‫להנדסת מחשבים‪3030007 ,‬‬ ‫"מעגלים אלקטרוניים"‬

‫שבוע ‪04‬‬
‫טרנזיסטור תוצא השדה ‪MOSFET -‬‬
‫)‪(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor‬‬

‫מגבר מתח (‪ )CS‬לאות קטן ‪ ,‬ועומס אקטיבי‬

‫הפנייה לספר הלימוד ‪:‬‬ ‫•‬

‫• ‪: Sedra&Smith 6th Ed.‬‬
‫פרק ‪ 5.1 - 5.7 + 5.9‬במהדורה האמריקאית (שסרקנו לאתר) זהה לאותן פסקאות בפרק ‪5‬‬ ‫•‬
‫גם כן בגרסת המהדורה הבינלאומית הקיימת בספריה‬
‫תת‪-‬פרק ‪ 7.4.1 + 7.4.2‬במהדורה האמריקאית (שסרקנו לאתר) זהה לאותן פסקאות בפרק‬ ‫•‬
‫‪ 6‬בגרסת המהדורה הבינלאומית הקיימת בספריה‬
 ‫מבנה הקורס‬
‫‪1‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪5‬‬ ‫‪6‬‬ ‫‪7‬‬ ‫‪8‬‬ ‫‪9‬‬ ‫‪10‬‬ ‫‪11‬‬ ‫‪12‬‬ ‫‪13‬‬ ‫‪14‬‬

‫מהפך דיגיטלי‬ ‫מתנדים‬

‫מבוא‬ ‫‪CMOS‬‬
‫לאלקטרוניקה‬ ‫‪Pseodu‬‬ ‫ממירים אנלוגי‬
‫‪MOS‬‬ ‫‪NMOS‬‬ ‫מחוללי‬
‫ושערי ‪CMOS‬‬ ‫לדיגיטלי‬
‫אות‬
‫אותות מגברים‬ ‫שערי‬
‫( ‪) ADC‬‬
‫דיגיטלים‬
‫ראי‪-‬‬ ‫מהפך‬
‫תגובת תדר‬ ‫דיגיטלי‬ ‫תמסורת‬
‫חזרה‬ ‫זרם‬ ‫‪ ,‬לוגיקה‬ ‫מעגלי‬
‫על‬ ‫דינמית‬ ‫רכיבי‬
‫נגד‪-‬‬ ‫יישור‬
‫‪MOS‬‬ ‫מגבר‬ ‫‪NMOS‬‬ ‫זיכרון‬ ‫ממירי‬
‫ומעגלי‬
‫חד‪-‬‬ ‫‪ROM‬‬ ‫‪DAC‬‬
‫דיודה‬
‫דרגתי‬ ‫‪,‬‬ ‫נוספים‬
‫‪RAM‬‬
‫מגברי שרת‬
‫תכונות‬
‫ויישומים‬

‫‪weeks‬‬
‫‪2‬‬ ‫שבוע ‪ , 04‬טרנזיסטור ‪ – MOSFET‬המשך ; מגבר ‪ , CS‬מגבר ‪ CS‬הכולל עומס אקטיבי‬
 ‫מבוא – מגברים טרנזיסטוריים‬
‫▪ האופרה ‪ Tosca‬מאת פוצ'יני ‪ ,‬שנת ‪1910‬‬
‫▪ שידור תוכנית הרדיו הראשונה‬

‫▪ עד ‪1950‬‬

‫▪ ‪ ,1952‬ה "רדיו‪-‬טרנזיסטור" הראשון‬

‫מבוסס על ארבעה טרנזיסטורי‬
‫‪ ( NPN‬בי‪-‬פולרי ) תוצרת‬
‫‪Texas Instruments‬‬
‫סוללה של ‪ 22.5‬וולט‪...‬‬

‫‪3‬‬
 ‫מטרות השיעור‬ ‫נושאי השיעור‬
‫‪ .1‬להבין את עקום התמסורת של חיבור‬
‫טרנזיסטורי (‪ )CS‬באות גדול‬ ‫▪ אופיין תמסורת המתח (‪ )VTC‬באות גדול‬
‫‪ .2‬להבין באילו תנאי ממתח‪ ,‬טרנזיסטור‬ ‫– ‪ MOSFET 5.4‬בחיבור ‪CS‬‬
‫מגבר אות קטן‬
‫יכול לשמש מגבר לאות קטן ולקבל‬
‫𝑇𝑈𝑂𝑣‬
‫מושג על היחס‬ ‫▪ ‪ 7.2‬מגבר בחיבור ‪ ,CS‬כולל עומס אקטיבי‬
‫𝑁𝐼𝑣‬ ‫‪ NMOS 7.2.3‬בחיבור ‪ CS‬עם עומס אקטיבי‬ ‫–‬
‫‪current source‬‬
‫‪ .3‬לדעת לחשב את מקדם ההגבר של‬
‫‪ CS‬עם עומס אקטיבי‪.‬‬

‫▪ נספח ‪ -‬ליניאריזציה של ‪ MOS‬בחיבור‬

‫דיודה‪ ,‬לשם הכללתו במודל אות קטן‬

‫תודות לדר' דיוויד גדעוני מאוניברסיטת קולומביה‪ ,‬ניו‪-‬יורק‪ ,‬ששיתף בתכני הקורס שלו‬

‫‪4‬‬ ‫שבוע ‪ , 04‬טרנזיסטור ‪ – MOSFET‬המשך ; מגבר ‪ , CS‬מגבר ‪ CS‬הכולל עומס אקטיבי‬

 ‫‪ MOSFET 5.4.1‬אופיין תמסורת המתח (‪)VTC‬‬
‫▪ מהו הביטוי למתח המוצא ? 𝐷𝑅 ⋅ 𝑆𝐷𝑖 ‪𝑣𝑂 = 𝑉𝐷𝐷 −‬‬
‫▪ מהי הפונקציונליות המתקבלת מפעולה בנקודות ‪? C ,A‬‬
‫{ התכנסות לערכי קצה של 𝑂𝑣 }‬
‫▪ באיזה איזור אופיין המעבר קרוב לקו ישר ? (בתחום הרוויה)‬

‫‪5‬‬ ‫שבוע ‪ , 06-07‬חזרה על טרניסטור ‪MOSFET,‬מגבר ‪CS,‬חיבור דיודה‪ ,‬ראי‪-‬זרם ועומס אקטיבי‬
 ‫בפעולה באות גדול‬,CS ‫ בחיבור‬MOS 5.4.2
‫▪ מהי הפונקציונליות המתקבלת‬
? C ,A ‫מפעולה בנקודות‬
: ‫▪ למשל אם מזינים‬
𝑣𝐼 = 𝑉𝐷𝐷 .C
⇒ 𝑖𝐷 → 𝑖𝐷 (max)
MOSFET @ LinearRegime → 𝑀𝑂𝑆
= 𝑟𝐷𝑆 (min)
𝑟𝐷𝑆
𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 ⋅ ≪ 𝑉𝐷𝐷
𝑟𝐷𝑆 + 𝑅𝐷

𝑣𝐼 < 𝑉𝑡 .A
VGS  Vt ,n
MOSFET @ cut-off  I DS = 0
 VDS = VDD

Figure 5.32 Operation of the MOSFET in Figure 5.29(a) as a switch: (a) Open, corresponding to point A
in Figure 5.31; (b) Closed, corresponding to point C in Figure 5.31. The closure resistance is
approximately equal to rDS because VDS is usually very small.

6 ‫ הכולל עומס אקטיבי‬CS ‫ מגבר‬, CS ‫ – המשך ; מגבר‬MOSFET ‫ טרנזיסטור‬, 04 ‫שבוע‬

 ‫‪ MOSFET‬כמגבר או כמתג דיגיטלי ?‬ ‫‪5.4.3‬‬
‫▪ מהו הביטוי למתח המוצא ? ( סביב נק' ‪) Q‬‬
‫‪1‬‬ ‫‪2‬‬
‫𝑡𝑉 ‪𝑣𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝑘𝑛 ⋅ 𝑣𝐺𝑆 −‬‬ ‫– 𝐷𝑅 ⋅‬
‫‪2‬‬
‫▪ מה צריך לקיים‬
‫מגבר ליניארי ?‬
‫– 𝐼𝑣 ⋅ 𝐴 = 𝑜𝑣‬
‫– 𝐴 קבוע‬

‫– אם נגזור את הביטוי‬
‫למתח המוצא נקבל ‪:‬‬
‫𝑆𝐷𝑣𝜕‬ ‫‪1‬‬
‫⋅ ‪= −2‬‬ ‫𝑘‬ ‫– 𝐷𝑅 ⋅ 𝑡𝑉 ‪⋅ 𝑣𝐺𝑆 −‬‬
‫𝑆𝐺𝑣𝜕‬ ‫𝑛 ‪2‬‬
‫𝑆𝐷𝐼‬
‫⋅ ‪𝐴 = −2‬‬ ‫– 𝐷𝑅 ⋅‬
‫𝑡𝑉‪𝑉𝐺𝑆 −‬‬
‫𝑚𝑔‬

‫‪7‬‬
 ‫‪ MOSFET‬ניתוח ‪ + DC‬אות קטן‬ ‫‪5.4.4‬‬
‫‪Figure 5.34 Conceptual circuit utilized to study the operation of the MOSFET as a small-signal amplifier.‬‬

‫▪ כעת נוסיף למתח ה ‪ ,𝑉𝐺𝑆 : DC‬תוספת של אות כניסה‬

‫קטן‪ , 𝑣𝑔𝑠 :‬אותו מעוניינים להגביר‪.‬‬
‫▪ ברור כי יש לעבוד בתחום הרוויה‪( .‬שיפוע משמעותי)‬
‫▪ מה התלות של הזרם בכניסת המתח ?‬
‫– בהנחה שהטרנזיסטור ברוויה‬
‫‪1‬‬ ‫‪2‬‬ ‫𝑆𝐷𝑉‬
‫𝑡𝑉 ‪𝑖𝐷𝑆 = 2 𝑘𝑛 ⋅ 𝑣𝐺𝑆 −‬‬ ‫‪⋅ 1+‬‬ ‫–‬
‫𝐴𝑉‬

‫▪ חיבור ‪Common Source‬‬

‫(מקור משותף) מודל חשמלי עקרוני ‪:‬‬

‫‪G‬‬ ‫‪D‬‬
‫‪vgs +‬‬ ‫‪+‬‬
‫‪-‬‬ ‫‪RD‬‬ ‫‪+‬‬
‫‪vGS‬‬ ‫‪iDS‬‬ ‫‪rO‬‬
‫‪vOUT‬‬
‫‪VGS +-‬‬ ‫‪−‬‬ ‫‪+- +VDD‬‬ ‫‪−‬‬
‫‪S‬‬

‫‪8‬‬ ‫שבוע ‪ , 04‬טרנזיסטור ‪ – MOSFET‬המשך ; מגבר ‪ , CS‬מגבר ‪ CS‬הכולל עומס אקטיבי‬

 ‫אדמיטנס לאות הקטן‬-‫ הגבר טרנס‬- CS ‫ חיבור‬5.5.2
‫האם מותר לחשב‬
Figure 5.35 Small-signal operation of the MOSFET amplifier. iD = I D + id ‫בסופרפוזיציה‬

? ‫▪ מהי התלות של הזרם בכניסת המתח‬

1 W
iD = kn' ( )  (vGS − Vt ) 2 (1 +   VDS )
2 L
‫▪ נפתח קירוב ליניארי להשפעת כניסת‬
; ‫מתח האות הקטן‬
(vGS − Vt ) = (VGS + vgs − Vt ) = (VGS − Vt ) + vgs  =
2 2 2

= (VGS − Vt ) + 2  (VGS − Vt )  vgs +vgs 2

2

1 ' W
kn ( )  (1 +   VDS )  (VGS − Vt ) + 2  (VGS − Vt )  vgs  =
2
iD =
2 L  
1 ' W 1 W
kn ( )  (VGS − Vt ) (1 +   VDS ) + kn' ( )  (1 +   VDS )  2  (VGS − Vt )  vgs
2

2 L 2 L
1 ' W
iD = I DS + kn ( )  (1 +   VDS )  2  (VGS − Vt )  vgs
2 L
2 I DS 2I
= I DS +  vgs = I DS + DS  vgs
(VGS − Vt ) {
VOV
gm

9
 ‫‪ 5.5.2‬חיבור ‪ CS‬הגבר טרנס‪-‬אדמיטנס לאות הקטן‬
‫‪G‬‬ ‫‪D‬‬
‫▪ המטרה‪ ,‬הפרדה‬
‫‪vgs +‬‬ ‫‪+‬‬ ‫‪+‬‬
‫‪-‬‬ ‫) ‪( DC‬‬
‫‪I DS‬‬ ‫‪RD‬‬ ‫לשני מקורות זרם ‪:‬‬
‫‪vGS‬‬ ‫‪rO‬‬ ‫‪vOUT‬‬
‫‪VGS +-‬‬
‫‪g m  vgs‬‬ ‫‪ DC‬ומגבר ליניארי‬
‫‪−‬‬ ‫‪+- +VDD‬‬ ‫‪−‬‬
‫‪S‬‬ ‫‪2 I DS‬‬
‫‪iD = I DS‬‬ ‫) ‪( DC‬‬
‫‪+‬‬ ‫‪ vgs‬‬
‫‪VOV‬‬
‫{‬
‫‪gm‬‬

‫‪+‬‬ ‫‪G‬‬ ‫‪D‬‬

‫‪v gs‬‬ ‫‪-‬‬
‫‪+‬‬
‫‪I‬‬ ‫) ‪( DC‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪RD‬‬ ‫‪+‬‬ ‫▪ ליניאריציה מאפשרת‬
‫‪VGS‬‬ ‫‪DS‬‬ ‫‪rO‬‬ ‫‪VDS‬‬ ‫‪DC‬‬
‫‪VGS +-‬‬ ‫‪ gm  vgs‬‬
‫לבצע פירוק‬
‫‪−‬‬ ‫‪+- +VDD‬‬ ‫‪−‬‬ ‫בלבד‬
‫‪S‬‬ ‫בסופרפוזיציה‬
‫רק תוספת‬
‫האות הקטן‬
‫‪G‬‬ ‫‪D‬‬
‫‪vgs +‬‬ ‫‪+‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪+‬‬ ‫‪+‬‬
‫‪G‬‬ ‫‪D‬‬ ‫‪+‬‬
‫‪-‬‬ ‫‪RD‬‬
‫‪vGS‬‬ ‫‪IDS‬‬ ‫‪g m  vgs‬‬ ‫‪rO‬‬ ‫‪vout‬‬ ‫‪+‬‬
‫‪-‬‬
‫‪vgs‬‬ ‫‪g m  vgs‬‬
‫‪rO‬‬ ‫‪RD vout‬‬
‫‪VGS +-‬‬ ‫‪−‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪−‬‬ ‫‪−‬‬ ‫‪−‬‬
‫‪+- +VDD‬‬ ‫‪S‬‬
‫‪S‬‬

‫‪10‬‬ ‫שבוע ‪ , 04‬טרנזיסטור ‪ – MOSFET‬המשך ; מגבר ‪ , CS‬מגבר ‪ CS‬הכולל עומס אקטיבי‬

 ‫‪ 5.5.3 – 5.5.4‬הפרדת ‪ DC‬מאות קטן ומודל חשמלי לאות הקטן‬
‫▪ סופרפוזיציה‪.‬‬
‫מחשבים את ה‪( ,DC -‬מתעלמים מאות ה‪ AC -‬הקטן) ‪ ,‬וממציאת נקודת העבודה גוזרים‬ ‫‪.1‬‬
‫‪2 I‬‬ ‫‪V‬‬ ‫‪V‬‬ ‫את פרמטרי ההגבר ‪ 𝑔𝑚 , 𝑟𝑂 :‬וכו'‬
‫= ‪gm‬‬ ‫‪D‬‬
‫= ‪, rO‬‬ ‫‪A‬‬
‫=‬ ‫‪A‬‬

‫‪VOV‬‬ ‫‪ID‬‬ ‫)‪(0‬‬

‫‪1‬‬
‫‪k  VOV 2‬‬ ‫"מאפסים" מקורות ‪, DC‬‬ ‫‪.2‬‬
‫‪2‬‬
‫מחליפים את הטרנזיסטור במודל‬
‫המגבר לאות הקטן על בסיס הפרמטרים שחושבו‬

‫השפעת האות הקטן (הגבר) בסופרפוזיציה מתווספת לתוצאת ה‪. DC -‬‬ ‫‪.3‬‬
‫‪11‬‬
 ‫‪ 5.6.3‬מגבר בחיבור מקור משותף (‪) CS = Common Source‬‬
‫בהכללת התנגדות המוצא של הטרנזיסטור (ללא נגד הניוון)‬

‫▪ לצורך הפשטות‬
‫(אחרת המעגל מאד מורכב)‬
‫נניח ‪𝑅𝑆 = 0‬‬

‫▪ נקבל‪:‬‬

‫∞ → 𝑖𝑅‬
‫𝐷𝑅 ∥ 𝑂𝑟 = 𝑜𝑅‬
‫𝑡𝑢𝑜𝑣‬
‫= 𝑣𝐴‬
‫𝑛𝑖𝑣‬
‫𝐷𝑅 ∥ 𝑂𝑟 𝑚𝑔‪= −‬‬

‫‪12‬‬ ‫שבוע ‪ , 04‬טרנזיסטור ‪ – MOSFET‬המשך ; מגבר ‪ , CS‬מגבר ‪ CS‬הכולל עומס אקטיבי‬

 ‫‪ 5.4.5‬בחירת הנגד ‪ ,RD‬על מנת שה ‪NMOS‬‬
‫יפעל בנק' ‪  , Q‬כמגבר לאות קטן‬
‫ומציאת מתח וזרם ה ‪DC‬‬
‫▪ כיצד מאלצים עבודה בנק' ‪:Q‬‬
‫– תחום הרוויה‬
‫‪Figure 5.28 Biasing the MOSFET amplifier at a point Q located on the segment AB of the VTC.‬‬ ‫– ובמיוחד אם מעוניינים‬
‫𝑉‬
‫ב 𝐷𝐷 ≈ 𝑆𝐷𝑉‬
‫‪2‬‬
‫▪ מגדירים זרם רצוי‪:‬‬
‫– ברוויה ; כי הזרם מגדיר את ההגבר‬
‫זרם זה מוגדר ע"י 𝑆𝐺𝑉‬
‫– מתכננים שהמתח על הנגד בזרם‬
‫זה יהיה בערך מחצית תחום‬
‫המתחים האפשרי‬

‫▪ דרך מיושנת ליצב את הזרם הייתה‬

‫ע"י נגד משוב‪𝑅𝑆 ,‬‬
‫‪Figure 5.31 Graphical construction to determine the voltage transfer‬‬
‫‪characteristic of the amplifier in Fig. 5.29(a).‬‬

‫‪13‬‬
 CS = Common ( ,‫ מגבר בחיבור מקור משותף‬5.6.4 - 5.6.3
V
𝑅𝑆 ‫) כולל נגד ניוון‬Source
DD

RG1 RD
Rin Rout
C=∞ vout VDD

+ RG1 RD
vin DC circuit
- RG2 RS C=∞

RG2 RS
‫חישוב ההגבר לאות הקטן‬
vin
vgs = vg − vs = vin − g m vgs RS  vgs =
1 + g m RS
Small signal circuit
vin 𝒓𝑶 ( ‫(בהזנחת‬
vout = − g m vgs RD = − g m RD
1 + g m RS
g d
+

+
v g R RD vin + gm×vgs

s
Av = out = − m D = −

vg
- RD vout
1 + g m RS 1

−
vin RS + RG1||RG2 s
−
gm
RS
14 ‫ הכולל עומס אקטיבי‬CS ‫ מגבר‬, CS ‫ – המשך ; מגבר‬MOSFET ‫ טרנזיסטור‬, 04 ‫שבוע‬
 ‫‪ 5.6.4 - 5.6.3‬מגבר בחיבור מקור משותף‬
‫(‪ ) CS = Common Source‬כולל או ללא נגד ניוון 𝑆𝑅‬

‫‪1‬‬
‫≫ 𝑆𝑅‬ ‫‪ .1‬מהו ההגבר אם‬
‫𝑚𝑔‬
‫‪VDD‬‬
‫𝑡𝑢𝑜𝑣‬ ‫𝐷𝑅‬
‫≃ 𝑣𝐴‬ ‫‪=−‬‬
‫𝑛𝑖𝑣‬ ‫𝑆𝑅‬
‫‪RG1‬‬ ‫‪RD‬‬

‫∞=‪C‬‬ ‫‪vout‬‬ ‫‪ .2‬כיצד ניתן לשמר את תכונות הייצוב של‬

‫‪+‬‬
‫‪ Rs‬עבור הממתח‪ ,‬ללא פגיעה בהגבר ?‬
‫‪vin‬‬ ‫‪Bypass‬‬

‫‪-‬‬
‫‪capacitor‬‬ ‫‪vout‬‬
‫‪RG2‬‬ ‫‪RS‬‬ ‫∞=‪C‬‬ ‫= ‪Av‬‬ ‫‪= − g m RD‬‬
‫‪vin‬‬

‫קבל עקיפה במקביל לנגד‬ ‫–‬

‫תזכורת‪ :‬במודל לאות קטן הזנחנו את‬ ‫▪‬

‫התנגדות המוצא של הטרנזיסטור 𝑂𝑟‬
‫‪15‬‬
 ‫סיכום עד כאן‬
‫‪+VDD +‬‬
‫למדנו לחשב הגבר של מגבר מתח לאות קטן‬ ‫‪.1‬‬
‫‪-‬‬
‫‪RG ,1‬‬
‫‪RD‬‬
‫‪CC 2‬‬
‫מבוסס ‪ MOS‬בחיבור ‪)CS( Common Source‬‬
‫‪CC1‬‬
‫‪+‬‬ ‫‪vout‬‬ ‫‪g R‬‬ ‫‪2  ID‬‬
‫‪vS +‬‬ ‫= ‪Av‬‬ ‫‪=− m D‬‬ ‫= ‪gm‬‬
‫‪-‬‬
‫‪RG ,2‬‬
‫‪vOUT‬‬
‫‪vin‬‬ ‫‪1 + g m RS‬‬ ‫‪VOV‬‬
‫‪RS‬‬ ‫‪−‬‬

‫ראינו שבמקום מקור זרם ניתן‬ ‫‪.2‬‬

‫לבנות מקורות‬
‫‪+VSS‬‬ ‫טרנזיסטוריים‬
‫‪VGG‬‬
‫‪S‬‬
‫‪VA‬‬ ‫‪VA‬‬
‫‪+‬‬ ‫‪kp‬‬ ‫= ‪rO‬‬ ‫=‬
‫‪(V‬‬ ‫)‬
‫‪2‬‬

‫‪vOUT‬‬
‫= ‪I0‬‬
‫‪2‬‬
‫‪SG‬‬ ‫‪− Vt , p‬‬ ‫‪rO‬‬ ‫‪I D (0) 1 k  V 2‬‬
‫‪OV‬‬
‫‪−‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪D‬‬

‫– ראינו גם מקור‬
‫מסוג "ראי זרם"‬
‫על בסיס זה‪,‬‬ ‫▪‬
‫נראה כיצד ניתן לממש את מגברי המתח ללא נגדים (כפי שזה נעשה בתכנון מעגלים‬
‫משולבים מודרניים בטכנולוגיית ‪ CMOS‬אנלוגית)‬
‫‪16‬‬ ‫שבוע ‪ , 04‬טרנזיסטור ‪ – MOSFET‬המשך ; מגבר ‪ , CS‬מגבר ‪ CS‬הכולל עומס אקטיבי‬
 ‫מגבר ‪ CS‬עם ממתח עומס אקטיבי ?‬
‫ליניאריזציה‬ ‫ראינו כי כדי לנצל את התחום הדינמי‪ ,‬מתכננים‬ ‫▪‬
‫𝑉‬
‫‪VDD‬‬ ‫נק' העבודה ב ‪ ,DC‬כך ש 𝐷𝐷 ≈ 𝑆𝐷𝑉‪ ,‬זה אומר‬
‫‪2‬‬

‫‪RD‬‬
‫שיש לתכנן שהמתח על הנגד יקיים‪:‬‬
‫𝑉‬
‫‪out‬‬
‫𝐷𝐷 = 𝐷𝑅 ⋅ 𝑆𝐷𝐼 ‪ ,‬לכן זה מייצר חסם על ההגבר‪:‬‬ ‫‪2‬‬
‫𝐷𝐼‪2‬‬
‫‪ID‬‬ ‫‪ro2‬‬ ‫𝑉 = 𝑚𝑔 ‪, 𝐴𝑉 = −𝑔𝑚 𝑅𝐷 ,‬‬ ‫ראינו ‪:‬‬ ‫▪‬
‫‪gmvin‬‬ ‫𝑉𝑂‬

‫לכן אם נציב נקבל שההגבר חסום ל‪:‬‬ ‫▪‬

‫𝑉‬
‫𝐷𝐼‪2‬‬ ‫𝐷𝐷 ‪2‬‬ ‫‪VDD‬‬
‫= 𝐷𝑅 𝑚𝑔‪𝐴 = −‬‬ ‫= 𝑅⋅‬ ‫‪2‬‬ ‫=‬
‫𝐷 𝑉𝑂𝑉‬ ‫𝑉𝑂𝑉‬ ‫‪VOV‬‬

‫‪VDD‬‬ ‫אם ניתן היה להחליף את 𝐷𝑅 במקור זרם מעשי‪ ,‬ניתן היה להפריד בין המגבלות‬ ‫▪‬
‫נסתכל רק על ה ‪DC‬‬ ‫–‬
‫‪non-ideal‬‬ ‫את הנגד 𝐷𝑅 נחליף במקור זרם קבוע (מעשי)‬ ‫–‬
‫‪current‬‬
‫‪ID1‬‬ ‫‪ro1 source#1‬‬ ‫‪, 𝐼𝐷1‬‬ ‫נתאר את הטרנזיסטור ע"י מקור זרם (עם התנגדות מוצא) ‪ DC‬ואז אם ‪≅ 𝐼𝐷2‬‬ ‫–‬
‫מתח המוצא (נקודת העבודה ‪ ) Q‬תיקבע ע"י התנגדות המוצא של ה ‪NMOS‬‬
‫‪out‬‬
‫ושל מקור הזרם‪ ,‬ללא תלות ישירה בערכו של הזרם (שקובע את 𝒎𝒈)‬
‫‪ro 2‬‬
‫‪VOUT = ( I D1 − I D 2 ) ro1 || ro 2 + VDD‬‬
‫‪non-ideal‬‬
‫‪ID2‬‬ ‫‪ro2 current‬‬
‫‪source#2‬‬ ‫‪ro 2 + ro1‬‬
‫𝐷𝑅 ∥ ‪𝐴𝑉 = −𝑔𝑚 𝑟𝑂,1‬‬
‫𝑉𝐴‬ ‫נשאלת השאלה ‪ ,‬מהו ההגבר לאות קטן כעת ?‬ ‫▪‬
‫‪19‬‬ ‫‪= −𝑔𝑚 𝑟𝑂,1 ∥ 𝑟𝑂,2‬‬
 ‫ עם עומס אקטיבי‬CS ‫ מגבר‬- 7.2.3
‫▪ נעמיס את המגבר עם מקור זרם‬
PMOS
NMOS ‫𝑄 הוא מגבר ה‬1 –
‫ אות קטן‬+ DC ‫ שלו יוזן‬Gate ‫• ב‬
‫𝑄 הוא מקור זרם‬2 –
.‫ קבועה‬DC ‫ מחובר לרמת‬Gate •

‫▪ ולכן ההגבר לאות קטן דומה למה‬

𝐴𝑉 = −𝑔𝑚 𝑟𝑂,1 ∥ 𝑅𝐷 : ‫שראינו‬
⇓
𝐴𝑉
= −𝑔𝑚 𝑟𝑂,1 ∥ 𝑟𝑂,2

? ‫▪ כיצד נקבע את נק' העבודה‬

? 𝑽𝑮 ‫את‬
Figure 7.3 (a) The CS amplifier with the current-source load implemented with a p-channel MOSFET Q2 ; (b) the circuit with Q2 replaced with
its large-signal model; and (c) small-signal equivalent circuit of the amplifier.

22 ‫ הכולל עומס אקטיבי‬CS ‫ מגבר‬, CS ‫ – המשך ; מגבר‬MOSFET ‫ טרנזיסטור‬, 04 ‫שבוע‬

 ‫‪ - Example 7.2‬כיצד נקבע זרם ה ‪ DC‬בצמד ה ‪CMOS‬‬
‫▪ נניח כי הזרם 𝐹𝐸𝑅𝐼 קבוע‬

‫זרם ב ‪𝑄2‬‬ ‫▪ שאלה‪:‬‬

‫כיצד משתנה הזרם 𝑖‬
‫עם מתח המוצא?‬
‫▪ כיצד 𝐼𝑣 = ‪ 𝑣𝐺𝑆,1‬משנה את נק' העבודה‬

‫‪23‬‬
 ‫‪VDD = 3V‬‬ ‫‪( - Example 7.3‬נפתור חלקית)‬
‫‪I REF = 100  A‬‬
‫‪Vt ,n = 0.6V‬‬ ‫‪, vt , p = −0.6V‬‬ ‫▪ נתון המעגל והנתונים ‪:‬‬
‫‪mA‬‬ ‫– נניח 𝑠𝑣 ‪𝑣𝐼 = 𝑉𝐺𝑆,1 +‬‬
‫‪kn ' = 0.2 2‬‬
‫‪V‬‬
‫‪mA‬‬
‫‪k p ' = 0.065 2‬‬
‫‪V‬‬
‫▪ מהו ההגבר לאות קטן ?‬
‫‪VA,n = 20V , VA, p = −10V‬‬
‫כמובן שיש לחשב‬
‫את 𝑖 במדויק ע"פ המתח 𝑂𝑣‬
‫‪W = 4  m , L = 0.4  m‬‬ ‫𝐹𝐸𝑅𝐼 ≅ 𝑖‬ ‫נתחיל מביצוע קירוב גם על בסיס ההנחה‬

‫‪VA , n‬‬ ‫‪20V‬‬ ‫‪2 I D1‬‬ ‫‪2  0.1mA‬‬

‫= ‪rO ,1‬‬ ‫=‬ ‫‪= 200k ‬‬ ‫= ‪VOV ,1‬‬ ‫=‬ ‫‪= 0.1V 2 = 0.316V‬‬
‫‪iD ,1‬‬ ‫‪0.1mA‬‬ ‫‪kn‬‬ ‫‪mA  4 ‬‬
‫‪0.2 2  ‬‬ ‫‪‬‬
‫‪VA , p‬‬ ‫‪V  0.4 ‬‬
‫‪10V‬‬
‫= ‪rO ,2‬‬ ‫=‬ ‫‪= 100k ‬‬ ‫‪2  I DS‬‬ ‫‪2  0.1mA‬‬
‫‪iD ,2‬‬ ‫‪0.1mA‬‬ ‫= ‪gm‬‬ ‫=‬ ‫‪= 0.63 mS‬‬
‫‪VOV‬‬ ‫‪0.316V‬‬

‫‪‬‬ ‫⇓‬
‫𝑉‬
‫‪𝐴𝑉 = −𝑔𝑚 ⋅ 𝑟𝑂,1 ∥ 𝑟𝑂,2 = −0.63𝑚𝑆 × 66.6 𝑘Ω = −42‬‬
‫‪rO ,1 P rO ,2 = 66.6 k ‬‬ ‫𝑉‬

‫‪24‬‬ ‫שבוע ‪ , 04‬טרנזיסטור ‪ – MOSFET‬המשך ; מגבר ‪ , CS‬מגבר ‪ CS‬הכולל עומס אקטיבי‬

 ‫(מוזכר ב ‪ MOS-FET )5.3‬בחיבור "דיודה" = התנגדות לאות קטן‬
‫▪ נבחן את שינוי באות קטן בלבד ‪.‬‬
‫‪IDC‬‬ ‫‪iac‬‬ ‫▪ ניתן פשוט לגזור את הביטוי‪.‬‬
‫‪+‬‬ ‫▪ או להעזר בסכימה לאות קטן‪,‬‬
‫‪V + vac‬‬
‫‪-‬‬
‫ולחשב התנגדות בין ההדקים‪:‬‬
‫𝑡𝑠𝑒𝑇𝑣‬
‫סכימת ‪ ,‬ואילוץ מקור בוחן‬ ‫= 𝑡𝑠𝑒𝑇 𝑖‬
‫𝑂𝑟‬
‫𝑠𝑔𝑣 ⋅ 𝑚𝑔 ‪+‬‬
‫𝑡𝑠𝑒𝑇𝑣‬
‫=‬ ‫𝑡𝑠𝑒𝑇𝑣 ⋅ 𝑚𝑔 ‪+‬‬
‫‪g +‬‬ ‫‪d‬‬ ‫‪iTest‬‬ ‫𝑂𝑟‬
‫‪+v‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪vgs‬‬ ‫‪rO‬‬ ‫𝑡𝑠𝑒𝑇𝑣 =‬ ‫𝑚𝑔 ‪+‬‬
‫‪gm×vgs‬‬
‫‪- Test‬‬ ‫𝑂𝑟‬
‫‪−‬‬ ‫‪s‬‬ ‫⇓‬
‫𝑖𝛿‬ ‫‪1‬‬
‫=‬ ‫𝑚𝑔 ‪+‬‬
‫‪d‬‬ ‫𝑣𝛿‬ ‫𝑂𝑟‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫𝑠𝑑𝑣𝛿‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪rO‬‬ ‫= 𝑠𝑑𝑟‬
‫𝑠𝑑𝑖𝛿‬
‫∥ 𝑂𝑟 =‬
‫𝑚𝑔‬
‫≅‬
‫𝑚𝑔‬
‫‪gm‬‬ ‫‪gm‬‬
‫‪s‬‬

‫‪25‬‬