝐿𝐿
2
𝑉𝑉𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠 : ﺣﺴﺎب اﻟﻤﺮدود
𝑃𝑃𝑢𝑢 2. 𝑅𝑅𝐿𝐿 𝜋𝜋. 𝑉𝑉𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠
η= = =
𝑃𝑃𝑠𝑠 2. 𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 . 𝑉𝑉𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠 4. 𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐
𝜋𝜋. 𝑅𝑅𝐿𝐿
Vs𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠 = Vcc و ﻣﻨﮫ Is𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠 = Ics𝑠𝑠𝑎𝑎 ﺗﻜﻮن ھﺪه اﻻﺳﺘﻄﺎﻋﺔ أﻋﻈﻤﯿﺔ ﻣﻦ أﺟﻞ
𝜋𝜋
𝜂𝜂𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠 = = 0,785
4
ﻣﻤﯿﺰات ﺗﻘﻨﯿﺔ
ﻣﻘﺎﺣﻞ إﺳﺘﻄﺎﻋﺔ
BD 135 NPN VCEmax= 45v ICmax = 1.5A PMAX= 12.5 w
BD 134 PNP VCEmax= 45v ICmax = 1.5A PMAX= 12.5 w
2N3055 NPN VCEmax= 60v ICmax = 15A PMAX= 117 w
BDX18 PNP VCEmax= -60 v ICmax = -15A PMAX= 117 w
ﻣﻘﺎﺣﻞ ﻋﺎدﯾﺔ
2N2219 NPN VCEmax= 30 v ICmax = 800mA PMAX= 800 mw
2N2222A NPN VCEmax= 40 v ICmax = 800mA PMAX= 500mw
2N2905 PNP VCEmax= -40 v ICmax =-600mA PMAX= 600 mw
ﻧﺸﺎط :
-6
𝝅𝝅
= 𝒔𝒔𝒂𝒂𝒔𝒔𝜼𝜼 𝟏𝟏𝟖𝟖𝟕𝟕 = 𝑪𝑪,
𝟏𝟏