國立中央大學電子電路實驗

實驗八 二極體的特性曲線及整流電路
一、實驗目的：

1. 學習如何使用示波器在 X-Y mode。

2. 了解二極體元件。
3. 利用示波器測量非線性元件(二極體)之特性曲線。
4. 了解整流電路的工作原理及測量。

二、實驗原理：

1. 二極體原理：
(1) 半導體一般特性：
半導體為目前電子業中最常使用的材料之一，由字面上來看，所
謂半導體即其導電特性介於導體與絕緣體之間，其電阻係數如表 8.1
所示，在此僅列出矽與鍺兩項，但並不代表半導體只有此兩種材質，
只是這兩種材料因目前被廣泛的使用而為人熟知。

導體 半導體 絕緣體
  50  cm (鍺)
  106   cm (銅)   1012   cm (雲母)
  50 103   cm (矽)
表 8.1 典型電阻係數(在300 ℃~ 室溫下)

一般二極體使用的材料為鍺(Germanium)或矽(Silicon)，但由於此
兩種材料在未經處理前均含有雜質，因此其電阻係數較純鍺或純矽為
低，並且易受溫度影響，因此在實用上均要求二極體所使用之純鍺或
純矽其純度須達 99.9999%，目前的技術可將雜質降至百億分之一以下
的程度，也許有人會問，需要到達這麼高的純度嗎？答案是肯定的，
因為在矽材料中只要加入 1ppm 的雜質即可變成良導體，而這種經由
摻雜(doping)的過程以控制矽與鍺的材料特性也是這兩者受到重視的
原因。

(2) n 型與 p 型半導體之形成：
將雜質摻入純矽或鍺中將會影響原材料的電氣特性，而 n 型與 p
型半導體的形成也就是加入不同的雜質所造成，當所加的雜質為銻
(Antimony)、砷(Arsenic)及磷(Phosphorus)此類五價元素時，即形成 n
型半導體。當所加的雜質為硼(Boron)、鎵(Gallium)與銦(Indium)此類
三價元素時，即形成 p 型半導體。

二極體的特性曲線及整流電路-1
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(3) P-N 接面半導體之結構：

將相同材質的 n 型材料與 p 型材料接合在一起時即形成二極體，
其接合面稱為 P-N 接面，當沒有外加偏壓的情形下，兩材料接合的瞬
間，在接合面附近的電子電洞將會結合而使接面附近成為缺乏載子的
區域，如圖 8.1 所示，並造成接面附近留下了正、負離子，這些區域
因缺乏載子而被稱為空乏區(depletion region)。當材料的少數載子位於
空乏區內時，其受到接面電場的影響，將直接穿越空乏區，形成少數
載子流，而在材料中的多數載子，部份載子可因獲得足夠的能量後可
克服空乏區內離子的引力與斥力以通過接面而形成多數載子流，雖然
有上述兩種載子流，但在無外加的電場下，通過接面的淨電流為 0，
此即為動態平衡狀態。對於不同材料，其空乏區之能障電位(potential
barrier)亦不相同，對矽而言，約為 0.7V，對鍺而言，約為 0.2V。

圖 8.1 無外加電壓之 P-N 接面

(4) 逆向偏壓時的 P-N 接面：

若有電壓 V 伏特跨於 P-N 接面兩端，電源正端與 n 型材料連接，
負端與 p 型材料連接，由於大量的自由電子趨向於外加電壓的正端使
得 n 型材料在空乏區的正離子數目增加，相同的，大量的電洞趨向於
外加電壓的負端使得 p 型材料在空乏區的負離子數目增加，因此，此
舉將使空乏區擴大，亦使多數載子所要克服的能障增加，因此使多數
載子流降為 0。

(5) 順向偏壓時的 P-N 接面：

當電源正端與 p 型材料連接，負端與 n 型材料連接，此即為順
偏狀態，此時載子流的大小並未改變，但由於大量的多數載子通過接
面使得空乏區的寬度減少，而多數載子流隨順向偏壓呈指數增加。由
固態物理的分析，二極體的電流與絕對溫度(T)和外加電壓的關係如

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(8.1)式所示，由式中得知，(8.1)式的指數形態，使得 I 隨電壓的增加
而呈指數變化。
I  I s (eV /VT -1) (8.1)
I s : 逆向飽和電流( saturation current )或比例電流( scale current )
VT : 熱電壓(thermal voltage)
T 25mV , 20C
VT  
11600 26mV , 300K
: 本質數或理想因數(ideality factor)
1  2
(6) 常見二極體特性曲線：

2. 整流電路：
(1) 半波整流電路：
半波整流電路是二極體之基本應用，也是最簡單的一種整流電
路。圖 8.2 就是半波整流電路。交流電源 VAC 的正半週，二極體導通，
因此負載 RL 獲得正半週。VAC 的負半週，二極體截斷，因此 VAC 的負半
週沒有輸出。

(2) 全波整流電路：
全波整流電路如圖8.3所示，必須使用中心抽頭的變壓器以使
VAC1  VAC 2 。將全波整流電路之動作原理分析如下：
a. 當電源之正半週，VAC1 的上端為正，VAC 2 的下端為負，故 D1 導通，
D2 截止， RL 上之電壓由 VAC1 供應。
b. 當電源之負半週，VAC1 的上端為負，VAC 2 的下端為正，故 D1 截止，
D2 導通， RL 上之電壓由 VAC 2 供應。
c. 由於 D1、D2 的輪流導通，故 RL 上之波形為全波。

二極體的特性曲線及整流電路-3
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 

Au
V AC I DC V DC RL

 

圖 8.2 半波整流電路

D1

  I DC
V AC1 
 RL
 V DC
V AC2 D2




圖 8.3 全波整流電路

(3) 橋式整流電路：
橋式整流電路如圖 8.4(a)。其輸出至負載 RL 之波形亦為全波，但
與圖 8.3 之全波整流電路有兩大相異處：(1)全波整流電路需要一個中
心抽頭之變壓器，橋式整流電路則不需要。(2)全波整流電路需二個二
極體，橋式整流電路則需四個二極體。圖 8.4(a)中，當 VAC 之正半週時，
D1 與 D2 導電，電流路徑 D1  RL  D 2 ，如圖 8.4(b)所示，負載 RL 之
上端為正，下端為負。 VAC 之負半週時，D3 與 D4 導電，電流路徑
D3  RL  D 4 ，如圖 8.4(c)所示，負載 RL 之上端亦為正，下端為負。

 D1
D4
V AC
 I DC
D2 
 D3
V DC RL



圖 8.4 (a) 橋式整流電路

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 D1

I DC
D2 

RL


圖 8.4 (b) 正半週之電流路徑


D4


 D3
RL


圖 8.4 (c) 負半週之電流路徑

(4) 漣波：
直流電源供應器（整流電路）輸出電壓之脈動成份稱為漣波。圖

8.5中， V  Emax  Emin =漣波電壓的峰對峰值。而 Vripple  V 2.828 。

欲比較直流電源供應器之優劣，必須使用漣波因數。漣波因數 K r =漣

波電壓有效值／直流電壓，平均值  Vripple VDC

Vout
E max
E min
V
VDC

t
圖 8.5 漣波電壓的峰對峰值

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三、實驗器材：

矽二極體(Silicon Diode) x1
鍺二極體(Germanium Diode) x1
齊納二極體(Zener Diode) x1
二極體 1N4001 ×4
電阻 1kΩ ×1
150kΩ ×1
電容 10uF ×1

四、實驗步驟：

1. 工作一：
(1) 將示波器之操作模式設於 X-Y mode（即調 Time-base Component）。
(2) 如圖8.6 連接線路將矽二極體放於非線性元件位置，並適當的調整兩信
號輸入端的增益（gain factor，即調 V/D Component）鈕，即可由示波
器得出該元件之特性曲線(Character Curve)。

圖 8.6 特性曲線量測
(3) 輸入電壓調整為 VPP =5V，調整輸入頻率(Freq=100、1K、10KHz)，將
不同頻率所得該元件特性曲線，分別繪於表 8.1~3。

表 8.1 -100Hz 表 8.2-1KHz 表 8.3-10KHz

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(4) 輸入電壓調整為 VPP =15V，調整輸入頻率(Freq=100、1K、10KHz) ，

將不同頻率所得該元件特性曲線。分別繪於表 8.4~6。

表 8.4 -100Hz 表 8.5-1KHz 表 8.6-10KHz

(5) 使用齊納二極體，重複以上步驟，並分別繪於表 8.7~12。

VPP =5V

表 8.7-100Hz 表 8.8-1KHz 表 8.9-10KHz

VPP =15V

表 8.10-100Hz 表 8.11-1KHz 表 8.12-10KHz

2. 工作二：
(1) 裝置如圖 8.4(a)中之橋式整流電路。圖中： VAC = 6 V，頻率 = 60Hz，
D1…D4 為整流二極體 1N4001~1N40007 皆可，RL 為 1KΩ。
(2) 以數位電表 ACV 檔量得 VAC = 4,1671 Volt。
(3) 以數位電表 DCV 檔量得 RL 兩端之直流電壓 VDC = 2.5188 Volt。

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(4) 以示波器測量 RL 兩端之波形，並以色筆繪於圖 8.7 中。

示波器
V  ___V / cm
H  ___ ms / cm

圖 8.7 RL 波形(濾波前)
(5) RL 兩端並聯一個 10uF 之電容器。
(6) 以數位電表 DCV 檔量得 RL 兩端之直流電壓 VDC = 316148 Volt，
V
V = 211 Volt， K r  ripple = 0.235 。
VDC Vripple 0.74259426
(7) 以示波器量得 RL 兩端之波形，並以色筆繪於圖 8.8 中。

示波器
V  ___V / cm
H  ___ ms / cm

圖 8.8 RL 波形(濾波後)

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問題與討論：
1. 何謂理想二極體？其電壓電流轉換曲線為何？
2. 全波整流輸出端之漣波頻率是否相同？若不同請說明其不同處。
3. 試討論如果增大濾波電容器時，漣波電壓會增大或減少？請說明其原因。

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