MOSFET

MOSFET ya da metal oksit yarı iletken alan etkili transistör

Nerelerde Kullanılır?
• Sayısal ve Analog devrelerde en sık rastlanan alan etkili transistör
türüdür.

TÜRLERİ:
İyileştirilmiş MOSFET

Azaltılmış MOSFET
gibi çeşitleri vardır.
 JFET'e benzerliği

•MOSFET, JFET'e pek çok yönden benzerlik gösterir. JFET'de Gate Source ters polarlanmış bir PN oluşturmaktadır.
MOSFET'de ise böyle değildir. MOSFET'de gate (kapı) öyle oluşturulmuştur ki drain ile source arasındaki bölge üzerine
silikon dioksit ve onun üzerine de gate elektrodu (metal plaka) konularak yapılmıştır. Böylece kapı metal elektrotu
ile drain ve source arasına bir yalıtkan konulmuş olur. Buradaki yalıtkan silikon dioksit(SiO2)'dir. Silikon dioksit çok iyi bir
yalıtkandır ve ayrıca mükemmel mekanik özelliklere sahiptir. Metal oksit ve yarı iletken bir kapı oluşturur ve MOSFET
adının oluşmasını sağlar. Bu nedenle kapı gerilimine JFET' de olduğu gibi bir sınırlandırma konulmamıştır. Tabi bu teoriktir.
Kapı yalıtkanı o kadar incedir ki eğer bir koruma yoksa vücudumuzdaki gerilim bile bu yalıtkanı delmeye yeter. Ayrıca bu
yalıtkan yüzünden kapı akımı neredeyse hiç yoktur ve giriş empedansı çok yüksektir. Tipik olarak kapı akımı 10 −14 A
(0,01piko amper) ve 10 14 ohm (10.000 Giga ohm).
• Kapı geriliminin sınırlı olmaması ayrıca MOSFET'de iki durumda çalışma olanağı sağlar. Bunlar "Arttırılmış -
Enhancement" ve "Azaltıcı - Depletion" çalışma şekilleridir. Enhancement MOSFET' ler uygun şekilde kutuplanmadığı
sürece üzerlerinden akım akmaz. Çünkü kapı geriliminin sıfır olması ile kaynak ve savak arasında iki tane arka arkaya
bağlanmış PN diyotu vardır. Savak-kaynak gerilimi ne değerde olursa olsun kaynak akımı akmaz. Depletion tipi
MOSFET'ler Enhancement tiplerinin tam tersidir. Bu tip MOSFET'ler normalde "ON" tipi MOSFET'lerdir. Gate uygun
şekilde bayslanmadığı sürece akım geçirirler.
Enhancement MOSFET'in kabaca
Üç çalışma bölgesi vardır:
•Kesim: Kapı-kaynak gerilimi, eşik geriliminden düşük olduğunda, savak akımı sıfıra çok yakındır.
• Doğrusal: Kapı-kaynak gerilimi, eşik geriliminden yüksek, ve savak-kaynak gerilimi kapı-kaynak
gerilimi ile eşik gerilimi arasındaki farktan daha düşük olduğunda;
• Doyum: Kapı-kaynak gerilimi, eşik geriliminden yüksek, ve savak-kaynak gerilimi kapı-kaynak
gerilimi ile eşik gerilimi arasındaki farktan daha yüksek olduğunda, savak akımı (I D) ile kapı gerilimi
arasındaki ilişki kabaca aşağıdaki formülle verilir. Bu formüle kare kanunu da denir. SPICE devre
benzeşim programında kullanılan 1. seviye model de bu formüle dayanır.
Anlatım
• MOSFET, girişinde hiç güç harcamadığı için ve drain - source arası tam olarak "ON" yapıldığında üzerinde çok
az güç harcar. Bu nedenle içinde çok sayıda transistör olması istenen entegre devrelerin vazgeçilmez
parçalarıdır. Yazının baş taraflarında da söz edildiği gibi MOSFET' in kapısını oluşturan dioksit çok ince
olduğundan vücut elektriğinden bile kolayca bozulabilir. Bu durumu önlemek için gate ile MOSFET'i oluşturan
alt taş (substrate) arasına bir zener diyot fabrikasyon olarak yerleştirilir. Bu zenerin iletime geçme voltajı
düşük olacağına göre dışarıdan gelebilecek gerilimler zener üzerinden kısa devre olur. Fabrikasyon tedbirler
alınmasına rağmen bu tür transistörleri taşırken dikkatli olmalı, eğer bacakları bir tel ya da benzeri bir şeyle
kısa devre edilmişse bunu, transistörü yerine taktıktan sonra çıkarmalıdır.

Günümüzde MOSFET transistörlerinin yerine BJT tipi transistörler daha fazla

kullanılmaya başladığından daha az tercih edilir hale gelmektedirler .

https://tr.wikipedia.org/wiki/MO
SFET
MOSFET ile yapılan örnek devre
Son.
• Proje:MOSFET Anlatım
İsim:Hüseyin Emir
Soyİsim:BEL
Numara:2028
Sınıf:11/D

Forum sitesi: https://tr.wikipedia.org/wiki/MOSFET

(Ortağım yok)