Đại học Đà nẵng

Trường Đại học Bách khoa

Khoa Điện tử-Viễn thông

HỌC PHẦN
KỸ THUẬT MẠCH ĐIỆN TỬ

1/2/2023
 CHƯƠNG 1
MÔ HÌNH TƯƠNG ĐƯƠNG
CỦA BJT VÀ MOSFET KHI TÍN HIỆU NHỎ

Tương ứng với chương 13 trong sách Microelectronic Circuit Design_Richard C. Jaeger & Travis N. Blalock
 Nội dung chương 1
 1.1. Các tham số, chế độ hoạt động ở tín hiệu nhỏ của Diode
 1.2. Cấu trúc của BJT, mô hình vận chuyển trong BJT npn
 1.3. Biểu thức chung cho các chế độ phân cực của BJT npn
 1.4. Cấu trúc của BJT pnp, biểu thức chung cho các chế độ phân cực của BJT pnp
 1.5. Phân cực, mạch khuếch đại dùng BJT, tham số khuếch đại của BJT
 1.6. Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ của BJT
 1.7. Chế độ hoạt động tín hiệu nhỏ của BJT
 1.8. Mạch tương đương AC và DC của khuếch đại dùng MOSFET
 1.9. Mô hình tín hiệu nhỏ của MOSFET
 1.10. Chế độ hoạt động tín hiệu nhỏ của MOSFET
 1.11. Mô hình tín hiệu nhỏ của JFET

Tương ứng với chương 13 trong sách Microelectronic Circuit Design_Richard C. Jaeger & Travis N. Blalock
3
1.1. Các tham số, chế độ hoạt động
ở tín hiệu nhỏ của Diode

 Hệ số góc của đường đặc tuyến của diode tại

Q-point được gọi là điện dẫn của diode và
được cho bởi công thức:

i I V


 I I
g  D  S exp D  D S
d v V
T
V
 T 
 V
T
D Q  po int
I I
g  D  D  40I For ID>>IS
d V 0.025V D
T

 Điện trở của diode được cho bởi công thức:

1
r 
d g
d

4
 1.1. Các tham số, chế độ hoạt động
ở tín hiệu nhỏ của Diode

  v   e x  exp(x)  1 x  1 x 2  1 x3  ...
 
i  I exp D 1  2 6
D S 
 V  
 T   Phân tích chuỗi
   
 V v    V  v   Maclaurin
I  i  I exp  D  
d 1  I exp D exp d  1 
D d S  V   S  V   V  
  T     T  T  

 2 3  

  v  v v  v   
 I exp
  D  1 d 
1  d  
1  d   ... 1
S  V  V 
2 V  6 V   
  T  T  T  T  
   
  2 3 
  V   v  v  v   v  
 I exp
  D  1  exp


D 
 d 1
 

d 
  
1 
d  
  ...
S V    V   V 2  V  6  V  
  T    T   T  T   T 
 

 2 3 
v  v   v  
 1   1  
i  (I  I ) d d     d   ...

d D S V  2 V   
6 V  
T T    T  
 
5
 1.1. Các tham số, chế độ hoạt động
ở tín hiệu nhỏ của Diode
 v 
2
v  
d  1  d 
Trừ hai vế của iD, V
T
2  V 
 T
 2 3 
      v  v 
v 1v  1v   d [1 1  d ]  0
i  (I  I ) 
d   d    d   ...
 V 2  V 
d D S V  
2 V  
6 V   T  T
T  T   T  
  v
d  2
V
T
v  2V  50mV
d T

v  2V  0.05V
d T

2V
Ta chọn v  T  5mV
d 10
6
 1.1. Các tham số, chế độ hoạt động
ở tín hiệu nhỏ của Diode
 v 
2
v  
Với tính tuyến tính, id tỉ lệ với vd d  1  d 
V 2  V 
Yêu cầu cho việc hoạt động ở tín T  T
v  v 
hiệu nhỏ của diode. d [1 1  d ]  0
V 2  V 
T  T
v
d  2
V
T
v  2V  50mV
d T
Trong thực tế, ta chọn:
ID ID
id  gd vd  5mV  5mV  0.2I D
VT 25mV
2V
v  T  5mV i  0.2I
d 10 d D
7
 Ví dụ 1 và 2: tính điện trở của Diode

• Ví dụ 1: Tìm các giá trị của điện trở của diode rd để một diode với IS =
1 fA hoạt động tại ID = 0,5 μA, 2 mA và 3 A

• Ví dụ 2: Tìm giá trị của điện trở của diode rd ở mô hình tín hiệu nhỏ tại
nhiệt độ phòng với ID = 1.5 mA và ở T = 100 oC.

1 VT
r  
d g I
d D
KT
V 
T q

8
 Ví dụ 1 và 2: tính điện trở của Diode

• Ví dụ 1: Tìm các giá trị của điện trở của diode rd để một diode với IS =
1 fA hoạt động tại ID = 0,5 μA, 2 mA và 3 A
• Đáp án: 50K; 12.5; and 8.33 m

• Ví dụ 2: Tìm giá trị của điện trở của diode rd ở mô hình tín hiệu nhỏ tại
nhiệt độ phòng với ID = 1.5 mA và ở T = 100 oC.
• Đáp án: 16.7 , 21.4 

9
 1.2. Cấu trúc của BJT, mô hình vận chuyển
trong BJT npn

Bao gồm 3 lớp bán dẫn loại n và p, được gọi là vùng phát (emitter (E)), nền (base
(B)) và thu (collector (C)).
Phần lớn dòng điện đi vào cực C, qua vùng nền (base) và ra ngoài qua cực E. Một
dòng điện nhỏ cũng sẽ đi vào cực B, qua liên kết BE và ra ngoài ở cực E.
Các hạt tải nằm trong vùng nền ngay bên dưới vùng được pha đậm (n+) E điều khiển
đường đặc tính i-v của BJT.
 1.2. Mô hình vận chuyển trong BJT npn
n+
 Lớp nền mỏng liên kết hai kết nối
pn lại với nhau.
 Điện áp vBE làm xuất hiện dòng
điện iB chạy từ cực B qua cực E,
dòng iB kích thích tạo dòng iC lớn
hơn, chạy từ cực C qua cực E. Tại
cực E dòng iB và iC được tổng hợp
thành dòng iE ra ở cực E
• Điện thế vBE và điện thế vBC
quyết định các dòng trong
transistor và có giá trị dương
khi các pn junction được phân
cực thuận.
• Dòng tại các cực là dòng thu
(iC), dòng nền (iB) và dòng phát
(iE).
• Sự khác nhau cơ bản giữa BJT
và FET là iB là đáng kể, trong
khi iG = 0.
Nguyên tắc xếp chồng

Chap 5 - 12
 1.2. Đặc tính phân cực thuận của BJT npn

Dòng nền iB:

i v I   
 
i  F  S exp BE  1

 
B   V    
F F T   

20    500 (Hệ số khuếch đại CE)

F
Dòng phát iE được cho bởi công thức:
 v I  
   
i i i  S exp 
BE  1
E C B    V  
F   T  
Dòng thu iBC:

 v 




0.95    F  1.0 (Hệ số khuếch đại

i  i  I exp BE  1
  F  1
C F S  V  

T   F CB)
 
IS là dòng bão hòa Trong vùng tích cực,
1018A  I 10 9 A i
C 
i
C 
S
i F i F
VT = kT/q =0.025 V ở nhiệt độ phòng B E
 1.2. Đặc tính phân cực nghịch của BJT npn

0   20 (Hệ số khuếch đại CE)

R
Dòng nền iB ở chế độ phân cực thuận và
phân cực nghịch là khác nhau do sự bất đối
xứng trong việc pha tạp ở vùng thu và vùng
phát.
Dòng thu iC :
 I
v  
   
Dòng phát iE: i  S exp 
BC  1

  
C    V
 T




v R
 
i  i  I exp BC  1
  
R E S V  
  0   R  0.95 (Hệ số khuếch đại
T  
 R  1
R CB)
Dòng nền iB :
i Iv  
 
i  R  S exp BC  1

 
B   V  
 
R R T  
 
 1.3. Biểu thức chung cho các chế độ phân cực
của BJT npn (dòng điện tổng)

 v  v  I  v  
i  I exp BE   exp BC   S  exp BC  1
    
 
 V  
T   R 
C S  V   V 
  T  
 T  

 v  v  I  v  
i  I exp BE   exp BC   S  exp BE  1
    

 V  
T   F 
E S  V   V 
  T  
  T  

I  v   I  v  
i  S exp BE  1  S  exp BC  1
  
B    V      V  
F   T  
R  T  

(dòng điện tổng) i  I  ic v  V  vc

C C C C

1018A  I 10 9 A 0    20    500 0    0.95   1.0

S R F R F
 1.3. Biểu thức chung cho các chế độ
phân cực của BJT npn
(Thành phần 1 chiều)
 

V  V
  I   V  


 
 
 
I  I exp BE   exp BC   S  exp BC 1


C S V   V



    V  
T   T  R  T  

V  V
  I  V  
  
I  I exp BE   exp


BC 
  S 
 exp
 BE  1
E S V 
  V

 
    V  
T 
  T  F  T  
 
I V 
  I   V  
I  S exp BE 
 
 1 

S


 exp
 BC  1
B  V    
   V  
F T 
 
R
  T  
Tính toán các tham số:
Ví dụ 3

 Ví dụ: Tính giá trị điện áp và dòng

điện tại các cực: vBE, vBC, iC, iE, iB.
 Biết: VBB = 0.75 V, VCC = 5.0 V, IS
=10-16 A, F =50, R =1
 Giả sử: Mạch hoạt động ở nhiệt độ
phòng, VT =25.0 mV.
 Phân tích mạch: VBE =?,
VBC = ?
Kiểm tra: F =?, R =?
 VBC = VBE +VEC = VBB -VCC =0.75 V-5.00V=-4.25 V
v 4.25V
  exp( BC )  exp( )  exp(170)  0
V 0.025V
T

V   V  I  V  
I  I exp

 BE  
  exp


 BC 
 
S  exp
 BC  1
 V  
T   R 
C S V  

 V



 T     T  


V   V  I  V  
I  I exp

 BE 


 exp


 BC 
 
S  exp
 BE  1
 V  
T   F 
E S V  

 V



 T     T  

I V     I  V  
I  S exp

BE

  
 1 
 S 
 exp
 BC  1
B  V    
  
  V  
F T  

 
R   T  
Chap 5 - 18
 Tính toán các tham số:
Ví dụ 4

Evaluating the expressions for terminal currents,

I
I  1.07mA   C  1.07mA  50
C F I 0.0214mA
I  1.09mA B
E I
  C  1.07mA  0.982
I  21.4A F I
B 1.09mA
E
Chap 5 - 19
1.4. Cấu trúc của BJT pnp, biểu thức chung
cho các chế độ phân cực của BJT pnp
Nguyên lý xếp chồng

Chap 5 - 21
1.4. Tính chất phân cực thuận của BJT pnp


v 
 
 
 
i  i  I exp 
EB  1

C F S V  
 
 T  


i I  v





i  F  S exp 
EB  1
B     V  
F F  T  

 
 v 
 

1 
 
i  i  i  I 1

 exp EB  1
 
E C B S 
  V  

T  



 F 
1.4. Tính chất phân cực nghịch của BJT pnp

v    
   
i  i  I exp CB
  1 
R E S V  
 
T  
 

i Iv   
 
i  R  S exp CB  1
 
B   V   
R R T  
 

 
 v   
1   
i   I 1
 exp CB  1
 
C S 
 V  
T   



 R 
1.4. Cấu trúc của BJT pnp, biểu thức chung
cho các chế độ phân cực của BJT pnp


v   v  I  v  
i  I exp EB   exp CB   S  exp CB  1
     
 
C S  V 
T 
  V
T   R 
  V  
  
  T  


 v   v  I  v  

i  I exp

EB   
  exp 
 CB 
  S 
 exp
 EB  1
E S  V 
T 
  V
T   F 
  V  
  
  T  

 
I v 
  I   v  



 

  
i  S exp EB  1  S  exp CB 1
B  V    
T    V  
F 
   
R  T  
 Tính toán các tham số:
Ví dụ 5

Tìm Ic, IE, và IB cho một pnp transistor nếu Is = 10-16 A, VEB =
0.75 V, và VCB = +0.70 V, βF=75, βR=0.40

Tìm Ic = ?mA, IE = ? mA, IB = ?mA

 Tính toán các tham số:
Ví dụ 5

Tìm Ic, IE, và IB cho một pnp transistor nếu Is = 10-16 A, VEB =
0.75 V, và VCB = +0.70 V, βF=75, βR=0.40

 v  v  I  v  

i  I exp

EB

 
  exp  CB 
  S 
 exp
 CB  1
C S  V 
T 
 V
T   R 
  V  
  
 T
  
 
 v  v  I   v  
i  I exp EB   exp CB   S  exp EB  1
     
E S  V
T 
  V
T   F 
  V  
  
  T  
 
I  v   I   v  
i  S exp 
  
EB  1  S 
 exp
 CB  1
B    V
T
     V  
F     R  T  
 Tính toán các tham số:
Ví dụ 5

Tìm Ic, IE, và IB cho một pnp transistor nếu Is = 10-16 A, VEB =
0.75 V, và VCB = +0.70 V, βF=75, βR=0.40

 v  v  I  v  

i  I exp

EB

 
  exp  CB 
  S 
 exp
 CB  1
C S  V 
T 
 V
T   R 
  V  
  
 T
  
 
 v  v  I   v  
i  I exp EB   exp CB   S  exp EB  1
     
E S  V
T 
  V
T   F 
  V  
  
  T  
 
I  v   I   v  
i  S exp 
  
EB  1  S 
 exp
 CB  1
B    V
T
     V  
F     R  T  

Đáp Án: Ic = 0.563 mA, IE = 0.938 mA, IB = 0.376 mA

 1.5. Phân cực, mạch khuếch đại dùng BJT,
tham số khuếch đại của BJT

 Mục đích của việc phân cực cho BJT là thiết lập một điểm làm việc tĩnh
(Q-point) và nhờ vào đó xác định vùng hoạt động ban đầu của transistor.
 Đối với một BJT, Q-point được đại diện bởi (IC, VCE) cho npn transistor
hoặc là (IC, VEC) cho pnp transistor.
 Q-point điểu khiển giá trị của điện dung khuếch tán, độ dẫn truyền, trở
kháng vào và trở kháng ra
 Trong thực tế phân tích mạch, ta thường sử dụng các công thức toán đã
được đơn giản hóa cho mỗi vùng hoạt động và điện áp Early (VA) được
xem là rất lớn so với điện áp VCE.
 Trong thực tế, hai mạch điện thường được dùng để phân cực BJT là:
+ Mạch phân cực 4 điện trở
+ Mạch phân cực 2 điện trở
 1.5. Phân cực, mạch khuếch đại dùng BJT,
tham số khuếch đại của BJT
 Phân tích mạch DC:
– Xác định sơ đồ tương đương DC bằng cách thay thế tất cả các tụ điện
bằng một mạch hở và các cuộn cảm bằng dây dẫn.
– Xác định điểm tĩnh Q-point của mạch tương đương dc bằng cách sử
dụng mô hình transistor cho tín hiệu lớn.
 Phân tích mạch AC:
– Xác định sơ đồ mạch tương đương ac bằng cách thay thế tất cả tụ điện
bằng dây dẫn và cuộn cảm bằng mạch hở, nguồn điện áp một chiều
được nối đất và nguồn dòng một chiều được thay bằng mạch hở.
– Thay thế tất cả các transistor bằng mô hình tín hiệu nhỏ
– Sử dụng mô hình tín hiệu nhỏ cho mạch ac để phân tích các đặc tính của
mạch khuếch đại.
– Tổng hợp các kết quả phân tích trong mạch ac và dc để tìm các điện áp
và dòng điện trong mạch.
29
 1.5. Phân cực, mạch khuếch đại dùng BJT,
tham số khuếch đại của BJT

C1 và C3 là cho tín hiệu xoay chiều chạy

 Các tụ liên lạc được sử dụng để đưa
tín hiệu xoay chiều vào mạch và lấy
tín hiệu xoay chiểu ở đầu ra mà
không làm ảnh hưởng đến Q-point
 Các tụ điện cung cấp một trở kháng
không đáng kể tại các tần số làm việc
và làm hở mạch đối với dòng điện
một chiều.
qua nhưng chặn thành phần một chiều vì
dung kháng của chúng rất nhỏ đối với
tín hiệu xoay chiều nhưng rất lớn đối với
thành phần một chiều.
C2 là tụ lọc nhiễu cao tần, nó tạo một
đường rẽ có trở kháng nhỏ để tín hiệu
xoay chiều chạy từ cực E xuống mass,
loại bỏ RE Còn đối với thành phần 1
chiều thì dòng điện 1 chiều phải chạy
qua điện trở RE để ổn định điểm làm
việc (điểm tĩnh Q)
30
 1.5. Mạch tương đương AC và DC
của mạch khuếch đại dùng BJT

 Trong sơ đồ 1 chiều DC thì tất cả các tụ điện được thay thế bởi mạch
hở, ngắt vi, RI, R3 và C3 ra khỏi mạch.

31
Tụ liên lạc và tụ thoát xoay chiều

C2=500 F C3=10 F, f=1000Hz.

Xc2=1/(2πfC2) = 0.318 << RE

=1500
Xc3= 1/(2πfC3)= 15.9  << R3
=100K

Chap13 - 32
1.5. Mạch tương đương AC và DC
của mạch khuếch đại dùng BJT

33
34
1.5. Mạch tương đương AC và DC
của mạch khuếch đại dùng BJT

35
 Mạch tương đương AC
của mạch khuếch đại dùng BJT

R  R R  10kΩ 30kΩ
B 1 2
R  R R  4.3kΩ 100kΩ
C 3

Chap13 - 36
Tính toán điểm tĩnh Q(IC, VCE)
Phân cực BJT bằng 4 điện trở

R RR
V V 1 R  1 2
EQ CC R  R EQ R  R
1 2 1 2
V R I V R I
EQ EQ B BE E E
4  12,000I  0.7 16,000(  1) I
B F B
4V - 0.7V
I   2.68μA I   I  201μA
B 6 C F B
1.2310 
I  (  1) I  204μA
E F B
V V R I R I
CE CC C C E E

 R 
V   R  E  I  4.32V
CC  C   C

 F 
Qp(201 A, 4.32 V)
Chap 5 - 38
 Phân cực BJT bằng 4 điện trở
Các dòng điện đều > 0, VBC = VBE - VCE = 0.7 - 4.32 = - 3.62 V
Đường tải tĩnh được biểu diễn:
 
 R 
V V  R  E I  12  38,200I




CE CC C   C  C
 
F
 

 Từ phương trình trên ta xác định được

2 điểm cần thiết để vẽ đường tải tĩnh
(0, 12 V) and (314 A, 0).
 Đường tải tĩnh cắt đường đặc tuyến
tương ứng với dòng điện IB= 2.7 A
sẽ xác định điểm tĩnh Q(IC;VCE).
Qp(201 A, 4.32 V)

Chap 5 - 39
1.5. Mạch tương đương AC và DC
của mạch khuếch đại dùng BJT

40
1.5. Mạch tương đương AC và DC
của mạch khuếch đại dùng BJT

R  R R  10kΩ 30kΩ
B 1 2
R  R R  4.3kΩ 100kΩ
C 3

41
1.5. Mạch tương đương AC và DC
của mạch khuếch đại dùng BJT

R  R R  10kΩ 30kΩ
B 1 2
R  R R  4.3kΩ 100kΩ
C 3

42
 Mạch khuếch đại AC dùng BJT

BJT được phân cực ở vùng tích cực bởi hiệu điện thế VBE. Q-point được đặt
tại (IC, VCE)=(1.5 mA, 5 V) với IB = 15 A.
Tổng điện áp giữa hai cực base và emitter : vBE VBE  v
be
Điện áp giữa hai cực collector và emitter: v 10  i R
CE C C

43
Đặc tuyến mạch khuếch đại dùng BJT

44
 Đặc tuyến mạch khuếch đại dùng BJT
8 mV thay đổi ở vBE dẫn đến 5 A sự
thay đổi của iB và 0.5 mA thay đổi ở iC.
0.5 mA thay đổi ở iC dẫn đến 1.65 V
thay đổi ở v .
CE
Nếu sự thay đổi trong các dòng điện
và điện áp hoạt động là đủ nhỏ, thì
dạng sóng của IC và VCE là không
đổi so với tín hiệu vào.
Sự thay đổi nhỏ về điện áp ở cực B
sẽ gây ra sự thay đổi lớn về điện áp
ở cực C dẫn đến sự khuếch đại.
Hệ số khuếch đại điện áp:
v ce 1.65180
Av    206180  206
v 0.0080
be
Dấu âm chỉ ra sự đảo pha 1800 giữa
tín hiệu vào và tín hiệu ra.
45
 Hiệu ứng Early và hiệu điện áp Early

-15V≤VA ≤-150V

Trong thực tế, ở miền hoạt động tích cực thì dòng iC không độc lập với
vCE. Đặc tính iC theo vCE không phải là những đường song song với trục
hoành mà chúng cắt nhau tại một điểm tương ứng với điện áp Early
(VA).
Hiệu ứng Early: các đường đồ thị của đặc tính iC theo vCE cắt nhau tại
một điểm VCE = -VA nằm từ khoảng 15 V đến 150V
(VA : gọi là Điện áp Early)
 1.6. Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ của BJT

ib iB IC
g   
v be v BE  oVT
v ce  0 Q  point

ib iB
gr   0
v ce v  0 vCE
Q  point
Sử dụng hệ thống 2 cổng như hình trên, be
i  y v  y vce i  g v  gr vce g  i c iC I
b 11 be 12 b be m   C
v BE VT
ic  y v  y vce ic  gmv  govce v be
v ce  0 Q  point
21 be 22 be
Các tham số tại các cổng có thể chỉ g  i c iC IC
o  
phần thay đổi theo thời gian của tổng v ce v  0 vCE V A VCE
Q  point
be
điện áp và các dòng điện hoặc là những
sự thay đổi nhỏ bên ngoài giá trị của Q-
point.
o là hệ số khuếch đại dòng điện CE của BJT.
F : Hệ số khuếch đại dòng dc; 0 : Hệ số khuếch đại dòng ac.
Nhìn chung: F= 0 = 
 1.6. Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ của BJT

Điện dẫn:
I
gm  y  C  40I
21 V C
T
Trở kháng vào:
1  oVT  o
 Mô hình tín hiệu nhỏ hybrid-pi r   
biểu diễn mô hình BJT khi y11 I C gm
không tính đến các tụ bên trong
Trở kháng ra:
BJT
1 1 VA  VCE
 Các tham số tín hiệu nhỏ phụ ro   
thuộc vào các giá trị dòng điện y g I
22 0 C
và điện áp một chiều. Các giá trị
một chiều này phụ thuộc vào giá
trị của điểm tĩnh Qp
48
 1.6. Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ của BJT

 Nguồn dòng phụ thuộc điện áp gmvbe có thể được biến đổi thành nguồn
dòng phụ thuộc dòng điện,
v  i r
be b
gmv  gmi r  oi
be b b
v ce
ic  oi   oi
b r b
o
 Mối quan hệ ic=ib rất hữu ích trong việc phân giải mạch dc và ac khi
BJT hoạt động trong vùng tích cực.

49
 Ví dụ 6 và 7

• Ví dụ 6: Tính các giá trị của gm, rπ, ro, và μf cho transistor lưỡng cực với βo =
75 và VA = 60 V và Q-point (50 μA, 5 V).

• Ví dụ 7: Tính các giá trị của gm, rπ, ro, và μf cho transistor lưỡng cực với βo =
50 và VA = 75 V và Q-point (250 μA, 15 V).

I o V V V
g m  C  40I r  T  o ro  A CE
V C I gm I
T C C
  g mro
f

50
 1.7. Chế độ hoạt động tín hiệu nhỏ của BJT

   v 
v 
i  I  ic  I exp
V
BE  
be 
i  I exp BE
 
C C S

V 
 exp
V


C S 
 V   T   T 
 T
  2 3 
 v v  v  
1   1  
 I 1 be   be    be   ...

C V 2V  6V  
 T  T   T  
 
 2 3 
v v  v  
1   1  
ic  i  I  I 
 be
  be    be   ...

C C C V 2V  6V  
 T  T   T  
 
Vì tính tuyến tính, ic tỉ lệ với vbe vbe  2VT  50mV

v  I

i  I 1 be
 I  C v I g v
C C V  C V be C m be

T
 T
Thay đổi trong ic tương ứng với chế độ hoạt động tín hiệu nhỏ:
ic gm v 0.005
 v  be   0.200
I I be V 0.025
C C T 51
 1.7. Chế độ hoạt động tín hiệu nhỏ của BJT

vbe  v 
2
Vì tính tuyến tính, ic tỉ lệ với vbe  1  be 
VT 2  VT 
Các yêu cầu hoạt động ở tín hiêu nhỏ
 
2
của BJT. vbe v
[1  1  be  ]  0
VT 2  VT 
vbe
 2
VT
vbe  2VT  50mV
Trong thực tế, ta chọn:
2VT IC IC
vbe   5mV ic  g m vbe  5mV  5mV  0.2 I C
10 VT 25mV
2VT ic  0.2IC
vbe   5mV
10
52
 Mạch tương đương DC và AC
của mạch khuếch đại dùng MOSFET

Mạch tương đương 1 chiều

Mạch tương đương xoay chiều

Chap13 - 53
 Mạch tương đương DC và AC
của mạch khuếch đại dùng MOSFET

Mạch tương đương 1 chiều

Mạch tương đương xoay chiều

Chap13 - 54
Phân cực MOSFET bằng 4 điện trở

Chap 5 - 55
 Mạch khuếch đại AC dùng MOSFET

MOSFET được phân cực trong vùng tích cực bởi một hiệu điện thế VGS. Q-
point được đặt tại (ID, VDS)=(1.56 mA, 4.8 V) với VGS =3.5 V.
Tổng điện áp giữa hai cực gate và source: vGS VGS  vgs

1 V p-p thay đổi ở vGS dẫn đến 1.25 mA p-p thay đổi ở iD
và 4 V p-p thay đổi ở vDS. 56
 Mạch khuếch đại AC dùng MOSFET

MOSFET được phân cực trong vùng tích cực bởi một hiệu điện thế dc VGS.
Q-point được đặt tại (ID, VDS)=(1.56 mA, 4.8 V) với VGS =3.5 V.
Tổng điện áp giữa hai cực gate và source: vGS VGS  vgs

1 V p-p thay đổi ở vGS dẫn đến 1.25 mA p-p thay đổi ở iD và 4 V p-p thay đổi ở vDS.
57
1.9. Mô hình tín hiệu nhỏ của MOSFET

58
 1.9. Mô hình tín hiệu nhỏ của MOSFET

Kn  2
i   v v

 1 v

 Điều kiện vDS  vGS  VTN
D    
2  GS TN   DS 

1
2I V 1  V
gm  D  2K n I ro   DS  DS
V V D
I I
GS TN D D
1  V
  g m ro  2K n I DS  1 2K n
f D I  I
D D
59
1.10. Chế độ hoạt động tín hiệu nhỏ của MOSFET

Kn  2
i  v V 
Với vDS  vGS VTN
D 2  GS TN 
K 
i  I  i  n  V
D D d 2  GS TN  V 
2  2v V
V
gs GS TN  v 2 
gs 

d
K
i  n 2v gs V
2   V
GS TN

 v gs2 


 
vgs  2 V  V 
 GS TN 

Suy ra 
vgs  0.2 VGS VTN 
i 0.2(V V )
d  gm v  GS TN  0.4
I I
gs V V
D D GS TN
2
60
 Ví dụ 8
Ví dụ 8: Một transistor MOSFET với Kn = 2.0 mA/V2 và λ = 0 hoạt động

với Q-point (25 mA, 10 V). Tìm giá trị lớn nhất của vgs ở chế độ hoạt động
tín hiệu nhỏ. Nếu một BJT được phân cực ở cùng Q-point, tìm giá trị tương

ứng lớn nhất của vbe

Kn  
2 
i  

v v 

1 v



D 2  GS TN   DS 

 
vgs  0.2 V  V 
 GS TN 

61
 Ví dụ 9
Ví dụ 9: a) Tính các giá trị của gm, rπ, ro, và μf cho một transistor MOSFET
với Kn = 1 mA/V2 và λ = 0.02 V-1 hoạt động tại Q-point (250 μA, 5 V)

2I
gm  D  2K n I
V V D
GS TN

1  V
ro  DS
I
D

1  V
  g m ro  2K n I DS  1 2K n
f D I  I
D D

62
1.11. Mô hình tín hiệu nhỏ của JFET

63
 1.11. Mô hình tín hiệu nhỏ của JFET

 
2
 v 
  
I 2
  
i I 1 GS


 1  v
  i  DSS v  V  1 v 
D DSS V  

 DS 
 D V 2  GS  
P  DS 
 
P  P
Điều kiện v  v V
DS GS P

Kn  
2 
 Giống dạng dòng iD của i  

v v 

1 v



D 2  GS TN   DS 
MOSFET

64
 1.11. Mô hình tín hiệu nhỏ của JFET

2I I 1  V
gm  D  2 DSS (V V ) ro  DS
V V V 2 GS P I
GS P P
1 D
V I
  g m ro  2  DS  2 DSS
f V V V I
D
GS P P

Điều kiện để mạch KĐ tuyến  

vgs  0.2 V  V 
tính (tương tự MOSFET  GS P

65
66
Kết thúc chương 1

67