CERAMIST

특집 반도체용 세라믹스

반도체용 세라믹 히터의 산업 및 기술 동향

안덕원, 박명하
글_
㈜미코, 기술연구소

1. 반도체 산업 및 시장 전망 시장의 핵심 기업으로 자리매김하였으나 다양한 적용분

최근 4차 산업혁명에 따른 반도체 칩의 수요는 기존 컴
퓨터에서 IT로, 그리고 사물인터넷(IoT), 클라우드 컴퓨
팅, 빅데이터, 가상현실, 자율주행차 등의 진화하는 산업
을 배경으로 지속적인 성장을 하고 있다. 시장조사 자료
에 따르면, 2015년 전체 반도체 시장이 5.7% 성장한 것
에 비교해 IoT 관련 반도체 부문은 36.2%로 빠르게 성장
하고 있는 것으로 나타났으며, 전기자동차, u-헬스, 로
봇 등이 향후 부상할 것으로 전망되는 미래 주력산업에서
도 결국 반도체가 핵심 구성품이 될 것으로 예상된다.
반도체 시장은 2000년대는 치킨게임이라 불릴 정도의
급격한 시장 재편 과정을 겪으며 대규모 M&A와 전략적
제휴를 기반으로 대형 제조사들이 특정 부분의 영역을 장
악한 시장이 구축되었다. 이 과정에서 국내 반도체 칩 제
조사들은 선도적 공정기술을 기반으로 메모리 칩의 제조
분야에서 타의 추종을 불허할 정도의 기술 선점을 통해
야에 사용되는 로직기반의 고부가가치 반도체 칩 제조는
미국과 대만업체에 비해 다소 고전하고 있는 것이 현실
이다.
반도체 칩의 제조는 크게 전자회로를 웨이퍼 위에 인쇄
하는 전공정, 조립 및 검사를 하는 후공정, 그리고 제조
공정의 주기적 오류 검사와 관련된 측정 및 분석 공정으
로 대별할 수 있다. 특히, 전공정은 웨이퍼 위에 회로도
를 그리는 과정으로 웨이퍼 가공 공정이라고도 부르며,
노광, 식각, 연마 그리고 증착 등을 반복하여 웨이퍼 위
에 소자와 배선을 배열하여 제작하는 공정을 말한다. 반
도체 칩 제조업체들은 매출액의 약 20% 정도를 반도체
장비 구입에 쓰고 있다고 알려져 있다. 반도체 장비 산업
은 반도체 산업이 발전함에 따라 중요성이 더욱 높아지고
있으며, 예전에 칩 제조업체가 주도하였던 많은 기술 개
발들을 이제는 장비 업체가 주도하게 되는 상황으로 점차
변하고 있다.

Table 1. 반도체 증착 장비 (CVD) 시장 규모 추이와 전망*

 (단위 : 백만 달러)
2013 2014 2015F 2016F 2017F 2018F 2013-2018년 연평균 성장률(%)
CVD 2,843 3,529 3,699 3,375 3,670 3,882 6.4
PECVD 1,153 1,459 1,523 1,387 1,523 1,613 6.9
LPCVD 310 426 414 367 399 419 6.2
ALD 606 788 903 903 990 1,047 11.6
APCVD 131 111 73 40 44 47 (18.6)
Tube CVD 644 744 787 678 714 757 3.3

 * Gartner, 신한금융투자 추정

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Fig. 1. 세계 반도체 시장 비중 및 IoT 반도체 시장전망 (출처: Gartner)
2. 반도체 증착 장비 산업 및 시장 전망
2017년 웨이퍼 가공 장비는 21.7% 증가한 398억 달러,
팹설비, 웨이퍼 제조, 마스크/레티클과 같은 기타 전공정
장비 분야는 25.6% 증가한 23억 달러로 전망된다. 어셈
블리 및 패키징 장비분야는 12.8% 증가하여 34억 달러,
테스트 장비는 6.4% 증가하여 39억 달러로 예상했다. 한
국은 2018년에도 134억 달러의 매출로 지역 중 1위를 유
지할 것으로 보이며, 한국, 중국, 대만이 톱3를 차지할 것
으로 전망된다. 중국의 경우, 2017년은 5.9%의 성장률을
보였지만, 2018년 장비 매출은 61.4% 증가해 110억 달러
가 되어 2위 지역으로 올라서며, 지역 중 최고의 성장률
을 보일 것으로 예측한다. 대만은 109억 달러로, 2017년
에 비해 다소 매출이 부진할 것으로 전망된다.
국내 반도체 산업은 세계적인 경쟁력을 가진 메모리 소
자 업체가 국내에 존재함에도 불구하고 장비 분야는 외국
Fig. 2. 반도체 종류별 시장 전망 (출처: WSTS, IBK투자증권, 2016)
반도체용 세라믹 히터의 산업 및 기술 동향
업체의 의존도가 상당히 높은 구조를 갖고 있으며, 실제
국내 반도체 장비 산업의 수준은 식각과 세정 및 증착 공
정에 한하여 세계적 수준에 약 60~80%의 기술력을 갖고
있다고 알려져 있다.
증착 장비는 세계 시장 기준으로 2013년 약 28억 달러
에서 2017년 36억 달러 까지 연평균 6.6%의 성장률로 성
장할 것으로 전망하고 있으며, 세부 분야별로는 APCVD
(Atomospheric Pressure CVD) 장비가 4천7백만 달러,
LPCVD(Low Pressure CVD) 장비가 4억 달러, PECVD
(Plasma Enhanced CVD) 장비가 15억 달러, ALD장비
가 9억 달러 정도의 분포를 보일 것으로 예측하고 있다.
반도체 장비 산업 부분은 반도체 전체 산업에서 중요
도가 높아지고 있으며, 특히 증착 장비는 국내에서 관련
산업의 파급효과가 높은 분야이다. 이들 증착 장비 가격
에서 히터가 차지하는 비중은 10%수준으로 알려져 있으
며, 장비 공급과는 별개로 개별 소자 업체의 사용량은
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특집 안덕원, 박명하

Fig. 3. 세계 반도체 장비 시장 전망 (출처: SEMI, www.semi.org, July, 2017)

각 사 및 각각의 공정 조건 의존하지만, 일반적으로 세 로 인하여 반도체 제조 공정 시 여러 가지 문제가 발생하

라믹 히터의 경우 2년 정도의 수명을 가지는 것으로 알
려져 있다.
3. 차세대 반도체 공정 기술
반도체의 증착 장비는 공정의 발전 및 변화와 밀접한
관계를 가지며, 이를 구현하기 위해 존재한다. 현재 반도
체 공정은 고집적화 및 고속 동작을 위하여 미세 패턴화
되어가고 있으며, 이와 함께 수율 향상을 위한 장비의 대
구경화로 발전하고 있다.이러한 공정 미세화 및 대구경화
기 때문에 이를 극복할 수 있는 차세대 반도체 공정 기술
개발이 필요하다.
차세대 반도체 공정 기술방향은 최근 3차원 구조로 진
화하고 있다. 하지만 공정미세화는 여전히 계속 진행되고
미세공정은 아직도 기업간의 주요 경쟁요소로 작용하고
있다. 공정미세화를 위한 패터닝 기술은 DPT(Double
Patterning Technology)와 QPT(Quadruple
Patterning Technology)외에도 EUV가 연계되고 있으
며, DSA(Directed Self Assembly)와 Nano Imprint 역
시 포토공정을 보완할 것으로 판단된다. 비록 미세공정이
다변화되고 있지만 3차원 구조 역시 확대될 것으로 판단
된다. 특히 3차원 구조는 NAND와 시스템 반도체에서 본
격화될 전망이다. 특히 올해부터는 3D NAND가 48단에
서 64단으로 전환될 것으로 전망된다. 또한 시스템 반도
체 부문에서는 3D FinFET 공정 확대로 10 나노 공정 이
후 7 나노 공정경쟁이 예상된다.

4. 히터 기술 발달의 추세

증착 장비의 핵심 요소는 히터, 플라즈마, 프리커서 등

과 같은 기술이 요구된다. 특히 반도체용 Heater의 경우
Fig. 4. 차세대 반도체 공정 기술방향 는 증착 공정에서 원하는 막질을 얻기 위한 증학 장비의

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Fig. 5. 증착 공정 챔버 및 히터 모식도
핵심부품 요소로 자리잡고 있다. 증착 공정은 통상 진공
조건을 유지한채 반응기에 RF(Radio Frequency) 파워
를 인가하여 히터 위에 안착된 웨이퍼에 열을 전달하고
플라즈마 상태를 유지한 상태에서 제조공정에 사용되는
화학 Gas를 유입하여 원하는 막질을 얻는 공정으로 진행
된다.
반도체 증착 공정은 300℃이상의 비교적 고온에서 이
루어진다. 이때 웨이퍼에 400℃ 이상의 열을 가해주는
장치로 사용되는 부품이 매립형 히터이다. 이러한 발열
체 매립형 히터는 주로 메탈 재료가 주를 이루었으나 증
착 공정의 온도가 올라감에 따라 웨이퍼와 메탈의 열팽창
률 차이로 인해 웨이퍼의 미끄러짐 문제가 발생한다. 이
러한 문제를 해결하기 위하여 열팽창 계수가 실리콘 웨이
퍼와 유사하고 내플라즈마성을 갖는 AlN 세라믹 소재를
이용한 히터가 적용되었으며, 현재는 500℃이상의 고온
공정에서는 AlN 히터가 주를 이루고 있다. 하지만 최근
Fig. 6. 반도체용 Heater 종류 및 기술 Trend
반도체용 세라믹 히터의 산업 및 기술 동향
더욱 가혹해진 증착공정으로 인하여, 웨이퍼 가열과 냉
각이 반복되며, 특히 고온의 증착 공정에서의 온도에 의
한 웨이퍼 휨(warpage) 현상과 같은 문제점이 나타나고
있다.
이러한 문제점을 해결하기 위해, 현재는 열전달 및 온
도 균일화 기능이 보강되며 공정 중 휨 방지가 가능한 정
전척 기능이 구현된 히터가 일부 적용되고 기능이 개선된
제품을 개발 중에 있다.
5. 히터 제조 기술
AlN 히터는 히터 설계 기술, AlN 원재료 조성, 성형,
성형체 가공, 소결, 소결체 가공, 타 세라믹 간 접합 기술,
다른 형상을 가진 세라믹 간 접합 기술, 고온에서 부식되
지 않는 금속 간 접합 기술 그리고 열악한 환경에서 사용
되는 제품의 신뢰성 평가 기술 등으로 이루어 진다.
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Fig. 7. 반도체용 AlN Heater 제조기술 및 공정 Flow
또한, AlN 히터의 제조 공정은 AlN 분말에 전기적 저
항 특성을 제어할 수 있는 불순물을 첨가한 후 설계된 치
수의 성형체 및 소결체를 제조하고 발열체 및 접지를 위
한 전극의 매립은 성형체 혹은 소결체 상에서 이루어진
다. 특히 전극 매립 방식에 따라 프린팅형, 플레이트형,
코일형 등이 있으며, 특히 접지 전극과 발열체 전극 사이
에는 고온에서도 전기 저항이 일정 수준이상 유지되어야
하는 부분으로 전기적 절연이 유지되면서 열전도도가 유
사하여 구조적 스트레스가 발생하지 않는 조성의 AlN 소
재가 요구된다. 이러한 전극들이 매립된 다단의 세라믹-
금속 구조를 구현하기 위해 열간 가압 소성로의 적용이
일반적이며, 이 후 성형이 완성된 AlN 프레이트를 지지
하는 샤프트를 접합하고 고온에서 부식되지 않는 이종 금
속 접합 방식을 이용하여 AIN 히터를 제작한다.
6. 차세대 히터의 기술 개발 방향
최근 산화물, 비산화물 증착공정(CVD,ALD)은 기술
난이도가 높아지고 있으며, 공정 조건 또한 더욱 가혹해
지는 상황이다. 특히 3D V-NAND는 단층 박막 공정에
서 3차원 다층 박막 증착 변화로 인해, 공정 증착 시간
이 기존대비 2~6배가량 증가했다. 또한, 증착 속도를
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높이기 위해, 플라즈마 RF 파워도 증가되어야 하는 현
실이다.
이러한 장비의 기능적 요구를 충족하기 위하여, 차세대
히터를 개발하는 것이 필수불가결한 일이다. 차세대 히터
개발 기술은 열전달 및 온도 균일화 기능이 우수하며, 고
온 증착 공정에서의 고온 비저항 및 웨이퍼 휨(Warpage)
현상을 방지하기 위한 정전척 기능이 구현되며, 더욱 가
혹해진 공정 환경에서 내플라즈마성이 우수한 특성 등을
갖추어야 한다.
6.1 온도 균일도 향상 히터 개발
최근의 다층 박막 공정은 600℃ 이상의 고온 공정을 이
용하여 박막의 생산성을 높이고 있고, 웨이퍼의 온도 균
일도 제어를 통한 웨이퍼의 수율이 증가하는 상황에 있
다. 하지만, 현재 사용되는 AlN 히터는 실온에서부터
600℃ 이하 온도 범위에서 온도 균일성이 유지되는 히터
라도 600℃ 이상의 온도 범위가 되면 급격하게 온도차이
가 커지는 문제점이 나타나고 있다.
이러한 AlN 히터의 문제점은 히터의 중심부와 외곽부
의 온도 균일도 차이로 인하여 웨이퍼 불량을 발생시킨
다. 불량의 원인은 AlN 소재로 구성된 플레이트와 샤프
트로 형성된 히터의 설계 구조로 인해서 발생된다. AlN
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Fig. 8. 차세대 히터 고객 요구 사양
히터는 저항 발열체가 매설된 AlN 플레이트의 중심 부위
에 AlN 샤프트가 지지하는 구조로 되어 있으며, 이로 인
하여 중심에서 AlN 샤프트로의 열전달에 의한 열손실이
발생하여 히터의 중심부위와 외곽부의 온도 편차가 발생
된다.
이러한 문제점을 개선하기 위하여 2-Zone 및 멀티존
히터에 대한 개발이 진행되고 있다. 특히, 2-Zone 히터
제어방식은 히터 중심부 발열체와 외곽부 발열체의 온도
를 별도로 조절하는 방식이다. 이 방식을 이용하여 AlN
히터의 중심부와 외곽부의 온도 균일도를 유지한다.
2-Zone 및 멀티존 히터 개발을 위해서는 다음과 같은
요소 기술이 필요하다. 첫째, 샤프트의 AlN 소재는 고온
에서 중심부의 열손실 차단을 목적으로 열전도도가 낮은
AlN 소재에 대한 개발이 필요하다. 둘째, 히터 플레이트
중심부 온도를 기준으로 하여, 외곽부 온도를 별도로 조
절하는 방식인 온도 제어 설계 기술이 필요하다. 셋째, 히
터 플레이트의 온도가 고온으로 올라가면 이에 전원을 공
급하는 단자부 또한 고온에서도 물리적인 접촉이 안정적
으로 이뤄질 수 있는 단자부 연결 방식에 대한 개발이 필
반도체용 세라믹 히터의 산업 및 기술 동향
요하다.
이와 더불어, 현재 장비 제조사는 생산되는 AlN 히터
제품마다의 온도 재현성에 대한 관리가 더욱 엄격하게 요
구되는 상황이다. 하지만, 실제로 생산되는 히터 각각의
온도 재현성 관리는 일정하게 되지 않는 것이 현재 기술
수준이다. 온도 재현성 문제 원인은 AlN 소재 발열체의
반응 및 변질로 인한 것으로 추정된다. 이를 해결하기 위
해서는 AlN 소재 내에 매설된 발열체를 소결 공정에서
금속 부재와의 반응을 억제하거나, 또는 반응의 정도를
균일하게 제어하는 연구가 필요하다.
6.2 고온·고저항 정전척 히터 개발
증착 공정의 초고온 환경 변화로 인해서, AlN 히터에
서는 누설 전류 억제를 위한, 고온 비저항이 높은 소재가
요구되고 있다. 특히, 고주파 전극 AlN 히터는 상온과 중
온 영역에서 고주파 플라즈마 상태가 안정적으로 형성 되
다가 600℃ 이상의 고온 영역으로 변경되면, 고주파 플
라즈마 상태가 불안정한 상태로 나타난다. 이러한 불안정
한 고주파 상태에 대한 원인은 AlN 소재 내부의 저항 발
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Fig. 9. 2-Zone 히터 제어방식
열체와 고주파 전극에 전류가 흘러 누설 전류로 인한 고
주파 전압의 이상 현상을 야기시키는 것으로 추정된다.
이러한 문제점을 해결하기 위해서는 AlN 소재의 고온 비
저항을 확보하는 것이 필수이다.
최근 장비 고객사는 정전척 AlN 히터에 대한 수요가 증
가하는 상황이다. 그 이유는 다층박막 증착 공정에서 웨
이퍼의 가열과 냉각이 반복적으로 실행됨에 따라, 웨이퍼
휨(Warpage) 현상이라는 불량이 나타나며, 이에 고온
영역에서 정전척 기능이 구비된 AlN 히터에 대한 개발이
필요한 실정이다.
특히, 고온 영역의 정전척 AlN 히터는 웨이퍼를 고정
하기 위하여 존슨-라벡힘에 의한 정전력이 주로 이용되
고 있다. 존스-라벡힘을 이용하여 정전력을 구현하기 위
해서는 비저항이 108~1013 Ω·㎝의 범위에서만 사용이
Fig. 10. 정전척 AlN 히터 모식도
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가능하다. 하지만 600℃ 이상의 고온 영역에서 AlN는 비
저항이 1016 Ω·㎝에서 105 Ω·㎝ 이하로 현저히 저하하
기 때문에, 600℃ 이상의 고온 온도범위에서 정전력의
기능을 사용하기 어렵다.
따라서, 고온 영역에서 AlN 히터의 정전력을 구현하기
위해서는 고온 비저항을 108~1013 Ω·㎝ 범위에서 제어
하는 것이 주요한 기술이다. 하지만, 현재 사용되는 AlN
소재는 공정온도가 600℃ 이상이 되면 소재의 비저항이
급격히 감소되는 특성이 존재한다.
최근 AlN의 전기적 특성의 연구 결과에 의하면, AlN
소재의 고온 비저항의 특성은 입자 내에 존재하는 점결함
에 크게 의존하는 것으로 확인되고 있다. 특히 AlN 소재
의 가장 일반적인 점결함은 공공(Vacancy)으로 산소가
질소자리에 치환됨에 따라 발생하게 되고, 이로 인하여
비저항 특성에 영향을 미치게 된다. 따라서 AlN 소재의
고온 비저항을 향상 시키기 위해서는 AlN 입자 자체의
산소 함량을 제어하는 것이 매우 중요하며, 이와 동시에
입계의 2차상의 양과 형상을 제어함으로써 추가적인
AlN 소재의 전기적 특성 향상을 기대할 수 있다. 다만,
이러한 AlN 소재의 결함과 입계 2차상 제어에 따른 전기
적 특성 관한 연구가 아직까지 미진한 실정으로 향후 지
속적인 연구가 필요하다.
6.3 우수한 내플라즈마 히터 개발
최근 고객사는 증착 공정에 있어서 높은 생산성과 함께
고품질화를 요구하는 상황이다. 이에 장비 제조사는 증착
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Fig. 11. AlN 소재 전기전도 메카니즘
공정 속도를 높이기 위해, 플라즈마 RF 출력을 증가하여
사용하고 있으며, 생산 시간을 단축하기 위해 고온 조건
하에서 NF3 부식성 가스를 사용하여 플라즈마 클리닝 공
정을 진행하고 있는 상황이다.
특히, 플라즈마 클리닝 공정은 불소를 포함한 고온 플
라즈마 가스 분위기에 노출된다. 이로 인하여, AlN 히터
는 불소 라디칼 및 이온과 반응해서 AlN 소재 표면에 불
화 알루미늄의 반응층이 형성된다. 이 불화 알루미늄 반
응층은 450℃ 정도에서 승화하기 시작하여, 반복적인 증
착 또는 클리닝 공정 처리에 의해 승화 반응이 지속적으
로 진행된다. 결국 표면에 노출되어 있는 AlN 소재는 재
차 불소 라디칼 및 이온과 반응하여 불화 알루미늄이 재
형성되고, 이 형성된 불화 알루미늄이 승화하는 것으로
인하여 AlN 소재의 부식 범위가 확대된다.
이러한 부식된 AlN 히터 표면은 점차 두께가 얇아지기
때문에 히터 강도의 저하 및 균열 등과 같은 현상으로 이
어진다. 더불어, 승화한 불화 알루미늄은 챔버 내에서 비
교적 저온 영역인 챔버 내벽면 등에서 석출, 부착되어 파
티클 형태의 오염원으로 작용 된다. 결국, 이러한 파티클
Fig. 12. PECVD 증착 공정에서의 AlN 히터 부식현상 모식도
반도체용 세라믹 히터의 산업 및 기술 동향
은 반도체 웨이퍼에 부착될 가능성이 크고, 이로 인하여
반도체 소자의 제조 수율을 저하시키는 품질 문제를 야기
시킨다.
현재 고온 증착 공정을 위한, 플라즈마 내식성이 우수
히터 개발이 진행되고 있으며, 특히 불소계 플라즈마 가
스에 대한 내식성이 우수한 이트리아를 포함한 산화물 계
열과 다양한 불화물 계열의 내식성 소재 개발과 내식성
표면층을 형성하기 위한, 다양한 표면처리에 대한 연구가
활발히 진행되고 있는 상황이다. 특히 내플라즈마 특성이
우수한 이트리아 및 불화물 계열의 소재는 모두 불소 플
라즈마에 대한 내구성이 높고, 고온에서도 승화하기 어렵
기 때문에, 플라즈마 내식성이 우수한 소재로 알려져 있
다. 하지만 이트리아 및 불화물 계열의 소재를 단독히터
소재로 적용하기에는 많은 문제점들이 있으며, 그 중 가
장 큰 문제점은 열전도율 및 강도가 낮고, 열팽창 계수가
크기 때문에 가열 냉각에 의해 발생하는 열응력으로 인한
균열 현상이다. 이를 극복하기 위하여, 플라즈마 가스가
노출되는 히터 표면에 내식층 표면형성을 통한, AlN 히
터 개발에 대한 연구가 진행되고 있다. 내식층을 형성하
는 방법에는 용사 및 에어로졸 코팅에 의한 코팅막 내식
층을 형성하는 방법, 화학적 기상 성장법, 전기 화학 기
상 성장법에 의한 내식층을 형성하는 방법 등이 있다.
하지만, 아직까지 AlN 히터에 내식층을 형성하기에는
많은 문제점들이 존재한다.특히, 코팅 방식을 통하여
10um 이하의 얇은 내식층을 형성 시킬 경우, 얇은 내식
층으로 인하여 부식 방지 효과에 한계가 있다. 특히 내식
층 두께 제한에 의한 히터의 수명을 효과적으로 연장하기
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어렵다. 또한 내식층을 두껍게 할 경우 AlN 소재와의 열
팽창계수 차이로 인하여 균열 및 크랙이 발생될 수 있다.
고온 영역에서 불소계 부식성 가스의 플라즈마에 따라서
고온영역에서 불소계 부식성 가스의 플라즈마 노출 시,
부식을 방지하고 파티클 발생을 방지할 수 있는 히터 개
발을 위한 추가적인 연구가 필요 상황이다.
11. S.
7. 결론
12. J.
반도체 증착 공정에 사용되는 핵심 부품인 세라믹 히터
는 고출력의 플라즈마 분위기와 부식성 가스 노출이라는
가혹한 환경에서 사용되고 있기 때문에 고온과 높은 인가
13. D.M.
전압 조건에서의 우수한 전기 절연성, 내식성 등 요구되
는 모든 특성을 충족하는 소재와 제조 공정이 개발되어야
할 것이다. 또한, 소자의 진화에 따라 웨이퍼에 요구되는
특성이 다양해지고 있으며 이를 해결하기 위해서는 기존
의 방식에 더하여 새로운 요구 조건을 충족시키는 기능을
구현하는 방향으로 각 부품들과 제품이 설계되어야 할 것
이다. 무엇보다 중요한 점은 모든 요구 조건들이 충족되
더라도 이를 세라믹으로 구현해야 하는 기술적 난제를 해
결해야 할 것으로 판단된다.
현재 세라믹 히터의 국내 기술 수준은 해외 시장을 선
6. 임흥주, “CVD/ALD 기술의 소개 및 시장 동향”, ㈜IPS
7. “반도체 공정변화”, 메리츠종금증권, (2013)
8. “반도체 산업”, NH투자증권 (2015).
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 안덕원
 2001~2003 인하대학교 물리학과 학사
 2003~2006 인하대학교 고체물리학과 석사
 2006~현재 ㈜미코 기술연구소 차석 연구원

도하고 있는 일본의 소재 부품 기술에 비해 초기단계로

인식된다고 볼 수 있다. 따라서 반도체 소자의 진화와 이
에 따른 공정 환경 변화에 맞춰 시장에서의 기술적 우위
를 선점하려면 반도체 세라믹 부품에 대한 많은 노력과
관심이 필요하다.

 박명하
참고문헌
1. ‌“세계반도체 장비산업 현황 및 산업발전을 위한 제언”, 한  1991~1999 경성대학교 전기전자공학과 학사
 1999~2001 경성대학교 전기공학 석사
국산업기술평가관리원 (2015)
 2002~현재 ‌㈜미코 부품개발본부 본부장/
2. “반도체 장비”, 한국과학기술정보연구원 이사
3. ‌“반도체산업의 수급구조 변화와 발전과제”, 한국무역보
험공사 (2014).
4. ‌이종희, “한국 반도체산업 발전과정과 장비산업 경쟁력
분석”, 경기대학교 (2012)
5. “중소기업기술로드맵”, 중소기업청 (2013).

14 ||세라미스트