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實驗八 二極體的特性曲線及整流電路
實驗八 二極體的特性曲線及整流電路
實驗八 二極體的特性曲線及整流電路
一、實驗目的:
二、實驗原理:
1. 二極體原理:
(1) 半導體一般特性:
半導體為目前電子業中最常使用的材料之一,由字面上來看,所
謂半導體即其導電特性介於導體與絕緣體之間,其電阻係數如表 8.1
所示,在此僅列出矽與鍺兩項,但並不代表半導體只有此兩種材質,
只是這兩種材料因目前被廣泛的使用而為人熟知。
導體 半導體 絕緣體
50 cm (鍺)
106 cm (銅) 1012 cm (雲母)
50 103 cm (矽)
表 8.1 典型電阻係數(在300 ℃~ 室溫下)
一般二極體使用的材料為鍺(Germanium)或矽(Silicon),但由於此
兩種材料在未經處理前均含有雜質,因此其電阻係數較純鍺或純矽為
低,並且易受溫度影響,因此在實用上均要求二極體所使用之純鍺或
純矽其純度須達 99.9999%,目前的技術可將雜質降至百億分之一以下
的程度,也許有人會問,需要到達這麼高的純度嗎?答案是肯定的,
因為在矽材料中只要加入 1ppm 的雜質即可變成良導體,而這種經由
摻雜(doping)的過程以控制矽與鍺的材料特性也是這兩者受到重視的
原因。
(2) n 型與 p 型半導體之形成:
將雜質摻入純矽或鍺中將會影響原材料的電氣特性,而 n 型與 p
型半導體的形成也就是加入不同的雜質所造成,當所加的雜質為銻
(Antimony)、砷(Arsenic)及磷(Phosphorus)此類五價元素時,即形成 n
型半導體。當所加的雜質為硼(Boron)、鎵(Gallium)與銦(Indium)此類
三價元素時,即形成 p 型半導體。
二極體的特性曲線及整流電路-1
國立中央大學電子電路實驗
二極體的特性曲線及整流電路-2
國立中央大學電子電路實驗
(8.1)式所示,由式中得知,(8.1)式的指數形態,使得 I 隨電壓的增加
而呈指數變化。
I I s (eV /VT -1) (8.1)
I s : 逆向飽和電流( saturation current )或比例電流( scale current )
VT : 熱電壓(thermal voltage)
T 25mV , 20C
VT
11600 26mV , 300K
: 本質數或理想因數(ideality factor)
1 2
(6) 常見二極體特性曲線:
2. 整流電路:
(1) 半波整流電路:
半波整流電路是二極體之基本應用,也是最簡單的一種整流電
路。圖 8.2 就是半波整流電路。交流電源 VAC 的正半週,二極體導通,
因此負載 RL 獲得正半週。VAC 的負半週,二極體截斷,因此 VAC 的負半
週沒有輸出。
(2) 全波整流電路:
全波整流電路如圖8.3所示,必須使用中心抽頭的變壓器以使
VAC1 VAC 2 。將全波整流電路之動作原理分析如下:
a. 當電源之正半週,VAC1 的上端為正,VAC 2 的下端為負,故 D1 導通,
D2 截止, RL 上之電壓由 VAC1 供應。
b. 當電源之負半週,VAC1 的上端為負,VAC 2 的下端為正,故 D1 截止,
D2 導通, RL 上之電壓由 VAC 2 供應。
c. 由於 D1、D2 的輪流導通,故 RL 上之波形為全波。
二極體的特性曲線及整流電路-3
國立中央大學電子電路實驗
Au
V AC I DC V DC RL
圖 8.2 半波整流電路
D1
I DC
V AC1
RL
V DC
V AC2 D2
圖 8.3 全波整流電路
(3) 橋式整流電路:
橋式整流電路如圖 8.4(a)。其輸出至負載 RL 之波形亦為全波,但
與圖 8.3 之全波整流電路有兩大相異處:(1)全波整流電路需要一個中
心抽頭之變壓器,橋式整流電路則不需要。(2)全波整流電路需二個二
極體,橋式整流電路則需四個二極體。圖 8.4(a)中,當 VAC 之正半週時,
D1 與 D2 導電,電流路徑 D1 RL D 2 ,如圖 8.4(b)所示,負載 RL 之
上端為正,下端為負。 VAC 之負半週時,D3 與 D4 導電,電流路徑
D3 RL D 4 ,如圖 8.4(c)所示,負載 RL 之上端亦為正,下端為負。
D1
D4
V AC
I DC
D2
D3
V DC RL
二極體的特性曲線及整流電路-4
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D1
I DC
D2
RL
D4
D3
RL
欲比較直流電源供應器之優劣,必須使用漣波因數。漣波因數 K r =漣
Vout
E max
E min
V
VDC
t
圖 8.5 漣波電壓的峰對峰值
二極體的特性曲線及整流電路-5
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三、實驗器材:
矽二極體(Silicon Diode) x1
鍺二極體(Germanium Diode) x1
齊納二極體(Zener Diode) x1
二極體 1N4001 ×4
電阻 1kΩ ×1
150kΩ ×1
電容 10uF ×1
四、實驗步驟:
1. 工作一:
(1) 將示波器之操作模式設於 X-Y mode(即調 Time-base Component)。
(2) 如圖8.6 連接線路將矽二極體放於非線性元件位置,並適當的調整兩信
號輸入端的增益(gain factor,即調 V/D Component)鈕,即可由示波
器得出該元件之特性曲線(Character Curve)。
圖 8.6 特性曲線量測
(3) 輸入電壓調整為 VPP =5V,調整輸入頻率(Freq=100、1K、10KHz),將
不同頻率所得該元件特性曲線,分別繪於表 8.1~3。
二極體的特性曲線及整流電路-6
國立中央大學電子電路實驗
2. 工作二:
(1) 裝置如圖 8.4(a)中之橋式整流電路。圖中: VAC = 6 V,頻率 = 60Hz,
D1…D4 為整流二極體 1N4001~1N40007 皆可,RL 為 1KΩ。
(2) 以數位電表 ACV 檔量得 VAC = 4,1671 Volt。
(3) 以數位電表 DCV 檔量得 RL 兩端之直流電壓 VDC = 2.5188 Volt。
二極體的特性曲線及整流電路-7
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示波器
V ___V / cm
H ___ ms / cm
圖 8.7 RL 波形(濾波前)
(5) RL 兩端並聯一個 10uF 之電容器。
(6) 以數位電表 DCV 檔量得 RL 兩端之直流電壓 VDC = 316148 Volt,
V
V = 211 Volt, K r ripple = 0.235 。
VDC Vripple 0.74259426
(7) 以示波器量得 RL 兩端之波形,並以色筆繪於圖 8.8 中。
示波器
V ___V / cm
H ___ ms / cm
圖 8.8 RL 波形(濾波後)
二極體的特性曲線及整流電路-8
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問題與討論:
1. 何謂理想二極體?其電壓電流轉換曲線為何?
2. 全波整流輸出端之漣波頻率是否相同?若不同請說明其不同處。
3. 試討論如果增大濾波電容器時,漣波電壓會增大或減少?請說明其原因。
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二極體的特性曲線及整流電路-9