Лабораторна робота № 1

ЕКРАНУВАННЯ ЕЛЕКТРОСТАТИЧНИХ
(КВАЗІСТАТИЧНИХ) ТА ЕЛЕКТРОМАГНІТНИХ ПОЛІВ

1. Мета та основні завдання роботи

Радіоапаратура різноманітного призначення як правило
функціонує при наявності завад природного (атмосферні, космічні та
флуктуаційні) і штучного (промислові, індустріальні ненавмисні та
навмисні радіоперешкоди) походження. До ненавмисних
радіоперешкод відносяться не передбачені схемою радіоапаратури
небажані зовнішні та внутрішні "паразитні" зв'язки, що неминуче
виникають між окремими частинами і деталями конструкцій блоків
радіоапаратури. Завади можуть суттєво погіршити функціональні
параметри. Одним з основних технічних напрямків боротьби з
завадами є екранування радіоапаратури. В даний час як самостійні
розглядаються наступні основні види екранування: електростатичне
(квазістатичне), магнітостатичне, електромагнітне. При
електростатичному (квазістатичному) екрануванні в основному, а при
електромагнітному частково, використовується одне й те саме
фізичне явище електростатичної (квазістатичної) індукції.
Мета даної роботи – вивчити принципи та кількісну ефективність
електростатичного (квазістатичного) і електромагнітного екранування
полів завад.

1
 2. ОСНОВНІ ТЕОРЕТИЧНІ ВІДОМОСТІ

Загальна теорія електромагнітного екранування, незважаючи на

значні досягнення, ще досить складна, більшість її додатків обмежене
рамками ідеалізованих умов, у результаті чого важко одержати
кількісні співвідношення, придатні для проектування реальних
екранів.
Тому дотепер багато інженерних завдань екранування
вирішувалися та вирішуються в основному шляхом кількісного
аналізу й експериментального пророблення. Такими методами в
роботах з екранування були отримані майже всі доступні для огляду
та використовувані на практиці результати.
Це привело до того, що в даній області техніки використовується
для однакових або близьких цілей безліч істотно різних способів,
технічних розв'язків, конструкцій і розробок, не всі з яких оптимальні
по ефективності, технологічності, необхідних матеріальних витратах
та іншим характеристикам. Використання різних підходів для
подібних цілей екранування апаратури при однакових вихідних даних
для проектування призводить до протиріч і зниження техніко-
експлуатаційних та техніко-економічних показників конструкцій.
Оскільки знання методів екранування характеризує професійний
рівень радіоконструктора, у даних методичних вказівках здійснена
спроба узагальнення та систематизації для студентів по ряду
літературних джерел сучасних досягнень по конструюванню
електростатичних (квазістатичних) і електромагнітних екранів.

2
 2.1. Електростатичне (квазістатичне) екранування
В основі електростатичного (квазістатичного) екранування
лежить фізичне явище електростатичної індукції. Припустимо, що
заряд  q поміщений у центрі сферичної металевої сфери (рис. 1.1).
У результаті електростатичної індукції вільні електрони
металевої оболонки з високою провідністю перемістяться на
внутрішню поверхню екрануючої сфери, найближчу до екранованого
позитивного заряду, створять на її внутрішній поверхні заряд q ,
поле якого всередині сфери компенсує поле екранованого
позитивного заряду  q .

Рис. 1.1. Модель електростатичного екрана

На зовнішній поверхні сфери, збідненої вільними електронами,

утворюється позитивний заряд q , і електростатичний екран
виявиться, таким чином, неефективним у результаті дії в оточуючому
просторі поля цього зовнішнього поверхневого заряду. Однак, якщо
тепер підключити металеву сферу до землі (до корпуса), це призведе
до того, що заряди, що перебувають на зовнішній поверхні сфери,
стечуть на корпус, компенсуються та поза оболонкою поле виявиться
рівним нулю. Отже, електростатичне екранування по суті зводиться
до замикання електростатичного поля на поверхні металевого екрана

3
(у зв'язку з тим, що в металевій товщі екрана напруженість поля
дорівнює нулю), і до відводу електричних зарядів у землю (на корпус
приладу). Заземлення електростатичного екрана, як видно, –
необхідний захід, що випливає із сутності електростатичного
екранування. За допомогою заземлення електростатичного екрана
можна добитися взаємного екранування як внутрішнього простору
екрана від зовнішнього поля, так і зовнішнього простору від
внутрішнього поля.
Якщо джерело ЕРС є змінним при квазістатичному екрануванні,
то заряди q на тілі А (див. рис. 1.1) будуть змінюватися в часі, а,
отже, будуть змінюватися й заряди, розподілені на внутрішній
поверхні екрана, які в кожний момент часу будуть прагнути мати таку
полярність, щоб компенсувати поле тіла А. У результаті цих змін по
екрану й заземлювальній шині потече змінний струм. Компенсація
поля в цьому випадку не може бути повною, оскільки в результаті
появи струму на стінках екрана й заземлювальній шині напруга в них
падає, створюючи некомпенсовану заваду в зовнішньому просторі.
Тому ефективність екранування квазістатичних полів залежить від
товщини стінок екранів і заземлювальних шин, а також від
провідності матеріалу екрана й заземлювальних шин. Зі збільшенням
товщини й провідності матеріалу екрана й заземлювальних шин,
залишкове поле за межами екрана зменшується, оскільки
зменшується падіння напруги на його стінках і заземленні з
одночасним ростом ефективності екранування.
Щодо квазістатичного екрана, то на практиці при деяких
відстанях між ним і джерелом можна зневажити запізнюванням у
змінах поля й користуватися законами для постійних полів. Зокрема,
при відстанях менших 0.1 м, результати аналізу постійних полів
придатні й для частот не більших 300 МГц.
Квазістатичне екранування в цих умовах по суті є завданням

4
усунення паразитних ємнісних зв'язків. У даному трактуванні зв'язок
через квазістатичне поле, здійснюваний між джерелом наведення А та
приймачем наведення Б (рис. 1.2), розглядається як зв'язок через
паразитну зосереджену ємність C З , що існує між цими елементами.

Рис. 1.2. Еквівалентна схема

Якщо елемент А перебуває під напругою EЗ , а між елементом Б

та загальним провідником існує деякий опір Z Б (наприклад, опір
витоку), то напруга наведення, під якою знаходиться елемент Б
відносно загального провідника,
 ZБ jCЗ Z Б
U Н  EЗ  EЗ
ZБ 
1 1  jCЗ Z Б .
j CЗ

Зазвичай компонування при конструюванні радіоапаратури

виконується за критерієм мінімізації паразитних зв'язків за умовою
1
 Z Б навіть при великому значенні Z Б , CЗ Z Б  1 , тоді,
 CЗ

U H  EЗ  C З Z Б (1.1)

і рівень напруги наведення при заданій величині Z Б виявляється

пропорційним провідності ємності зв'язку CЗ . Електростатичні
(квазістатичні) екрани зменшують провідність CЗ .
Найпростіший електростатичний (квазістатичний) екран
представляє металевий лист із високою електричною провідністю,

5
розташований між джерелом і приймачем наведення та заземлений
з'єднанням із землею, корпусом або з загальною шиною
(провідником) схеми (рис. 1.3).

Рис. 1.3. Еквівалентна схема екрана

При наявності екрана утворюються: залишкова ємність між

елементами А та Б – CЗ' ; ємність між елементом А та екраном – C1 ,
ємність між елементом Б та екраном – C2 .

Рис. 1.4. Схема ємнісного зв'язку

При більших розмірах екрана ємність CЗ' виявляється незначною

за значенням і її впливом у першому наближенні можна зневажити.
Тоді еквівалентну схему зв'язку елементів А та Б можна представити
так, як показано на рис. 1. 4, де Z Е – опір екрана та заземлюючого

6
проводу (якщо екран приєднаний до "землі" провідником).
При наявності екрана рівень наведення на елементі Б
  jC2 Z Б
U HE  EЕ
1  jC2 Z Б ,

де E Е – напруга від струмів квазістатичних екранів і заземлювальних
шин,
 jC1Z Е
E Е  EЗ
1  jC1Z Е ,
Отже,
  2C1C2 Z Е Z Б
U HE   ЕЗ
1  jC1Z Е 1  jC2 Z Б  . (1.2)

Звідси при
1 1
 Z Е ;  Z Б
C1 C2

U HE  ЕЗ 2C1C2 Z Е Z Б , (1.3)
тобто рівень наведення збільшується пропорційно провідностям
паразитних ємностей C1 і C2 , а також опорам Z Е і Z Б . При
ідеальному екрані з Z Е  0 наведення на елемент Б відсутнє, тобто

U HЕ  0 . Тому для надійного екранування важливо забезпечувати

невисокий опір проводів заземлення екрана. Самі екрани виконуються

з металів з високою провідністю (алюміній, мідь, латунь). Слід
зазначити, що при погано заземленому екрані рівень наведення може
перевищити той, який з'являвся на елементі Б при відсутності екрана.
Для ілюстрації такої можливості припустимо, що екран зовсім не
заземлений, тобто Z Е   .
Тоді з (1.2)

7
 
U HE  ЕЗ C2 Z Б ,

тому що в цьому випадку C1 Z Е  1 , а величина C2 Z Б як і раніше

незначна за значенням в порівнянні з одиницею. Тоді для коефіцієнта
екранування на підставі (1.1) одержимо

UH
CЗ
 Е'  

C2 .
U HE

Ємність між екраном і елементом Б зазвичай набагато перевищує

вихідну ємність між елементами А і Б (поверхня екрана велика, а
відстань від екрана до елемента Б менше, чим відстань між А і Б).
 
Якщо C2  СЗ , то  Е  1 , тобто U H  U HE , і незаземлений екран

дійсно може збільшити паразитний зв'язок. При якісному заземленні

екрана коефіцієнт екранування можна оцінити (див. рис. 1.2) по
формулі

UH
CЗ
 Е'  

CЗ' . (1.4)
U HE

При відомих геометричних розмірах приймача, наведення в точці

 
В та з врахуванням того, що U H  DE0 , а U HE  DE1 , для коефіцієнта

екранування можна записати наступний вираз:

DE0
 Е' 
DE1 ,

де D – геометричний розмір приймача наведення в точці Б; E0 –

напруженість поля падаючої хвилі в точці Б при відсутності екрана;

8
E1 – напруженість поля пройденої хвилі.
У децибелах
E0
 E  20 lg
E1 . (1.5)

2.2. Електромагнітне екранування

Фізична сутність електромагнітного екранування, розглянута з
погляду теорії електричних кіл, зводиться до того, що під дією
джерела електромагнітної енергії на стороні екрана, направленої до
джерела, виникають заряди, а в його стінках – струми, поля яких у
зовнішньому просторі по інтенсивності близькі до поля джерела, а по
напрямкові протилежні йому, тому відбувається взаємна компенсація
й екранування полів.
З погляду теорії електромагнітного поля екранування
проявляється в основному через ефекти відбиття електромагнітних
хвиль від поверхні екрана та загасання енергії хвиль у його металевій
товщі.
При розрахунках і аналізі хвильові методи теорії поля дають
можливість найбільш повно врахувати ефективність
електромагнітних екранів, а методи теорії кіл – вплив реактивних
полів екранів на екрановані схеми, для яких вони є зовнішніми
захисними оболонками.
Ефективність екранування електромагнітних екранів у значній
мірі визначається співвідношеннями між хвильовими опорами
екранованих полів і характеристичними опорами самих екранів,
обумовленими характеристичними постійними  a ;  a ; a  їхніх
металевих матеріалів.
Біжучі хвилі взаємозалежних напруженостей E0 і H0

електромагнітних полів, що поширюються в просторі, при падінні на

9
поверхні металевих екранів (рис. 1.5), частково відбиваються, а
частково переломлюються (проходять) у товщу екрана.
Відбиття та переломлення падаючих хвиль екранування, що

визначають ефективність, залежать від хвильових опорів Z   E0 H 0

падаючих хвиль і характеристичних опорів екранів Z E .
За умови нормального падіння хвилі на поверхню екрана як
границю розділу двох середовищ (кут падіння   0 ) напрямок
поширення відбитої хвилі згідно з першим законом Снеліуса (кут
падіння дорівнює куту відбиття) прямо протилежно напрямку
поширення падаючої хвилі, а напрямок поширення переломленої
хвилі згідно із другим законом Снеліуса (відношення синуса кута
переломлення до синуса кута падіння дорівнює відносному показнику
переломлення середовищ збігається з напрямком поширення
падаючої хвилі). Коефіцієнти відбиття та переломлення Френеля
відповідно
 
Z E  Z
R   , (1.6)
Z E  Z

2ZE
   , (1.7)
Z E  Z
а напруженості відбитих і переломлених хвиль, наприклад, по вектору
E виражаються співвідношеннями
 
Z E  Z
Eвiдб   
E0 , (1.8)
Z E  Z

2ZE
E1   
E0 . (1.9)
Z E  Z

10
 Рис. 1.5. Взаємодія поля й екрана

Хвиля, проходячи через екран, зустрічає на своєму шляху дві

границі розділу середовищ (внутрішню й зовнішню стінки екрана).

Друга границя розташовується між середовищами з опорами Z E та

Z .

Рис. 1.6. Результуюча взаємодія

Параметри хвилі Eпр та H пр , що пройшли через дві стінки екрана

(внутрішню та зовнішню, рис. 1.6), визначають виразом
 
4 Z Z E
Eпр  E0
 

2 ; (1.10)
 
Z  Z E 
 

11
  
4 Z Z E
H пр  H0
 

2 ; (1.11)
 Z   Z E 
 
Зазначимо, що хоча електрична та магнітна складові
відбиваються від кожної границі по-різному, сумарний ефект після
проходження обох границь для двох полів однаковий. Якщо екран
виготовлений з металу й оточує область неметалу (діелектрика,
 
навколишнього середовища), то Z   Z E . При цих умовах

найбільше відбиття (найменші напруженості пройденої хвилі)

спостерігається для електричних складових полів при вході хвилі в
екран (на першій границі), а для магнітної складової полів – при її
виході з екрана (на другій границі). Оскільки електричні складові
полів відбиваються головним чином від першої поверхні, то навіть
дуже тонкі матеріали мають більші втрати на відбиття цих складових.
Однак магнітні складові полів відбиваються в основному від другої
поверхні. Якщо екран тонкий, то багаторазове відбиття всередині
екрана зменшує ефективність екранування. При Z  Z E рівняння
(1.10) і (1.11) спрощуються:

4ZE
Eпр  
E0 , (1.12)
Z

4ZE
H пр  
H0 , (1.13)
Z
Ефективність екранування, пов'язана з ефектами відбиття, для
електричної та магнітної складової визначається тим самим виразом:

12
 
Z
 вiдб  20 lg  . (1.14)
4 ZE


У випадку плоскої хвилі (у дальньому полі) хвильовий опір Z 
дорівнює характеристичному опору вакууму (377 Ом). Рівняння (1.14)
при цьому матиме вид:
94.25
 вiдб  20 lg  . (дБ) (1.15)
ZE

Оскільки для металевих екранів


Z E  3.68 107 f
 , (1.16)
то, підставляючи (1.16) в (1.15) з відповідними перетвореннями,
одержимо, дБ:
 f 
 вiдб  168  10 lg  , (1.17)
  вiдб 
де  вiдн – провідність матеріалу відносно міді.
Коефіцієнт екранування, обумовлений ефектами поглинання,
l
 погл  8.69 , (1.18)

де l – товщина екрана,  – глибина проникнення (глибина скін-
шару).
Виражаючи глибину проникнення через частоту та
характеристичні постійні матеріалу, можна записати, дБ:
 погл  0.131 l f  вiдн , (1.19)
Результуючий коефіцієнт екранування, пов'язаний з ефектами
відбиття та поглинання,

13
  f 
  вiдб   погл  168  10  lg    0,131 l  f  вiдн . (1.20)
  вiдн 
Для підвищення ефективності екранування використовують
матеріали з високою електричною провідністю  вiдб (алюміній, в
особливих випадках мідь). При цьому одночасно зменшується
реактивний вплив екранів на екрановані схеми, наприклад, на
параметри коливальних контурів.
Якщо ввести в поле джерела наведення у вільному просторі
циліндричний екран (кільце з високою електричною провідністю
 вiдб ) і розмістити його так, як показано на рис. 1.7, то контур кільця

буде пронизувати змінний магнітний потік наведення  H .
Під впливом цього потоку в кільці індукуєтся ЕРС взаємоіндукції
та протікають так звані "вихрові" струми, що створюють відповідно

до правила Ленца магнітний потік зустрічного напрямку  В.С. .
  
Результуючий потік    Н   В.С. , що пронизує кільце, зменшується,
 
оскільки потік  В.С. спрямований зустрічно  H . Зменшення
результуючого потоку еквівалентно зменшенню напруженості поля
наведення у внутрішній області кільця.

Рис. 1.7. Модель електромагнітного екрана

Оцінимо результати реактивного впливу екрана на екрановані

кола, розташовані в його внутрішній порожнині. Відповідно до закону

14
 
EH 
Кірхгофа сила вихрового струму в кільці екрана I   r  j L  , де
E E


E H – ЕРС взаємоіндукції в кільці, обумовлена дією магнітного поля

наведення: E H   j H ; LE і rE відповідно індуктивність і активний
опір екрана (кільця). Для немагнітних матеріалів (алюмінію, латуні,
міді), що володіють високою електричною провідністю, виконується
нерівність rE   LE . Якщо екран застосовується для екранування
індуктивно-ємнісного  LC  коливального контуру, внесений в контур
з боку екрана активний опір
2 2
X ЗВ X ЗВ
rвн  2 rE  r
rE   LE   LE  E , (1.21)

rвн DK3
 2.3Nd1 4 ,
rK DE

де X ЗВ – реактивний опір зв'язку екрана з екранованим контуром, що

залежить від їхніх відносних геометричних розмірів і взаємного
розташування; rK – опір контуру; N – кількість витків котушки; d1 –
діаметр проводу; DK – діаметр котушки; DE – діаметр екрана.
Добротність екранованого контуру
 LK
QE 
rK  rВН

знижується, а смуга пропускання частот 2  0 QE розширюється.

Отже, вибірковість екранованих контурів може зменшуватися зі
збільшенням rE . На добротність QE і вибірковість 2 суттєво
впливають габаритні розміри екрана. Зі збільшенням діаметра екрана
зменшується X ЗВ та підвищується LE , а отже, зростають добротність і
вибірковість контуру, незважаючи на збільшення rE . Зазвичай
діаметр екрана вибирають в 1.6-2.5 рази більшим, ніж діаметр

15
котушки контуру. При цій умові добротність контуру в екрані
знижується не більше ніж на 10%.
На ефективність екранування впливають щілини, шви та т.п.,
якщо їх розміри і розташування будуть проявлятися як порушення
суцільного характеру екрана та перешкоджати протіканню вихрових
струмів. Тоді основним механізмом стає квазістатичне екранування.
При наявності неминучих щілин і отворів електромагнітні, як і
квазістатичні, екрани повинні бути ретельно заземлені.

16
 3. ОПИС ЕКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЇ УСТАНОВКИ

До складу лабораторної установки входять: експериментальний

макет з набором екранів; мілівольтметр змінної напруги для діапазону
радіочастот; генератор стандартних сигналів типу Г4–18.
Робота містить три частини:
а) дослідження електростатичного (квазістатичного)
екранування;
б) дослідження впливу опору екрана на ефективність
електромагнітного екранування;
в) дослідження реактивного впливу екранів залежно від
матеріалу, розмірів і щілин в екранах на добротність екранованих
контурів.
Відповідно експериментальний макет містить у собі три схеми,
зображені на рис. 1.8, а-в. Роль джерела та приймача електричних
(квазістатичних) наведень (див. рис. 1.8, а) виконують латунні штирі.
Джерело наведень збуджується напругою, що знімається з ємності
послідовного контуру CK , LK (для збільшення рівня напруги в Q раз,
де Q – добротність контуру, електростатичні (квазістатичні) екрани
виконані з алюмінієвого сплаву у вигляді кутового профілю, а також
квадратного перетину). Установлювати різні досліджувані
електростатичні (квазістатичні) екрани та швидко їх заміняти між
штирем – джерелом і приймачем наведення можливо за рахунок
роз’ємного з'єднання за допомогою вилки та розетки, розміщеної між
латунними штирями. За допомогою перемикача П змінюється опір
заземлення екрана*.
* Надмірно більш заземлюючі опори обрано з метою краще виразити
досліджуваний ефект, спростити макет і виміри в умовах високого рівня струмових
наведень з електромережі

17
 а)

б)

в)
Рис. 1.8. Схеми електростатичного (а) і електромагнітного (б, в) екранів

У першому положенні перемикача екран заземлений

безпосередньо, у п'ятому – відірваний від корпуса (розрив кола екрана
та корпуса). Фільтр RФ CФ зменшує рівень завад від електромережі.
Структурна схема дослідження екранування зображена на рис.
1.9.

Рис. 1.9. Схема макета

18
 У схемі (див. рис. 1.8, б) екран моделюється декількома витками
проводу, розміщеними між джерелом  L1 , C1  і приймачем  L2 , C2 
магнітного наведення. Опір екрана імітується за допомогою змінного
резистора R , вісь якого виведена на шасі макета.
Про екрануючий ефект судять по зміні смуги пропускання
(вибірковості) зв'язаних контурів  L1 , C1  і  L2 , C2  . Схема на рис. 1.8,
в представляє контур  LK , CK  , екранований електромагнітним
екраном. За допомогою цієї частини макета досліджується
електромагнітне екранування; визначається ефективність
електромагнітних екранів прямим безпосереднім виміром
напруженостей падаючої  E0  та пройденої  E1  хвиль, досліджується
вплив матеріалу, розмірів і щілин екрана на коефіцієнт екранування, а
також на реактивні ефекти шляхом виміру добротності та
вибірковості екранованого контуру.

19
 4. ПОРЯДОК І РЕКОМЕНДАЦІЇ ЩОДО ВИКОНАННЯ
РОБОТИ ТА ОБРОБКИ РЕЗУЛЬТАТІВ ЕКСПЕРИМЕНТУ

4.1. Ознайомитися та замалювати схеми експериментального

макета. Зібрати схему лабораторної установки згідно рис. 1.9.
4.2. Дослідити ефективність екранування електростатичного
(квазістатичного) екранів. Для цього на резонансній частоті виміряти
напруженість електростатичного (квазістатичного) поля на штирі-
приймачі у двох режимах:
а) при відсутності екрана  E0  ;
б) при наявності екрана  E1  , заземленого безпосередньо на
корпус, установити по черзі екрани, виготовлені з алюмінієвого
сплаву кутового та прямокутного профілю.
4.2.1. Експериментально визначити коефіцієнти екранування для
електростатичних (квазістатичних) екранів окремо для кутового та
прямокутного профілю відповідно до формули (1.5); зробити
висновки про вплив конструкцій екранів на коефіцієнти екранування.
4.2.2. Дослідити вплив опору заземлення на коефіцієнти
екранування електростатичних (квазістатичних) екранів, вимірявши
за допомогою мілівольтметра напругу U HE , що падає на штирі-
приймачі, при екрані, заземленому безпосередньо на корпусі;
заземленні через R  100 Ом, 3.9 кОм, 11 кОм;
при незаземленому екрані;
відсутності екрана U H ;
розрахувати коефіцієнти екранування по формулі
  20lg U H U HE та занести результати до табл. 1.1, після чого
побудувати графіки.

20
 Таблиця 1.1

Спосіб Екран Опір Опір Опір Незаземлений

заземлення заземлений заземлення заземлення заземлення екран
екрана на корпус 100 Ом 3.9 кОм 11 кОм
 , дБ

Зробити висновки про вплив опору заземлення на якість

екранування. Порівняти та пояснити результати, використовуючи
еквівалентні схеми "паразитного" ємнісного зв'язку при наявності та
відсутності екрана.
4.3. Дослідити ефективність екранування електромагнітного
екрана (рис.1.8, в).
4.3.1. Дослідити реактивний вплив екранів на екрановані контури
(вивчивши вплив матеріалу) і розмірів екранів на добротність
коливального контуру (див. рис.1.8, в).
4.3.2. Дослідити вплив щілин в електромагнітному екрані на його
ефективність. У якості критерію використати дані про вплив
екранування на добротність екранованого контуру.
4.4. Дослідити ефективність екранів на моделі (див. рис. 1.8, б)
залежно від опору екрана. Попередньо настроїти пари зв'язаних
контурів  L1 , C1  і  L2 , C2  на робочу частоту f 0 = 465 кГц при
виведеному опорі R0 .
Для виміру коефіцієнта екранування електромагнітного екрана
виміряти при резонансі напруги на вихідному контурі  L3 , C2  у двох
режимах: 1 (при наявності екранування U KE (забезпечується при
R  0 режимом короткого замикання екранованого витка L3 ); 2 (при
відсутності екранування U K (при R   в режимі холостого ходу

21
екранованого витка L3 ). Знайти коефіцієнт екранування відповідно до
виразу   20lg U K U KE .
Для з'ясування ефективності екранування та внесених параметрів
оцінити ступінь зв'язку контурів при двох крайніх значеннях R ,
використовуючи для якісної оцінки залежність смуги пропускання
зв'язаних контурів від ступеню зв'язку. Смугу пропускання контурів
вимірювати на рівні 0.7. Зробити висновки про ефективність і
реактивний вплив екранів у даній моделі електромагнітного
екранування.

5. ОФОРМЛЕННЯ ЗВІТУ ТА ПОРЯДОК ЙОГО

ПОДАННЯ

У звіті необхідно привести:

– назву та мету лабораторної роботи;
– опис експериментальної установки;
– схеми складових макету;
– результати дослідження, оформлені у вигляді таблиць;
– графіки, АЧХ досліджуваних резонансних контурів;
– результати розрахунків коефіцієнтів екранування;
– висновки про вплив конструкцій екранів на коефіцієнти
екранування; про вплив опору заземлення на якість
екранування; про реактивний вплив екранів на екрановані
контури; про вплив щілин в електромагнітному екрані на його
ефективність; про оцінку ступеню зв'язку контурів за
експериментально визначеною ефективністю екранування при
дослідженні зміни опору проміжного «екрануючого» контуру.

22
 6. КОНТРОЛЬНІ ЗАПИТАННЯ

1. Яке фізичне явище лежить в основі електростатичного

(квазістатичного) екранування?
2. Чому важливо заземлювати електростатичні (квазістатичні)
екрани?
3. У чому сутність квазістатичного екранування як завдання
усунення непередбачуваних ємнісних зв'язків між джерелами та
приймачами наведень?
4. Які ефекти на границях розділу середовищ поширення
радіохвиль визначають показники призначення (коефіцієнти
екранування) електромагнітних екранів?
5. Як впливають на ефективність екранування співвідношення
між хвильовими опорами середовищ поширення полів перешкод і
характеристичними опорами екранів?
6. Чому рівні складові коефіцієнтів екранування
електромагнітних екранів визначаються ефектами поглинання та
відбиття електромагнітних хвиль?
7. Як залежать коефіцієнти екранування електростатичних
екранів від їхніх матеріалів і геометричних розмірів?
8. Чим викликані та від чого залежать реактивні впливи екранів
на екрановані схеми коливальних контурів?
9. Як впливають активні опори екранів на добротність і
вибірковість коливальних контурів?
10. Як впливають щілини та шви на ефективність
електромагнітних екранів?
11. Яка послідовність експериментальних способів визначення
коефіцієнтів екранування шляхом прямих вимірів напруженостей
екранованих полів?

23