7.

SAULĖS ELEMENTAI

Saulės elementas – tai įrenginys keičiantis Saulės šviesos energiją į elektros energiją
remdamasis fotovoltiniu reiškiniu puslaidininkyje.

7.1. SAULĖS ENERGETIKOS ISTORIJA

Fotovoltinis reiškinys pirmą kartą buvo pastebėtas E.Bekerelio (Becquerel) 1839

metais. Jis stebėjo elektros srovę apšvietęs sidabro elektrodą, panardintą į elektrolitą.
1894 metais, pasinaudojus pastebėtu fotolaidumo reiškiniu amorfiniame selene, sukurtas
puslaidininkinis Saulės elementas. Pirmas silicio p-n sandūros Saulės elementas buvo
sukurtas 1954 metais. Jo energijos konversijos efektyvumas siekė 6%, tačiau energijos
kaina 200$/W neatrodė perspektyvi plačiam taikymui. Vėliau, sukūrus palydovus, reikėjo
juos aprūpinti ilgalaikiais energijos šaltiniais. Buvo sukurti kadmio sulfido, kadmio
telūrido, galio arsenido ir kitų medžiagų efektyvūs Saulės elementai.
Pirmas Saulės elementų kūrimo proveržis buvo apie 1970 metus, pajutus naftos
trūkumą ir susidomėjus alternatyviais energijos šaltiniais. Pagrindinės medžiagos,
neskaitant kristalinio silicio, yra polikristalinis silicis, amorfinis silicis ir kitos
plonasluoksniams elementams tinkamos medžiagos. Nors dėl brangumo šiais energijos
šaltiniais išgaunama energija sudarė tik labai mažą dalį, tačiau jų panauda išplito įvairiose
srityse: smulkių įrenginių, tokių, kaip mobilus telefonas, skaičiuoklis, meterologiniai
matuokliai, laikrodžiai ir pan., energijos tiekimui. Buvo sukurti Saulės energija varomi
automobiliai, kasmet vyksta jų ralio varžybos aplink Australiją, sukurtas net Saulės
energija varomas lėktuvas. Stambesni Saulės elementai panaudoti vandens gryninimui
nuo druskų, o taip pat aprūpinti energija izoliuotus objektus: kalnuose, salose ar
džiunglėse gyvenančius gyventojus.
Antras, ir daug didesnis, Saulės energetikos panaudos proveržis įvyko pirmame XXI
amžiaus dešimtmetyje. Tai sąlygota žemės klimato šiltėjimo grėsmės dėl didėjančio
šiluminės energijos naudojimo bei didėjančio CO2 kiekio atmosferoje. Daugelio šalių
vyriausybės įvairiais būdais stimuliavo Saulės energetikos panaudą. Deja, Lietuva -
vienintelė Europos sąjungos šalis, kuri iki šiol neremia Saulės energetikos.
Vokietijoje per dešimtmetį nuo 1994 metų iki 2004 metų instaliuota net 70 kartų
daugiau Saulės energetikos įrenginių ir dabar viršija 1GW. Buvo pagaminta virš 3TWh
energijos. Jos savikaina buvo apie 0,5 EUR/kWh.
Japonijoje Saulės elemento gaminama energija jau pigesnė už šiluminę. Pagrindinę
Saulės elemento kainos dalį sudaro instaliacija - <1$/W. Ten jau 2004 metais buvo
instaliuota virš 1GW. 2006 metais pasaulyje instaliuota 6.5 GW. Tai palyginami dydžiai
su Visagino elektrinės galia. Ir dar svarbu pastebėti, kad išgaunama iš Saulės elektra
įjungiama į bendrą šalies elektros tinklą. Tai iš vienos pusės nuostolinga, nes reikia
pastovią srovę pakeisti į 220 V kintamą, bei suderinti fazes, bet nereikalinga gaminamos
energijos akumuliacija. O svarbiausia, kad pagrindinis energijos poreikis pagal laiką gana
gerai sutampa su Saulės tiekiama energija.

7.2. SAULĖS ENERGETIKOS PERSPEKTYVOS

2007 metais Europos Sąjunga, kovodama su klimato šilimo grėsme, įsipareigojo iki
2030 metų pasiekti, kad 25% visos energijos būtų gaunama iš alternatyvių šaltinių,
pagrindinai iš Saulės. Tai turėtų sudaryti apie 1200 GW, o savikaina turėtų neviršyti 0,1
EUR/kWh. Kita priežastis, dėl kurios būtini alternatyvus energijos šaltiniai, yra
prognozuojamas naftos ir dujų resursų išsekimas (žr.7.1 pav.).

7.1 pav. Naftos ir dujų suvartojimas ir jo prognozė ateinančiame šimtmetyje [4].

7.2 pav. parodytas numatomas Saulės energijos savikainos mažėjimas ryšium su

augančia plėtra ir tikintis naujų technologijų. Kadangi iš kitų šaltinių gaunama energija
brangs, tai prognozuojama, kad Saulės energija taps pigesnė už bent jau šiluminę. Todėl
būtina, kad valstybės bent iki 2020 metų remtų Saulės energetiką.
 1 .0 9 0 0 h /a
0 .6 0 E U R /kW h
s a u lė s
e n e rg e tik a
0 .8
1 8 0 0 h /a
0 .3 0 E U R /kW h į p ra s tin ė s e n e rg ijo s
E U R /k W h

p a rd a v im o k a in a
0 .6
į p ra s tin ė s e n e rg ijo s
s a v ik a in a
0 .4

0 .2

0 .0
1990 2000 2010 2020 2030 2040

7.2 pav. Saulės energijos kainos prognozė palyginus su įprastine [4].

7.3. SAULĖS SPINDULIUOTĖ

Saulės spinduliuotės spektras AMO, pasiekiantis žemę, parodytas 7.3 pav. Jis artimas
5760 K juodo kūno spinduliuotei. Bendras krintančios energijos srauto tankis yra apie
1,35 kW/m2. Kertant atmosferą, priklausomai nuo kritimo kampo, dalis spinduliuotės
energijos sugeriama. Siekiant palyginti Saulės elementų efektingumą susitarta
standartizuoti Saulės spektrą AM 1,5 (oro masė 1,5). Tai atitinka 42° spindulių kritimo
kampą į žemės paviršių ir apie 1kW/m2 suintegruotą spinduliuotės energijos srauto tankį.

7.3 pav. Saulės spektro virš atmosferos - AM0 ir standartizuoto, krentančio į žemės paviršių –
AM1.5 palyginimas su juodo kūno 6000K spinduliuotės spektru.
 Lietuvoje giedrą dieną vidurdienį krintančios Saulės energijos srauto tankis siekia tik
iki 800 W/m2. Vidutiniškai – apie 120 W/m2. Apsiniaukus Saulės spinduliuotė
išsklaidoma, todėl negali būti nukreipta ir koncentruota į Saulės elementą. Todėl energija
panaudojama dar mažiau efektyviai. Taigi, jei Saulės elemento efektyvumas 10%, tai
1GW Saulės elektrinės elemento plotas sieks apie 100 km2.

Saulės spinduliuotės panauda elektros kūrimui. 7.4 pav. pavaizduotas klasikinis

kristalinis Saulės elementas sudarytas iš arti paviršiaus suformuotos pn sandūros ir
juostinis apšviestos sandūros vaizdas. Idealaus saulės elemento efektyvumas neviršija
30% .

-
e
1
-
e
E C
2
4
3
R E E
n Fp
Fn
eU
3
R
p E V

0 d x

7.4 pav. Apšviesto Saulės elemento sandara ir atviros grandinės juostinis modelis

Kodėl? Tarkim, kad visai neatspindima krintanti šviesa. Puslaidininkis sugeria šviesą
tik kurios kvanto energija didesnė už draudžiamosios energijos juostos plotį EG.
Fotogeneruoti krūvininkai per labai trumpą laiką termalizuojasi išsklaidydami perteklinę
kinetinę hν-EG energiją ir elektros kūrimui gali būti panaudojama tik EG energija (žr. 7.4
pav. 1). Todėl pagal Saulės spektrą paskaičiuotas optimalus puslaidininkio draudžiamas
tarpas yra apie 1,4 eV. 7.5 pav. pateiktas maksimalus idealaus Saulės elemento
efektyvumas priklausomai nuo puslaidininkio draudžiamo tarpo.
Tačiau realiai dalis krintančios šviesos atsispindi (žr. 7.4 pav. 2), nevisi sugerti kvantai
generuoja krūvininkų poras ( kvantinis našumas ≤ 1), dalis fotogeneruotų krūvininkų
rekombinuoja tūryje (žr. 7.4 pav. 3), kita dalis - paviršiuje(žr. 7.4 pav. 4), nesukurdami
elektros srovės. Visa tai mažina realų elemento efektyvumą.
 35
T=300K
AM 1.5 GaAs
30
Si A-Si:H:F

Efektyvumas (%)
25 Cu2S a-Si:H

20

15

Ge CdS
10

5
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
Draudžiamosios energijos tarpas (eV)

7.5 pav. Maksimalus idealaus Saulės elemento efektyvumas priklausomai nuo puslaidininkio
draudžiamosios energijos juostos pločio [1]

7.4. KRISTALINIO SAULĖS ELEMENTO CHARAKTERISTIKOS

Idealiu atveju, jei visi fotogeneruoti krūvininkai yra pilnai išskiriami sandūros
elektrinio lauko ir nėra rekombinacijos, tai jų sąlygota trumpo jungimo srovė j0=eG, kur
G – krūvininkų fotogeneracijos greitis. Jei elementas neužtrumpintas, tai dėl susidariusios
įtampos tekės priešingos krypties tamsinė pn sandūros srovė. Taigi bendra srovė (žr. 7.6
pav.)

eU U
j = eG − js (exp − 1) = , (7.1)
kT R

kur js atbulinė diodo soties srovė nesant paviršinės rekombinacijos

eD p pn eDn n p
js = + . (7.2)
Lp Ln
Elemento fotoelektrovara

kT eG
U0 = ln( + 1) . (7.3)
e j0
Kaip matyti iš 7.6 pav., didžiausia galia P=jU pasiekiama ties įtampa Um.
Dydis FF, vadinamas užpildos faktorium,
jmU m
FF = , (7.4)
j0U 0
gali siekti iki 85%.
7.6 pav. Apšviesto Saulės elemento voltamperinė ir galios charakteristikos

Elemento efektyvumas η , kai Saulės apšvitos galios tankis P0,

j0U 0 FF
η= . (7.5)
P0

Realiai užpildos faktorius, o tuo pačiu ir elemento efektyvumas mažėja dėl baigtinės
elektrodų R ar nuotėkio Rv varžų. Pagal ekvivalentinę schemą (7.7 pav.) tokio elemento
voltamperinė charakteristika

JG R V J rv JD

R (a )

Id e a lu s a tv e jis R V - m ažas, R =0Ω R V= , R - d id e lis

R V= , R = 0 Ω
U 0

U U ’0 U 0
J 0

J ’0
J0 J0
(b ) (c ) J0
(d )
7.7 pav. Ekvivalentinė Saulės elemento schema (a); voltamperinės charakteristikos: b-idealiu
atveju, c – šunto varžos įtaka, d – elektrodų varžos įtaka.
 e(U − JR) U − JR
J = eG − J s (exp − 1) − , (7.6)
mkT RV
kur m – idealumo faktorius.
Kaip matyti RV mažina U0 ir FF, o R mažina j0 ir irgi FF. R varžą sąlygoja n ir p sričių
varžos. Ją galima sumažinti didinant legiruojančių priemaišų koncentracijas, bet tai
mažins krūvininkų gyvavimo trukmes, taigi ir elemento efektyvumą. Kitas būdas -
tankinti apšviečiamo elektrodo šakutes, bet tada mažės apšviečiamo paviršiaus plotas.
Tūrinė rekombinacija mažina šalutinių krūvininkų gyvavimo trukmę, o tuo pačiu jų
difuzijos nuotolį. Tai mažins spektrinį jautrį silpnai sugeriamai šviesai, o jei difuzijos
nuotolis bus mažesnis už nuotolį nuo paviršiaus iki sandūros, tai nukentės spektrinis
jautris ir stipriai sugeriamai šviesai (αd >>1, kur α - sugerties rodiklis). 7.8a pav.
parodyta sandūros gylio įtaka silicio Saulės elemento kvantinio efektyvumo spektrui, kai
šalutinių krūvininkų difuzijos nuotolis 1µm, o 7.8b pav. – paviršinės rekombinacijos
spartos įtaka.
Kuriant saulės elementus stengiamasi sumažinti išvardintų priežasčių įtaką, bet
nepavyksta pasiekti teorinės efektyvumo vertės.

7.8 pav. Kvantinio efektyvumo spektrinis pasiskirstymas, esant skirtingiems pn sandūros gyliams -
(a), paviršinės rekombinacijos spartoms Sn (m/s) - (b) [1].
 Plonasluoksniai Saulės elementai. Žiūrint į ateitį, plačiam taikymui kristaliniai
Saulės elementai dėl savo brangumo ir sudėtingos technologijos turėtų būti nukonkuruoti
plonasluoksnių elementų. Jau pradėti naudoti amorfinio hidrogenizuoto silicio (a-Si:H),
mikrokristalinio silicio (μc-Si:H), polikristaliniai kadmio telūrido (CdTe) ir vario indžio
diselenido (CuInSe2), o pastaruoju laiku ir organinių polimerų pagrindu sukurti Saulės
elementai. Tai mažiau negu mikrono storio užgarinti ar cheminiu nusodinimo būdu
pagaminti sluoksniai. Tai leidžia gaminti didelio ploto ir pigius Saulės elementus. Jų
veika skiriasi nuo monokristalinių, ar polikristalinių Si ar GaAs Saulės elementų. Tai
sąlygota to, kad vidinio elektrinio lauko prasiskverbimo nuotolis palyginamas su
sluoksnio storiu, taigi krūvininkų pernašą lemia jų dreifas, o ne difuzija. Kitas skirtumas
– tarpkristalitiniuose paviršiuose susikaupia priemaišos, susidaro potenciniai barjerai. Iš
vienos pusės, tai gerina fotogeneruotų krūvininkų išskyrimą, mažina ominį laidumą, bet
iš kitos pusės – mažina krūvininkų judrį ir gyvavimo trukmę, taigi difuzijos ir dreifo
nuotolius.

7.5. NETVARKIŲ DARINIŲ FIZIKA

Žiūrint į numatomą Saulės energetikos plėtrą, kristalinius Saulės elementus turėtų

nukonkuruoti paprastesnės technologijos ir žymiai pigesni nekristaliniai, t.y. netvarkių
darinių pagrindu sukurti Saulės elementai. Todėl, prieš palyginant jų privalumus ir
trūkumus, tikslinga trumpai susipažinti su netvarkių darinių fizika.
Kietojo kūno fizikoje laikoma, kad atomai erdvėje išsidėstę tvarkingai, t.y. pagal
erdvinės transliacijos simetriją. Dėl tarpatominės sąveikos potencinio lauko periodiškumo
elektronas kristale aprašomas bėgančia Blocho banga. Tai leido sukurti elektrono būsenų
juostinį modelį ir aprašyti elektrono elgesį kaip laisvos kvazidalelės su kvaziimpulsu ir
efektine mase. Atomų šiluminiai virpesiai ar struktūriniai defektai sąlygojo elektronų
sklaidą, kurią galima aprašyti klasikine Bolcmano kinetine lygtimi. Bet visa tai galioja,
kol laisvo lėkio nuotolis l daug didesnis už Blocho bangos ilgį λ ar tarpatominį atstumą a.
Tačiau jei atomai išsidėstę netvarkingai ir laisvo lėkio nuotolis palyginamas su Blocho
bangos ilgiu, tai pagal Heizenbergo neapibrėžtumo principą

∆k ∆x >2π, (7.7)

kai ∆x ≈ λ, tai ∆k > k , t.y. Blocho bangos banginis skaičius neapibrėžtas savo verte.
Jeigu elektronas sklaidomas kiekvieno atomo, tai gauname, kad ∆k >>2π/a, t.y. Blocho
bangos banginis skaičius neapibrėžtas visoje Briljueno zonoje. Taigi tuo atveju k
nebetinkamas aprašyti elektrono būsenai kristale, nebegalioja k atrankos taisyklė,
nebegalima naudoti efektinės masės artinio. Taigi, elektrono elgesiui aprašyti nebetinka
klasikinė kietojo kūno, tiksliau kristalinio kūno fizika.

Netvarkus darinys. Bendru atveju, tai visi kūnai, išskyrus idealų kristalą.
Idealiausias netvarkus darinys - idealios dujos, kur atomo padėtis nepriklauso nuo kitų
atomų padėties. Tačiau netvarkiu dariniu laikomas kūnas, kuriame yra artimoji tvarka, bet
nėra tolimosios transliacijos simetrijos (žr. 7.9 pav.). Tai kristalas su daug priemaišų,
mikro- ir nanokristalinis kūnas, amorfinis kūnas, skystis.

a) b)

7.9 pav. Atomų išsidėstymas kristale (a), ir netvarkiame darinyje (b).

a) b)

7.10 pav. Kristalo (a) ir netvarkaus darinio (b) difraktograma.

Ryšys su kristalo fizika. Kietojo kūno fizikoje pagal kvazilaisvo elektrono teoriją
draudžiamų energijų tarpą sąlygojo elektrono bangos atspindys nuo kristalografinių
plokštumų. Netvarkiame darinyje nėra erdvinės simetrijos, bet, pavyzdžiui, stikle –
amorfiniame kūne stebima optinio pralaidumo raudonoji riba atitinkanti draudžiamų
energijų tarpą.
Kietojo kūno fizikoje skylės įvestos remiantis Briljueno zonų periodiškumu.
Netvarkiame darinyje nėra Briljueno zonų, tačiau dauguma netvarkių darinių yra kaip tik
skylinio laidumo medžiagos.
Ir dar. Skysto metalo laidumas nežymiai skiriasi nuo kristalinio, t.y. netvarka gali tik
nežymiai įtakoti elektronų elgesį. Taigi, nors kietojo kūno fizika sukurta remiantis
tvarkingu atomų išsidėstymu erdvėje, ji gali būti dalinai taikoma ir netvarkių darinių
aprašymui.
 Būsenų tankis netvarkiuose dariniuose. Žinant konkretų atomų išsidėstymą erdvėje
kompiuterių pagalba galima skaičiuoti būsenų tankio pasiskirstymą pagal energiją N(E).
Kokybiškai tai galima įvertinti remiantis kieto kūno teorija. Netvarkų kūną galima
sudaryti išstumdant atomus atsitiktiniu vidiniu potenciniu lauku V(x). Tada pagal lėtai
kintančio erdvėje potencinio lauko teoriją E(k)+V(x)=const gauname 7.11 pav.
pavaizduotą N(E).

V (x )

x
E (x ) E
EC

E V

x N (E )

7.11 pav.Atsitiktinio potencinio lauko įtaka būsenų tankio energiniam pasiskirstymui

Netvarkų kūną galima įsivaizduoti kaip kristalą su kintamu gardelės periodu a(x).
Tada pagal kvazisurišto elektrono teoriją gauname tokią būsenų tankio funkciją N(E) –žr.
7.12 pav.

E C
E

E V

a r N (E )

a
7.12 pav. Kintamo tarpatominio atstumo įtaka būsenų tankio energiniam pasiskirstymui
 Pagal lokalinio potencinio lauko trikdžio įtakos elektrono būsenoms kristale teoriją
seka lokalių būsenų susidarymas, kurių energinė padėtis priklauso nuo trikdžio dydžio.
Kadangi netvarkiame darinyje su didesne ar mažesne tikimybe galimi bet kokio dydžio
trikdžiai, tai galimos būsenos su bet kokia energija. Taigi nėra draudžiamo būsenų
energinio tarpo.
Žinant N(E) ir elektronų Fermi-Dirako pasiskirstymo funkciją galima rasti elektronų
tankio energinį pasiskirstymą, tačiau to nepakanka norint įvertinti netvarkaus kūno
elektrinį laidumą, nes galimybė elektronui judėti priklauso ir nuo jo energinės padėties, ir
nuo koordinatės. Taigi tai vėl daugelio kūnų problema.
Šią problemą išsprendė Andersonas (1977m. Nobelio premija).

Andersono lokalizacijos kriterijus. Andersonas ( P.W.Anderson ) netvarką įvedė ne

atomų išsidėstyme, bet atominių potencinių duobių energijos gylio pasiskirstyme.
Tvarkingame kūne, t.y. esant vienodo gylio ir pločio potencinėms duobėms dėl
tarpelektroninės sąveikos gaunamas leidžiamų energijų juostos plotis lygus 2zI ir efektinė
masė – m*=h2/(2Ia2), kur I – banginių funkcijų persiklojimo integralas, z – koordinacijos
skaičius (žr. 7.13 pav.)

a E
V

2zI
(a ) N (E )
E
V

U 0

( )b N (E )
7.13 pav. Atominės potencinės duobės kristale (a) ir netvarkiame darinyje (b) pagal Andersono
modelį.

Netvarkos dydį Uo rodo vidutinis kvadratinis duobės energinio gylio nukrypimas nuo
vidutinės vertės. Andersonas sprendė galimybę elektronui difunduoti absoliutinio nulio
temperatūroje. Gavo, kad kai Uo/I<5 difuzija galima, o kai Uo/I>5 – ne. Tai ir yra
Andersono lokalizacijos kriterijus. Tai paaiškinama tuo, kad esant dideliam kaimyninių
potencinių duobių gylių skirtumui elektronų banginės funkcijos nebesąveikauja ir
elektronas lokalizuojasi.
 Pagal šį kriterijų būsenų tankio funkcijoje N(E) nustatomas judrio tarpas, t.y.
energijos tarpas, kur būsenos yra lokalizuotos. Esant didesniam būsenų tankiui, o tuo
pačiu didesniam persiklojimo integralui elektronas nebelokalizuotas ir juda kaip kristale
(žr. 7.14 pav.). Minimalus tokio elektrono judris

μ=ea2/h, (7.8)

t.y. apie 10 cm2/Vs.

E E E
E µC

E F

E µV

N (E ) µ(E ) σ (E )
7.14 pav. Būsenų tankio, krūvininkų judrio ir elektrinio laidumo pasiskirstymas pagal energija

Jei elektronas sklaidytųsi kiekvienu atomu, t.y. judėtų kaip Brauno dalelė, tai
analogiškai kaip realių dujų difuzinėje pernašoje

μ=ea2ν/kT, (7.9)

kur ν ≅ 1015s-1 - elektronų sklaidos dažnis, įvertintas pagal Heizenbergo neapibrėžtumo

principą. Kambario temperatūroje judris būtų apie 1 cm2/Vs.
Trečia krūvininkų pernašos rūšis – šuolinė pernaša: krūvininkas iš atomų virpesių
gauna energijos, reikalingos pasiekti kaimyninės būsenos energiją ir į ten tuneliuoja.
Tokios pernašos judris

μ = eR2νf /kT exp(-2αR- ∆E/kT), (7.10)

kur R – šuolio atstumas, α - tuneliavimo konstanta, νf - fononinis dažnis, klasikiniame

artinyje vertinamas pagal hνf = kT. Kambario temperatūroje judrio vertė būtų < 10-2
cm2/Vs. Taigi gaunamas judrio juostos schematinis vaizdas – žr. 7.14 pav.

Elektrinis laidumas. Pagal MCFO (N. Mott, M.Cohen, H. Fritzsche, S. Ovshinsky)

modelį Fermi lygmuo EF yra būsenų tankio minimumo aplinkoje. Tai sąlygota valentinės
ir laidumo būsenų persiklojimo. Esant dideliam būsenų tankiui ties Fermio lygmeniu
medžiagos elektrinis laidumas nejautrus priemaišų legiravimui, nes norint pakeisti
Fermio lygmens padėtį reikia užpildyti lokalias būsenas. Taip pat medžiaga nefotojautri,
nes fotogeneruoti krūvininkai labai greitai termalizuojasi per lokalias būsenas. Tai metalo
analogas, nes laidumą sąlygoja elektronų pernaša ties Fermio lygmeniu. Įdomu tai, kad
šuolio energija priklauso nuo temperatūros: žemoje temperatūroje didesnė tikimybė
krūvininkui tuneliuoti didesnį atstumą į būseną su mažesniu energijos skirtumu, o
aukštoje – arti, nes didesnė tikimybė gauti energiją. Rasim optimalumą pagal
nekoordinuotą būsenų išsidėstymą. Atstumu R tarp E ir E+dE yra 4/3πR3N(E)dE būsenų.
Taigi tikimybė šokti atstumu R

 3 
P ~ exp − 2αR − . (7.11)
 4πkTR N ( EF ) 
3

Optimalų šuolį nustatome pagal eksponentės rodiklio minimumą, t.y. kai

R ~ (kT N(EF))-1/4. Tada laidumas

C
σ ~ exp(− 1/ 4
). (7.12)
T N ( EF )1 / 4

Tai Motto ¼ (N. Mott) dėsnis (1977 metų Nobelio premijos laureatas).
Kai būsenų tankis ties Fermio lygmeniu mažas, tai elektrinį laidumą apsprendžia
elektronų pernaša ties judrumo kraštu, o medžiagos savybės analogiškos puslaidininkiui:
elektrinis laidumas aktyvuotai priklauso nuo temperatūros, medžiaga jautri legiravimui
priemaišomis, fotojautri.
Bendru atveju stebimi abu atvejai: aukštoje temperatūroje vyrauja laisvų krūvininkų
pernaša, o žemoje – elektronų ties Fermi lygmeniu.
Peržvelgsime tik tas netvarkių darinių savybes, kurios apsprendžia Saulės elementų
veiką.

Optinė sugertis. Kristaliniame kūne tiesioginės optinės sugerties spektras, kai hν >
Eg ,

α ~ (hν - Eg)1/2, (7.13)

netiesioginės sugerties spektras

α ~ (hν - Eg)2. (7.14)

Optiniai šuoliai netvarkiuose dariniuose tarp nelokalizuotų būsenų tikimesni, nes dėl
impulso neapibrėžtumo nereikia tenkinti jo tvermės dėsnio, o tarp lokalių – daug mažiau
tikimi, nes jos yra skirtingose erdvės vietose. Kai kvanto energija didesnė už judrumo
krašto energiją tai galioja Tauco ( J.Tauc )dėsnis
α ~ (hν - Eg)2/ hν, (7.15)

o kai mažesnė - Urbacho ( F.Urbach )dėsnis:

hν − E g
α ~ exp , (7.16)
E0

kur E0 priklauso tiek nuo temperatūros, tiek nuo atomų išsidėstymo netvarkos. Pastarasis
paaiškinamas optiniais šuoliais iš lokalių būsenų į laisvas, bei Franco-Keldyšo reiškiniu,
sąlygotu atsitiktinių vidinių potencinių laukų. Pavyzdžiui amorfiniame selene Urbacho
dėsnis galioja kintant sugerties koeficientui daugeliui eilių (žr. 7.15 pav.)

6
10

4
10
α (cm )
-1

2
10

0
10 o
o -200 C
400 C 200 25
300 100 -100
-2
10
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
E (eV)

7.15 pav. Amorfinio ir skysto seleno optinės sugerties krašto spektras

Kvantinis našumas. Savosios sugerties atveju kristale fotosužadinti elektronas ir

skylė panaudodami kvanto energiją, viršijančią draudžiamąjį tarpą, išsilaksto į priešingas
puses. Todėl, nesant tai ribojančių reiškinių, kvantinis našumas artimas vienetui.
Netvarkiame darinyje, jei sužadinta pora išsklaido iš kvanto gautą perteklinę energiją
greičiau, negu spėja išsiskirti toliau negu Kulono radiusas, tai dėl elektrostatinės sąveikos
fotogeneruoti krūvininkai prisitraukia vienas kitą ir rekombinuoja – tai taip vadinama
dvynių rekombinacija. Ji sąlygoja mažą Onzagerio ( L.Onsager ) kvantinį našumą β:

V ( rt ) r
β ~ exp(− ) ~ exp(− c ) (7.17)
kT rt
kur V – Kulono potencialas, rt – perteklinės energijos (hν - Eg ) išsklaidymo nuotolis, rc –
Kulono radiusas. Taigi kuo aukštesnė temperatūra ar didesnė kvanto energija, tuo
didesnis kvantinis našumas. Stipriame elektriniame lauke Kulono potencialas
modifikuojamas panašiai kaip Pulio-Frenkelio ( R.Pohl, J.Frenkel ) reiškinio atveju (žr.
7.16 pav.) ir todėl kvantinis našumas taip pat didėja (žr. 7.17 pav.).

V (x )

hν ∆V

rt
7.16 pav. Onzagerio fotogeneracijos schema

7.17 pav. Kvantinio našumo priklausomybė nuo elektrinio lauko stiprio skirtingoms kvanto
energijoms amorfiniame selene: linijos – pagal Onzagerio teoriją, taškai – eksperimentas. Teorijos
ir eksperimento nesutapimas sąlygotas paviršinės rekombinacijos.
 Krūvininkų pernaša. Kristale, esant prilipimo lygmenims, krūvininkų dreifinis
judris sumažėja tiek kartų, kiek terminio išlaisvinimo iš prilipimo lygmens trukmė
didesnė negu pagavimo trukmė. Netvarkiuose dariniuose, esant pagal energijas
pasiskirsčiusioms būsenoms, krūvininkų pernaša stochastinė, nes terminio išlaisvinimo
tikimybė priklauso nuo to, į kokios energijos būseną prilipo krūvininkas. Pradžioje
krūvininkai prilimpa seklesnėse būsenose, nes jų tankis didesnis. Su laiku jie prilimpa vis
gilesnėse būsenose, nes jose išlaisvinimo trukmė ilgesnė (žr. 7.18 pav.). Todėl bėgant
laikui dreifinis krūvininkų judris mažėja. Pavyzdžiui, esant eksponentiniam būsenų
pasiskirstymui pagal energiją

E
N ( E ) = N 0 exp(− ). (7.18)
kT0

Tada dreifinis judrumas

EF
E∗ N c exp(−
)
τc n kT 1 1
µ = µ0 = = ∫ dE ~ exp(− E ∗ /( + )) ,(7.19)
τ R ∑ m o N ( E ) exp( E − EF ) kTo kT
kT

m(E) – prilipusių elektronų tankis, n - laisvų elektronų tankis. Integravimo riba E*

atitinka energiją iš kurios laiku t prilipęs elektronas spėja termiškai išsivaduoti

7.18 pav. Krūvininkų tankio energinė relaksacija (b) esant energiškai pasiskirsčiusiom būsenom (a).
 E∗
t = τ R = ν −1 exp( ) (7.20)
kT

Taigi gauname, kad judris, o tuo pačiu ir fotosrovė po fotosužadinimo relaksuoja

hiperboliškai

T
− (1− )
. (7.21)
µ ~ j (t ) ~ t T0

Iš lėkio trukmės ttr, kai elektronai nudreifuos tarpelektrodinį nuotolį d

t tr T0
F −1
∫0 µ (t ) Fdt = d nustatomas dreifinis judris µdr ~ ( d ) T . Tai tipiška netvarkiems

dariniams dispersinė krūvininkų pernaša, sąlygojanti judrio priklausomybę nuo elektrinio

lauko stiprio F ir bandinio storio.
Esant energiniam būsenų pasiskirstymui dispersijos koeficientas α=T/T0 priklauso
nuo temperatūros, tuo metu koordinatinio būsenų pasiskirstymo atveju α nepriklauso nuo
temperatūros.

Krūvininkų rekombinacija. Kristale, kur krūvininko vieta neapibrėžta,

rekombinacija nulemta tikimybės atiduoti energiją: kitam elektronui – Ože (P.V.Auger)
rekombinacija, išspinduliuojant fotoną – spindulinė rekombinacija, arba sužadinant
fononus. Pastaroji priklauso nuo gilių būsenų koncentracijos. Netvarkiuose dariniuose,
kur daug lokalių būsenų, rekombinacija turėtų būti labai sparti, tačiau čia ji nulemta
elektrono ir skylės susitikimo erdvėje tikimybės, nes tik susitikę atstumu arčiau negu
Kulono radiusas jie nebeišsiskiria ir rekombinuoja, panašiai kaip dvynių rekombinacijoje.
Ji galioja, jei energijos sklaidos ar šuolio nuotolis mažesnis negu Kulono radiusas. Tai
Lanževeno ( P. Langevin )bimolekulinė difuzinė rekombinacija, nors nulemta tarpusavio
dreifo trukmės Kulono lauke

εε 0
r
dx e 1 4 3
τL = ∫ = , nes F = 2 ir = πr . (7.22)
0
( µ n + µ p ) F e( µ n + µ p ) n 4πεε 0 x n 3

Taigi bimolekulinės rekombinacijos koeficientas BL = e(µn + µp) /εεo . Matyti, kad

netvarkiuose dariniuose rekombinaciją lemia krūvininkų pernaša.

7.6. SAULĖS ELEMENTŲ TYRIMO METODAI

Voltamperinių charakteristikų analizė. Tai integrinis metodas, leidžiantis palyginti

Saulės elementų parametrus, apšvietus AM1.5 šviesa: efektyvumą bei trumpo jungimo
srovę, užpildos faktorių FF, fotoelektrovarą. Tačiau norint nustatyti, kas riboja šiuos
parametrus, reikalingi detalesni tyrimai. Kadangi kristalinių pn sandūrų tyrimai metodai
aprašyti kietojo kūno elektronikos vadovėliuose, tai tik trumpai priminsime juos. Iš
voltamperinės charakteristikos temperatūrinės priklausomybės nustatoma ar vyrauja
difuzinė (m = 1), ar rekombinacinė srovė (m = 2) (žr.(7.6)). Tai galima nustatyti ir iš U0
priklausomybės nuo šviesos intensyvumo logaritmo (U0 ~ lnL) polinkio kampo.

Kvantinio efektyvumo spektrinis pasiskirstymas. Kaip matyti iš 7.8 pav. a ir b

palyginimo galima nustatyti, ar kvantinio efektyvumo sumažėjimą stiprios sugerties
srityje lemia paviršinė rekombinacija, ar mažas šalutinių krūvininkų difuzijos nuotolis,
palyginus su sandūros nuotoliu nuo paviršiaus d. Žinant šio nuotolio vertę galima
apskaičiuoti ir difuzijos nuotolį. Iš kvantinio efektyvumo sumažėjimo silpnos sugerties
srityje galima įvertinti šalutinių krūvininkų difuzijos nuotolį priešingoje sandūros pusėje.

Talpos tyrimas. Iš talpos priklausomybės nuo įtampos polinkio idealiai pn sandūrai

eεε 0 N A N D 1 / 2
C =( ) (U ± U D ) −1 / 2 , (7.23)
N A + ND

atvaizdavus C-2 ~ U koordinatėse, galima nustatyti legiruojančių priemaišų koncentraciją,

iš abcisų ašies atkirtimo – difuzinį potencialą, iš ordinačių ašies atkirtimo – nuskurdintos
srities plotį. Detalesnė šios priklausomybės analizė leidžia nustatyti priemaišų, o tuo
pačiu elektrinio lauko pasiskirstymą nuo koordinatės (žr. 7.19 pav.).

7.19 pav. Sandūros talpos (C-2) priklausomybė nuo įtampos skirtingiems erdvinio krūvio
pasiskirstymams
Iš temperatūrinių talpos kinetikos, prijungus įtampos impulsą, priklausomybių taip pat
galima nustatyti gilių būsenų energiją, koncentraciją ir pagavimo skerspjūvį.

Lėkio trukmės metodas. ( TOF - time-of-flight ) – jis taikomas krūvininkų pernašos,

prilipimo ir rekombinacijos netvarkiuose dariniuose tyrimui, todėl apie jį plačiau. Šis
metodas tinkamas tik mažo laidumo medžiagoms, t.y. kai Maksvelo relaksacijos trukmė
didesnė už lėkio trukmę

εε 0 d2
τσ = >> ttr = . (7.24)
σ µU

Prie Saulės elemento užtveriama kryptimi prijungus įtampą ir trumpu šviesos impulsu
fotogeneravus krūvininkus stebimas jų dreifo srovės impulsas, iš kurio trukmės ttr
nustatomas krūvininkų judris (elektronų, kai apšviečiamas katodas, ar skylių, kai
apšviečiamas anodas), o iš impulso ploto – dreifuojančių krūvininkų kiekis, pagal kurį,
žinant sugertų kvantų kiekį, nustatomas kvantinis našumas (žr. 7.20 pav.).

(a) (b)

7.20 pav. Dreifuojančių krūvininkų pasiskirstymas skirtingais laiko momentais (1,2,3) ir srovės
kinetika lėkio trukmės eksperimente esant Gausinei (a) ir stochastinei pernašai (b).
 Esant prilipimui, kurio pagavimo trukmė τ, ar stochastinei pernašai srovė po
fotosužadinimo mažėja. Tuo atveju pagal srovės impulso plotą įvertinta dreifuojančių
krūvininkų kiekio priklausomybė nuo įtampos atitinka Hechto ( J.Hecht )priklausomybę,
pagal kurią nustatomas parametras μτ, nusakantis tiek difuzijos, tiek dreifo nuotolius,
lemiančius Saulės elemento efektyvumą.

N µτE d
= (1 − exp(− ) ). (7.25)
N0 d µτE

Krūvininkų ekstrakcijos tiesiai kylančia įtampa metodas. ( CELIV ) Metodo

privalumas, kad jis tinkamas tiek didelio laidumo, tiek ir mažo laidumo medžiagoms tirti.
Prie Saulės elemento prijungus trikampio pavidalo įtampos impulsą užtveriama kryptimi
stebima talpinė j(0) ir laidumo srovė ∆j (žr. 7.21 pav.).

t
∆j
t1/2
j(0) tmax

0 ttr t

7.21 pav. CELIV metode prijungiamas įtampos impulsas ir stebima krūvininkų ekstrakcijos srovė

Iš stebimos srovės kinetikos galima suskaičiuoti bandinio storį arba dielektrinę skvarbą

εε 0 j (0) dU
d
= , kur A = ; (7.26)
A dt
Maksvelo relaksacijos trukmę

2 j (0)
τ σ = ⋅ t max ; (7.27)
3 ∆j

pusiausvirųjų krūvininkų parametrus – judrį

 2d 2
µ= 2
jei ∆j ≤ j (0), t. y. τ σ ≥ t tr
3 A tmax
(7.28)
τ d2
µ = σ 3 jei ∆j >> j (0), t. y. τ σ << t tr
A tmax

tūrio laidumą

3 d ∆j dj
σ bulk = ⋅ ⋅ , arba σ bulk = εε 0 / j0 (7.29)
2 A tmax
dt t =0

pusiausvyrinių krūvininkų tankį

∞
2
ed ∫0
p0 = ∆jdt . (7.30)

Dar daugiau galimybių turi foto-CELIV metodas – trumpu šviesos impulsu

fotogeneruojami krūvininkai, kurie ekstraguojami po laiko td. Keičiant užlaikymo trukmę
td galima nustatyti tiek krūvininkų tankio, tiek judrio relaksaciją. Pastaroji svarbi, esant
stochastinei pernašai. 7.22 pav. pavaizduotas tipiškas tokios kinetikos pavyzdys.

20

15
j [µ A/cm ]
2

10 50 µs
200 µs
500 µs
5 1000 µs
2000 µs
10 ms
dark
0

0 1 2
t [ms]

7.22 pav. Foto – CELIV srovės kinetika esant skirtingoms užlaikymo trukmėms tarp šviesos ir
įtampos impulsų RRa-PHT (poly-heksiltiofenas) sluoksnyje.
 Dvigubos injekcijos srovės kinetikos metodas. Prie Saulės elemento prijungus
įtampą pralaidžia kryptimi stebima dvigubos injekcijos srovė. Kai dielektrinės
relaksacijos trukmė didesnė negu lėkio trukmė (τσ = εε0/σ >> ttr=d/μE), bimolekulinės
Lanževeno rekombinacijos (B=BL) atveju injektuoti krūvininkai visiškai rekombinuoja
tarpelektrodiniame nuotolyje ir stebima srovės kinetika atitinka erdvinio krūvio ribotą
srovę su abiejų ženklų krūvininkų judrių suma. Kai rekombinacija silpnesnė, tai po
lėtesniųjų krūvininkų lėkio trukmės (tsl) injektuotų krūvininkų kiekis, o tuo pačiu ir srovė
didėja, kol dėl rekombinacijos įsisotina.

µ n/µ p=10
js/2
10 B/BL=10-3

t1/2
j(t)
EKRS

B/BL=1
1
j/j

tsc dj/dt
tsl

0.1
1 10 100
t/ttr

7.23 pav. Dvigubos injekcijos srovės kinetika Lanževeno ir silpnesnės rekombinacijos atvejais

Taigi iš srovės kinetikos formos galima nustatyti ar rekombinacija Lanževeno, ar

silpnesnė, o 7.23 pav. parodyta kaip iš srovės kinetikos nustatyti pernašos ir
rekombinacijos parametrus:
krūvininkų judrių sumą

d2
µ n + µ p = 0.8 , (7.31)
Utsc

kitas variantas
 jSCLC d 3
µn + µp ≅ ; (7.31)
εε 0U 2
lėtesniųjų krūvininkų judrį

d2
µsl = 0.8 ; (7.32)
Utsl

bimolekulinės rekombinacijos koeficientą

e( µ n + µ p )
ln3 U
B= . (7.33)
2 js t1 / 2 d

7.7. SAULĖS ELEMENTŲ RŪŠYS, JŲ TECHNOLOGIJA,

PRIVALUMAI IR TRŪKUMAI

Monokristalinio silicio Saulės elementai. Iki pastarojo laiko jie sudarė apie trečdalį
visų gaminamų Saulės elementų. Žinoma daug silicio monokristal7 auginimo metodų
Populiariausias – Čochralskio (Czoczralski) metodas – kai monokristalas lėtai traukiamas
iš išlydyto silicio (7.24 pav.). Traukimo greitis apie 1 mm/min (1,5 kg/h). Dažniausiai
kristalas silpnai legiruojamas boru (1016 cm-3), siekiant didelio elektronų difuzijos
nuotolio p tipo silicyje. Monokristalo skersmuo 15 – 30 cm. Vėliau jis pjaustomas 0,3-0,5
mm storio ir keturkampėmis 100 cm2 plokštelėmis. Nušlifuotas paviršius difuzijos ar
joninės implantacijos būdu legiruojamas fosforu ( 1019 cm3 ), siekiant sudaryti laidų n
tipo emiterį ir sumažinti paviršiaus varžą. Optimalus sandūros gylis apie 0,3-1 μm.
Tipiškas tokio elemento efektyvumas siekia 15%.Tai gana brangus ir daug energijos
reikalaujantis gamybos būdas. Jo trūkumai – lieka gana daug deguonies priemaišų;
pakankamai lėtas silicio kristalo augimo greitis – 1,5 kg/val. Privalumai: išvengiama
kenksmingų aplinkai ir žmogaus sveikatai cheminių procesų; galima auginti pakankamai
didelio skersmens (iki 15cm) silicio monokristalų luitus; atidirbta gamybos technologija .
Kitas būdas – zoninis lydymas, kai aukštesnės už lydymosi temperatūros ruožas
lėtai (3 mm/min) slenka per polikristalinį silicį (7.24 pav.). Šis procesas kartojamas keletą
kartų siekiant zoninio valymo būdu išgryninti silicį. Tai leido pasiekti elemento
efektyvumą iki 20%, bet tai dar brangesnis gamybos būdas. Šios gamybos technologijos
trūkumai: gana didelis užauginto kristalo defektų kiekis; reikalingas daugkartinis zoninis
valymas tam, kad būtų pasiektas tinkamas silicio grynumo lygis; brangi technologija;
sudėtinga gauti didelio diametro strypą. Tačiau išvengiama kenksmingų aplinkai ir
žmogaus sveikatai cheminių procesų. Gaunamas labai švarus Si monokristalas su
minimalia O2 koncentracija.
7.24 pav. Monokristalinio silicio gamybos būdai

Trumpai kristalinio silicio Saulės elementų trūkumai:

- didelė dielektrinės skvarbos koeficiento vertė sąlygoja didelį šviesos atspindį;
- netiesioginė šviesos sugertis sąlygoja mažą sugerties koeficiento vertę, o tuo pačiu,
norint sugerti raudoną šviesą, reikia storo elemento;

- norint sumažinti kontakto varžą ir paviršinę rekombinaciją reikia stipriai legiruoti

emiterį, bet tada pasireiškia Ože ( P.V.Auger ) rekombinacija ( τ ~ ND-2 ), mažinanti skylių
difuzijos nuotolį, o tuo pačiu ir efektyvumą;
- brangi ir sudėtinga gamybos technologija.

7.25 pav. Monokristalinio silicio Saulės elementas su atspindį mažinančiais tekstūruotais paviršiais
ir „paslėptais“ elektrodais.
 Siekiant sumažinti šviesos atspindį paviršius tekstūruojamas ir padengiamas atspindį
mažinančiu tantalo oksidu, titano oksidu, arba silicio nitridu. Siekiant sumažinti
paviršinių, uždengiančiu šviesą, elektrodų plotą jie „laidojami“ (žr. 7.25 pav.).
Prieš užnešant elektrodą laidojimo duobutės papildomai legiruojamos n++. Tai sumažina
nuoseklią varžą bei paviršinę rekombinaciją. Siekiant sumažinti paviršinę rekombinaciją
ties apatiniu elektrodu, prieš jį užnešant, paviršius papildomai legiruojamas, sudarant p+-
p sandūrą. Visų optimizavimų rezultate pavyko priartėti prie teorinio efektyvumo ribos -
26%.

Polikristalinio silicio Saulės elementai. Polikristalinė medžiaga yra sudaryta iš

daugelio įvairaus dydžio ir formos kristalitų, chaotiškai orientuotų vienas kito atžvilgiu.
Polikristalinis silicio sluoksniai yra gamina tik Saulės elementams.
Gaminant tiesioginės kristalizacijos būdu iš skystos fazės kristalito dydis gaunamas
tarp 1 mm ir 10 cm. Toks silicis kartais vadinamas multikristaliniu mc-Si. Multikristalinio
silicio Saulės elementų gamyba yra pigesnė negu monokristalinio. Silicis yra lydomas ir
pilamas į kvadratinį SiO/SiN padengtu grafitinį tiglį. Galima pagaminti kvadratinės,
stačiakampės ir kt. formų medžiagą. Proceso metu reikia kontroliuoti, kad Si lydalas būtų
paviršiuje. Užauginti Si luitai pjaustomi apie 0,5 mm storio plokštėmis, šlifuojami.
Kitas tiesioginės kristalizacijos būdas, nereikalaujantis pjaustymo – EFG (edge fed
growth), kai kristalas auginamas, ištraukiant iš skystos fazės tarp dviejų plokštelių (žr.
7.26 pav.)

7.26 pav.EFG silicio gamybos būdas

Gaminant polikristalinį silicį iš garų fazės kristalitų dydis tarp mikrono ir milimetro.
Tiesioginio garinimo būdu gauti amorfiniai sluoksniai netinkami Saulės elementų
gamybai, nes neįsotinti Si ryšiai sąlygoja didelį būsenų tankį draudžiamame tarpe (~ 1018
cm-3), taigi mažą krūvininkų gyvavimo trukmę bei nejautrumą legiruojančiom
priemaišom.
Yra pasiūlyta eilė perspektyvių netiesioginių silicio sluoksnių Saulės elementams
gamybos būdų. Pavyzdžiui - Siemens būdas. Iš pradinės medžiagos MG-Si (metalurginio
lygio) cheminės reakcijos
 Si+ 3HCl => HSiCl3 + H2

metu gaunamas trichlorsilanas. Kurį išgryninus atgalinės reakcijos būdu

SiHCl3 + H2 → Si + 3 HCl.

gaunamas pakankamai švarus silicis. Tačiau procesas lėtas (1kg/val) ir brangus,

reikalinga tiksli dujų srautų kontrolė, naudojamos labai pavojingos dujos, reikalingos
didelės energijos sąnaudos.
Iš p-Si plokštelių Saulės elementai gaminami analogiškai monokristaliniams: siekiant
prie paviršiaus sudaryti pn sandūrą, užnešamas junginys turintis fosforo (PCl3),
pakaitinamas (~1100°C), ėsdinamas, siekiant gauti gofruotą paviršių, bei padengiamas
mažinančių atspindį sluoksniu.
Tačiau polikristalinis silicis turi daugiau priemaišų, o tai lemia mažesnę krūvininkų
gyvavimo trukmę, taigi ir mažesnį efektyvumą negu monokristalinio silicio Saulės
elementai. Tačiau šiuo metu tai patys populiariausi Saulės elementai – jie sudaro apie
puse iš visų rūšių Saulės elementų.

Amorfinio hidrogenizuoto silicio (a-Si:H) Saulės elementai. 1974 metais RCA

firma pagamino netvarkaus darinio Saulės elementą – a-Si:H. Tai silicio ir vandenilio
mišinys, kur H2, priklausomai nuo gamybos sąlygų, sudaro apie 2-20%. Ženkliai pigesnė
gamyba, paprastesnė gamybos technologija, bei galimybė gaminti didelio ploto
elementus rodė jų perspektyvumą. Netikėta buvo, kad ši medžiaga, priešingai negu
amorfinis silicis, yra jautri priemaišų legiravimui, pasižymi dideliu fotojautriu, artimu
vienetui kvantiniu našumu. Amorfiniame silicyje priklausomai nuo gamybos sąlygų yra
apie tūkstantadalis neįsotintų ryšių, kurie sąlygoja didelį lokalių būsenų tankį judrumo
tarpo viduryje, pririšančių Fermio lygmenį. Todėl laidumą sąlygoja elektronai ties Fermio
lygmeniu ir medžiagos savybės analogiškos metalui: itin maža krūvininkų gyvavimo
trukmė, nestebimi fotolaidumas, fotoliuminescensija, laidumo keitimas legiruojant.
Hidrogenizuotame silicyje vandenilis prisijungia prie neįsotintų ryšių tuo išvalydamas
judrumo tarpą nuo lokalių būsenų. O tai ir sąlygoja puslaidininkines savybes. Atsitiktinis
potencinis laukas išskiria fotogeneruotas poras, ir elektronai ir skylės pernešamos
skirtingais keliais. Tai sąlygoja artimą vienetui kvantinį našumą, bei daug silpnesnę už
Lanževeno rekombinaciją, būdingą netvarkiems dariniams.
Pirmi a-Si:H Saulės elementai gauti skaldant silaną (SiH4) rusenančiu išlydžiu esant
pastoviai įtampai. Dabar daugiausiai sluoksniams gaminti naudojamas aukštadažnis
rusenančio išlydžio metodas. Pradžioje plazma buvo sužadinama induktyvine rite, tačiau
mažiau defektų gaunama sužadinant rusenantį išlydį talpuminėje kameroje. Pastarosios
perspektyvesnės, nes galima pagaminti didesnių matmenų vienodo storio sluoksnius. Čia,
darbiniame tūryje, aukštu elektriniu arba magnetiniu lauku uždegama Ar ir H 2 dujų
mišinio plazma į kurią pučiamos silano dujos , kur jos skyla į frakcijas, kurios sėda ant
kaitinamo padėklo (žr. 7.26 pav.). Skaldančio lauko galingumas gali būti 10 – 20 W,
dažnis 1 - 100 MHz. Optimaliausi sluoksniai gaunami esant padėklo temperatūrai apie
2500C.

2 2

7.27 pav. a-Si:H Saulės elementų gamyba rusenančiame išlydyje

Legiruoti sluoksniai gaunami įvedus fosforo arba boro hibridinius junginius. Jei
norime gauti p–tipo laidumo sluoksnį dažniausia įvedame boraną, jei n–tipo – fosfiną (žr.
7.28 pav.).
Sluoksnių, pagamintų rusenančiame išlydyje, kokybę įtakoja auginimo metu
susiformavusi sandara. Ją lemia įvairūs procesai bei daugelis technologinių parametrų:
dujų sąstatas ir slėgis kameroje, dujų srauto greitis, skaldančio lauko galia, padėklo
medžiaga ir temperatūra. Pavyzdžiui, aliuminis labai skatina kristalizaciją. Pagrindinis
trūkumas - plazma tiesiogiai liečiasi su augančiu sluoksniu, todėl gaunami defektingi
sluoksniai. Tačiau šis metodas yra plačiausiai naudojamas a-Si:H sluoksnių gamyboje.
Gaminant šaltu gamybos būdu, silanas maišomas su atominiu vandeniliu gaunamu
skaldant H2 šalia darbinės kameros esančiame tūryje aukšto dažnio lauku arba termiškai.
Vyksta šalta reakcija, kurios metu gaunami molekulinis vandenilis ir SiH3 frakcija, kuri ir
sėda ant įkaitinto padėklo.
Kitas cheminio garų nusodinimo būdas - karštos vielos metodas (HWCVD – Hot
Wire CVD). Darbinėje kameroje SiH4 dujos katalitiškai skaldomos kelių centimetrų
atstumu nuo padėklo ištemptomis volframo arba tantalo vielomis, kurios tekant elektros
srovei įkaitinamos iki (1400-1600)°C. Metodo privalumas yra tai, kad nenaudojami
elektriniai laukai, taigi, nėra didelės energijos silicio jonų, kurie daužytų augantį sluoksnį.
7.28 pav. a-Si:H laidumo priklausomybė nuo borano ar fosfino koncentracijos silane

Dulkinimo metodas - laisvi Si atomai gaunami išdaužant juos didelių energijų jonais
arba elektronais iš kristalinio (c-Si) silicio plokštelės. Plazminio dulkinimo atveju
darbinėje kameroje uždegama argono (Ar) plazma, kuri atlieka didelių energijų dalelių,
būtinų dulkinimui, šaltinio vaidmenį. Išmušti Si atomai nusėda ant padėklo – auga a-Si
sluoksnis, kuris, norint sumažinti neįsotintų ryšių koncentraciją, po to turi būti
atkaitinamas vandenilio atmosferoje.
Magnetroninis dulkinimas skiriasi tuo, kad Si atomai išmušami įgreitinant elektronus
elektromagnetiniame lauke. Pagrindinis šio metodo privalumas – galimybė gauti didelius
augimo greičius.
a-Si:H Saulės elementai gaminami ant stiklo ar plastmasės padengtos skaidriu ir
elektrai laidžiu ITO ar alavo oksido sluoksniu, tada formuojamas p-i-n darinys ir apatinis
elektrodas. Gaminant didelio ploto elementus a-Si:H p-i-n sandara formuojama ant
nerūdijančio plieno skardos.
a-Si:H Saulės elementų privalumai lyginant su kristaliniais silicio elementais:
- optinė sugertis a-Si:H didesnė negu kristalinio, nes nereikia tenkinti impulso
tvermės dėsnio;
- krūvininkų judris a-Si:H mažas (elektronų apie 1cm2/Vs, skylių - ~10-2cm2/Vs),
todėl nėra paviršinės rekombinacijos nuostolių dėl atgalinės difuzijos;
- a-Si:H elementai yra labai ploni ( <1 µm) , tai sąlygoja, kad kontaktinis laukas
įsiskverbia per visą sluoksnio storį ir krūvininkų pernašą sąlygoja jų dreifas;
- a-Si:H saulės elementus nesudėtinga gaminti didelio ploto ant lankstaus ar
skaidraus padėklo;
- paprastesnė ir daug pigesnė technologija.
 Amorfinio silicio Saulės elementų trūkumai:
- a-Si:H Saulės elementų efektyvumas ( ~10-15%) mažesnis negu c-Si:
- su laiku jie degraduoja, nes ilgai šviečiant susidaro nauji neįsotinti ryšiai. Tai
Stablerio-Vronskio reiškinys. Tačiau atkaitinus sluoksnį apie 2000C
temperatūroje jo savybės pilnai atsistato.

Mikrokristalinio hidrogenizuoto silicio (µc-Si:H) Saulės elementai. Naudojant

silano (SiH4) ir vandenilio (H2) dujų mišinį plazminio nusodinimo technologijos būdu
užauginami µc-Si:H sluoksniai, sudaryti iš ~30nm dydžio kristalitų (B) (žr. 7.29 pav.)
susispietusiu į granules (A). Ties padėklu susidaro amorfinio silicio pasluoksnis (D).
Geriausi elementai gaunasi riboje tarp amorfinio ir mikrokristalinio silicio.

7.29 pav. Mikrokristalinio silicio sluoksnio sandara: A – nanokristalitai, B – granulės, C –

tarpfaziniai paviršiai, D – amorfinė fazė.

Mikrokristalinio silicio privalumai, lyginant su amorfiniu: nedegraduoja nuo

ilgalaikio apšvietimo, didesnis sugerties koeficientas, didesni krūvininkų judriai.
Trūkumai: tarp granulių esantys defektai mažina gyvavimo trukmę.
Didžiausias efektyvumas ( virš 15%) pasiektas µc-Si:H ir a-Si:H tandeminiuose
elementuose, sudarytuose nuosekliai sujungus abiejų rūšių elementus (žr. 7.30 pav.).
7.30 pav. µc-Si:H ir a-Si:H tandeminio Saulės elemento sandara ir kvantinio efektyvumo spektrinis
pasiskirstymas

CIS,CIGS Saulės elementai. CIS - tai kristalinių CuInSe2 ar CuInS2 ir CdS plonų
sluoksnių heterosandūra. Pažymėtina, kad šių medžiagų gardelės konstantos ir
giminingumai artimi, taigi turime idealią heterosandūrą. CIGS Saulės elemento pagrindas
yra vario-indžio-galio-disulfoselenidas (Cu(In,Ga)(SSe)2). Šio mišinio storis yra ~ 1µm,
sugerties koeficientas α >105 cm-1 didelėje spektro dalyje. Draustinės juostos tarpas gali
svyruoti nuo 1.02 eV CIS (grynas CuInSe2) iki 1.68 eV (grynas CuGaSe2). Didelis
Saulės elemento naudingumo koeficientas 19.5 %, modulio - 13 %. Privalumai: galima
gaminti ant lanksčių padėklų; ilgalaikis stabilumas; santykinai pigi gamyba. Trūkumai:
riboti indžio ištekliai; CdS toksiškumas. Gamybos technologija – Se garinimas vakuume
ant užgarintų In, Ga ir Cu metalų sluoksnių, esant padėklo temperatūrai ~5000C.

7.31. pav. CIGS Saulės elemento sandara ir energijos juostų diagrama

 Gretcelio Saulės elementai. Gretcelio (M.Graetzel) elemento sudėtis: iš vienos
pusės ant stiklo, padengto skaidriu ir elektrai laidžiu alavo oksido elektrodu, suformuotas
plonas kempinės pavidalo TiO2 sluoksnis padengtas rutenio komplekso dažais. Iš kitos
pusės stiklas padengtas laidžiu elektrodu, bei plonu platinos sluoksniu. Tarpas tarp jų
užpildomas skystu arba polimeriniu elektrolitu ( žr. 7.32 pav.)

7.32 pav. Gretcel Saulės elemento sandara ir veikos schematinis vaizdas

Šviesa fotosužadina dažų molekules. Fotogeneruotas elektronas per labai trumpą

laiką (≈fs) įtraukiamas į TiO2 ir difunduoja iki elektrodo. Teigiamai įelektrinta dažų
molekulė prisijungia elektroną iš jodido elektrolito, redukuodama jį iki trijodido. Ši
reakcija vyksta pakankamai greitai palyginus su laiko tarpu, kurio reikia, kad kaimyninė
molekulė būtų sužadinta šviesos, t.y. skylės ilgai negyvuoja. Trijodidas susigražina
trūkstamus elektronus nudifunduodamas į elemento dugną. Taip elektrolitas neutralizuoja
dažų molekulę.
Energijos konversijos efektyvumas ≈15%.
Šio Saulės elemento privalumai: pigi ir paprasta gamybos technologija; gali būti
gaminami ant lanksčių padėklų. Rekombinacija tarp elektrono, injektuoto į laidumo
juostą, ir skylės, kuri lieka daže, mažai tikėtina. Todėl elemento efektyvumas nepriklauso
nuo apšvietimo intensyvumo.
Trūkumai: nestabili elektrolito skystų jonų medžiaga degraduoja.

Organiniai Saulės elementai. Palyginus su kristalinių medžiagų galimybėmis

Saulės elementų kūrime, organinės medžiagos turėtų būti netinkamos, nes : a)
kontaktiniame lauke labai mažas kvantinis našumas; b) labai mažas krūvininkų judris
( 10-3 – 10-6 cm2/Vs ), t.y. prie analogiškos kristaliniam elementui fotosrovės vertės,
krūvininkų tankis turėtų būti 106 – 109 kartų didesnis, o tai sąlygotų greitą rekombinaciją.
Tačiau jau pasiektas 5% efektyvumas rodo šių elementų perspektyvumą. Juo labiau, kad
organinių medžiagų su įvairiomis savybėmis pasirinkimas labai didelis, technologija
paprastesnė ir pigesnė, gamyba žemoje temperatūroje, nesudėtinga gaminti didelio ploto
elementus.
Pirmi organiniai elementai – tai vienasluoksnė organinė medžiaga tarp metalinių
elektrodu su skirtingais išlaisvinimo darbais. Jų efektyvumas buvo labai mažas, nes
mažas kvantinis našumas, sąlygotas sužadintų eksitonų išskyrimo kontaktiniame lauke,
be to stipri rekombinacija. Efektingesni yra dvisluoksniai elementai, sudaryti iš
elektroninės ir skylinės pernašos medžiagų. Fotosužadinti eksitonai suskyla šių sluoksnių
heterosandūroje, elektronai dreifuoja elektronine pernašos medžiaga, o skylės – skyline,
tuo išvengdami rekombinacijos. Jų trūkumas – mažas eksitonų difuzijos nuotolis (apie 10
nm), todėl neprasminga gaminti storesnius sluoksnius, o tokio storio sluoksniai sugeria
mažai šviesos.
Geriausias organinių Saulės elementų efektyvumas pasiektas tūrinėse
heterosandūrose, sudarytose iš elektroninės ir skylinės pernašos medžiagų mišinio. Jose
fotogeneruotas eksitonas skyla šių medžiagų riboje, kaip ir dvisluoksnėje
heterosandūroje, ir skirtingo ženklo krūvininkai pernešami skirtingomis medžiagomis.
Kvantinis našumas yra artimas vienetui, nors krūvininkų judriai maži, tačiau
rekombinacija daug mažesnė, negu organiniams netvarkiems dariniams būdinga
Lanževeno rekombinacija, nes krūvininkai pernešami skirtingais keliais. Be to šiuos
elementus galima daryti storesnius, nes heterosandūrinis paviršius yra įvairiame gylyje ir
daug didesnio ploto.

7.33 pav. Tūrinės heterosandūros Saulės elemento sandara ir energijos juostų diagrama

7.33 pav. pateiktas tūrinės heterosandūros pavyzdys, sudarytas iš elektronų pernašos

medžiagos – akceptoriaus PCBM (fulereno junginys) ir skylių pernašos medžiagos– RR-
PHT (π konjuguotas polimeras) mišinio, nusodinto ant stiklo su skaidriu ITO elektrodu.
Apatinis elektrodas, surenkantis elektronus – užgarintas aliuminis.
Tokių elementų gamybai paprastai naudojama liejimo technologija. Yra keli
sluoksnių padengimo būdai:
 a) kai ištirpintas mišinys liejamas ant besisukančio disko su padėklu, siekiant
gauti ploną, vienodo storio sluoksnį;
b) daktaro peilio būdas – kai išlietas sluoksnis išlyginamas, lygiagrečiai
nubraukiant lygia plokštele;
c) analogiškas dažų užnešimui , kaip rašaliniame spausdintuve;
d) įmerkti padėklą į tirpalą ir ištraukti.
Išliejus sluoksnį jis džiovinamas inertinėje aplinkoje ir atkaitinamas, siekiant pašalinti
likusias tirpiklio molekules, bei deguonį.
Šių elementų privalumai:
paprasta ir pigi gamyba; vienam elementui pagaminti reikalingi maži medžiagos kiekiai;
chemiškai lengvai galima keisti medžiagos savybes, siekiant jas optimizuoti; didelis
organinių medžiagų pasirinkimas; nesudėtinga padengti didelius plotus; galima gaminti
ant lanksčių padėklų.
Trūkumai: mažas elemento efektyvumas 4-5%; nelygus ir nevientisas sluoksnis; ne
visos molekulės tirpsta įprastuose tirpikliuose; ilgai naudojant degraduoja; reikalingas
kapsuliavimas, siekiant apsaugoti sluoksnį nuo atmosferos poveikio.
Naudojama ir kita gamybos technologija - vakuuminio garinimo. Ji dažniausiai
naudojama mažoms organinėms molekulėms garinti. Jos privalumai: užgarinto sluoksnio
nebereikia atkaitinti; nebereikia tirpiklių, kenkiančių sluoksnio morfologijai. Trūkumai:
sunkiau gaminti didelio ploto elementus; technologija brangesnė; kai kurios organinės
molekulės skyla kaitinant garintuvą.

Saulės elementų kūrimo perspektyvos. 7.34 pav. palyginti dabar gaminamų Saulės
elementų efektyvumai ir jų medžiagų kainos.

7.34 pav. Saulės elementų efektyvumai ir jų medžiagų kainos.

Siekiant padidinti Saulės elementų efektyvumą, bei atpiginti gamybos kaštus

ieškomos naujos medžiagos, jų dariniai bei nauji panaudos principai.
 Vienas iš būdų – surinkti šviesą iš didelio ploto ir fokusuoti į mažo ploto Saulės celę.
Šviesą koncentruoti galima lęšiu arba paraboliniu veidrodžiu. Privalumai: mažas
elemento plotas, taigi pigiau; elemento efektyvumas didesnis ( iki 40 %), nes nuo šviesos
intensyvumo didėja elemento sukuriama įtampa bei srovė. Efektyvumo didinimą riboja
bimolekulinė rekombinacija. Trūkumai: šviesos koncentratorius turi sekti Saulę; esant
debesuotumui nėra kaip koncentruoti išsklaidytą šviesą.
Kitas būdas – daugiasluoksnių sandarų su skirtingais draudžiamų energijų tarpais
kūrimas. Paprasčiausias pavyzdys tandeminis elementas, kai paviršiuje esantis sluoksnis
sugeria trumpabangę šviesą, o po juo esantis – ilgabangę. Galimi du variantai. Vienas, kai
išvedamas tarp sluoksnių esantis elektrodas. Bet šiuo atveju sudėtingesnė elemento
konstrukcija ir skirtingos dalių įtampos. Kitas – kai elementų dalys sujungtos nuosekliai
be išorinio elektrodo. Šiuo atveju reikia optimizuoti sluoksnių draudžiamus tarpus pagal
Saulės spektrą, nes bendrą srovę ribos dalis su mažesne fotosrove. Teoriškai įvertinus
optimaliausias elementas būtų sudarytas iš 1,65 eV ir 0,75 eV draudžiamų tarpų
medžiagų. Įvertintas efektyvumas siekia 55%. Trisluoksnis elementas būtų dar
efektyvesnis, bet gamybos kaštai didesni.
Teoriškai siūlomi ir kiti variantai. Pavyzdžiui, panaudoti medžiagą su dviem laidumo
juostom, siauresnio draudžiamo tarpo sugertų ilgabangę šviesą, platesnė – trumpabangę.
Tarpinę laidumo juostą galima sudaryti iš priemaišinių būsenų stipriai legiruojant
medžiagą ar panaudojant kvantinius taškus. Tačiau reikia, kad aukštesnėje juostoje
fotogeneruoti elektronai būtu atskiriami greičiau, negu spėtų relaksuoti į žemesnę juostą.
Analogiškas variantas – karštų elektronų Saulės elementai. Šiuo atveju reikia, kad
fotogeneruoti krūvininkai būtų atskirti nepraradę kinetinės energijos, o tam reikia didelio
jų judrio ir plono sluoksnio.
Smūginės jonizacijos Saulės elemento idėja – fotogeneruoti krūvininkai savo
kinetinę energiją panaudoja generuodami naują porą, tuo atveju kvantinis našumas
didesnis už vienetą.

Literatūra:
1. NelsonJenny. The physics of solar cells. London Imperial College Press, 2006.
2. Martin Pope, Charles E.Swenberg. Electronic processes in organic crystals and
polymers. New York Oxford Univ. Press,1999.
3. Organic photovoltaics concepts and relization. C.J. Brabec (eds.) ... [et al.]. Berlin
Springer 2003.
4. Renewable energy. Godfrey Boyle.Oxford univ. Press, 2004.