精選文章—

新一代高效率奈米微粒研磨設備之現況及發展
Advanced Wet Grinding and Dispersing mill Specially
Considering the Ultra Fine Particle Size Range
陳仁英/廣融貿易有限公司專案經理

摘要

奈米科技是本世紀科技發展的重要技術領域，藉由奈米科技之發展，已創造另一波技術創
新及產業革命。其應用領域非常廣，遍及綠能、電子、光電、醫藥生化、化纖、建材、金屬等
產業，以及最重要之基礎產業。不論其應用之領域為何，所需要用的材料均為次微米或奈米級
尺度之材料。如何得到奈米級之粉體，且如何將奈米級之材料於適當的界面改質後，成功的應
用到其最終之產品，已成為目前產業及學術界共同之研究課題。本文將介紹最新奈米粉體之配
方篩選、輸送、預攪拌、分散研磨及界面改質之技術與設備，以期快速得到穩定且奈米化的最
終產品。

引言

筆者代理瑞士 Buhler 及先前 DRAIS 公司研磨機之業務已逾 20 年，曾受邀在國內大專院校、

工研院、中科院及私人企業，針對「新一代高效率微粒研磨及界面改質技術之現況及發展」為
主題演講，已超過 1,000 場，並規劃超過 1,000 案，在台灣已銷售逾 600 廠之實績。主要之應用
領域可以 1998 年為區分點，1998 年以前，企業界所面臨的問題為如何提高分散研磨效率以降
低勞力成本，如染料、塗料、油墨等產業；而 1998 年以後，產業之技術瓶頸則為如何得到微細
化(奈米化)之材料，以及如何將奈米化之材料分散到最終產品中，例如電動車電池用鋰酸磷鐵正
極材料、太陽能薄膜用材料、透明隔熱膜之材料、光電業之 TFT-LCD、Jet ink，以及電子、醫
藥、食品、紡織等各行業。

在奈米微粒分散研磨研發過程中，最怕的是當漿料之粉體被微細化後(一般粉體粒徑小於
300 nm 時)，但尚未達到粒徑要求前，即已產生膠化 (gel )現象 ! 為解決此問題，本文將提供最
新的配方篩選機 (德國 Lau Disperser)，其使用簡單，可同時測試 1~16 或 1~25 樣品，每個樣
品之測試量只需 39 or 140 c.c，一般在 1 小時內即可判斷樣品配方之適當性。

1
 奈米粉體於投料時，常因顆粒很小而使粉體容易飛揚，同時奈米粉體因比表面積較大，故
往往不易將全數之粉體投入預攪拌桶槽內。瑞士 Buhler 公司已於 2013 年研發出同時結合進料，
瞬間將液體及粉體於輸送到桶槽前先預混 (inline dispersing )及結合簡易研磨機之分散研磨之設
備(Buhler Dispernator )，可同時完成奈米粉體投料、預混、預分散研磨之功效，達到奈米粉體投
料可以無塵化(dust free) 之要求，並縮短漿料後段粉體微細化之時間。

在傳統產業奈米化的過程中，最常遇到的共同問題為所添加的奈米粉體或分散液未先經過
改質之設計，致使下端應用時易再次凝聚，不易被分散開，導致預期的奈米現象並沒有產生。
所以如何量身打造設計適當的界面改質劑、如何將其分散到最終的產品中，已成為新一代分散
研磨及界面改質技術最重要之課題。

Buhler 公司已於近年成功研發出新一代的高速研磨機(Micromedia)，速度可以平順的帶動
0.02~0.05mm 之磨球運動，再配合 Buhler Nanotechnology 部門研發出之界面改質劑，可以快速
地將無機及有機粉體分散研磨到 10 nm 以下。

本文將探討奈米粉體於市場上應用之現況與發展、如何進行奈米漿料配方之快速篩選、如
何快速將奈米粉體利用真空吸附原理投入預混桶內並同時做預分散研磨之工作、如何使用 0.02
~0.3 mm 之超微細磨球、如何利用新一代之高速攪拌珠磨機為工具，以及量身打造之界面改質
劑，將其包覆在奈米粉體表面上做一適當之改質，以期得到穩定且奈米化的最終產品等主題。

一、奈米級粉體分散研磨及界面改質技術的現況與發展

(一)奈米粉體之製造方法

一般欲得到奈米粉體有 2 個方法，一為化學法由下而上製造(bottom up)，如化學沈澱法，

溶膠凝膠法(sol-gel)等，另一種方法則為物理方法，將粉體粒子由大變小(top down)，如機械球
磨法等。

不管採用由下而上或是由上而下之方法，皆須先將粉體做界面改質工作，才可得到穩定的
奈米粉體或分散液。

(二)分散(Dispersing)及研磨(Grinding)之原理

顧名思義，分散之定義為使奈米粉體被其所添加之溶劑、助劑、黏結劑、樹脂等包覆(coating)
住 ， 以 便 達 到 顆 粒 完 全 被 分 離 (separating) 、 潤 濕 (wetting) 、 分 佈 (distributing) 均 勻 及 穩 定
(stabilization)之目的；研磨之定義即是利用剪切力(shear force)、摩擦力或衝力(impact force)將粉

2
體顆粒由大研磨成小顆粒。

在做奈米粉體分散或研磨時，因為於粉體尺度由大變小的過程中，凡得瓦爾力及布朗運動
現象逐漸明顯且重要。所以，如何選擇適當之助劑以避免粉體再次凝聚，以及如何選擇適當的
研磨機來控制研磨漿料溫度，降低或避免布朗運動之影響，將成為濕式研磨分散方法能否成功
得到奈米級粉體之研磨及分散之關鍵技術。分散研磨之示意圖如圖 1 與圖 2 所示。

三滾筒 珠磨機

分散研磨前
剪切力
v1
v2>v v1
1
v2
分散 研磨

v2
壓力及 v2>v v1
衝力 1

分散研磨後
v1
分散研磨所需之比能量 (遞增)
4 | Advanced Wet Grinding - Taipei-Seminar | Norbert Stehr | Aug 29th 2007 | © Bühler

1 | Advanced Wet Grinding - Taipei-Seminar | Norbert Stehr | Aug 29th 2007 | © Bühler

圖1 分散研磨示意 圖2 濕式分散研磨之原理

(三)奈米粉體界面改質 (Surface Modification)之重要性

奈米粉體仍無法成功的被應用於量產階段，其主要原因為生產者尚未將傳統工業於奈米化
時，掌握住所有製程之轉化條件，其中包括製程之設計，奈米粉體之前處理，奈米粉體之轉化
條件等，尤其是奈米粉體因凡得瓦爾力之作用易產生團聚之現象，若只靠傳統之分散技術，並
無法將奈米粉體分散開來，因此若要成功地將傳統工業奈米化，首先要瞭解的關鍵技術，即是
如何先將奈米粉體適當地轉化，使其於添加到下一個界面後仍為奈米粒子，沒有團聚之現象產
生。

說到這裡，吾人不難瞭解為何至今仍有那麼多奈米粉體無法成功地被應用！ 其主要原因為
市面上大部分的奈米粉體皆尚未被適當地改質，因此無法直接使其成功地被應用到奈米產品之
開發與製造。

今日市面上已有多種奈米產品被開發出來，可惜的是大部分的粉體例如 SiO2、 Al2O3、TiO2、

ZrO2 及 ITO 等粉體，皆尚未被依需求而量身打造地改質，所以無法成功被應用。同時，成千上
萬之企業想從事奈米產品之開發，但大部份的人找不到適合他們用的已改質過的粉體，所以如
何先將奈米粉體做一適當地改質，並使其可以成功地應用到產品端，將是從事奈米科技的人不
可不學的課程！

3
(四)粉體需要因不同之應用而加以改質

目前已有多家的化學品公司及新成立的奈米分散液製造公司，宣稱可提供一些標準的奈米
分散液，但因市面上大部分的奈米分散液尚未被量身打造的改質，因此仍無法直接使其被應用
到最終奈米產品之開發與應用。其原因為當尚未被適當改質之奈米分散液被添加到最終之產品
時，往往因界面不相容而產生團聚之現象產生，所亦奈米之效果並無法被展現出來。例如有些
應用將奈米 ZnO 塗佈於光學膜上，由於該 ZnO 粉體並未先做適當之界面改質，所以光學膜於
塗佈該 ZnO 粉體後抗 UV 效果非但沒有增加，穿透率卻反而大幅降低。

Buhler 公司自 2003 年起，與德國新材料開發中心(Institute of New Material, IMM) 從事奈米

研究的專家合作，負責幫客戶開發並量身打造所需之界面改質劑，並於 2003 年 6 月併下分散研
磨設備之提供者—德國 Drais 公司，如此 Buhler 公司不但可以經由 INM 幫客戶開發配方(設計
所需之界面改質劑)，同時又可借 Drais 設備之經驗，提供幫客戶完整之服務。

二、奈米級粉體之相關技術與設備

(一)奈米級粉體配方篩選技術及設備

為快速得到一個好的漿料之配方及分散研磨設備之操作參數，本文介紹及推薦使用德國
Lau Disperser 設備，如圖 3 所示，可以根據漿料之黏度及粒徑要求，放置 50%磨球充填率適當
大小之磨球，再放置欲測試之各種不同之分散劑及不同分散劑之比例，一次可以同時將 1~16 或
1~25 個測試之樣品放置於樣品固定架上，然後將樣品隨同樣品固定架放置於配方篩選機內，配
方篩選機將以每分鐘行星式橢圓型之運動軌跡振動 660 下，利用磨球因被振動而產生剪切力來
分散研磨漿料。該設備亦設計有風扇來散熱以免漿料之溫度過高，一般於振動 30~ 60 分鐘後即
可判定配方之適當性及穩定性，然後再從成功的選擇最佳之配方及適當之磨球大小，利用研磨
機來做分散研磨之工作。

圖3 德國 Lau Disperser 配方篩選機

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(二)奈米粉體之投料，輸送及預混設備

奈米粉體於投料時因顆粒很小，粉體容易飛揚，同時奈米粉體因比表面積較大，故往往不
易將全數粉體投入預攪拌桶槽內。Buhler 公司於 2013 年研發出同時結合進料，間將液體及粉
體於輸送到桶槽前先預混(inline dispersing )，結合簡易研磨機之分散研磨之設備 (Buhler
Dispersnator，圖 4)，可同時完成奈米粉體投料、預混、預分散研磨之功效，達到奈米粉體投料
可以無塵化(dust free) 之要求，並縮短漿料後段粉體微細化之時間。

圖4 Buhler Dispernator 奈米粉體之投料、輸送及預混設備

(三)奈米級粉體之分散研磨原理

機械濕式研磨方式是得到奈米級粉體最有效率且最合乎經濟效益之方法，本單元將針對濕
式研磨及分散方法之原理及製程做一深入探討。本文將以圖 5 之研磨機為例進行說明。

Product Portfolio – Bead Mills

blocking
product outlet system
with thermometer
agitator
screen process discs
cartridges chamber

machine frame

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圖5 奈米級高速攪拌珠磨機之範例

5
 圖 5 之研磨機為一密閉系統，在研磨機研磨室內放了適當材質大小的磨球(grinding media)。
其原理如圖 6 所示。

PMC SUPERTEX®
for metal-
metal-free grinding
product
outlet product
removal inlet
cartridge
exchangeable inner liner

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圖6 奈米級高速攪拌珠磨機之示意

馬達利用皮帶傳動攪拌葉片，將動力藉由磨球運動產生剪切力(shear force)，漿料因幫浦推
力，於研磨室移動過程中與磨球因相對運動所產生剪切力而產生分散研磨效果。一旦其粒徑小
於研磨室內分離磨球與漿料之濾網間隙大小時，漿料將被擠出至出料桶槽以便得到分散研磨效
果。上述過程為研磨 1 個 pass，若尚未達到粒徑要求，則可以重複上述動作，進行第 2 個 pass，
第 3 個 pass，直到粒徑達到要求為止。上述流程可以下列圖 7 之流程圖表示。

Control system for automated agitated media

milling – Pass and recirculation grinding

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圖 7. 奈米級高速攪拌珠磨機之操控流程

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1.漿料之前處理及預攪拌(Pre-mixing)

本系統能否成功地達到研磨或分散目的，主要靠研磨介質(即磨球)之大小及材質之選擇是否
得當。以筆者曾規劃及實際試車數百廠之經驗，於 2007 年以前，能選擇之最小磨球為 0.3~0.4 mm，
但於 2007 年 Buhler 研發出新一代的研磨機，最小可以使用 0.02~0.05 mm 之磨球。同時，為了
讓那麼小的磨球能夠在研磨過程中不受漿料移動之推力影響而堵在濾網附近，導致研磨室因壓
力太高因而停機，其攪拌葉片之切線速度因需要達 16m/sec 以上。同時，當漿料之黏滯性能調
整到 100 CPS 以下時，磨球之運動將不受漿料黏度影響。若搭配適當之界面改質劑，漿料之固
成分可高達 40%。當然，為避免 0.02~0.05mm 磨球經由濾網流出研磨室或塞在濾網上，所以濾
網間隙需調整到 0.01~0.02mm。上述之關係可以整理成如表 1 所示。

DRAIS研磨機各種不同大小磨球之選擇參考法則

操作條件球大 最後粒 起始粒 漿料黏 固成份 Rotor 濾網間隙

小 徑 um 徑 um 度 cps % (wt) 轉速 m/sec mm

0.02 mm < 0.03 <2 <20 <15 >14 0.01

0.05 mm <0.05 <5 <50 <20 >13 0.02

0.1 mm <0.08 <10 <100 <25 >12 0.05
0.2 mm <0.1 <20 <200 <30 >11 0.1

0.3-0.4 mm < 0.1 <30 < 200 < 35 >10.5 0.1/0.15

0.4-0.6 mm <1 <40 < 1000 < 60 > 10 0.22/ 0.2
0.7-0.9 mm <2 <80 < 2000 < 70 >9 0.3/0.35

0.9-1.1 mm < 10 < 150 <5000 < 75 >8 0.5

1.75-2.5 mm < 20 < 150 <100000 < 83 > 6.5 0.6

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表1 奈米級高速攪拌珠磨機各種不同大小磨球之選擇參考法則

為了達到表 1 要求，於前處理或預攪拌時，需依下列法則準備研磨前之漿料，整理如下：
(1) 先利用適當的研磨機將漿料初磨到 D100<1 um。
(2) 將漿料之黏度(viscosity)、固成分、研磨前之粒徑大小(start fineness)依目標粒徑做準備，
並滿足表 1 之需求。
(3) 預攪拌或前處理系統攪拌葉片之轉速需為高速設計。建議切線速度為 2~6 m/sec，以避
免漿料沈澱或不均勻問題產生。

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2.研磨機部分

為了快速達到分散研磨粒徑要求且使研磨機可以正常運轉，所需控制之法則及參數如下：
(4) 依所需之粒徑要求選擇適當的磨球。例如，若需達到奈米級之要求且避免磨球損耗，
需選擇釔安定之氧化鋯磨球，莫氏硬度越大越好，磨球表面需為真圓，沒有孔隙，磨
球之大小為 0.02~0.3 mm。磨球選擇適當與否將會決定能否成功地研磨到所欲達到之
粒徑要求。
(5) 依據磨球大小及漿料黏滯性調整適當的攪拌葉片轉速。一般奈米級粉體之分散研磨，
轉速需達 10~16 m/sec 以上。
(6) 控制研磨漿料溫度。一般奈米級漿料之研磨溫度需控制在 35℃以下。影響漿料溫度之
主要參數葉片之轉速、磨球充填率、研磨室熱交換面積大小、冷卻水條件、漿料黏滯
性及流量等。
(7) 依據磨球大小調整適當之濾網間隙。一般濾網間隙為磨球直徑之 1/2～1/3。
(8) 調整幫浦轉速。在研磨室可以接受之壓力範圍內，幫浦轉速越大越好，如此可以於同
一研磨時間內增加漿料經過研磨機之研磨次數，以得到較窄之粒徑分佈。
(9) 記錄研磨機所需消耗之電力 kW 值。
(10) 於取樣時，記錄每個樣品之比能量(specific energy)值，並於分析該粒徑大小後，將比
能量與平均粒徑之關係做出，以利將來放大時做為參考。
(11) 於達到所需之比能量值時即可停機。此時，原則上已達到所需研磨分散之平均粒徑要
求。

3.循環桶槽部分

一般欲得到奈米級粉體或分散液，需利用研磨機分散研磨數十次，甚至上百次才可以達到
粒徑要求。為了節省人力及有利於自動化﹑無人化操作，筆者極力推薦使用循環式操作模式
(recirculation operation mode)做奈米級粉體之分散研磨及界面改質的工作。其主要之考慮重點如
下：
(1) 循環桶槽之大小不宜太大。一般若研磨機對大流量為 3,000 l/hr 時，則桶槽最大容量為
500 L。一般循環桶槽大小為研磨機最大容許流量之 1/5~1/10 為宜，越小越好。如此可
以增加循環桶槽內漿料於同一時間經過研磨機之研磨 ，得到較好之粒徑分佈。
(2) 循環桶槽需有攪拌葉片設計，攪拌之速度不宜太快，以 0~3m/sec 為宜<
以避免氣泡問題產生。
(3) 循環桶槽需有熱夾套層之設計，以增加研磨效率。

8
 若欲有效率的得到奈米級粉體之分散研磨及界面改質，上述之前處理，研磨機及循環桶槽
之各要素均需具備，缺一不可。

4.決定平均粒徑(D50)之方法

若漿料配方不變且研磨機操作條件亦固定之條件下，平均粒徑將決定於比能量(specific
energy)值，比能量 E 值之定義如下：
P  P0
E  
m  cm
E : 比能量，單位為 kWh/t
P : 消耗電力，單位為 kW
P0 : 無效的消耗電力，即尚未加入磨球時，啟動研磨機之消耗電力，單位為 kW
m' : 流量，單位為 ton/hr
Cm : 固成分，單位為％

由上可知，比能量之物理意義為每公噸粉體每小時所消耗的電力，如圖 8 所示。以研磨碳
酸鈣為例，筆者改變了 6 種不同的研磨機攪拌葉片之速度(6.4~14.4 m/sec)，以及 7 種不同的流
量，以 X 軸為比能量，Y 軸為平均粒徑，由此圖可以得知，不論流量或攪拌葉片之速度在允許
範圍內如何改變，只要比能量值固定，則其研磨所得之平均粒徑亦將固定。所以，若欲讓品質
重現，只要控制相同的比能量值，即可得到相同的平均粒徑值。

圖8 研磨機消耗比能量與研磨所得漿料 均粒徑之關係

9
5.磨球大小對研磨結果之影響

不同磨球大小將影響達到同一粒徑要求時所需之比能量值。由圖 9 可得知，當使用 1.0~1.4

mm 磨球研磨碳酸鈣時，需 320 kWh/t，才可達到粒徑 D80 < 2μm；但當比能量 E 值達到 96 kWh/t
後，改用 0.6~0.8 mm 磨球繼續研磨，則只需要比能量 180 kWh/t，即可達到相同粒徑 D80 < 2μ
m。若漿料之起始粒徑可以先處理的更小，例如 20μm 以下，則可以改用 0.4~0.6 mm 磨球研磨，
相信達到 D80 < 2μm 所需之比能量值將再大幅縮小。由上述之研究及說明可以得知，磨球愈小，
則研磨效果愈好，所需之比能量值也愈小。

圖9 研磨相同漿料粒徑要求時，使用不同磨球大小與其消耗比能量與之關係

6.決定粒徑分佈(Particle size distribution)方法

如圖 10 及圖 11 所示。由途中可以得知，粒徑分佈決定於 Peclet number 之大小，Peclet number

愈大，則粒徑分佈越小。Peclet 之定義如下：

v l
Pe 
D
Pe ： peclet number
V ：軸向運動速度
l ：研磨室長度
D ：擴散係數

10
 所以當漿料被幫浦打入研磨室後，當軸向的運動速度愈快，則軸向之剪切力將愈越大，同
時當研磨室內漿料之擴散係數能控制得愈小時，則 Peclet 值將越大，如此可得到粒徑分佈較窄
之粒徑分佈。

於實際應用時，若操作者於研磨過程中，可在研磨室之壓力允許範圍內，儘量增加流量，
如此可以提高 Peclet number 值，以便得到較窄之粒徑分佈，如圖 12 所示，Peclet number 值越
大時，所得到粒徑分佈將越窄。

圖 10 研磨漿料在研磨機內之運動模式

11
 圖 11 研磨漿料粒徑分佈之決定法則

圖 12 研磨漿料粒徑分佈之決定法則與 Peclet Number 之關係

12
三、界面改質技術之概念

(一)化學機械製程

在導入界面改質技術概念前，先前吾人可利用三滾筒分散機、珠磨機等分散研磨設備將材
料分散研磨到微米或次微米級， 但卻很難達到奈米的尺度 ! 其主要原因為一旦材料之顆粒大
小被機械力分散研磨奈米化後，此時粉體之比表面積急遽增加，凡得瓦爾力效應及布朗運動轉
為明顯，粉體因而容易再度凝聚在一起，所以不管再怎麼分散研磨，粒徑總是降不下來！為解
決此問體，在此介紹一個非常有效的方
法—化學機械製程法(chemomechanical
界面改質劑
processing)。

此製程的主要概念如圖 13 所示。
將量身打造好之界面改質劑，利用高速
攪拌珠磨機(high speed agitated beads 未改質前之奈 改質後之奈米
mill) 為工具，將奈米粉體做適當之界 米粉，有聚集現 粉，粒徑較小，
分散研磨參數
象，粒徑較大， 粒徑分佈也較
面改質，以避免奈米粉體之再凝聚，一 粒徑分佈也較 窄
直分散研磨到粒徑達到要求為止 。
圖 13 化學機械製程法 ( Chemomechanical

(二)以攪拌珠磨機當反應器

(Agitator bead mill reactor)

在使用化學機械製程法時，攪拌珠磨機於奈米粉體之分散研磨及界面改質的過程中，提供
了很多的優點，並扮演著重要的角色。本系統採用濕式分散研磨方法(wet grinding )， 因為是濕
式，所以漿料溫度之變化較不易因研磨而急速上升，也因此可以選用較小之磨球，如 0.05~0.1 mm
磨球為研磨介質，再搭配研磨機之高攪拌速度 (約 10~16 m/s )，以縮短分散研磨及反應所需之
時間。

本製程之另一個好處為所有的研磨參數，如攪拌器之轉速、磨球之充填率、流量等，皆可
以因需要而調整到最佳化之研磨條件，並可以等比例
放大，以供日後正式量產時使用。在使用化學機械製
程法時(圖 14)， 吾人只需先行將界面改質劑加入欲改
質粉體漿料內，再依最終之粒徑要求來設定研磨機所
需之消耗電力及比能量值，利用循環操作模式
(circulation operation mode )來做分散、研磨及界面改

圖 14 攪拌珠磨機當反應器示意

13
質之工作，研磨機於運轉過程中將自動累積所消耗之電力，直到所設定之比能量達到時將自動
停機，如此可以確保研磨品質之均一性。

由過去之經驗得知，在分散或研磨奈米粉體之漿料時，若未添加適當之界面改質劑，單靠
研磨機之機械力量來做分散研磨，一般只能分散研磨到 100~200 nm 就無法再將粒徑往下降，
其理由為當粒徑小於 300 nm 時，粉體之比表面積急速上升且凡得瓦爾力效應加劇，此時粉體處
於非常不穩定且容易再凝聚之狀態，即使聚集之粉體被磨球打開來了，也非常容易再凝聚回來，
除非添加適當之界面改質劑，才可能繼續降粒徑往下降到一次粒徑之大小。

(三)化學界面改質劑之設計(Chemical surface modification)

一般處理漿料界面的方法，有藉由複雜交互作用力，如靜電排斥力、立體排斥力及體積排
除作用力(Electrostatic, steric and excluded volume interaction)等力形成固體或液體界面的穩
定狀態，其目的不外乎是避免粉體再凝聚之產生。其中最簡單的方法為藉由 PH 值的調整，來
讓奈米粉體表面帶電荷，使粉體與粉體間產生電斥力(electric repulsion)，然而，奈米粉體因受限
於其最終產品應用及配方之限制，適用此方法之應用並不多。

第二種常用的方法為藉由立體排斥作用力來形成固體與固體，固體與液體間的穩定狀態，
此方法最常選用具高分子量之高分子或單體來當分散劑，當漿料之粒徑要求為微米或次微米時，
此方法效果相當好，但當所欲分散或研磨之漿料的粒徑要求小於 100 nm 時，若仍選用具高分子
量之高分子或單體來當分散劑，當粉體被奈米化時，漿料內之大部分體積已被高分子量之高分
子或單體所形成之障礙物所佔據，此時漿料容易遇到下列問題：
(1) 固成分大幅降低，一般為 35 % wt 以下
(2) 漿料之黏滯性因而提高,不利研磨機內小磨球之運動，導致最後之粒徑降不下來
(3) 粉體容易產生再凝聚之現象，導致奈米現象無法產生

為了避免上述問題之產生，本文所介紹之化學機械製程法，建議選用較低分子量之官能機
來當界面改質劑。根據溶液化學 (solution chemistry )的概念， 較小分子量之化學鍵所形成之官
能基，將較易被接到奈米粉體的表面上，如圖 15 所示。其所選用之界面改質劑為低分子量之有
機酸之官能基。
官能機(functional group )

HO O
OH + R R
O O

表面活性機(surface active group)

圖 15 界面改質劑選用之法則與範例

14
 原則上，所選用之界面改質劑同時具有 2 個官能基：一個官能基被設計來接到奈米粉體表
面，使奈米粉體表面產生一個穩定相，以避免粉體之再凝聚產生；另一個官能基之設計，乃根
據日後該奈米粉體所計畫被添加之界面(Matrix) 而定，以避免不相容之現象發生。因為本界面
改質製程所採用之工具為濕式分散研磨設備，所以所選用的界面改質劑需能與所使用之溶劑相
容。儘管所選用之界面改質劑之分子量很小，但仍可在奈米粒子表面產生 2~5 nm 厚度之薄膜，
足夠產生一個立體障礙，並支撐奈米粒子之穩定性。根據上述原理所量身打造之界面改質劑，
可以滿足下列之要求：
(1) 固成分可以大大提高到 35~45% 以上
(2) 粒徑可以降到粉體一次粒徑之大小(例如 10 nm 左右 )
(3) 漿料之黏滯性不再受粒子粒徑下降之影響而急速上升
(4) 粉體不易產生再凝聚現象，即使添加到後段之製程仍為奈米粒子

四、新一代奈米級研磨機之設計及應用

(一)新一代奈米級研磨機之設計

當前工業界希望能得到之奈米材料，如圖 16、圖 17 及圖 18 所示。需能滿足下列之需求：

1.為延伸到更多之應用，需要粒徑分佈更窄之奈米材料
2.因應產品輕薄短小之趨勢，需要得到粒徑為 1~100 nm 之奈米粉體
3.為提高反射係數值(refractive index)、顏色強度(color strength)，提高 IR/UV/X-Ray 吸收值
4.為縮小體積並同時提高品之容量及功能，如積層陶瓷電容(MLCC)、磁性材料、電子元
件等，需要盡量將材料奈米化
5.為滿足產品於添加奈米材料需具透明性等應用

15
 The realm of influenceable product features through the
incorporation of nanoparticles is vast - some examples
Best possible transparency + …

UV absorption • n-TiO2 Next generation • n-BaTiO3

• n-ZnO electronics • n-Mn2O3
• n-FexOy components • n-ZrO2

Enhancement of • n-SiO2 X-ray opacity • n-ZrO2

mechanical • n-, Al2O3 • n-BaSO4
properties • (n-CNT)

Electrical • n-ITO Control of • n-SiO2

conductivity • n-ATO translucence • n-Al2O3
• n-CNT • n-Clay

Refractive index • n-ZrO2 Functional surfaces • n-SiO2

matching • n-TiO2 • n-TiO2
• n-SiO2

© Bühler AG | Taiwan Seminar | 29.08.2007 | #6

Pat. Pend. DE10304849.A1/Patents: EU Nr.636111/US 5,593,781/J Nr.3569785/DE Nr.10359659.3/PCT/EP2004/014425/DE Nr.102004048 230.6

圖 16 奈米粉體之特性及應用要求 (一)

The industrial need - Selected properties of nano-particles

 Shifting psd to nano-range:

 innovative quality properties designable

 “nano particles“: solid matter in the size range d = 1 - 100 nm

 transfer properties, characteristic for the material, into carrier

 e.g. refractive index, color, IR / UV / X-ray absorption

 entail dimensional features

 e.g. magnetic, electric properties; allow for miniaturization (MLCC)

 appear to be transparent for particle sizes: d < 30 nm

negligible light scattering: d < 1/20 

wave length of visible light:  = 400 – 750 nm

33 | Advanced Wet Grinding - Taipei-Seminar | Norbert Stehr | Aug 29th 2007 | © Bühler

圖 17 奈米粉體之特性及應用要求 (二)

16
 Particle size distribution and transparency

 decrease agglomeration & Transparent

 shift particle size distribution
 or: true grinding of primary particles Materials

Number of particles (arb. units)

Number of particles (arb. units)
Agglomerates Primary particles Primary particles

Agglomerates
Primary particles

0 20 40 60 80 100 120 0 20 40 60 80 100 120 0 20 40 60 80 100 120

Particle diameter (nm) Particle diameter (nm) Particle diameter (nm)

34 | Advanced Wet Grinding - Taipei-Seminar | Norbert Stehr | Aug 29th 2007 | © Bühler

圖 18 奈米粉體之特性及應用 (三)

(二)新一代奈米級研磨機 Micromedia 之設計

為滿足前述工業界對奈米粉體之要求，新一代奈米級分散研磨設備之設計需能滿足「大流
量、小磨球」之設計法則，以期得到粒徑分佈很窄之奈米漿料及粉體。Buhler 公司於 2007 年
設計出如“ Micromedia 新型研磨機，如圖 19。該機型設計原理如圖 20 所示，可適用於磨球大小
分別為 0.02、0.05、0.1、0.2 及 0.3 mm，如圖 21 之超微細磨球， 機型從一次研磨 0.1 l 批次量
漿料之研發機台(圖 22)，到流 MicroMedia® P1 – C Pilot to small production size mill
量可達 3,000 l/ hr 量產機台
(圖 23)之機型皆已開發完成。
研發所得的參數完全可以等
比例放大到量產機台(圖 24)，
材質則有不鏽鋼及陶瓷材質
(圖 25)可供選擇。其應用領域
相當廣，如 LCD 之 color paste、
MLCC 之陶瓷粉，以及各種有
機、無機粉體之分散研磨，如
圖 26 所示。
37 | Advanced Wet Grinding - Taipei-Seminar | Norbert Stehr | Aug 29th 2007 | © Bühler

圖 19 適用 0.02~0.3mm 磨球之 Micromedia 研磨機

17
Schematic of MicroMedia® designed for micro beads

product in

helical peg set-up

(in flow direction) shear thinning area
slotted openings protection screen
(start-up bead transfer)
grinding annulus
helical peg set-up
(counter-flow effect) centrifuged beads (green)
shear gap inner discharge duct
(peg against stator) no grinding area!
product flow (red) (product cooling)

product out

36 | Advanced Wet Grinding - Taipei-Seminar | Norbert Stehr | Aug 29th 2007 | © Bühler

圖 20 Micromedia 研磨機設計原理

NanoMilling - Benefits of micro beads

 Minimizing interstices between adjacent beads

 Achieving psd in the nanometer range (isolating primary particles)

 Allowing for finely adjusted load intensity per event of bead contact

 Prevent damage of particle morphology – (where relevant)

 number of beads (contact points) is proportional to (1/diameter)³

number of beads : 1 x 37 x 1.000 x 125.000

vol. of a 1mm bead

35 | Advanced Wet Grinding - Taipei-Seminar | Norbert Stehr | Aug 29th 2007 | © Bühler

圖 21 0.02~ 0.3 mm 磨球之優點

18
MicroMedia® L at PML 2 drive (active volume 0,05 l = 50 ml)

51 | Advanced Wet Grinding - Taipei-Seminar | Norbert Stehr | Aug 29th 2007 | © Bühler

圖 22 適用於研發之 Micromedia 研磨機

MicroMedia® P2 – body fully stainless steel

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圖 23 適用於量產之不鏽鋼研磨機

19
MicroMedia® scale-up MM P1  MM P2
nano-processing of an organic particle dispersion

1,1
Vgc vu φ V/t
1,0 MM P1 1,2 v1 m/s 75% 180 l/h
particle size d50/d50,ref

MM P2 6,3 v1 m/s 75% 1000 l/h

0,9

0,8

0,7

0,6

0,5

0,4
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0
normalized milling time t m /tm ,ref

49 | Advanced Wet Grinding - Taipei-Seminar | Norbert Stehr | Aug 29th 2007 | © Bühler

圖 24 Micromedia P1 研發用研磨機結果可以等比例放大

MicroMedia® P2-C – launch ceramics – rotor (SSiC)

at ECS 2007 Germany

Drive: Pmax = 30 kW
Volume: Vact = 6,3 l

46 | Advanced Wet Grinding - Taipei-Seminar | Norbert Stehr | Aug 29th 2007 | © Bühler

圖 25 研磨機構材質為陶瓷 SSiC 之研磨機

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 Industrial nano-processing in bead mills
The ideal milling condition for processing of nano-dispersions in
various industries for different applications like:

 Functional ceramics

 Metal pastes

 Ink jet inks

 Color filters

 Scratch resistant coatings

differ substantially with respect to:

 required load intensity (per individual grinding event)

 specific energy requirement (integral number)

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圖 26 奈米粉體之應用領域

(三)應用實例

下面為利用本文介紹 Micromedia 研磨機，選用 0.05~ 0.1mm 之磨球，再配合 Buhler Partec

公司所設計之界面改質劑，以化學機械法來分散研磨及界面改質奈米漿料之實例。

圖 27 所示之奈米之氧化鋯粉體，一次粒徑小於 10 nm (primary particle size < 10 nm)， 左圖

為尚未經過改質前之奈米氧化鋯，粉體因產生凝聚之現象，所以仍無法被應用於後段之加工， 右
圖為該粉體利用本文所介紹的最新型 Micromedia 研磨機, 選用 0.05 ~ 01mm 之磨球, 經由化
學機械法法改質後， 90% 的粉體粒已小於 30 nm (d90, volume distribution)。 此改質後的奈米
氧化鋯粉體，可以容易地被添加到一些塗料以增加其表面硬度(hardness)及折射率(refractive
index) 。

比例尺長度: 50 nm

圖 27 TEM 下之 ZrO2，左邊之照片為未經改質前，右邊之照為改質後，下方之樣品為於研磨分散 1~7

小時之情形

21
 另一個應用實例為奈米級二氧化矽之應用，奈米級二氧化矽已大量地被添加到傳統之塗料
上，以便增加薄膜表面之強度且不影響到原先光之穿透率。其理由除了二氧化矽之價格低廉外，
又容易與大多數之有機高分子相容。由圖 28 可得知之二氧化矽膠體之粒徑分佈為 D90 < 12 nm，
儘管如此，於添加到塗料前仍先對其做適當之界面改質，以避免添加到塗料後產生再凝聚之情
形，因而產生而影響到穿透率。由圖 29 可以瞭解到當使用不同界面改質劑及不同粒徑大小之二
氧化矽膠體時與穿透率之關係，其中從傳動係數 (transmission coefficient)  值的大小可以得到
其與穿透率之關係。原則上 值愈小，穿透率將愈大， 當 值 > 100 時表示完全不透光。由圖
可以得知，只要選擇適當的界面改質劑，並對二氧化矽做適當之改質，將其添加到塗料後，不
僅可以提高塗料之硬度，且不會影響到其穿透率。但同一之界面改質劑，若添加入不相容的溶
劑到塗料時，則可能產生反效果，例如圖 29，當 100 nm 之二氧化矽溶膠被添加到以乙酸丁酯
(butylacetate)為溶劑的塗料後，塗料穿透率反而變差。

圖 28 矽溶膠粒徑分佈 90% < 12 nm 圖 29 塗料添加奈米二氧化矽後與光穿透率之關係

上述之原理及方法，筆者已有逾 600 廠之實績，主要之應用領域如下：

1.透明隔熱膜之材料, 如 WO 之分散研磨
2.電動車電池之正極材料鋰酸磷鐵之分散研磨
3.Color paste/Color filter/TFT LCD，R、G、B、Y 及 BM 已成功地分散研磨到奈米級，透
明度需超過 90％，黏滯性控制在 5~15 CPS，含水率在 1%以下
4.Ink-jet Inks，顏料型 Ink-jet Inks 成功分散研磨到奈米級，黏度控制在 5 CPS 以下
5.CMP (chemical mechanical polish) slurry，半導體晶片研磨液粒徑已達奈米級，且能滿足
無金屬離子析出之要求
6.TiOPc (optical contact)，應用於雷射列表機光鼓上所塗佈之光導體，已研磨分散到奈米
級
7.奈米級粉體研磨，如 TiO2、ZrO2、Al2O3、ZnO、Clay、CaCO3 等，可分散研磨到 10 nm
8.奈米級粉體分散，如將奈米粉體分散至高分子，或將奈米級粉體添加到塑膠、橡膠等材
料之分散
9.醫藥達到奈米級之要求，且需能滿足 FDA 之要求

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 10.食品添加劑達到奈米級之要求。如β胡蘿蔔素等，需滿足 GMP 之要求
11.電子化學品達到奈米級需求，且需能滿足無金屬離子析出問題
12.其他需求

結論

由上述報告可以得知，若能先用配方篩選機來做配方之篩選，然後利用真空吸附投粉系統
來作漿料之預混，並選用如使用 0.02~0.05 mm 超微細磨球之研磨機進行粉體之奈米化，再搭
配量身打造的界面改質劑，將其包覆在奈米粉體表面上做一適當之改質，要得到穩定且奈米化
的最終產品將不再是一個夢想。

參考文獻

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Chem.Eng.Process.,18 (1984) 73-83

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