電子學教材

目錄

CH1 概論 1

CH2 二極體特性及電路應用 9

CH3 雙極性接合面電晶體 109

俗話說 : 3 分天注定，7

分靠打拼，剩下的 90 分

看你家有沒有錢。

0
CH1 概論
key 1 弦 波

1. 弦波

(1) 峰值 Vm : 波形正、負半週的最大振幅，又稱最大值

(2) 峰對峰值 Vp−p : 波形的正最大值與負最大值的差

(3) 週期 : 規律性信號完成一週變化所需的時間，單位為秒

(4) 頻率 : 1 秒內所產生的波形次數，單位為 Hz

(5) 為方波與三角波的基本波

2. 弦波表示式

V(t) = 100sin(314t+30 ﾟ)

𝜔 = ________

1
3. 相位轉換

(1) 時機 : 相同的_____才能使用

(2) sin(θ + ___) = cos θ

ω(rad/s) 314 377 100 754

f(Hz)

4. 相位移 (θ)

(a) 超前 : V(t) = 8sin(314t+30 ﾟ)

(b) 落後 : V(t) = 8cos(628t-150 ﾟ)

2
老師講解 1
試求 V(t) = 4+2sin(314t+30 ﾟ)V 之

1
(1) 最大值 (2) 頻率 (3) t = 100 s 時的瞬時電壓 (4) 繪出波形

老師講解 2
請比較下列方程式之相位關係
(1) V1 (t) = 5cos(314t+60 ﾟ) V
I1 (t) = 2sin(314t+30 ﾟ) A
(2) V2 (t) = 3sin(754t+30 ﾟ) V
I2 (t) = 4sin(628t-60 ﾟ) A
(3) V3 (t) = 3sin(754t+30 ﾟ) V
I3 (t) = -4cos(754t-70 ﾟ) A

3
 key 2 脈 波

1. 方波

(1) 工作週期必為 50%

(2) 方形波由一個正弦基本波與無限個______諧波所組成

eg : V(t) = 5sin(1000t)+3sin(3000t)+1sin(5000t)(V)

則基本波 : __________，其餘視為諧波，其基頻為 : ______Hz

(3) 方波也常用於測試放大器的頻率響應上

2. 脈波

(1) 工作週期不為______%

(2) 脈波常用於數位電路上之________或控制信號

3. 工作週期 duty cycle

脈波寬度
工作週期 = 脈波週期 = ──────── = ─────
+

4
 key 3 鋸 齒 波

1. 三角波

(1) 工作週期必為 50%

(2) 三角形波由一個正弦基本波與無限個______諧波所組成

2. 鋸齒波

(1) 工作週期不為 50%

(2) 鋸齒波用於電視機、________等的水平掃描波

3. 工作週期 duty cycle

掃描時間 t1 t1
工作週期 = =t =
全週期 1 +t2 T

老師講解 1
有一峰對峰值 6V 之鋸齒波其上升斜率為+2V/ms，且工作週期為 60%，則下
降斜率為 ?

5
 Key 4 交 直 流

1. V(t) = 4 – 5sin(377t)V

__________
t

2. V(t) = 5 + 4sin(314t)V

__________
t

老師講解 1
寬度 200μs，頻率 2kHz，峰值 50V 之脈波其工作週期為何 ?

6
 Key 5 平均值與有效值

1. 平均值

(1) 定義 : 將任意波形視為________看待

(2) 符號 : _____、_____

(3) 通式 : Vav = Vdc = ──────────

2. 有效值

(1) 定義 : 將交直流流經過相同的電阻器產生相同______、______，

則把該直流信號是此交流上之________

(2) 符號 : _____、_____、_____

( )2 ×
(3) 通式 : Veff = Vac = Vrms = √

3. 各種波形

波型 平均 有效

弦波
(一週)

(半週)

弦波(整流後)

7
 方波(整流後)

方波(整流後)

三角波或鋸齒波

老師講解 1
求出下列各波行之平均值及有效值
(1) V(t) = 2+4sinωt

(2)

8
老師講解 2
一脈波其最大值為 4V，最小值為-2V，若其平均值為 1.6V，則 DC%為 ?

老師講解 3
有天帥賢在做電路實驗時，電阻 2kΩ上的交流電壓為 5√2，請問流經此電阻
的電流平均值為何 ?

老師講解 4
有一天瑋甯因為天氣冷，說如果能最快讓開水沸騰，她會跟阿賢約會，而他
手邊有最大值皆為 100V 的正弦波、方波、三角波，請問阿賢究竟該哪一種
波讓瑋甯開心呢 ?

9
 Key 6 波峰與波形因數

( )
1. 波峰因數(____) =
─────
─────
2. 波形因數(____) =
( )

3. 結論

波形 波峰因數 波形因數

弦波

方波

三角波或鋸齒波

10
 Key 7 波 形 合 成

1. 頻率不同時

試求 V(t) = 10 + 6√2 sin(314t - 120 ﾟ) + 8√2 cos377t V 之 FF

2. 頻率相同時

試求 V(t) = 10 + 10 sin314t + 10 cos(314t - 150 ﾟ) V 之 FF

11
 Key 8 原 子 概 論

1. 物質結構 : 物質――→分子――→原子

2. 概論

原子核 ______ + ______

原子 ( )

( ) 軌道 ______

( )

(1) 質子帶____電，電子帶____電

(2) _______數 = _______數，使原子呈現_______

(3) 原子序 = _______ = _______

(4) 原子量 = _______ + _______

(5) 比較

名稱 質量 電量

電子 9.107 × 10−31 kg

質子 1.6729 × 10−27 kg

中子 1.6751 × 10−27 kg

※ 質子質量約等於 1837 個電子質量

12
3. 矽(Si)

原子序 : _____

__________ 第1層 :

+14
第2層 :

第3層 :

__________
__________

__________

(1) 原子內

(a) 電子於特定軌道環繞著原子核，此電子又稱之_________

(b) 其中最外層軌道上之電子原子核束縛力為最____，此電子稱之

________

(2) 原子外

(a) 當價電子因______的能量大於原子核所提供的________，使電子

可自由移動於原子以外，此電子稱之________

(b) 當電子由價電子因______躍遷為自由電子而在價軌道上形成的空

缺稱之______

13
 (3) 游離現象

(a) 當原子失去電子帶____電 → ____離子

(b) 當原子獲得電子帶____電 → ____離子

(4) 軌道排列

主層 : 軌道主要分為 4 層，排列規則為「______」(n = 層數)

層數 編號 電子數
1 K
2 L
3 M
4 N

副層 : 軌道共分為 4 層，排列規則為「______」(m = 層數)

層數 編號 電子數
1 s
2 p
3 d
4 f

4. 不同價電子數之材質

材質 價電子數 原由
價電子數少，平均分配的能量多，
導體
易成為自由電子
價電子數為中間值，成為自由電子
半導體
的機率為一半
價電子數多，平均分配的能量少，
絕緣體
不易成為自由電子

14
5. 牛刀小試 : 請填入正確答案於下列空格

鍺(Ge)

原子序 : ____

__________ 第1層 :

+32
第2層 :

第3層 :

第4層 :
__________

__________
__________

軌道排列 :

K層 L層 M層 N層
( ) ( ) ( ) ( )

s
( )
s p
( ) ( )
s p d
( ) ( ) ( )

s p d f
( ) ( ) ( ) ( )

15
例題 1
1 庫侖有多少個電子 ?

例題 2
某一導體有 25 × 1016 個電子，則帶有多少庫侖的電量 ?

例題 3
某電一中性物質被移去 −45 nC 之電荷，後來又注入 15 × 1010 個電子，求
物質最後的帶電量

例題 4
某物質含有 4 個質子，2 個電子，求此物質帶電量

16
 Key 9 本 質 半 導 體

1. 平均價電子數為____顆 → 本質半導體

組成 → 純四價 or 等比 3、5 價

3 價元素 4 價元素 5 價元素

硼 Boron 碳 Carbon 磷 Phosphorus

鋁 Aluminum 矽 Silicon 砷 Arsenic

鎵 Gallium 鍺 Germanium 銻 Stibium

(1) 溫度 0K 時，因空間中沒有任何能量，沒有任何自由電子的形成，則

此時的本質半導體為絕緣體。

(2) 溫度 300K(室溫)時，價電子會吸收熱能，使共價鍵熱擺動而造成斷裂

，形成電子電洞對。

17
2. 本質濃度 ( ni ) intrinsic concentration

(1) n：電子濃度，p：電洞濃度

→ n = p = ni |300k ≈ 1.5 × 1010

(2) 質量作用定律(Mass-Action-Low)

ni 2 = n × p

18
 Key10 外 質 半 導 體

1. 外質半導體：本質半導體加入三價或五價原子，形成外質半導體(或稱雜質

半導體)，可分為 N 型及 P 型。

2. 摻雜目的：本質半導體的導電性不足，溫度調整效益不佳。

3. 矽與鍺之能隙

溫度 Si Ge

0k (絕緣體) 1.21eV 0.785eV

300K(摻雜前) 1.11eV 0.72eV

300K(摻雜後) 0.05eV 0.02eV

4. N 型半導體

(1) 摻雜____價元素 → _____、_____、_____

(2) 多的一顆自由電子會施捨(游離)給其他原子 → _____體(Donor)

(3) 摻雜濃度(ND ) = ________濃度 = ________濃度

多數載子：自由電子 → 主要由______提供

少數載子：電洞 → 主要由______使共價鍵破裂(________)

(4) 每顆原子皆為電中性 → N 型半導體為________

19
5. P-type

(1) 摻雜____價元素 → _____、_____、_____

(2) 多的一顆電洞會接收(游離)自由電子 → _____體(Acceptor)

(3) 摻雜濃度(NA ) = ________濃度 = ________濃度

多數載子：電洞 → 主要由______提供

少數載子：自由電子 → 主要由______使共價鍵破裂(________)

(4) 每顆原子皆為電中性 → P 型半導體為________

請完成下列表格
若 ni = 1010 /cm3

摻雜 n p 半導體

1. Boron 1016

2. NA = 1016 + ND = 1015

3. Donor 1017

20
老師講解 1
下列敘述何者正確 ?
(A) 在本質半導體中加入微量的 5 價元素形成 P 型半導體
(B) P 型半導體的多數載子為自由電子
(C) N 型半導體的少數載子為電洞
(D) 本質半導體中加入之 5 價元素稱為受體

老師講解 2
純矽半導體 ni = 1.5 × 1010 個/cm3 ，其原子密度為 5 × 1022 個/cm3 ，若於每
108 個矽原子摻入一個受體雜質，則電子濃度為多少 ?

【補充】

電流：電子與電洞的運動(正電荷的運動方向)

(1) 擴散電流：<n,p>因__________而產生________的熱運動。

(2) 漂移電流：<n,p>由_______驅動的電流。

※ 金屬內只有自由電子，沒有電洞，故僅有漂移電流，無擴散電流。

21
Key11 P N 二 極 體

1. 結構：以等體積與濃度之 N 型與 P 型半導體結合

P N

(1) 空乏區(depletion region)

(a) 因______載子濃度不均產生______電流

故 PN 接面結合時 → ______產生________

(b) 空乏區內部的正、負離子形成___________，牽引少數載子產生

______電流而抑制擴散電流

(c) 空乏區內不存在_______與_______，只剩不動的正、負離子，

N 側空乏區為_____離子、P 側空乏區為_____離子

→ 形同________

(d) 若 N 型與 P 型半導體摻雜濃度不同時

濃度越_____者，空乏區寬度越_____

22
 (2) 應用：

單向導通特性，可應用於整流、檢波、截波、箝位、開關、倍壓、溫

度補償與保護電晶體等，但無法放大訊號

2. 偏壓方式

(1) 順向偏壓( Forward Bias )

(a) P 接高電位、N 接低電位

(b) 空乏區寬度______ → 電流阻礙小

→ 順向電流( IF 、ID )變大

(c) 空乏區寬度與__________成反比

(2) 障壁電位( Vbi )

(a) 因淨電流為零，使空乏區形成反抗電位差，

障壁電位：矽為_____~_____，鍺為_____~_____

NA ×ND
(b) 熱平衡時，Vbi =ηVT × ln ( )
ni 2

障壁電位與摻雜濃度成______，與本質濃度成______

23
 (2) 逆向偏壓( Reverse Bias )

(a) P 接低電位、N 接高電位

(b) 空乏區寬度______ → 電流阻礙大

→ 逆向電流( IS )_____

(c) 因正、負離子變____，空乏區寬度______

→ 有利於少數載子流動而形成微小電流

→ 少數載子流、逆向飽和電流、漂移電流、_____電流

3. 溫度影響

(1) 溫度影響二極體兩大參數

(a) 障壁電位( Vbi ) → 矽 : -2.5mV/℃、鍺 : -1mV/℃

(b) 逆向飽和電流( Is ) → Si 為每_____乘 2、Ge 為每_____乘 2

公式 : IS2 = ____________

(c) 漏電流因空乏區變大而明顯，但只與溫度、摻雜濃度最相關

24
老師講解 1
二極體若加順向偏壓則
(A) 障壁能量降低，空乏區寬度減小 (B) 障壁能量增加，空乏區寬度減小
(C) 障壁能量增加，空乏區寬度增加 (D) 障壁能量降低，空乏區寬度增加

老師講解 2
二極體施以逆向電壓時，仍有小量電流，是因
(A) 多數載子的流動所導致 (B) 多數載子的流動所導致
(C) 主、副載子同時流動所導致 (D) 無法斷定

老師講解 3
下列敘述何者有誤 ?
(A) PN 接面時的逆向漏電流由少數載子形成
(B) 鍺二極體的逆向漏電流比矽的大
(C) 溫度下降將使二極體的漏電流變小
(D) 二極體外加逆偏增加時使得漏電流變大

老師講解 4
有一矽二極體，在溫度 25℃ 時的逆向飽和電流為 3nA，試求 65℃ 時，逆向
飽和電流和障壁電位為多少 ?

25
4. 矽與鍺的參數比較

矽 Si 鍺 Ge

障壁電位 0.6~0.7 0.2~0.3

逆向峰值電壓 較大 較小

漏電流 μA nA

溫度對漏電流 × 2/10℃ × 2/6℃

溫度對障壁電位 −2.5mV/℃(上升) −1mV/℃(上升)

老師講解 5
若矽二極體在 35℃時之漏電流為 10nA 且障壁電位為 0.7V，則上升若溫度後
漏電流變為 14.14nA，則障壁電位變為多少 ?

26
 Key11 二極體特性曲線

1. V - I 特性曲線

(1) 電流方程式 ID = ______________

※ 自然對數 e = 2.718，n(η)：理想因子(介於 1~2 之間)

熱當電壓 VT = ───── (室溫 300K為 25.9mV)

(2) 解題式 :

ID 2
VD2 = VD1 + ηVT × ln I
D1

27
Key12 電 容 效 應

1. 電容概論

(1) 物理層面

(a) 定義 : 單位______儲存______的能力

C = ────

(2) 材料層面
A
d
C = ____ × ─── = ____ × ____ × ───

電容與______成正比、與______成反比

(3) 二極體之電容效應

(a) 接面電容與____________成正比

2. 電容分類

順偏 → ______電容(______電容)

接面電容(______電容)

28
 逆偏 → ______電容(______電容)

3. 偏壓

(1) 順向偏壓

(a) 電容 : 擴散電容 CD

順向偏壓增加時 → 空乏區寬度變_____

→ 擴散電容變_____

(b) CD = ───── ※ 𝜏 : 載子複合時間(電子電洞平均壽命)

(2) 順向偏壓

(a) 電容 : 擴散電容 CT

順向偏壓增加時 → 空乏區寬度變_____

→ 過度電容變_____

(b) CT = ____ × ────

(3) 無論在順偏與逆偏的情況下，二極體都會有過度電容與擴散電容的效

應，只是在逆偏時，載子的擴散量甚微小而幾乎無擴散電容。

𝑉𝐷

29
老師講解 1
下列有關二極體 PN 接面電容之敘述，何者錯誤 ?
(A) 過度電容之電容量與逆向偏壓成反比
(B) 過度電容之電容量與與 PN 接面之截面積成正比
(C) 擴散電容之電容量與順向偏壓成正比
(D) 擴散電容之電容量與順向偏壓成反比

30
 Key13 二極體等效模型

1. 模型解

理 想 模 型 定 電 壓 模 型 實 際 模 型

電 順向 逆向 順向 逆向 順向 逆向

2. 基礎電路

(1) (2)

31
3. 特殊題型

(1)

(2)

32
老師講解 1
若二極體皆為理想，求 Vo

老師講解 2
假設二極體 D1 與 D2 之切入電壓 Vr = 0.7 V、順向電阻 R f = 200Ω及逆向電阻
R r = ∞，電路中之 R s = 1.8kΩ及 R L = 12kΩ，當 V1 = V2 = 2V，請問 Vo ？

33
老師講解 3
若二極體皆為理想，求 Vo

34
 Key13 稽 納 二 極 體

1. 結構

VZ

P N

(1) 摻雜濃度 ____ : ____，因此崩潰電壓小

(2) 用於__________區，所以又稱崩潰二極體，常用______電路

2. V - I 特性曲線
順偏

逆偏

_____≤ IZ ≤_____

3. 各參數

(1) IZK : 稽納二極體的______電流

(2) IZM : 稽納二極體的______電流

(3) PM : _____ × _____

35
4. 崩潰機制

摻雜濃度 方式 崩潰電壓 溫度係數

稽納

累增

5. 基礎電路

Case.1( Vi = 9V、R = 2kΩ、R L = 4kΩ、VZ = 5V )

Case.2( Vi = 9V、R = 2kΩ、R L = 2kΩ、VZ = 5V )

36
6. 進階題型 A ( 電流範圍 )

(1) 若欲使維持崩潰，試求 R L 範圍

(2) 若崩潰電壓為 10V，且 12V ≤ Vi ≤ 15V，500Ω ≤ R L ≤ 1kΩ，則

Zener 二極體所消耗之最大功率為何 ?

37
7. 進階題型 B

(1) 若 Vi = 14V、R S = 2Ω、R L = 6Ω，其 Zener 二極體參數 Vz = 3V、

rz = 3Ω，則 Vo = ?

+
RS

Vi RL

(2) 若 Vi = 40V，則 Vo = ?

38
老師講解 1
若每種二極體障壁電位皆為 0.7V，試求 I = ?

老師講解 2
若二極體 Vbi 為 0.75V，試求 ID = ?

39
 Key14 特 殊 二 極 體

1.

二極體 符號 特性、應用
1. 操作於順偏，其中切入電壓約 1.7~
3.3V，而導通電流約 10~20mA
2. 發光原理是利用波爾(Bohr)定理，簡
發光二極體 LED 單說就是利用電子與電洞複合，自由
電子會將其能量轉為光能
3. 不同的材料會有不同的能隙，使 LED
有不同的波長以致產生不同的顏色
1. 用於順偏，高摻雜濃度(103 : 1)，且
透納二極體 具有負電阻特性，可用於高頻電路
2. 又稱隧道二極體、江崎二極體
1. 利用逆向偏壓控制其過度電容(CT )，
變容二極體 可做為 VVR

1. 應用於逆偏，利用光能，使 PN 接面
光電二極體 附近的少數載子增加，產生漏電流 Iλ
，該漏電流(Iλ )的大小與入射光強度成
正比

老師講解 1
若 LED 工作電壓時順向偏壓降為 1.5 V，電流範圍 5 mA~20 mA，為避免
LED 燒毀，試求限流電阻 R s 之最小值不得低於多少歐姆？

40
Key15 電 力 系 統

1. 電源電路是意圖

(1) 變壓器 : 不管事火力發電、水力發電、風力發電等等，起初電壓大小

少為幾千伏特，多則動輒幾萬伏特，所以必須倚賴多次的線

圈配置，得到理想電壓。

(2) 整流電路 : 當我們得到一理想電壓十，目標是為了使輸出負載得到一

__________。作法是利用________之______導通特性，

使信號轉為______極性。

(3) 濾波電路 : 脈動直流還不算是穩定的直流。利用電容器__________

特性，使信號之變化變小，接近純直流。

(4) 穩壓電路 : 典型是將______二極體接於______偏壓，利用崩潰電壓

使輸出負載達到一穩態電壓

41
Key16 整 流 電 路

1. 半波整流

(1) 半波整流

(a) 電路

(b) 輸入波形 Vi 輸出波形 Vo

vi vo

t t

(c) 平均值 Vdc = ______ = ______

有效值 Vrms = ______ = ______

輸出頻率 fo = _____

PIV(__________電壓) = _____

42
PIV(P I V ) proof :

老師講解 1
如下整流電路中，試求
(1) 若 R L = 100kΩ，則其輸出平均電壓 Vdc 與輸出平均功率 Pdc 約為多少 ?
(2) 二極體的 PIV 值為何 ?

43
2. 全波整流

(1) 中心抽頭全波整流

(a) 電路

(b) 輸入波形 Vi 輸出波形 Vo

vi vo

t t

(c) Vdc = ______ = ______

Vrms = ______ = ______

fo = _____

PIV = _____

44
PIV(P I V ) proof :

老師講解 1
如下全波整流電路中，其中二極體為理想，負載電阻 R L = 1kΩ，若通過 R L
上的平均電流 IL(dc) = 1mA，此時每顆二極體所承受之逆向峰值電壓(PIV)為
多少 ? 輸入電壓又為多少 ?

4:1 D1
+
Vm
+ − RL
Vi
− + IL
Vm
−
D2

45
(2) 橋式全波整流

(a) 電路

(b) 輸入波形 Vi 輸出波形 Vo

vi vo

t t

(c) Vdc = ______ = ______

Vrms = ______ = ______

fo = _____

PIV = _____

46
 PIV(P I V ) proof :

老師講解 1
若 Vin = 141.4sin(314t+60°)V，其線圈匝數比為 2 : 1，求
(1) Vo(dc) (2) Vo(rms) (3) fo (4) PIV
(5) 若輸出頻率為 50Hz，則電路可能發生了什麼事 ?

47
老師講解 2
若 Vi = 100√2 sin(314t+60°)V，其 𝑛1 : 𝑛2 : 𝑛3 = 5 : 2 : 3，求
(1) Vo(dc) (2) Vo(rms) (3) fo (4) PIV

老師講解 3
下列關於整流電路之比較何者正確 ?
(A) 全波整流後的電壓平均值為半波整流的 1.414 倍
(B) 全波整流後的電壓有效值為半波整流的 2 倍
(C) 全波整流後的波形頻率為半波整流的 2 倍
(D) 中間抽頭變壓器整流和橋式整流電路皆屬半波整流

48
Key16 濾 波 電 路

1. 濾波重要參數

(1) 濾波因數( ripple factor )

V
(a) 圖示

漣波百分比 r% = ─────── × 100%

Vr(m) Vr(p−p)
(b) Vr(rms) = =

(c) 濾波因數與 Vr(rms) 成______，Vr(rms) 越小代表______成分越小

，波形起伏較_____

(d) 濾波因數與 V(dc) 成______，V(dc) 越大代表波形的起伏容忍範圍

越_____

(e) 視為_____通濾波器

(f) 濾波因數越低 → 濾波效果越_____

理想電源電路 → r% = _____

49
(2) 電壓調整率( Voltage Rate )

(a) 定義 : 判定一電壓元好壞之準則

(b) 理想電壓源

VL = ____ × ───────

+
RL VL 目標 → VL ≒ ____
-
VL = ____ × ─────── ≒ ____

→ 理想電壓源內阻____Ω → ______

(c) VNL : ______電壓 VFL : ______電壓

(d) V.R.% = ──────── × 100%

(f) 理想電壓源內阻_____Ω → 𝑉𝐹𝐿 = _____ → V.R.% = _____

50
老師講解 1
使用一交直流電壓表，測得一濾波電路的輸出電壓，獲得 20V 直流電壓及
3V 交流電壓，則其漣波百分率為 ?

老師講解 2
有一輸出電壓方程式為 10+0.1sin(314t)V，則其漣波百分比為 ?

老師講解 3
有一電壓源之電壓調整率為 10%，且開路電壓為 22V、內阻為 1Ω，則此電
路之負載為何 ?

老師講解 4
某濾波電路輸出漣波如下圖所示，試求漣波因數百分比 ?

51
2. 濾波電路(純電容負載)

(1) 半波純電容

Vo

(a) Vo(dc) = _____

(b) fo = _____

(c) PIV = _____

(2) 全波中心抽頭
Vo

(a) Vo(dc) = _____

(b) fo = _____

(c) PIV = _____

52
 (3) 全波橋式整流
Vo

(a) Vo(dc) = _____

(b) fo = _____

(c) PIV = _____

4. 整流、濾波比較

全波
半波
中間抽頭式 橋式
二極體個數 1個 2個 4個
頻率關係 fo = fi fo = 2fi
輸出無並接電容： 輸出無並接電容： 輸出無並接電容：
PIV : ______ PIV : ______ PIV : ______
PIV
輸出有並接電容： 輸出有並接電容： 輸出有並接電容：
PIV : ______ PIV : ______ PIV : ______

53
5. RC 半波濾波電路

(1) 半波濾波

(2) 輸出波形

Vo

(a) fo = _____

(b) PIV = _____

(c) 漣波百分比 r%

_____之電量 = _____之電量

→ _____ × _____ = _____ × _____

→ r% = ───── × 100% ( R L : kΩ，C : uF )

(3) 漣波百分比 r%與_____、_____成______

R L 越大，濾波效果_____ → RC 電路為_____負載電路

54
老師講解 1
若 vi = 200sin377t V 且二極體為理想，求 C 值使其輸出 vo 之漣波電壓為 2V

老師講解 2
請參考如下圖電路，輸入電壓為 AC110/60Hz，D 為理想二極體，C 初始電
壓為零。若負載 R L 兩端之輸出電壓為 Vo ，請問下列敘述何者錯誤 ?
(A) 若使用三用電表量測 𝑉𝑜 值，以 AC50V 黨為量測是合適的
(B) 此電路是半波整流電路加上電容濾波電路
(C) 若電容值提高 20uF，則可以降低漣波電壓與改善濾波效果
(D) 電容器 C 在輸入電壓的正半週期為充電

55
6. RC 全波濾波電路

(1) 中心抽頭全波濾波

(a) 輸出波形

Vo

(b) fo = _____

(c) PIV = _____

(d) 漣波百分比 r%

→ _____ × _____ = _____ × _____

→ r% = ───── × 100% ( R L : kΩ，C : uF )

56
 (2) 橋式全波濾波

(a) 輸出波形

(b) fo = _____

(c) PIV = _____

(d) 漣波百分比 r%

C × Vr(p−p) = Idc × T

Vdc 1
→ C × 2√3 Vr(rms) = ×
RL 2fi

Vr(rms) 1
→ =
Vdc 2√3∙C∙RL ∙2fo

→ r% = ───── × 100% ( R L : kΩ，C : uF )

57
老師講解 1
若全波整流電路中，若濾波器之電容量 C = 2uF，負載電流為 5 mA，峰值整
流電壓為 185 V，試求 r %

老師講解 2
設計一橋式全波整流器，要求漣波因數不可超過 10%，若負載 𝑅𝐿 為 10kΩ
，則濾波電容至少 ?

老師講解 3
如圖所示為半波濾波電路，則將比較大小填入下表格

甲 乙

r%

RL

C
D(on)

C放

ID

fo

58
老師講解 4
下列有關電容濾波電路之敘述，下列何者有誤 ?
(A) 負載電組越大，漣波因數越小
(B) 濾波電容越大，二極體的充電電流越大
(C) 就濾波效果而言，全波比半波來的差
(D) 電容量越大，漣波因數越小

老師講解 5
若某橋式整流器之負載電阻為 10kΩ，設輸入電壓為 𝑣𝑖 = 100sin(377t) V，若
要使整流後之漣波電壓限制在 2V 內，則須並聯之電容值最小為 ?

老師講解 6
若某橋式整流器之負載電阻為 10kΩ，設輸入電壓為 𝑣𝑖 = 100sin(314t) V，若
要使整流後之漣波電壓限制在 2V 內，則須並聯之電容值最小為 ?

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