Cadence 基本操作

本文介绍 Cadence 软件的入门学习，原理图的创建过程， 本教程适合于初学者，讲得尽

量的详细和简单，按照给出的步骤可以完全的从头到尾走一遍，本教程以最简单的共源放大
器为例。打开终端，进入文件夹目录，输入 virtuoso&启动软件。

一、原理图绘制
1.点击 Tools 的 Library Manager，如图 1

图1
2.下一步，建立新的库 File-New-Library，在 name 处取新库的名字（图 2），并关联相应
的工艺库，这次关联的工艺库是 tsmc18rf（见图 3，4）。

图2
 图3 图 4

3.接下来在，新建库（CS）下面建立原理图，在 manager 中点击新建的库，再点击

File-New-Cell View，并取名字，此处仍取名 cs（图 5）。出现原理图（图 6）

图 5 图 6 接下来可以进行原理图绘制，首先介
绍几个快捷键：F：调节界面至最全最合适模式 M：移动器件

I：加入器件
Q：调整器件参数
W：连线
C：复制器件
R：旋转器件，在移动，复制和加器件的时候可以使用
X：保存电路并且检查是否有 error 和 warning
L：给线标注名字，名字相同即相连，尽量不要取关键字的名字，如 vdd！，gnd！等
P：加 pin 脚，在做 symbol 的时候使用，pin 的名字和线的名字一样的时候，默认彼此
相互连接。
E：进入 symbol 下一层电路
shift+M：移动器件不会影响线
shift+W：粗线
shift+R：镜像器件
ctrl + E：返回上一层电路图

4.第一步，先按 I（图 7），再选择 tsmc18rf 库，在 cell 找 nmos2v（在此工艺下的器

件名，有些工艺是 nch），并在 view 选择 symbol，即可添加（图 8）。
 图7

图8
同样，可以加入此工艺库下的 pmos，电阻和电容等，在简单仿真的时候，除晶体管外
的元件（电压源，电流源）可以使用虚拟模拟元件，都在 analogLib 下面。以添加 DC 电压
源步骤为例，按 I，再选择 analogLib 库，在 cell 中找到 vdc，并在 view 选择 symbol（图 9）。

图9

在添加器件的时候，还可以直接复制（按 C）同一个库的器件，并且在 Cell 上直接修改

名字。添加完器件后电路图为图 10。
注意：1. 此处添加的 analogLib 库的元件有 vdc，idc，gnd，cap(电容，此处做负载)，
vsin。2.为了不使得连线复杂，可以按 L 给线命名。
 图 10

5.为简单，暂时不设置 mos 管的参数，先设置电流源和电压源的值。

图 11

选上 idc 后，按 Q，将 DC current 设置为 20u，见图 11。同样，把 vddx，gndx，sub 线

连接的电压源的 DC voltage 大小设置为 1.8，0，0。
然后设置信号源，vsin，选上后 vsin 后，按 Q 进行设置，见图 12：
 图 12

此处幅度设置为 100mV，信号的直流偏置设置为 0.9V，频率设置为 1MHz，AC

magnitude 设置为 1V，（其中 DC voltage，Amplitude 和 Frequency 是为了 tran 仿真，AC
magnitude 是为了 AC 仿真，DC voltage 是为了 DC 仿真）。关于单位：f：10^-15，p：10^-12，n：
10^-9，u：10^-6，m：10^-3，k：10^3，M：10^6，G：10^9。

二、仿真

(1)DC AC TRAN 仿真
DC：静态直流仿真 AC：小信号交流仿真 TRAN：信号瞬态仿真。
1.打开仿真平台，Lauch-ADE L，首先设置温度和器件模型库（ADE L 左上角设置温度，
Setup-Model Library 设置器件模型），此虚拟机已经设置完成不用设置这两个，见图 13。
 图 13
2.设置 DC(图 14)，AC(图 15)和 tran(图 16)分析：

图 14 图 15

图 16
Ac 仿真调整了精度，Tran 也可以调整，conservative 是精度最高，仿真最慢的，在 tran
的 options 中设置 max step 可以提高精度。

3.保存好原理图，可以按 X 也可以点击下面截图处“保存加√ ”的按钮，点击 ADE L

的绿色按钮就可以仿真了。原理图上的绿色按钮也可以启动仿真（图 17）。

图 17

4.设置完后，ADE L 见图 18：

图18

5.如果报告没有报 error，则仿真成功，在 ADE L 中选择 Results-Annotate-DC Node

Votages 和 DC Operation Points（图 19），则电路各个节点值和直流工作点信息会标在原理
图上器件附近，则可以选择观察相应仿真结果。在 ADE L 中点击 Results-Direct Plot-Main
Form（图 20），则可以选择观察除了 DC 仿真的相应仿真结果。
 图 19

图 20 图 21

在 Main Form 点击要观察的仿真结果，此电路是单端输出，则直接选择 net，勾上 Add to

output（图 21），直接在原理图上点击想观察的信号的电路线，结果图会自动显示，如无反
应，则按下 Esc 键。

图 22

6.原理图上的虚线，则是选中显示的图（图 22）。补充：1. Results 选项下面的 Direct Plot

和 Print 选项还有很多种出结果图的方式，可以自己探究。2.选择 Output-To Be Plotted-Select
On Schematic，则可以在原理图上选择想观察的电路线。
7.所观察结果也会显示在 ADE L 的 outputs 窗口中，下次就可以不用再设置，如图 23。

图 23

点击 outputs 右边暂停键下面的图，则可以出图，plotting mode 可以选择出图模式，可以选

择新出的图是否覆盖旧图。这时候，显示一下 ac 仿真结果，M 键可以 Mark 结果。见图 24：

图 24

可以看到，4kHz 的时候，增益为-29.64dB，说明电路不正常，需要 debug。debug 的时

候，首先关注 DC 工作点是否正确。看电路图的 DC 信息，如图 25：

图 25
Debug
1.观察两个信息，Vgs 和 Vth 的大小，Vds 和 Vdsat 的大小，Vgs 大于 Vth 则管子不在亚阈值区，
Vds 大于 Vdsat 则在饱和区。补充：也可以点击原理图的快捷键得知器件工作信息。如图 26。

图 26

.点击 DC Operation Points 后，选择器件，观察信息中的，region，对应的数字表示处

在的工作区域，0：截止，1：线性区，2：饱和区，3：亚阈值区。如图 27：

2
图 27

3.两种方式都能知道管子的工作区域，此处放大管处于线性区，为了使管子饱和，(1).可以
加大放大管的 DC 电流，(2).减小放大管所需要的电流，针对方案 1，可以加大偏置电流源的大
小，或者提高 PMOS 电流源的宽度，加大复制过来的电流。针对方案 2，可以减小 NMOS 放大
管子的宽长比。此教程采用加大 PMOS 复制管电流源大小的方法。如图 28：
 图 28

4.再观察 DC 仿真结果，结果如图 29：

图 29

5.可以看到，所有管子处于饱和区，可以得到合适的仿真值。再进行 AC 仿真和 tran 仿真

结果如下，此处 tran 仿真观察了输入和输出信号，outputs 界面和仿真结果如图 30 和 31：

图 30
 图 31

6.仿真结果正常，要得到需要的仿真结果，需要计算，认真调整各个参数。

(2)参数仿真和计算器的应用

以改变输入信号偏置电压（vsin 中的 DC voltage），观察放大管子的 gm 值为例子，介

绍参数仿真（改变 DC voltage 的值，得到 gm 的对应曲线的方法至少有三种方法，此教程提
出 OP 仿真法，学有余力的同学可以探究下其他方法，主要熟悉软件的操作）。
1.按 Q，打开 vsin 信号源的 object properties，将 DC voltage 值设置为一个变量，注意，
不要设置为“ dc ”、 “ ac ”等关键字，此处设为 vin_dc （图 32 ），并选择 Variables-Copy From
Cellview 如图 33：

图 32 图 33

2.在 Design Variable 窗口设置变量的值，如图 34：

 图 34

3.打开 setting outputs，即点击删除符号上面的按键，如图 35：

图 35

4.在 calculator 中选择 Open，打开计算器，选择计算器中的 op（注意，一定要先进

行 DC 仿真），见图 36，在原理图中选中要观察的管子，此处为 nmos 放大器，在出现
的图框中的 List 中选出 gm。如图 37：

图 36 图 37

5.再看计算器显示，对应的公式出现在上面（图 38），然后在 Setting Outputs 中选 Get

expression，得到计算器中表达式，并设置名字（图 39），再点击 add，添加至仿真结果界面
中（图 40）：

图 38

图 39

图 40

6.接下来进行参数仿真，在 ADE L 中选择 Tool-Parametric Analysis（图 41），出现选

参数分析界面，见图 42：
 图 41

图 42

7.在 step mode 选择扫描形式，此处选择线性扫描，扫 20 个点。我们观察 DC 仿真的

op 结果，所以在 ADE L 的 Analysis 可以将 ac 和 tran 仿真的 enable 去掉。然后，在
Parametric analysis 中点击绿色按钮启动仿真，结果如图 43：

图 43

8.接下来，可以保存仿真设置，在 ADE L 中选择 Session-Save State，按图 44 设置，点击

OK 即可。

图 44

9.需要调用其中的仿真设置的时候，在 Session 中选择 Load State，选需要的已存好设置即可。

(3)设计规范化

电路设计的时候，原理图和 testbench 应该分开，需要将设计的电路原理图做成一个

symbol，可以方便调用。
1.将源和地删除，并把外加的信号，用 pin 脚替代，见图 45（则按 P 键，设置 pin 脚名字
和输入输出形式，只将输出信号设置为 output 即可）
2.将负载（此处是电容）删除，负载应该放在 testbench 中
3.标注 ibais 和 out 线，添加对应的 pin 脚

图 45
4.保存，此时原理图如图 46

图 46

5.在原理图中选择 Creat-Cellview-From cellview，见图 47

图 47
6.一路 OK，直到出现图 48

图 48
7.可以对此图进行各种操作，此处简单处理下，见图 49，并保存，点击左上保存快捷键（X
快捷键此处无效果）

图 49
8.然后关闭原理图和 symbol 图，这两个文件都在同一个 cell 里面，注意，此时有各种保
存提示，一定点 yes。
9.在同一个库，再新建一个 cell，此处取名 cs_tb，即 testbench，如图 50：

图 50
10.在 cs_tb 中添加 cs 的 symbol，按 I 即可添加，如图 51，添加后见图 52：

图 51
 图 52

11.将线连上，见图 53，就可以打开仿真了，如果想观察 symbol 里表示的电路，双击后，

在 View 中选择 schematic，点 ok 即可，也可以用快捷键 E，返回上一层则按 Ctrl + E

图 53

12.接下来，则可以进行仿真。