Chương 3 - Transistor

Điện tử cho Công nghệ thông tin
IT3420
Điện tử cho CNTT
• Chương 1: RLC và ứng dụng

• Chương 2: Diode và ứng dụng
• Chương 3: Transistor và ứng dụng
• Chương 4: Khuếch đại thuật toán
• Chương 5: Cơ sở lý thuyết mạch số
• Chương 6: Các cổng logic cơ bản
• Chương 7: Mạch tổ hợp
• Chương 8: Mạch dãy
Tài liệu tham khảo:
Microelectronics circuit analysis and design, 4th edition, Donal A.Neamen (Chapter 5, 6)
2
Chương 3 Transistor và ứng dụng
3.1 Cấu tạo và phân loại

3.2 Chế độ hoạt động
3.3 Phân tích một chiều
3.4 Phân tích xoay chiều
3.5 Ứng dụng của transistor
4
3.1 Cấu tạo và phân loại transistor BJT
• Transistor là một loại linh kiện bán dẫn chủ động, đóng vai trò vô cùng
quan trọng trong kỹ thuật điện tử, là một trong các đơn vị cơ bản cấu
thành các mạch điện của máy tính và các thiết bị điện tử khác.
• Ngoài ra, do khả năng đáp ứng nhanh và chính xác, transistor được sử
dụng trong nhiều ứng dụng tương tự và số như mạch khuếch đại, đóng
cắt, điều chỉnh điện áp, điều khiển tín hiệu, và tạo dao động.
• Transistor có thể được tích hợp trên một diện tích rất nhỏ để tạo thành
các mạch tích hợp (IC), giúp thu nhỏ kích thước máy tính, thiết bị.
• Tuỳ thuộc theo công nghệ chế tạo, transistor có nhiều loại khác nhau,
phổ biến nhất bao gồm:
• Transistor lưỡng cực (BJT)
• Transistor hiệu ứng trường (JFET, MOSFET)
5
• Transistor lưỡng cực BJT (Bipolar junction transistor) có hai tiếp xúc p-
n được tạo nên bởi 3 miền bán dẫn loại p và n xếp xen kẽ nhau.
• Transistor BJT có 3 cực như sau:
• B (base - cực nền)
• C (collector - cực thu)
• E (emitter - cực phát)
• Transistor BJT là một thiết bị có 3 cực, hoạt động với nguyên lý sử
dụng điện áp giữa 2 cực để điều khiển dòng qua cực còn lại.
• Theo sự phân bố của các miền bán dẫn, transitor BJT được chia thành
2 loại:
• Transistor npn
• Transistor pnp
6
• Transistor npn
E C
Cực phát Cực thu
B
Cực nền
• Transistor pnp
E C
Cực phát Cực thu
B
Cực nền
7

8
• Các chế độ hoạt động của transistor BJT

• Chế độ hoạt động tích cực thuận
• Các dòng điện trong transistor được điều khiển bởi yếu tố nào
• Mối quan hệ giữa các dòng điện của transistor ở chế độ tích cực thuận
• Ký hiệu và quy ước
9
Các chế độ hoạt động của transistor BJT
• Transistor BJT được cấu thành từ 2 lớp tiếp giáp pn, mỗi lớp có thể
hoạt động ở vùng tích cực thuận/ngược tuỳ theo điện áp đặt trên 2
cực
E C
𝑣!
" 𝑣 !#
B
• Do đó, có 4 khả năng kết hợp phân cực → 4 vùng hoạt động
Tích cực
Bão hòa
ngược
Khóa Tích cực thuận

10
Chế độ hoạt động tích cực thuận
• Xét transistor npn: ở chế độ tích cực thuận VBE>0 và VBC<0

Khi VBE>0: Lớp tiếp giáp Lớp tiếp giáp Khi VBC<0:
B-E phân cực thuận B-E B-C B-C phân cực ngược
n p n
Dòng
phóng
electron
11
Chế độ hoạt động tích cực thuận
• B-E phân cực thuận: dòng • Lớp tiếp giáp E-B và B-C
electron từ n phóng sang p →
mật độ hạt dẫn thiểu số tăng
mạnh ở p.
• B-C phân cực ngược: mật độ
electron ở vùng tiếp giáp ≈ 0.
• Dòng electron được phóng từ E, Lỗ trống
khuếch tán qua B, bị quét qua

vùng tiếp giáp B-C, và được thu
lại ở vùng C.
• Từ đó xuất hiện 3 dòng điện:
TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG

School of Information and Communication Technology
12
Dòng IE transistor npn được điều khiển bởi?
• Do lớp tiếp giáp B-E phân cực • Xét dòng

thuận → dòng qua lớp tiếp giáp B-
E tỉ lệ với điện áp phân cực B-E.
→ Dòng cực phát IE được tính
theo công thức:
Lỗ trống
• Bởi vì:
Dòng iE được điều khiển bởi
áp đặt trên 2 cực B-E (vBE)
Với:
Tham số điện của lớp tiếp giáp
13
Dòng IC transistor npn được điều khiển bởi?
• Số lượng electron tới cực C • Xét dòng

trong 1 đơn vị thời gian tỉ lệ với
số lượng electron được phóng ra
cực B (tỉ lệ với điện áp phân cực
đặt trên B-E)
• Do đó, dòng IC tỉ lệ với điện áp
Lỗ trống
phân cực đặt trên B-E và độc lập
với điện áp phân cực đặt trên B-
C như sau:
Dòng iC được điều khiển bởi

14
Dòng IB transistor npn được điều khiển bởi?
• IB1 : Dòng lỗ trống từ B sang E tỉ • Xét dòng

lệ với điện áp phân cực B-E vì p-
n phân cực thuận
• IB2 : Dòng lỗ trống kết hợp với

electron từ cực E phát sang, tỉ lệ
với điện áp phân cực B-E Lỗ trống
• Dòng IB là tổng của IB1 và IB2 do

đó cũng tỉ lệ với điện áp phân
cực B-E: Dòng iB được điều khiển bởi
15
Mối quan hệ giữa các dòng điện ở chế độ tích cực thuận
Coi transistor là 1 nút đơn: • Transistor npn:

• Ở chế độ tích cực thuận:
• Từ đó tính được:
• Hay:
• Đặt:

16
Mối quan hệ giữa các dòng điện ở chế độ tích cực thuận
Coi transistor là 1 nút đơn: • Transistor pnp:

• IE tỉ lệ với điện áp phân cực đặt
trên B-E
• IC tỉ lệ với điện áp phân cực đặt

trên B-E, hướng ra ngoài
• IB cũng tỉ lệ với điện áp phân cực

đặt trên B-E
Điện áp đặt trên cực E (+) hơn so với điện áp đặt trên cực B
17
Ký hiệu và quy ước
• Transistor npn • Transistor pnp

18
Ký hiệu và quy ước
Transistor npn Transistor pnp
Cho cả hai loại transistor
19
Các chế độ hoạt động của transistor BJT
cực
E C
𝑣!
" 𝑣 !#
B
Tích cực
Bão hòa Chế độ khoá và bão hoà
ngược
sẽ được giải thích trong
Khóa Tích cực thuận phần tiếp theo
20

21
Mục đích
• Tìm điểm làm việc của transistor (tìm giá trị các dòng điện transistor tại
điểm làm việc)
• Phân cực 1 chiều transistor là một phần quan trọng trong thiết kế các
bộ khuếch đại lưỡng cực.
• Sử dụng mô hình tuyến tính từng đoạn lớp tiếp giáp p-n để phân tích 1
chiều cho các mạch transistor.
• Transistor trong 1 bộ khuếch đại tuyến tính phải được phân cực ở chế
độ tích cực thuận.
• Sử dụng mạch E chung và đường tải cho mạch E chung.
22
Nội dung
• Giải thích một số khái niệm

• Phân tích một chiều mạch E chung
• Các chế độ hoạt động bão hoà và khoá
• Tổng kết phương pháp phân tích một chiều mạch transistor
• Đặc tính truyền điện áp của transistor
• Phân cực cho transistor
• Nhắc lại định lý Thevenin và phương pháp tính điện trở, điện áp tương
đương Thevenin
• Thiết kế điểm làm việc cho transistor
23
Giải thích một số khái niệm
• Nguồn áp
• Nguồn dòng
• Mạch E chung
24
Giải thích một số khái niệm - Nguồn áp
• Nguồn áp: là linh kiện hai cực có • Nguồn áp lý tưởng: cung cấp
thể cung cấp một điện áp cố một điện áp không đổi cho bất
định, bao gồm: kỳ tải/dòng điện đầu ra nào mà
– Nguồn áp một chiều mạch điện yêu cầu.
– Nguồn áp xoay chiều Điện áp không đổi cho
bất kỳ dòng điện nào
Thực tế
Nguồn áp Nguồn áp
một chiều (DC) xoay chiều (AC)
25
Giải thích một số khái niệm - Nguồn dòng
• Nguồn dòng: là linh kiện hai cực • Nguồn dòng lý tưởng: cung cấp
có thể cung cấp một dòng điện một dòng điện không đổi cho
không đổi, được ký hiệu như bất kỳ tải/điện áp đầu ra nào mà
sau: mạch điện yêu cầu.
Dòng điện không đổi cho
bất kỳ điện áp nào
Thực tế
Nguồn dòng

26
Giải thích một số khái niệm - Mạch E chung
• Mạch E chung là mạch có • Mạch E chung transistor npn

chung thành phần tín hiệu xoay
chiều
• Tín hiệu vào được đưa vào từ Ra
B-E Vào
• Tín hiệu ra lấy từ C-E
• Tín hiệu vào và ra: • Mạch E chung transistor pnp
– Có chung thành phần tín hiệu
xoay chiều
– Ngược pha
Ra
– Khuếch đại về mặt biên độ. Vào

27
Phân tích một chiều mạch npn E chung
• Xét mạch E chung npn sau: • Xét vòng mạch ①:
2
• Xét vòng mạch ②:
1
• Nếu tính được:

• Giả thiết B-E phân cực thuận B-C phân cực ngược, transistor
ở chế độ tích cực thuận
28
Phân tích một chiều
• Xét mạch E chung npn: • Mạch tương đương 1 chiều
• B-E: tương đương diode phân

cực thuận, điện áp hạ trên B-E là
VBE(on)
• C-E: tương đương nguồn dòng • Công suất tiêu thụ:
có giá trị bằng
29
• Xét mạch E chung pnp sau: • Xét vòng mạch ①:
2
1
• Nếu tính được:

• Giả thiết B-E phân cực thuận
B-C phân cực ngược, transistor ở
chế độ tích cực thuận
30
• Xét mạch E chung pnp: • Mạch tương đương 1 chiều
• E-B: tương đương diode phân

cực thuận, điện áp hạ trên E-B là
VEB(on)
• C-E: tương đương nguồn dòng • Công suất tiêu thụ:
có giá trị bằng
31
Ví dụ 3.1
• Cho mạch E chung npn như sau: • Xét vòng mạch ①

– VBE (on)= 0.7V
– β = 200
• Tìm: 1
– IB, IC , IE
– VCE , công suất tiêu thụ PT
32
Ví dụ 3.1
• Cho mạch E chung npn như sau: • Xét vòng mạch ②

– VBE (on)= 0.7V
– β = 200
• Công suất tiêu thụ transistor PT

tính được như sau:
2
• Tìm: 1
– IB, IC , IE
– VCE , công suất tiêu thụ PT
33
Ví dụ 3.2
• Cho mạch E chung pnp như sau: • Xét vòng mạch ①:

– VEB (on) = 0.6V
– RB = 580kΩ
– β = 100
1
• Tìm:
– IB, IC , IE
# %
– RC sao cho 𝑉!" = $ 𝑉

34
Ví dụ 3.2
• Cho mạch E chung pnp như sau: • Xét vòng mạch ②:

– VEB (on) = 0.6V
– RB = 580kΩ
– β = 100
1
• RC tính được như sau:
• Tìm:
– IB, IC , IE
# %
– RC sao cho 𝑉!" = $ 𝑉

35
Các chế độ hoạt động khác
cực
E C
𝑣!
" 𝑣 !#
B
Tích cực ngược Bão hòa Sử dụng đặc tính V-A

để quan sát chế độ
Khóa Tích cực thuận khoá và bão hoà.
36
• Đặc tính V-A biểu diễn mối quan • Đặc tính V-A mạch E chung
hệ giữa dòng iC và điện áp VCE ứng Chế độ tích cực thuận
với các giá trị iB khác nhau.
• Với
Transistor ở chế độ tích cực thuận:
• Với
Transistor không còn ở chế độ tích
cực thuận, dòng iC nhanh chóng
giảm về 0.
vCE(V) npn hoặc vEC (V) pnp
37
• Xét transistor npn mạch E chung: • Đặc tính V-A (tuyến tính từng
đoạn lớp tiếp giáp B-E)
Dòng IB và điện áp
VBE tại điểm làm việc
Đặc tính lớp Đường tải

tiếp giáp BE
• Từ phương trình dòng điện IB: • VBB<VBE(on): B-E phân cực ngược →
IB=0
• VBB>VBE(on): B-E phân cực thuận →
VBB tăng → IB tăng → IC thay đổi?
38
• Đặc tính V-A lớp B-E 𝑽&& tăng • Đặc tính V-A mạch E chung
Dòng IB và điện áp Chế độ tích cực thuận
IB tăng
tiếp giáp BE IC tăng
Xét vòng mạch ①

2
Xét vòng mạch ②
Phương trình đường tải 1
đầu vào lớp B-E
Phương trình đường tải lớp C-E
39
Chế độ bão hoà • Đặc tính V-A mạch E chung

• 𝑽!! tăng → I! tăng → I" tăng Chế độ tích cực thuận
• I! tăng → I" không tăng Bão

Bãohoà
hoà
Đường tải
Trạng thái bão hoà Đường tải
• Vùng bão hoà: Điểm

Điểm làm
làm việc
việc Q
𝑉#$(&'() 0.1 − 0.3𝑉

40
• Chế độ khoá • Đặc tính V-A mạch E chung

Dòng IB và điện áp Chế độ tích cực thuận
Bão hoà

Đường tải
tiếp giáp BE
Đặc tính V-A tuyến tính từng đoạn lớp

tiếp giáp B-E và đường tải Điểm làm việc
𝑉** < 𝑉*$ 𝑜𝑛 ; 𝐼* = 𝐼# = 0

Transistor khoá Khoá
𝐼! = 𝐼$ = 𝐼" = 0; 𝑉$" = 𝑉$$

41
Tổng kết các chế độ hoạt động của transistor BJT
Transistor npn Transistor pnp

• Chế độ tích cực thuận • Chế độ tích cực thuận
– VCE>VBE (on) – VEC>VEB (on)
–c –c
• Chế độ bão hoà • Chế độ bão hoà
– VCE (sat)=0.1-0.3V – VEC (sat)=0.1-0.3V
–c –c
• Chế độ khoá • Chế độ khoá
–C𝑉!! < 𝑉!" 𝑜𝑛 –C𝑉!! < 𝑉"$ 𝑜𝑛
– c𝐼! = 𝐼# = 0 – c𝐼! = 𝐼# = 0

42
Phương pháp phân tích một chiều
• Phân tích đáp ứng 1 chiều mạch transistor BJT cần biết chế độ hoạt
động của transistor
1. Giả thiết transistor ở chế độ tích cực thuận với:
V!2 = V!2 on , I! > 0, I" = 𝛽I!
2. Phân tích mạch “tuyến tính” với các giả thiết này
3. Đánh giá kết quả
• Nếu các giá trị tham số giả định ban đầu đúng và V'( > V'( sat , thì giả thiết
ban đầu là đúng
• I& < 0, transistor có thể ở trạng thái khoá
• V'( < 0, transistor có thể ở trạng thái bão hoà
4. Nếu giả thiết ban đầu không đúng, thực hiện giả thiết mới, phân tích
mạch tuyến tính mới và lặp lại từ bước 3.
43
Ví dụ 3.3
• Cho mạch điện như hình sau, giả

thiết nếu transistor phân cực ở
trạng thái bão hoà, VCE=VCE (sat)
– VBE (on) = 0.7V
– β = 100
– VCE (sat) = 0.2V
• Tính:
– Dòng và áp bão hoà
– Công suất tiêu thụ trên transistor

44
Ví dụ 3.3
• Cho mạch transistor với các

thông số sau:
– VBE (on) = 0.7V
– β = 100
– VCE (sat) = 0.2V
VCE<0
Transistor ở Không thể

trạng thái bão hoà
xảy ra
45
Ví dụ 3.3 – Nhận xét
• Khi transistor ở trạng thái bão hòa:
46
Bài tập 3.1
• Cho mạch E chung pnp như sau: 3.3V

– VEB (on) = 0.7V
– VEC (sat) = 0.2V
– β = 110
• Tìm: IB, IC , IE , 𝑉$# với:
• VBB=2V
150kΩ
• VBB=1V
VBB
Đáp án:
• Với VBB=2V • Với VBB=1V
• IB =4μA • IB =10.7μA
• IC =0.44mA • IC =0.62mA 5kΩ
• VEC =1.1V • VEC =0.2V
47
Bài tập 3.2
• Cho mạch điện như hình vẽ có: Đáp án:

– VBE (on) = 0.7V • Với VI=0.2V
– VCE (sat) = 0.2V – IB = IC = 0A
– β = 50 – VO =5V
• Với – P =0W
– VI =0.2V • Với VI=3.6V
– VI =3.6V
– IB = 4.53mA
• Tìm: – IC = 10.9mA
– VO, IB , IC, P
– 𝑉) = 0.2V
• Tìm: – 𝑃 = 5.35mW
– VI để VBC = 0V
– Tính công suất P của transistor • Với VBC=0V
– VI =0.825V
– P =6.98mW
48
Bài tập 3.3
• Cho mạch điện như hình vẽ:

– VBE (on) = 0.7V
– β = 75
• Tính toán các đặc tính của mạch điện
• Vẽ phương trình đường tải VCE
Đáp án:
• Đặc tính của mạch điện
– IB = 2.665µA
– IC = 0.2mA
– IE = 0.203mA
– VCE = 1.59V
• Phương trình đường tải:
49
Ví dụ 3.4
• Thiết kế mạch B chung như hình vẽ để:

• IEQ = 0.5mA
• VECQ = 4.0V
• Giả thiết:
• β= 120
• VEB (on) = 0.7V
50
Ví dụ 3.4
• Áp dung định luật Kirchoff cho vòng B-E • Mạch điện có:
(giả thiết ở trạng thái tích cực thuận): • IEQ = 0.5mA
• VECQ = 4.0V
• β= 120
• Từ đó tính được: • VEB (on) = 0.7V
• Mặt khác:
• Áp dụng định luật Kirchoff cho vòng C-E:

51
Ví dụ 3.4
• Thiết kế mạch B chung như hình • Đáp án:

vẽ để:
– IEQ = 0.5mA
– VECQ = 4.0V

52
Bài tập 3.4
• Cho mạch như hình vẽ, biết:

• VBE (on) = 0.7V
•
• Tìm:
• Đáp án:
I& = 2.5µA
I' = 0.2575mA
I( = 0.26mA
β = 103
α = 0.9903846154
53
Bài tập 3.5
• Cho mạch như hình vẽ, biết:

• VEB (on) = 0.7V
• β= 85
• Tìm:
• Đáp án:
• IB = 6.25μA
• IC = 0.531mA
• IE = 0.5375mA
• VEC = 3.575V
54
Bài tập 3.6
• Thiết kế mạch B chung như hình

vẽ để:
– IEQ = 0.125mA
– VECQ = 2.2V
– β= 110
– VEB (on) = 0.7V
• Đáp án:
– RE =18.4kΩ
3V 3V
– RC =12.1kΩ

55
Bài tập 3.7
• Thiết kế mạch điện transistor • Mạch transistor pnp

pnp như hình, sao cho:
• Có thể chọn:
– Điện trở
– Transistor có:
• Đáp án:
– RB =185kΩ

56
Đặc tính truyền điện áp
• Đặc tính truyền điện áp biểu • Đặc tính truyền điện áp transistor npn
diễn mối quan hệ giữa điện áp Khoá
đầu ra ứng với điện áp đầu vào.
• Đặc tính truyền điện áp của
transistor giúp quan sát được
trạng thái hoạt động của
transistor khi biết điện áp vào. Tích cực
thuận
transistor bao gồm:
– Trạng thái tích cực thuận Bão hoà
– Bão hoà
VCE(sat)
– Khoá
VBE(on)
57
• Đặc tính truyền điện áp biểu • Đặc tính truyền điện áp transistor pnp
diễn mối quan hệ giữa điện áp
đầu ra ứng với điện áp đầu vào. Bão hoà
transistor giúp quan sát được
trạng thái hoạt động của
transistor khi biết điện áp vào. Tích cực
thuận
transistor bao gồm:
– Trạng thái tích cực thuận
Khoá
– Bão hoà
– Khoá
58
Ví dụ 3.5 Vẽ đặc tính truyền điện áp transistor npn
• Vẽ đặc tính truyền điện áp cho • Xét mạch transistor npn:

mạch như hình vẽ:
– VBE (on) = 0.7V
– VCE (sat) = 0.2V
– β = 120
• Cần xét đối với trường hợp điện áp

đầu vào sao cho:
– Transistor khoá
– Transistor tích cực thuận
– Transistor bão hoà

59
• Xét vòng mạch ①: • Xét mạch transistor npn:
• Nếu: Transistor khoá
• Nếu:
Transistor ở trạng thái
tích cực thuận hoặc bão hoà 2
• Xét vòng mạch ② 1
• Điện áp đầu ra:

60
• Ở trạng thái khoá: • Đặc tính truyền điện áp transistor npn

VO = 5V Khoá
• Ở trạng thái bão hoà:
VO = VCE(sat) = 0.2V
• Như vậy, khi transistor tích cực
Tích cực
thuận, điện áp đầu ra nằm trong dải:
thuận
• Với:
Bão hoà
• Lần lượt thay vào:
VCE(sat)
VBE(on)
61
• Đặc tính truyền điện áp • Transistor npn
Khoá Khoá
Tích cực thuận
Bão hoà
Tích cực thuận
Bão hoà

62
Ví dụ 3.6 Vẽ đặc tính truyền điện áp transistor pnp
• Vẽ đặc tính truyền điện áp cho • Xét mạch transistor pnp:

mạch như hình vẽ:
– VEB (on) = 0.7V
– VEC (sat) = 0.2V
– β = 80
• Cần xét đối với trường hợp điện áp

đầu vào sao cho:
– Transistor khoá
– Transistor tích cực thuận
– Transistor bão hoà

63
• Xét vòng mạch ①: • Xét mạch transistor pnp:
• Nếu: Transistor khoá 1
2
• Nếu:
Transistor ở trạng thái
tích cực thuận hoặc bão hoà
• Điện áp đầu ra:

64
• Ở trạng thái khoá: • Đặc tính truyền điện áp transistor npn

VO = 0V
Bão hoà
• Ở trạng thái bão hoà:
VO = 5-VEC(sat) = 5-0.2V = 4.8V
• Như vậy, khi transistor tích cực thuận,
điện áp đầu ra nằm trong dải: Tích cực
thuận
• Với:
• Lần lượt thay vào: Khoá

65
• Đặc tính truyền điện áp • Transistor pnp

Bão hoà
Bão hoà
Tích cực thuận
Khoá
Tích cực thuận
Khoá

66
Vai trò của đặc tính truyền điện áp: Phân cực transistor
• Xét phân cực transistor ở điểm • Đặc tính truyền điện áp:
bắt đầu vùng bão hòa, có điểm
làm việc tại Q.
– Nửa dương của tín hiệu vào:
transistor ở vùng bão hòa, điện áp
đầu ra không đổi.
– Nửa âm của tín hiệu vào: transistor
ở vùng tích cực, đáp ứng điện áp Điểm làm việc Q
đầu ra xuất hiện.
Thời gian

Thời gian
67
• Xét phân cực transistor ở điểm • Đặc tính truyền điện áp:
bắt đầu vùng khoá, có điểm làm Điểm làm
việc tại Q. việc Q
transistor ở vùng tích cực, đáp ứng
điện áp đầu ra xuất hiện.
– Nửa âm của tín hiệu vào: transistor Thời gian
ở vùng khoá, điện áp đầu ra không
đổi.
Thời gian

Thời gian
68
• Xét phân cực transistor ở giữa • Đặc tính truyền điện áp:
vùng tích cực, có điểm làm việc
tại Q:
transistor ở vùng tích cực, đáp ứng
điện áp đầu ra xuất hiện. Điểm làm
– Nửa âm của tín hiệu vào: transistor việc Q
ở vùng tích cực, đáp ứng điện áp
đầu ra xuất hiện.
Thời gian
Cần phân cực đúng để tín hiệu đầu ra
không bị sai khác so với tín hiệu đầu vào
Phân cực bằng 1 điện trở Phân cực bằng 2 điện trở
Thời gian
69
Phân cực transistor bằng một điện trở cực B
• Xét mạch transistor npn phân • Mạch tương đương:

cực như sau:
• Tụ CC ngăn dòng tín hiệu vào 1

chiều và dẫn tín hiệu xoay chiều
• Dòng IB tại điểm làm việc được
→ Đối với tín hiệu vào 1 chiều, quyết định bởi điện trở RB
có thể coi tụ CC là hở mạch
70
Ví dụ 3.7 Tính điểm làm việc Q đối với mạch phân cực bằng 1 transistor
• Thiết kế mạch như hình vẽ để: • Mạch transistor npn phân cực
bằng 1 transistor RB:
• Giả thiết:

71
• Với: • Mạch transistor npn phân

cực bằng 1 transistor RB:
• Tính được:
• Nhận xét: RC = 6kΩ Xác lập điểm

RB = 1.13MΩ làm việc Q
72
• Xét đặc tính VA lớp tiếp giáp CE • Mạch transistor npn phân cực
• Với: RC = 6kΩ Thoả mãn điểm

RB = 1.13MΩ
làm việc Q
73
• Thiết kế mạch như hình vẽ để: • Mạch transistor npn phân cực
• Giả thiết:
Note: Trên thực tế, hệ số khuếch đại β

không phải là 1 giá trị cố định mà biến đổi
trong 1 dải, ví dụ:
Điểm làm việc Q thay đổi như thế nào?
74
• Xét đặc tính VA lớp tiếp giáp CE: • Xét mạch transistor npn phân
Điểm làm việc thay cực bằng 1 transistor RB:
đổi lớn khi β thay đổi
(Không đổi)
• Giữ nguyên RB → nếu β thay đổi

→ điểm làm việc Q?
75
Phân cực transistor bằng hai điện trở
• Xét mạch transistor phân cực • Mạch tương đương đối

bằng R1, R2 như sau: với tín hiệu vào 1 chiều
Tụ CC ngăn dòng tín hiệu

vào 1 chiều và dẫn tín
hiệu xoay chiều
→ Đối với tín hiệu vào 1

chiều, có thể coi tụ CC là
hở mạch

76
• Mạch tương đương đối với tín • Mạch tương đương Thevenin
hiệu vào 1 chiều
Để giải mạch tương

đương, cần chuyển sang
mạch tương đương
Thevenin.

77
Định lý Thevenin
• Là một phương pháp phân tích được sử dụng để biến một mạch phức
tạp thành mạch tương đương đơn giản chứa một điện trở đơn mắc nối
tiếp với một nguồn áp.
• Phát biểu định lý: Bất kỳ một mạch tuyến tính nào có chứa vài điện trở
và nguồn áp có thể được thay thế bằng mạch chỉ có duy nhất 1 điện
trở và 1 nguồn áp mắc nối tiếp với nhau qua tải.
• Các bước phân tích mạch:
• Tính điện áp tương đương Thevenin VTH
• Tính điện trở tương đương Thevenin RTH
• Vẽ lại mạch tương đương với VTH và RTH mắc nối tiếp với điện trở tải
78
Tính điện áp tương đương Thevenin
• Xét mạch điện sau: • Điện áp tương đương

Thevenin:
Điện áp Thevenin
Khép
kín vòng
Hở tương đương là
mạch điện áp hạ trên
mạch • Vẽ lại mạch tương đương:
hai đầu A và B.
• Mở điện trở tải VTH = VAB = VR3

• Tính toán, đo lường
điện áp mạch hở.

79
Tính điện trở tương đương Thevenin
• Xét mạch điện với nguồn • Điện trở tương đương

điện áp ngắn mạch: Thevenin:
Điện trở Thevenin
tương đương là điện
Ngắn trở nhìn vào từ hai
mạch đầu A và B sau khi • Mạch tương đương
nguồn áp
ngắn mạch các nguồn Thevenin:
áp và hở mạch các
nguồn dòng.
• Mở dòng điện nguồn và
ngắn mạch nguồn áp.
RTH=R2 nối tiếp R1//R3
• Tính toán, đo lường điện
trở mạch hở.
80
• Xét mạch transistor phân cực • Mạch tương đương đối

bằng R1, R2 như sau: với tín hiệu vào 1 chiều
Tụ CC ngăn dòng tín hiệu

vào 1 chiều và dẫn tín
hiệu xoay chiều
→ Đối với tín hiệu vào 1

chiều, có thể coi tụ CC là
hở mạch

81
• Cách phân tích mạch tương đương

82
• Cách phân tích mạch tương đương: cắt tải tại A-B
𝑉""
𝑉*+,-,./. = 𝑉01 = 𝑅$
𝑅# + 𝑅$
𝑅#𝑅$
𝑅*+,-,./. = 𝑅# 𝑅$ =
𝑅# + 𝑅$
83
• Mạch transistor phân cực bằng • Mạch Thevenin tương đương:

R1, R2

84
• Mạch tương đương Thevenin • Giá trị tại điểm làm việc 1 chiều:

85
Ví dụ 3.7 Phân tích một chiều mạch transistor phân cực bằng 2 điện trở
• Cho mạch điện có:
• Tìm
• Điểm làm việc Q khi 𝛽=100?
• Điểm làm việc Q khi 𝛽 thay đổi

86
• Mạch Thevenin tương đương: • Tính điện trở và điện áp mạch

Thevenin tương đương:

87
• Tính dòng transistor:
88
Điểm làm
việc Q
Điểm làm việc Q ổn định hơn
89
Nhận xét
• Điện trở R1 và R2 có thể phân cực transistor trong vùng tích cực bằng
cách sử dụng các giá trị điện trở thấp cỡ kΩ.
• Ngược lại, phân cực bằng 1 điện trở đơn cần giá trị điện trở lớn cỡ MΩ
• Phân cực bằng điện trở R1 và R2, khi 𝛽 thay đổi, sự thay đổi của ICQ và
VCE đã giảm.
• Bổ sung điện trở RE cũng có khuynh hướng ổn định điểm làm việc Q
hơn.
90
Nhận xét
• Để thiết kế điểm làm việc Q ổn • Nếu:

định:
• Bởi vì:
• Có thể chọn RTH sao cho:

91
Ví dụ 3.8 Thiết kế mạch phân cực ổn định
• Thiết kế mạch phân cực điện áp • Cho:

như mạch như hình sau:
• Thiết kế mạch (chọn RE và điện
trở phân cực R1 và R2) sao cho
mạch phân cực ổn định.
• Chọn transistor có các giá trị:
• Giả thiết transistor có hệ số

khuếch đại nằm trong dải:

92
• Nhận xét:
• Nếu điện áp hạ trên RE lớn thì sẽ phải tăng nguồn VCC để giữ VCE theo yêu cầu.
• Do đó, có thể chọn điện áp hạ trên RE cỡ VBE(on).
• Với hệ số khuếch đại lớn:
• Chọn một giá trị tiêu chuẩn cho RE:

• Tính được:
𝑉3! =
93
• Sử dụng mạch tương đương • Với:

Thevenin:
• Để mạch phân cực ổn định: • Tính được:
• Hay:

94
• Mặt khác:
• Suy ra:
• Thu được:
• Có thể chọn:
95
• Với:
• Tính được:
• Dòng qua cực B:
• Với:
• Tính được:

96
• Nhận xét:
• Điểm làm việc Q được coi là ổn định với sự thay đổi của 𝛽
• Điện trở phân cực R1 và R2 có giá trị hợp lý trong dải kΩ
• IC thay đổi từ -8.2%÷+3% khi 𝛽 giảm/tăng 60 từ giá trị 120.
Điểm làm
việc Q

97
Ví dụ 3.9 Thiết kế mạch đáp ứng yêu cầu điểm làm việc
• Thiết kế mạch điện như hình bên • Mạch transistor npn

sao cho điểm làm việc có các giá
trị như sau:
– VECQ=7V
– ICQ ≅ 0.5mA
– VRE ≅ 1V

98
• Thực hiện phân tích 1 chiều với • Mạch tương đương Thevenin
mạch tương đương Thevenin:
• Giả thiết:
• Điện trở và điện áp tương đương

Thevenin tính được như sau:
• Với: Có thể chọn:

99
• Để mạch ổn định:
• Điện áp tương đương Thevenin có thể tính được:
• Phương trình điện áp vòng E-B:
100
• Transistor phân cực ở chế độ tích cực thuận, do đó:
• Thay vào phương trình điện áp vòng E-B thu được:
• Với:
• Thay vào phương trình điện áp vòng E-B được:

101
• Điện trở Thevenin tương đương đã tính được:
• Thay giá trị R1 tính được:

• Phương trình điện áp vòng E-C tính được như sau:
• Thay:
• Thu được:

102
Ví dụ 3.9 Nhận xét:
• Các giá trị đã tính được bao gồm: • Mạch được thiết kế như sau:
• Các giá trị điện trở tìm được là giá

trị chuẩn, trừ , do đó,
có thể chọn
• Vì điểm làm việc được thiết kế ổn
định nên điện trở R2 thay đổi
không ảnh hưởng nhiều đến điểm
làm việc.

103
Bài tập 3.8
• Cho mạch điện có: • Mạch điện:

– VBE (on) = 0.7V
– β = 150
– RE=2kΩ
– RC=10kΩ
• Thiết kế mạch ổn định điểm
làm việc sao cho điện áp đầu
ra tại điểm làm việc = 0V.
• Tìm giá trị ICQ và VCEQ? • Đáp án
• ICQ =0.5mA
• VCEQ =3.99V
• R1 = 167kΩ
• R2 = 36.9kΩ
104
Bài tập 3.9
• Cho mach điện như hình vẽ: • Mạch điện:

– β = 120, VBE (on) = 0.7V
• Thiết kế mạch sao cho:
– ICQ = 0.15mA
– RTH = 200kΩ
• Tìm giá trị VCEQ?
• Đáp án
– IBQ = 1.25µA
– IEQ = 0.15125mA
– VCEQ = 1.30V
105
Bài tập 3.10
a. Thiết kế mạch phân cực ổn định • Cho mạch điện như hình vẽ:
có:
b. Sử dụng kết quả phần a,

Với
Tìm sự thay đổi của ICQ
c. Làm lại phần a và b
Với

106
Bài tập 3.10 – Đáp án
a. Câu a c. Câu c
b. Câu b
107

108
• Một mạch điện tử có các tín hiệu đầu vào bao gồm các thành phần một
chiều và xoay chiều.
Nguồn cấp
một chiều
Tín hiệu Mạch Tín hiệu

Tín hiệu
đầu vào điện tử đầu ra
đầu vào
xoay chiều

109
• Khái niệm tín hiệu nhỏ

• Mạch tương đương xoay chiều
• Các bước thực hiện Phân tích xoay chiều
• Cách tính hệ số khuếch đại điện áp xoay chiều
• Hiệu ứng Early và ảnh hưởng của nó đến hệ số khuếch đại tín hiệu
• Ví dụ tính hệ số khuếch đại điện áp xoay chiều trong trường hợp xét và
không xét đến hiệu ứng Early.

110
Khái niệm về tín hiệu nhỏ
• Xét mạch npn mắc như hình bên có: • Mạch npn mắc kiểu E chung:
– Nguồn 1 chiều VBB
– Nguồn xoay chiều vs
• Dòng xoay chiều vs ở cực B sẽ tạo ra
một dòng xoay chiều ở cực C.
• Dòng xoay chiều ở cực C sẽ lại tạo ra
một điện áp xoay chiều hạ trên RC, từ
đó, tạo ra một điện áp CE xoay chiều.
• Từ đó, tín hiệu đầu ra sẽ chứa thành
phần xoay chiều và thành phần một
chiều (điểm làm việc).

111
• Tại điểm làm việc Q trên đặc tính • Xét đặc tính truyền điện áp:
truyền điện áp, với tín hiệu đầu vào
xoay chiều có thể tìm được đầu ra Q vùng khoá
xoay chiều như sau:
• Thông qua đặc tính truyền điện áp, Q vùng tích cực thuận
tại điểm làm việc Q với đầu vào Điểm làm việc Q
xoay chiều vs: Q vùng bão hoà
– Nửa chu kỳ dương của tín hiệu đầu
vào, ứng với nửa chu kỳ âm của tín
hiệu đầu ra
– Nửa chu kỳ âm của tín hiệu đầu vào,
ứng với nửa chu kỳ dương của tín
hiệu đầu ra.
112
• Nhận xét: • Xét đặc tính truyền điện áp:

– Tín hiệu đầu ra ngược pha so với tín
hiệu đầu vào. Q vùng khoá
– Tín hiệu đầu ra có biên độ lớn hơn tín
hiệu đầu vào →Mạch khuếch đại.
– Thành phần xoay chiều của tín hiệu Q vùng tích cực thuận
đầu ra dao động xung quanh điểm làm Điểm làm việc Q
việc → Tín hiệu đầu ra có thành phần Q vùng bão hoà
xoay chiều xếp chồng lên điểm làm
việc Q (hay thành phần một chiều).
Thành phần xoay chiều phải đủ nhỏ
so với thành phần một chiều (để giữ Thành phần
tín hiệu đầu ra không bị mất) tín hiệu nhỏ

113
• Phân tích mạch khuếch đại transistor:

– Phân tích một chiều (DC): xác định điểm làm việc và phân cực
– Phân tích xoay chiều (AC): xác định tín hiệu xoay chiều đầu ra
• Phương pháp phân tích
– Phân tích riêng rẽ một chiều và xoay chiều
– Phân tích một chiều (DC): phân tích theo mô hình xấp xỉ tuyến tính, thực hiện
ngắn mạch tín hiệu xoay chiều
– Phân tích xoay chiều (AC): phân tích theo mô hình tín hiệu nhỏ, thực hiện ngắn
mạch tín hiệu một chiều
– Xếp chồng kết quả

114
Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ
Xét transistor npn: • Mạch tương đương tín hiệu nhỏ:

• Coi transistor npn như một Mạch tương đương p lai
mạng tín hiệu nhỏ 2 cổng
𝑉6 𝐼#5
B-E tương đương C-E tương đương 𝑟7 = 𝑔4 =
điện trở tín hiệu nguồn dòng có hệ số 𝐼*5 𝑉6
nhỏ rp điện dẫn truyền gm Điện trở đầu vào BE Hệ số điện dẫn truyền
𝑉! = 0.026V (điện trở nhiệt ở nhiệt độ phòng)
115
Xét transistor npn: • Mạch tương đương tín hiệu nhỏ:

• Coi transistor npn như một Mạch tương đương p lai
mạng tín hiệu nhỏ 2 cổng
𝑉6 𝐼#5
B-E tương đương C-E tương đương 𝑟7 = 𝑔4 =
điện trở tín hiệu nguồn dòng có hệ số 𝐼*5 𝑉6
nhỏ rp điện dẫn truyền gm Điện trở đầu vào BE Hệ số điện dẫn truyền
𝑉! = 0.026V (điện trở nhiệt ở nhiệt độ phòng)
116
Mạch tương đương 𝜋 lai
• Xét mạch transistor npn phân • Mạch tương đương 𝜋 lai:

cực tại RB:
• BE tương đương điện trở r𝜋

• CE tương đương nguồn dòng
117
Mạch tương đương 𝜋 lai
• Mạch tương đương 𝜋 lai: • Điện áp đầu ra (điện áp hạ trên RC):
• Điện áp điều khiển (điện áp hạ trên r𝜋):
• Hệ số khuếch đại điện áp:

• Tìm điện áp đầu ra và hệ số
khuếch đại điện áp?
118
Ví dụ 3.10 Tính hệ số khuếch đại điện áp tín hiệu nhỏ
• Cho mạch khuếch đại như hình • Xét mạch khuếch đại npn sau:
bên có các giá trị:
• Tính hệ số khuếch đại điện áp tín

hiệu nhỏ.

119
Phân tích 1 chiều: • Mạch tương đương 1 chiều

• Xét vòng mạch ① và ②:
𝑉** − 𝑉*$ (𝑜𝑛) Transistor ở chế độ
𝐼*5 = tích cực thuận
𝑅*
1.2 − 0.7
= = 10 𝜇𝐴
50 2
𝐼#5 = 𝛽𝐼*
= 100 ∗ 0.01 = 1𝑚𝐴 1
𝐼*5 = 10 𝜇𝐴
𝑉#$5 = 𝑉## − 𝐼# 𝑅# 𝐼#5 = 1𝑚𝐴
= 12 − 1 ∗ 6 = 6𝑉 𝑉#$5 = 6𝑉
120
• Mạch tương đương xoay chiều:
Hệ số khuếch đại:
121
• Phân tích xoay chiều mạch tương đương 𝜋 lai:
122
• Xét điện áp vào dạng hình sin:
• Dòng điện xoay chiều tại cực B tính được như sau:
• Dòng điện xoay chiều tại cực C tính được như sau:
• Điện áp xoay chiều tại cực C-E tính được như sau:
123
• Tín hiệu vào – ra mạch E chung
124
Các bước thực hiện Phân tích xoay chiều
• Bước 1: Phân tích mạch chỉ với nguồn một chiều DC, thu được điểm
làm việc một chiều Q. Transistor cần phải được phân cực trong vùng
tích cực thuận để tạo ra bộ khuếch đại tuyến tính.
• Bước 2: Thay thế các phần tử với mô hình tương đương tín hiệu nhỏ.
Sử dụng mô hình tín hiệu như hình p cho transistor.
• Bước 3: Phân tích mạch tín hiệu nhỏ tương đương với việc thiết lập các
thành phần DC bằng 0 để tính ra đáp ứng của mạch với tín hiệu đầu
vào thay đổi theo thời gian.
• Bước 4: Xếp chồng kết quả.
125
Mối quan hệ
Thành phần dòng điện – điện áp Mô hình DC Mô hình AC
Điện trở
Tụ điện Hở mạch
Cuộn cảm Ngắn mạch
Diode
Nguồn áp Ngắn mạch

Không đổi
Nguồn dòng Hở mạch

Không đổi
126
• Xếp chồng kết quả:

Biến Ý nghĩa
Tổng giá trị tức thời

Giá trị 1 chiều
Giá trị tức thời xoay chiều
Giá trị pha

127
• Tổng dòng điện tức thời tại cực B được tính như sau:
= 10 + 4.75𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡 𝜇𝐴
• Tổng dòng điện tức thời tại cực C được tính như sau:
= 1 + 0.475𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡 𝑚𝐴
• Tổng điện áp tức thời tại cực C-E được tính như sau:
= 6 − 2.85𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡 𝑉
128
Mạch tương đương 𝜋 lai có hiệu ứng Early
• Kéo dài đặc tuyến Volt-Ampere ở vùng tích cực thuận sẽ hội tụ tại 1
điểm. Điểm này gọi là điểm điện thế Early VA.
Điện áp Early
• VA thường có giá trị nằm trong dải:
129
Mạch tương đương 𝜋 lai có hiệu ứng Early
• Mạch tín hiệu nhỏ tương đương • Mạch tín hiệu nhỏ tương đương
với hệ số điện dẫn có hiệu ứng với hệ số khuếch đại dòng có
Early hiệu ứng Early
Khi xét đến hiệu ứng Early, trong mạch tương đương xoay chiều xuất hiện điện
trở r0 giữa hai cực C-E.
𝑉𝑨
𝑟𝒐 = Trở kháng đầu ra tín hiệu nhỏ
𝐼𝑪5
130
Ví dụ 3.11 Tính hệ số khuếch đại có xét hiệu ứng Early
• Cho mạch khuếch đại có: • Mạch khuếch đại E chung:
• Hệ số khuếch đại điện áp ( khi

không xét hiệu ứng Early) đã tính
được Av = -11.4
• Tìm hệ số khuếch đại điện áp tín
hiệu nhỏ có tính đến hiệu ứng
Early?

131
• Mạch tín hiệu nhỏ tương đương với trở kháng đầu ra ro:
132
• Trở kháng đầu ra tín hiệu nhỏ tính được như sau:
• Từ đó tính được hệ số khuếch đại điện áp tín hiệu nhỏ:
Hệ số khuếch đại điện áp giảm khi xét hiệu ứng Early

133
Bài tập 3.11
• Cho mạch khuếch đại hình • Mạch khuếch đại: • Đáp án:
bên với các thông số (a) gm
transistor như sau: =18.75mA/V,
– β = 150, VBE(on)=0.7V, VA rπ =8kΩ,
=150V ro =308kΩ;
– VCC =5V, VBB = 1.025 V (b) Av = −8.17
– RB = 100 kΩ , RC = 6 kΩ
• Tìm các tham số tính hiệu
nhỏ mạch π lai: gm , rπ , và ro
• Tìm hệ số khuếch đại điện
áp tín hiệu nhỏ Av =Vo/Vs

134
Bài tập 3.12
• Cho mạch khuếch đại như • Mạch khuếch đại • Đáp án:
hình: (a) ICQ =0.2mA;
– V+ = 3.3 V, VBB = 2.455V, VECQ=1.9V;
(b) gm =7.692mA/V;
RB=80kΩ , và RC=7kΩ
rπ=14.3kΩ;
– Các thông số của transistor: ro=400kΩ;
β=110, VEB(on)=0.7V, VA =80V (c) Av =−8.02;
(d) Ri =94.3kΩ,
(a) Tìm ICQ và VECQ Ro=6.88kΩ;
(b) Tìm gm , rπ , và ro
(c) Tìm hệ số khuếch đại điện áp
tín hiệu nhỏ Av = vo /vs
(d) Tìm điện trở vào và ra tín
hiệu nhỏ Ri and Ro tương ứng.
135

3.2 Chế độ làm việc
136
• Điều khiển
• Phần tử logic số
• Bộ khuếch đại
137
Điều khiển
• Mạch transistor hoạt động bằng • Mạch lưỡng cực dùng làm bộ đảo:
cách chuyển giữa hai trạng thái:
khoá - bão hoà khi thay đổi .
• Tải: có thể là động cơ, đèn led
hoặc các thiết bị điện khác. Tải
• Với: Transistor khoá
Tải không hoạt động
• Với: Transistor bão hoà
Không đổi
Tải hoạt động ổn định.

138
Ví dụ 3.12: Thiết kế mạch điều khiển đèn
• Thiết kế mạch điều khiển đèn • Mạch điều khiển LED

LED như hình bên biết để đèn
sáng thì
• Giả thiết:
* Đèn LED được chế tạo từ vật liệu bán dẫn

hợp chất (từ hai hoặc nhiều nguyên tố hóa
học) nên có điện áp kích hoạt lớn hơn.
139
• Với: Transistor khoá • Mạch điều khiển LED

Đèn LED tắt

*
Để đèn LED sáng

140
• Với: • Mạch điều khiển LED

• Thiết lập:
• Công suất tiêu thụ của transistor

141
Ví dụ 3.13 Thiết kế mạch điều khiển động cơ
• Thiết kế mạch điều khiển động • Mạch điều khiển động cơ:
cơ như hình bên biết dòng điều
khiển động cơ cần
• Giả thiết:
Động
cơ

142
• Với: Transistor khoá • Mạch điều khiển LED

Điện áp hạ trên tải = 0
• Điện áp hạ trên động cơ:

Động cơ
Động
cơ
• Dòng qua động cơ:
Động cơ
• Trở kháng động cơ hiệu dụng Động cơ
143
• Thiết lập: • Mạch điều khiển LED
• Công suất của transistor: Động

cơ

144
Nhận xét
• Khi thiết kế các mạch điện tử, thường sẽ phải đặt các giả thiết.
• Trong cả hai ví dụ trên, giả thiết IC/IB = (1/2)β để đảm bảo transistor sẽ
chuyển sang chế độ bão hoà ngay khi có sự thay đổi các thông số mạch
điện.
• Ưu điểm: có thể sử dụng dòng IB tương đối nhỏ để điều khiển dòng tải
lớn.
• Khi transistor phân cực ở trạng thái bão hoà, mối quan hệ IB và IC
không phải là mối quan hệ tuyến tính.
• Chế độ hoạt động này chủ yếu được sử dụng để tạo ra những sự thay
đổi lớn ở đầu ra, được ứng dụng rất nhiều trong các mạch logic số.

145
Bài tập 3.13
• Thiết kế mạch điều khiển đèn, đèn • Mạch điều khiển đèn:
sáng khi IC1 =15mA
• Khi vI1 = 5 V thì IC1/IB1 = 50
• Sử dụng transistor có các thông số:
Đáp án: R1 = 220Ω, RB1 = 14.3kΩ

146
Bài tập 3.14
• Thiết kế mạch điều khiển động • Mạch điều khiển động cơ

cơ, động cơ chạy khi IC2 = 2A
• Khi vI2 = 0V thì IC2/IB2 = 25
• Giả thiết sử dụng transistor có

các thông số:
Động
cơ
Đáp án: RB2 = 141Ω

147
Phần tử logic số
• Trong mạch logic số, tín hiệu • Xét cổng logic với đầu vào VI:
số sử dụng các mức logic 0-1
để biểu thị trạng thái của tín
hiệu, 0 có thể biểu thị mức
điện áp thấp, 1 có thể biểu
thị mức điện áp cao, và
ngược lại. Cổng NOT
• Transistor được sử dụng để
thiết kế các cổng logic cơ
bản như: AND, OR, NOT,
NOR…, chủ yếu dựa trên hai Q bão hoà:
chế độ hoạt động: khoá – Vo=VCE(sat)=0.2V
bão hoà Q khoá: Vo=Vcc = 5V
148
Phần tử logic số
• Tín hiệu số sử dụng các mức • Xét cổng logic với 2 đầu vào V1 V2 :
logic 0-1 để biểu thị trạng
thái của tín hiệu, 0 có thể
biểu thị mức điện áp thấp, 1
có thể biểu thị mức điện áp
cao, và ngược lại.
• Transistor được sử dụng để
thiết kế các cổng logic cơ
bản như: AND, OR, NOT,
NOR…, chủ yếu dựa trên hai
chế độ hoạt động: khoá – Q bão hoà:
bão hoà Vo=VCE(sat)=0.2V Cổng NOR
Q khoá: Vo=Vcc = 5V 2 đầu vào
149
Ví dụ 3.14 Tính toán với phần tử NOR
• Cho mạch điện như hình bên: • Xét mạch sau:
• Tìm dòng và áp đầu ra khi:

(a) V1 = V2 = 0
(b) V1 = 5V, V2 =0
(c) V1 = 0V, V2 = 5 V
(d) V1 =V2 =5 V
150
Ví dụ 3.14 Tính toán với phần tử NOR
• Các kết quả thu được

Đầu vào

151
Bài tập 3.15
• Cho mạch điện như hình bên: • Xét mạch sau:

– β = 40,
– VBE(on)=0.7V
– VCE(sat)=0.2V
– RC =600
– RB =950
Tìm dòng và áp đầu ra khi:
(a) V1 = V2 = 0
(b) V1 = 5V, V2 =0
(c) V1 = 0V, V2 = 5 V
(d) V1 =V2 =5 V

152
Bộ khuếch đại
• Bộ khuếch đại transistor có điểm • Xét mạch khuếch đại E chung sau:
làm việc trong vùng tích cực thuận.
• Khi hoạt động ở vùng tích cực
thuận, điện áp đầu ra được khuếch
đại so với tín hiệu đầu vào.
• Xét mạch khuếch đại E chung như
hình vẽ, để tìm hệ số khuếch đại
điện áp cần:
• Thực hiện phân tích 1 chiều tìm điểm
làm việc Q
• Thực hiện phân tích xoay chiều tìm
mối quan hệ giữa tín hiệu vào và ra
bằng mạch tương đương xoay chiều.
153
Mạch khuếch đại E chung cơ bản
• Mạch khuếch đại E chung: • Mạch tương đương xoay chiều:
Bộ khuếch đại
Tín hiệu
nguồn
Điện áp đầu ra:
Điện áp điều khiển:
Hệ số khuếch đại điện áp:

154
• Mắc thêm điện trở RE có tác dụng • Mạch tương đương xoay chiều
ổn định điểm làm việc. khi mắc thêm điện trở RE ở cực E:

155
• Mạch xoay chiều tương đương: Xét vòng mạch ②:

• Điện trở đầu vào Ri:
• Với điện trở đầu vào bộ khuếch

2 đại Rib tính được như sau:
1
Xét vòng mạch ①: • Dòng Ib tính được như sau:

• Điện áp đầu ra VO tính được:

156
• Mạch tương đương xoay chiều: • Điện áp vào bộ khuếch đại:
• Suy ra:
2
• Hệ số khuếch đại điện áp tính

• Dòng Ib: được:

157
• Mạch tương đương xoay chiều: • Hệ số khuếch đại điện áp:
• Thay Ib và VS vào thu được:

2
• Nếu: và
• Dòng Ib:
• Hệ số khuếch đại có thể xấp xỉ:

158
Ví dụ 3.15 Tính hệ số khuếch đại điện áp mạch E chung
• Cho mạch điện như hình vẽ: • Mạch khuếch đại E chung cơ bản:
• Tìm hệ số khuếch đại điện áp

• Tìm giá trị điện trở đầu vào bộ
khuếch đại.

159
Thực hiện phân tích 1 chiều: • Mạch tương đương 1 chiều:

• R ;< = R= ∥ R > = 56 ∥ 12.2 = 10kΩ
?" =>.> Transistor phân
• V;< = V"" = 10 = 1.79V cực tích cực thuận
?# @?" BC@=>.>
E$$ FE%& (GH) =.JKFL.J
• I!D = ? = =L@ = 0.0216𝜇A
'( @(=@I)?& =@=LL L.M
• I"D = 𝛽I!D = 100 ∗ 0.0216 = 2.16mA
• V"2D = V"" − I" R " − I2 R 2
100 + 1
= 10 − 2.16 ∗ 2 − 2.16 ∗ ∗ 0.4
100
= 4.81V > 0

160
• Mạch xoay chiều tương đương tín hiệu nhỏ:
161
• Các tham số mạch 𝜋 lai: • Mạch tương đương xoay chiều:

162
• Điện trở đầu vào cực B: • Mạch tương đương xoay chiều:
• Điện trở đầu vào bộ khuếch đại:

163
• Hệ số khuếch đại điện áp: • Mạch tương đương xoay chiều:
• Sử dụng công thức xấp xỉ:

• Tính được:

164
Nhận xét:
• Hệ số khuếch đại điện áp giảm nhẹ khi thêm vào điện trở RE vì có thành
phần (1 + 𝛽)R 2 dưới mẫu số.
• Có thể sử dụng công thức xấp xỉ để tính hệ số khuếch đại điện áp khi
thiết kế mạch khuếch đại E chung có điện trở RE
• Hệ số khuếch đại điện áp gần như độc lập với sự thay đổi của hệ số 𝛽.
165
Ví dụ 3.16 Tính hệ số khuếch đại tín hiệu nhỏ
Cho mạch khuếch đại pnp như • Mạch khuếch đại:

hình có:
• VEB(on)=0.7V
• β=80
• VA =∞
• Tìm điểm làm việc

• Tính toán hệ số khuếch đại tín
hiệu nhỏ.

166
Phân tích 1 chiều: • Mạch tương đương 1 chiều:

• Tính điện trở và điện áp tương đương
Thevenin:
• Phương trình điện áp vòng E-B:
• Transistor phân cực ở chế độ tích cực

thuận, do đó:
167
• Phân tích xoay chiều: • Mạch tương đương xoay chiều:
• Suy ra:
• Phương trình điện áp vòng B-E:

168
• Hệ số khuếch đại điện áp: • Mạch tương đương xoay chiều:
• Tính được:
• Sử dụng công thức xấp xỉ:
Gần với giá trị thực tế

169
Bài tập 3.16
• Cho mạch như hình vẽ:
a. Vẽ điểm làm việc Q trên đường tải 1 chiều

b. Tìm hệ số khuếch đại điện áp tín hiệu nhỏ
c. Tìm dải hệ số khuếch đại điện áp nếu R1 và
R2 thay đổi ±5%
Đáp án:
a. b.
c.
170
Bài tập 3.17
• Cho mạch điện như hình vẽ:
• Tìm R1 và R2 để mạch ổn định điểm

làm việc với điểm làm việc nằm giữa
đường tải.
• Tìm hệ số khuếch đại điện áp tín
hiệu nhỏ:
• Đáp án:
• R1＝20.1kΩ
• R2＝ 3.55kΩ
• Av = -5.75
171
Bài tập 3.18
• Thiết kế mạch điện như hình sau • Mạch khuếch đại:

để ổn định điểm làm việc và có
hệ số khuếch đại điện áp tín hiệu
nhỏ:
• Biết: Đáp án:

172
Bài tập 3.19
• Cho mạch như hình vẽ: • Mạch khuếch đại:
a. Tìm hệ số khuếch đại điện áp Av

b. Tìm trở kháng ra Ro
• Đáp án:

Bài tập 3.20
Đáp án
• Cho mạch điện như hình vẽ có: • Mạch khuếch đại:
– RE = 0.3 kΩ • Câu a:
– RC = 4kΩ 12V – ICQ = 1.6 mA
– R1 = 14.4kΩ – VECQ = 5.11 V
– R2 = 110kΩ
• Câu b:
– RL = 10kΩ
– gm =61.54mA/V
• Transistor có các thông số: – rπ =1.625kΩ
– β = 100,
– ro =∞
– VEB (on) = 0.7 V
– VA = ∞ • Câu c:
a. Tìm điểm làm việc ICQ và VECQ – Av = −8.95
b. Tìm các thông số tín hiệu nhỏ:
gm, rπ và ro
c. Tìm hệ số khuếch đại tín hiệu
nhỏ
Hết chương 3
175

Chương 3 - Transistor

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Chương 3 - Transistor

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Điện tử cho Công nghệ thông tin

• Chương 1: RLC và ứng dụng

3.1 Cấu tạo và phân loại

3.1 Cấu tạo và phân loại

• Các chế độ hoạt động của transistor BJT

Khóa Tích cực thuận

• Xét transistor npn: ở chế độ tích cực thuận VBE>0 và VBC<0

khuếch tán qua B, bị quét qua

TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG

• Do lớp tiếp giáp B-E phân cực • Xét dòng

• Số lượng electron tới cực C • Xét dòng

TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG

• IB1 : Dòng lỗ trống từ B sang E tỉ • Xét dòng

• IB2 : Dòng lỗ trống kết hợp với

• Dòng IB là tổng của IB1 và IB2 do

Coi transistor là 1 nút đơn: • Transistor npn:

TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG

Coi transistor là 1 nút đơn: • Transistor pnp:

• IC tỉ lệ với điện áp phân cực đặt

• IB cũng tỉ lệ với điện áp phân cực

• Transistor npn • Transistor pnp

TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG

Transistor npn Transistor pnp

Cho cả hai loại transistor

3.1 Cấu tạo và phân loại

• Giải thích một số khái niệm

TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG

• Mạch E chung là mạch có • Mạch E chung transistor npn

TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG

• Xét mạch E chung npn sau: • Xét vòng mạch ①:

• Nếu tính được:

• Xét mạch E chung npn: • Mạch tương đương 1 chiều

• B-E: tương đương diode phân

• Xét mạch E chung pnp sau: • Xét vòng mạch ①:

• Nếu tính được:

• Xét mạch E chung pnp: • Mạch tương đương 1 chiều

• E-B: tương đương diode phân

• Cho mạch E chung npn như sau: • Xét vòng mạch ①

• Cho mạch E chung npn như sau: • Xét vòng mạch ②

• Công suất tiêu thụ transistor PT

• Cho mạch E chung pnp như sau: • Xét vòng mạch ①:

TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG

• Cho mạch E chung pnp như sau: • Xét vòng mạch ②:

TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG

Tích cực ngược Bão hòa Sử dụng đặc tính V-A

Đặc tính lớp Đường tải

Xét vòng mạch ①

Chế độ bão hoà • Đặc tính V-A mạch E chung

• I! tăng → I" không tăng Bão

• Vùng bão hoà: Điểm

𝑉#$(&'() 0.1 − 0.3𝑉

TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG

• Chế độ khoá • Đặc tính V-A mạch E chung

Đặc tính lớp Đường tải

Đặc tính V-A tuyến tính từng đoạn lớp

𝑉** < 𝑉*$ 𝑜𝑛 ; 𝐼* = 𝐼# = 0

𝐼! = 𝐼$ = 𝐼" = 0; 𝑉$" = 𝑉$$

Transistor npn Transistor pnp

TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG

• Cho mạch điện như hình sau, giả

TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG

• Cho mạch transistor với các

Transistor ở Không thể

• Khi transistor ở trạng thái bão hòa:

𝑉** < 𝑉$ 𝑜𝑛 ; 𝐼 = 𝐼# = 0