BSM 150 GT 120 DN2

IGBT Power Module

• Solderable Power module

• 3-phase full-bridge
• Including fast free-wheel diodes
• Package with insulated metal base plate
Type VCE IC Package Ordering Code
BSM 150 GT 120 DN2 1200V 200A TRIPACK C67070-A2518-A67

Maximum Ratings
Parameter Symbol Values Unit
Collector-emitter voltage VCE 1200 V
Collector-gate voltage VCGR
RGE = 20 kΩ 1200
Gate-emitter voltage VGE ± 20
DC collector current IC A
TC = 25 °C 200
TC = 80 °C 150
Pulsed collector current, tp = 1 ms ICpuls
TC = 25 °C 400
TC = 80 °C 300
Power dissipation per IGBT Ptot W
TC = 25 °C 1250
Chip temperature Tj + 150 °C
Storage temperature Tstg -40 ... + 125

Thermal resistance, chip case RthJC ≤ 0.12 K/W

Diode thermal resistance, chip case RthJCD ≤ 0.28
Insulation test voltage, t = 1min. Vis 2500 Vac
Creepage distance - 16 mm
Clearance - 11
DIN humidity category, DIN 40 040 - F sec
IEC climatic category, DIN IEC 68-1 - 40 / 125 / 56

1 Nov-24-1997
BSM 150 GT 120 DN2

Electrical Characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified

Parameter Symbol Values Unit
min. typ. max.

Static Characteristics
Gate threshold voltage VGE(th) V
VGE = VCE, IC = 6 mA 4.5 5.5 6.5
Collector-emitter saturation voltage VCE(sat)
VGE = 15 V, IC = 150 A, Tj = 25 °C - 2.5 3
VGE = 15 V, IC = 150 A, Tj = 125 °C - 3.1 3.7
Zero gate voltage collector current ICES mA
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tj = 25 °C - 2 2.8
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tj = 125 °C - 8 -
Gate-emitter leakage current IGES nA
VGE = 20 V, VCE = 0 V - - 320

AC Characteristics
Transconductance gfs S
VCE = 20 V, IC = 150 A 62 - -
Input capacitance Ciss nF
VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz - 10 -
Output capacitance Coss
VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz - 1.5 -
Reverse transfer capacitance Crss
VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz - 0.8 -

2 Nov-24-1997
BSM 150 GT 120 DN2

Electrical Characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified

Parameter Symbol Values Unit
min. typ. max.

Switching Characteristics, Inductive Load at Tj = 125 °C

Turn-on delay time td(on) ns
VCC = 600 V, VGE = 15 V, IC = 150 A
RGon = 5.6 Ω - 200 400
Rise time tr
VCC = 600 V, VGE = 15 V, IC = 150 A
RGon = 5.6 Ω - 100 200
Turn-off delay time td(off)
VCC = 600 V, VGE = -15 V, IC = 150 A
RGoff = 5.6 Ω - 600 900
Fall time tf
VCC = 600 V, VGE = -15 V, IC = 150 A
RGoff = 5.6 Ω - 70 100

Free-Wheel Diode
Diode forward voltage VF V
IF = 150 A, VGE = 0 V, Tj = 25 °C - 2.3 2.8
IF = 150 A, VGE = 0 V, Tj = 125 °C - 1.8 -
Reverse recovery time trr µs
IF = 150 A, VR = -600 V, VGE = 0 V
diF/dt = -1500 A/µs, Tj = 125 °C - 0.4 -
Reverse recovery charge Qrr µC
IF = 150 A, VR = -600 V, VGE = 0 V
diF/dt = -1500 A/µs
Tj = 25 °C - 8 -
Tj = 125 °C - 22 -

3 Nov-24-1997
BSM 150 GT 120 DN2

Power dissipation Safe operating area

Ptot = ƒ(TC) IC = ƒ(VCE)
parameter: Tj ≤ 150 °C parameter: D = 0, TC = 25°C , Tj ≤ 150 °C

1300 10 3

W t = 18.0µs
p

1100 A
Ptot IC
1000

900 10 2
100 µs
800

700

600

500 1 ms
10 1
400

300
10 ms
200

100
0 10 0
0 1 2 DC 3
0 20 40 60 80 100 120 °C 160 10 10 10 10 V
TC VCE

Collector current Transient thermal impedance IGBT

IC = ƒ(TC) Zth JC = ƒ(tp)
parameter: VGE ≥ 15 V , Tj ≤ 150 °C parameter: D = tp / T

10 0
220

A K/W

180
IC ZthJC
10 -1
160

140

120
10 -2
D = 0.50
100
0.20
80 0.10

60 0.05
10 -3
0.02
40 0.01
single pulse
20
0 10 -4
-5 -4 -3 -2 -1 0
0 20 40 60 80 100 120 °C 160 10 10 10 10 10 s 10
TC tp

4 Nov-24-1997
BSM 150 GT 120 DN2

Typ. output characteristics Typ. output characteristics

IC = f (VCE) IC = f (VCE)
parameter: tp = 80 µs, Tj = 25 °C parameter: tp = 80 µs, Tj = 125 °C

300 300
A A
260 17V 260 17V
15V 15V
IC 240 IC 240
13V 13V
220 11V 220 11V
9V 9V
200 7V 200 7V

180 180
160 160
140 140
120 120
100 100
80 80
60 60
40 40
20 20
0 0
0 1 2 3 V 5 0 1 2 3 V 5
VCE VCE

Typ. transfer characteristics

IC = f (VGE)
parameter: tp = 80 µs, VCE = 20 V

300
A
260

IC 240
220
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0 2 4 6 8 10 V 14
VGE

5 Nov-24-1997
BSM 150 GT 120 DN2

Typ. gate charge Typ. capacitances

VGE = ƒ(QGate) C = f (VCE)
parameter: IC puls = 150 A parameter: VGE = 0 V, f = 1 MHz

20 10 2

V
nF
VGE 16
C

14 600 V 800 V
10 1
Ciss
12

10

8
Coss
10 0
6
Crss

0 10 -1
0 200 400 600 800 1100 0 5 10 15 20 25 30 V 40
QGate VCE

Reverse biased safe operating area Short circuit safe operating area
ICpuls = f(VCE) , Tj = 150°C ICsc = f(VCE) , Tj = 150°C
parameter: VGE = 15 V parameter: VGE = ± 15 V, tSC ≤ 10 µs, L < 50 nH

2.5 12

ICpuls/IC ICsc/IC

8
1.5

1.0

0.5
2

0.0 0
0 200 400 600 800 1000 1200 V 1600 0 200 400 600 800 1000 1200 V 1600
VCE VCE

6 Nov-24-1997
BSM 150 GT 120 DN2

Typ. switching time Typ. switching time

I = f (IC) , inductive load , Tj = 125°C t = f (RG) , inductive load , Tj = 125°C
par.: VCE = 600 V, VGE = ± 15 V, RG = 5.6 Ω par.: VCE = 600 V, VGE = ± 15 V, IC = 150 A

10 4 10 4

ns ns

t t tdoff

10 3 10 3

tdoff
tdon

tdon tr
tr
10 2 10 2
tf tf

10 1 10 1
0 50 100 150 200 250 300 A 400 0 10 20 30 40 Ω 60
IC RG

Typ. switching losses Typ. switching losses

E = f (IC) , inductive load , Tj = 125°C E = f (RG) , inductive load , Tj = 125°C
par.: VCE = 600 V, VGE = ± 15 V, RG = 5.6 Ω par.: VCE = 600V, VGE = ± 15 V, IC = 150 A

120 120

mWs mWs
Eon
E E

80 80
Eon

60 60

40 40
Eoff
Eoff

20 20

0 0
0 50 100 150 200 250 300 A 400 0 10 20 30 40 Ω 60
IC RG

7 Nov-24-1997
BSM 150 GT 120 DN2

Forward characteristics of fast recovery Transient thermal impedance Diode

reverse diode IF = f(VF) Zth JC = ƒ(tp)
parameter: Tj parameter: D = tp / T

10 0
300
A
K/W
260

IF 240 ZthJC
10 -1
220
200
180
160 Tj=125°C Tj=25°C
10 -2
140 D = 0.50

120 0.20
0.10
100
0.05
80 10 -3
0.02
60
single pulse 0.01
40
20
0 10 -4
-5 -4 -3 -2 -1 0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 V 3.0 10 10 10 10 10 s 10
VF tp

8 Nov-24-1997
BSM 150 GT 120 DN2

Circuit Diagram

Package Outlines
Dimensions in mm
Weight: 300 g

9 Nov-24-1997
Nutzungsbedingungen

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