Professional Documents
Culture Documents
Girig 1 Calas 1: Sekil 15,1 Fark Yiikseltecinin Lok Semasi
Girig 1 Calas 1: Sekil 15,1 Fark Yiikseltecinin Lok Semasi
Girig 1 Calas 1: Sekil 15,1 Fark Yiikseltecinin Lok Semasi
Girig 1 Calas1
Giris 2 Cikis2
695
(1 ve 2) ve iki ayri cikis (3 ve 4) ucu vardir. Fark yiikseltecinin nasil uy-
gulanabilecegini anlamak icin, ilk 6nce bu uglar arasindaki iliskiyi incelememiz ge-
rekir. Girig veya ¢ikis uclari topraga gére farkli potansiyelde olabildigi icin, Sekil
15.1'deki toprak baglantisinin farkli gésterildigine dikkat edin. Gerilimler, giris ug-
larindan birine veya her ikisine birden uygulanabilir ve cikis gerilimleri, her iki ¢ikis
ucunda da gériilecektir. Bununla beraber, her iki giris ve gikis ucu arasinda gok 6zel
baz: kutup (polarite) iliskileri vardir.
Sekil 15.2'de, asagidaki incelemede kullanilacak olan temel fark yiikseltecinin —
blok ve devre semasi verilmistir. Blok semada iki giris ve iki cikis gésterilmistir. Gi-
risler iki ayri transist6riin bazina uygulamir. Ancak goriilecegi tizere, V,, ve V5 cikig
uclarinin tek ya da iki giris sinyalinden etkilenmesini saglamak igin transistérlerin
emetérleri, ortak emetér direncine baglanmistir. Cikislar, transistorlerin kollektér
uclarindan alinmaktadir. Incelemeyi kolaylastirmak acisindan giris ve ¢ikis uclari da
numaralandirilmistir. Devre semasinda iki kaynak gerilimi vardir; ve pozitif ve ne-
gatif gerilim kaynaklarinin karsit uclarinin topraga bagli gibi anlagilmasina ragmen
devre icinde hi¢ bir toprak ucu gésterilmedigine dikkat edin. Yiikselte¢, tek bir ge-
rilim kaynagiyla da calisabilir.
ilk 6nce, |. uca tek bir sinyalin uygulandig1, 2. ucun ise (0 V'a) topraga bagli ol-
dugu bir fark yiikseltecinin galigmasini ele alalim. $ekil 15.3'de 1. ugtaki V;, giris
TL!
Vi
(a)
i ae: 1
=eae
‘ .
(a) 5 Ki, sinyali
(b)
A
ve tersine cevrilmis sinyal $ er
Q)
Emetér /
izleyici etkisi Re Aym
Se burada bazdan
Ly) emetére Sl¢iilmiistiir (g6riildiigii
ea V. gibi tam zit yonde)
~Yee See aoe topraga
(c) (baza) Slgiilen gerilim
Ozet olarak, Vj, girisi, giris 1’e uygulanir ve cikig ucu 4 iizerinde biiyiiyen Vo, ile
ayn fazda yiikseltilir. 2. ugtaki giris topraklanmis olmasina ragmen, 4. ug¢ta ¢ikis
olusur. Aslinda, 1. ugtaki girisin, hem 3., hem de 4. ugta gikis sinyaline neden
aa 3— wean
ioe 5
a
Vv,4 [ 2. 4= 4 V, es %. {|
a L
* & () U ob (»)
Simdi her bir girisin cikislar nasil etkiledigini ve olusacak ¢ikis sinyalinin neye
benzeyecegini ele almamuz gerekir. Bunu, her bir girisi, diger giris 0 V'tayken ayri
olarak uygulamyor gibi diistiniip sonucta her bir ucta olusan gerilimi toplamak
(a) (b)
ee 2V
Ge
Sekil 13.7 Yiiseltecin farkli_ giris-
lerle caligmasi: (a) Vj.=0; (b)V,,=0:
(c) Her iki giris de sifirdan farkl.
(c)
700 Béliim 15.1 Temel Fark Yikselteci
Tek ve cift uglu calisma durumlarinda, galismayi tam bir perspektif iginde gérmek
igin, Sekil 15.9'daki iki fark yiikseltecinin baglantisin: ele alalim. Yukarida an-
latilanlardan, yiikselteglerin ayni (Gzdes) tek uclu kazanca sahip olmasi halinde 1.
katin cikislarinin, girislerden yiikseltecin kazanci oraninda, buna karsgilik 2. kat ¢1-
kisinin ise, 2. kata uygulanan girislerden yiikselteg kazancinin iki kati oraninda
biiyiik olacagin biliyoruz. Ornegin radyo anteninden, fonograf toplama_kar-
tusundan, vb. gelen baslangig sinyali tek ugludur ve bu sekilde kullanilir. Bununla
beraber, ikinci fark yiikselte¢ kati, kat kazancin ikiye ¢ikarmak icin iki-uclu olarak
calistirilabilir. 2. katin cikislarindan birisi (veya her ikisi de), sistemin bir sonraki
boliimii igin yiikseltilmis sinyaller tiretir. Farkli girislerle galismada egit ve ters po-
laritede sinyaller gerekmesine ragmen bu, 6zellikle tek ug girisli katin kazancindan
sonra elde edilebilmektedir.
V
Sadece V, ‘dendolay1
y 2
Fan ll ae
VV
po t——*,
nN, ft Sadece lies dolay1
Vy
Sadece V, ‘den dolay1
1
Ki sip i 2 ] %
Veo
= +12V
Q,
1k2
Devrenin gerilim yiikselteci gibi galigmasim ele almadan Gnce, devrenin nasil Gn-
gerilimlendigine bakalim. Sekil 15.11'de, devrenin ana dc gerilim ve akim de-
ferlerini gésterir. Sadece kaynak direngleri igeren ac sinyal-kaynaklari 0 V'a ayar-
lanmistir. Q;'in baz-emet6r arasi, topraktan baslayip, Rs; direncinden, baz-emetér
jonksiyonundan ve —Ve,'ye bagli Re direncinden gegen akimin yardimiyla Ver
Ip Rg
| 20 kl
Veg =-12V
Sekil 15.1] Devrenin de éngerilim
altinda davranigi,
Emetor gerilimi,
Ve=Ve, =Vp, - Vacs ‘nie
IS iy a ae Oh
Béliim 15 Dogrusal Entegre Devreler: islemsel Yikseltecler 703
(b)
Sekil 15.12 Fark ylikselteci devresinden biliimler: (a) girig béltimii; (b) gikig béliimii.
Ie = Ve Vee (15.2)
Re
= 07-12 V) _ 11.3V 0565 mA
20kQ = 20k
Re iizerinden akan akim, her bir transistérden gelen emet6r akimlarinin toplamindan
olusur. Transistérler birbirine es segildigi taktirde her bir transist6riin emet6r akimi
Re'den tizerindeki toplam akimin yarisi olur.
Zz = ley= lt (15.3)
= 0.28 mA
ve kollekt6r gerilimi
oldugunu varsayabiliriz.
AC GiRIS BOLUMU
OQ, transistériiniin kismi ac giris esdeer devresi Sekil 15.14'de gésterilmistir. QO,
transistértiniin emetériinden bakildiginda, kiicgiik bir ac esdeger direnci vardir ve
degeri,
Reo = Rs s thi fe
2 hie dl (15.7)
he =
« ‘J
4c,
heb
en N s,s,
Rg Re, Be RG =
Sas
+
N Ys, ¥
(a)
hyel
fe +b, { BR,
Sb 29,
Ie,
(b)
Re >> Ro
olmasi halinde paralel esdegerin, $ekil 15.14a'da gésterildigi gibi yaklagik Rp, de-
gerine sahip oldugunu varsayabiliriz. Sonugta elde edilen ac esde%er devreyi kul-
lanarak ac baz akiminin degeri asagidaki gibi hesaplanir:
Vs, - V: Vee Ve
Tp, = SI Be = - 32 (15.8a)
Rs + hie + (hye + 1)R 2(Rs + hie)
I jy) = Va
"(Rs + hie) (5:88)
AC CIKIS BOLUMU
Cikigs gerilimi,
Voi = A Rey
seklinde yazilabilir.
Devrenin ac fark
Ad= __ BRe
PERE: -| ~ Re
2(Bre) 2re
Sekil 15.10'daki devre degerlerini kullanirsak
Ag a 90 x 42 kQ = 370.6
2(1 kQ + 4.1 kQ
sonucunu buluruz.
GIRIS$ DIRENCi
ORNEK 15.1
Re, = Rey = 36kQ, Re = 18kQ, hy = B = 120, hie = 10kQ ve Rs, = 1.2 kQ de-
gerleri igin Sekil 15.10'daki fark yiikseltecinin fark kazancim (Aq), giris direncini
(Rj) ve cikis direncini (R,) hesaplayin.
Cozum:
ORNEK 15.2
Céziim:
iw Ve - Vee 19.3 V « 1.93 mA
Re 10 kQ
r= 26=_26 = IT Q
Te 0.965
Cozum:
Ae “Ro |
3
|- 133.3
2re 2(90)
Bir 6nceki devre incelemesinde dikkat edilmesi gereken 6nemli_ bir nokta,
Re, << Rg olmasi halinde Re degerinin ¢ok biiyiik ve ihmal edilebilir olmasidir. As-
linda, RX, degeri ne kadar biiyiikse, bir fark yiikselteci devresinin bazi 6zellikleri de o
kadar iyi olur. R,'nin cok biiyiik olmasinin temel nedeni, 15.3. Béliimde ayrintila- |
riyla incelenecek olan ve ortak isareti bastirma adi verilen bir devre fakt6riidiir.
De 6ngerilim hesaplari, emetér (ve dolayisiyla kollekt6r) akiminin kismen, Rg
deferiyle belirlendigi géstermektedir. Ornegin Veg = - 20 V gibi sabit bir negatif ge-
rilim kayna& olmasi durumunda 10 kQ'luk bir Re degeri, emetér direng akimuini asa-
sidaki oranda simrlayacaktrr:
Ips VEE=20V_=2mA
Re 10kQ
Tercihen Re = 100 kQ gibi daha biiyiik bir deger kullanilmasi halinde emetér di-
rencinden gecen de akiminin degeri séyle olacaktir:
Ip = VEE = 20V_=0.2mA=200 pA
Ig = 20N_=20 pA
1 MQ
Direng kullanilan bir sabit akim kaynagi Sekil 15.16'da gésterilmistir. Istenen
sabit akim, /¢ kollektér akimdir ve R}, Ro, Re direngleri ve Veg kaynagiyla
ayarlanur.
Sabit akim kaynagi ne kadar iyi calisirsa. Jc de bagh bulundugu devreden
o kadar az
etkilenecektir.
tc
Ve=Vp-0.7V (15.13)
Bu deer ne kadar biiyiik olursa, sabit akim kaynagi olarak devrenin caligmasi da o
kadar iyi olur.
I
aaa
I,
> >
$
$ h ie hy}
fet > ag
Noe
, +R,
SRillR2
>
| ed
C
Coziim: Ve ee
ee aa ee
Ri + Ro 5.1kQ+5.1kQ
Ve = Vp - 0.7 V =-10 V-0.7 V=-10.7 V
— Ve- Veg _ -10.7 V - (-20 V) -93V
le
RE 2kQ 2kQ
= 4.65 mA=/ :
fe: hye RE
Re + hie + Ri |\Ro
—_:1002kQ) | _ 406 Ma
2kQ
+ 0.5 kQ + 21 ke
hy = 100
hy. = 1/100 k®
h, = 5002
——
| Moss)
Ry
= Veg = 0V
Ver
Sekil 15
ekil 15.20 Kanal ayarlamali
Sekil 15,19 Zener diyot kullanilan sabit akim d i. JFET'li sabit akim kaynaé.
JFET veya kanal ayarlamali MOSFET miikemmel bir sabit akim kaynagi salar.
FET chemammn Vos = © NV olacak sekilde Ongeriimienmesi halinde sabi akim,
FET'in [pss akimina ayarlanir. Sekil 15.20, sabit akim kaynagi devresinin ne kadar
basit olabileceGini gosterir.
Rh |
=
le} %. Ss Q2 2
Qi Q
I Sekil 15.21 1C Sabit akim kay-
= —, naklan: (a) algak akim degerleri
= icin; (b) yiiksek girig empedansh
(a) (b) sabit akim kaynagt.
Tir =
Vec —2VzE =lct+Tlp (15:21)
R
ve Q), Qo, Q3 es transistérler igin gikig akami
Boéylece ¢ikig akimi, Vcc gerilimi, R direnci ve transistérlerin baz emetér arasi ge-
rilim diisiimiiyle belirlenir.
IC Devre Teknikleri
Tek bir IC yongasi iizerine bir islemsel yiikseltecin cesitli kisimlarini yerlestirilmesi,
bir dizi devre tekniZinin kullanilmasini gerektirir; bu tekniklerde istenen islevi saglamak
igin cogunlukla transist6r elemanlar: kullanilir ve direng sayist_ ve degerleri diisiik tu-
tulur. Kondansatérlerin sayisi kadar degerleri de diisiik tutulur. Genel IC devresinin daha
iyi anlagilmasi acisindan asagida temel devre parcalar: anlatilmisuir.
+Voc
Q)
> s
DR, Ri
+ ¢
KY, Vonor Voncr
- 2 SR
$% : % 2°
|
(a) fp)
dekil 15.22 De Sngerilim veya referans geriliminin gelistirilmesi: (a) temel éngerilim devresi;
(b) sicaklik dengelemeli éngerilim devresi.
Giris ve cikig kat: arasinda arabaglanti veya kondansator baglamanin getirdigi ki-
sitlamalar olmaksizin katlart birbirine baglamak icin, bir gerilim diizeyi kaydirma
devresi kullanmak gerekir. Sekil 15.24'te, giris ve gikis arasinda de diizey kaydirma
saglayan birkag tipik devre verilmistir. Sekil 15.24a'da, R, direncinin belirledigi ok
kigin ve Q> transistérii tizerinde belirlenen akimin diisiik de diizeyi diginda, cikis ge-
rilimi giris gerilimini izleyecektir. Sekil 15.24b'deki devrede giris ve gikis ara-
sindaki gerilim diigiimii, temelde Zener diyot gerilimi (ve Q, transist6riiniin baz-
emetor arasi gerilim diistimii degeri) ile belirlenir.
+Voc
CIKIS KATI
Cikis katlars; girisler istenen cikis gerilim deSerine yiikseltildikten sonra, yiikii sii-
rebilecek bir sinyal saglamak icin kullanilir. Sekil 15.25 bazi gikig kati devrelerini
gésterir. Sckil 15.25a'da verilen devre, sadece klasik bir emetér izleyicidir; Sekil
15.25b'de ise, IC yongasinin kiiciik bir pargasim kullanarak biiyiik RK, deSeri sa8-
a
lamak icin, Ry yerine akim kaynaginin konuldugunu gosterir. Sekil 15.25c'deki cikis
devresi. ¢ikisin akim akitmasi ve ¢ekmesini saglayan, diyot tizerinden 6ngerilim-
jenmis siiriiciiyii igerir. Sekil 15.25d'de transistér Sngerilimi kullanan tam bir cikis
siiriiciisii verilmistir. Son olarak Sekil 15.25e'de verilen devre, Sekil 15.25c'deki
devrenin, ¢ikiga kisa devre korumasi eklenen deSisik bir diizenlemesidir.
oa Ver
(a)
—
34 |
A; Ve
il 1
(b)
Sekil 15.26 Fark ve ortak igaretle galigma: (a) ideal farkl: igaretli galigma; (b) ideal ortak igaretli caligma.
Va=Vi,-Vi, (15.23)
Genel olarak giris sinyallerinin ortak bilesenleri olabilir. Ortak bir girisi asagidaki
gibi tanimlayabiliriz:
(15.23) ve (15.24) denklemlerinden, V, ve V,'ye baghi olarak V;, ve V;, igin agagidaki
ifadeleri elde edebiliriz:
— Va
May Ves (15.25a)
Vip = Ve = Va (15.25b)
2
Bu durumda gikis gerilimleri s6yle ifade edilebilir:
Burada A, = giris ucu I'den gikis ucu 3'e negatif gerilim kazancidir (girig ucu 2 top-
raklanmis).
A> = giris ucu 2'den cikis ucu 3'e pozitif gerilim kazancidir (giris ucu | top-
raklanmis).
Yiikseltecin fark ve ortak isaretli ¢alismasinin dikkate alinmasi daha 6nemlidir,
ciinkii bu, devrenin ortak isareti ne 6lgiide bastiracagini belirler. Yiikseltecin ¢a-
lismasinin incelenmesindeki bu ikinci yol, asagidaki gibi ifade edilen bir cikis ge-
rilimi verir:
Y
a
;ve V,. sirayla (15.23) ve (15.24) denklemlerde tanimlanmistr.
ve (15.24) denkleminden
Vi =2 AgV
bu da, sadece fark isaretli galisma oldugunu (ve toplam kazancin Ay deSerinin iki
kati oldugunu) gésterir.
Eger girisler birbirine esit ve ayn: polaritede, yani; V;, = V, = Vj, ise, (15.23)
denkleminden
Va=Vi, -Vin=Ve~ V.=0
ve (15.24) denkleminden
=A.V,
CMRR = 44 (15.28a)
Cc
istenilen caligmanin, gok biiyiik Ay ve cok kiigiik A,'ye sahip olacagi agikur. Yani
ters polaritedeki sinyaller gikis ucunda biiyiik oranda yiikseltilmis olarak gGriiniirken,
ayn: polaritedeki sinyaller gogunlukla bastirilacak ve dolayisiyla ortak isaret kazanc1
A., ¢ok kiigiik olacaktr. Ideal olarak, Ay cok biiyiik ve A, sifirdir, bbylece CMMR de-
geri sonsuz olur. CMRR ne kadar biiyiikse, devrenin ortak isareti bastirmasi da o kadar
iyi olacaktr.
Cikis gerilimi igin asagidaki ifadeyi elde etmek miimkiindiir:
ORNEK 15.5
V;, = 150 nV ve V;, = 100 xv giris gerilimleri igin fark yiikseltecinin gikig ge-
rilimini bulun, Yiikselteg, Ay = 1000'lik bir fark igaret kazancina sahiptir ve
CMRR degeri sdyledir: (a) 100; (b) 105.
Ornek 15.5'den, CMRR degeri ne kadar yiiksekse, devrenin ortak giris sin-
yallerini o kadar iyi bastiracagim gorebiliriz. Dolayisiyla, fark yiikselteglerinde dik-
kate alinmasi gereken Gnemli fakt6rlerden birisi de devrenin ortak isareti bastirma
oranidir.
Sekil 15.27'de ézetlendigi gibi, herhangi bir girig ve gikig ucu arasindaki fark ka-
zancl:
Burada girig ve cikig arasindaki polarite iliskisi, hangi u¢larin kullanildigina bag-
lidir.
Ortak isaret kazanci ayrica, emet6r direngli bir devre kullanilarak asagidaki gibi
hesaplanabilir:
2RE (15.31)
veya R, ¢ikis direncine sahip sabit akim kaynakli bir devre igin:
_R
ars (15.32)
~ Nie + hpere)
Sekil 15.27 Fark yukseltecleri Uzerinde fark ve ortak-igaret kazang iladelerinin gdsterilmesi,
ORNEK 15.6
Cozim:
oe he Re 2 100(5 kQ)
= 38.17
2[hiet+ (hfe + Ire] 2[1.5 kQ + 101 (50 Q)
Ac
R, = 80 kQ(101) = 8.08 MQ
Tersleyen giris
Terslemeyen giris
Ry
OT ——— a A Ae +
=
Ry a Ry 5
ipl -Yoks. ») —1— Vj 3%
+
i-
(a) (b)
Ry ww we
¥, —~wa—_4—_ et
R, R= :
Kj
yo Rize A, 44;
(c) (d)
Sekil 15.29 Islemsel yiikseltecin bir Glgek deBistirici olarak galigmasi: (a) femel bagkantist (sabit kazanch carpma
devresi); (b) islemsel yiikselteg devresinin etkisi; (c) ideal islemsel ylikselteg: (d) ideal esde®er devre.
V;, =—Re— Vi
Ri
+ Ry
Sadece -A,V; kaynagi durumunda (V, sifirken)
v;=—t vy,
AyR
Vo — -Av Vi _ -Av RV — R
Vi Vi Vi yR R\
Vi Ri (15.34)
Sonug, giristen cikisa toplam gerilim oraninin, (A,'nin ¢ok biiyiik olmasi kosuluyla)
sadece R; ve Ry direng degerlerine bagh oldugunu géstermektedir.
R,= R, ise kazang;
i
R= 2R, ise,
olur ve devre, giris sinyalinin polaritesini tersine ¢evirir ve 2 kat kazang saglar.
Ry ve R, igin tam direng degerleri segersek, genis bir kazang araligi elde ede-
biliriz; bu degerler, direng degerleri kadar tam (hassas) olur ve sicakliktan ve diger
devre faktérlerinden ¢ok az etkilenir.
Zahiri Toprak
ee
Cikis gerilimi, tipik olarak besleme gerilimi ile birkag volt degerinde sinirlanir.
Daha once de belirtildi3i gibi gerilim kazanclari cok yiiksektir. Ornegin V,, = -10 ve
A, = 10000 ise giris gerilimi;
f= Vi is Vo
Ry Ry
Ry Ry
wry wy
I I
4% ¥~ ov l,
i;=0
Vo... Re
V; R
Ay degerinin gok biiyiik olmasi kosuluna bagli zahiri toprak kavrami, toplam gerilim
kazanci hesabini basitlestirmektedir. Sekil 15.30'daki devre fiziksel bir devre olmasa
da, toplam devre kazancinin bulunabilmesinde kolaylik sa$ladigi anlasilmaktadir.