电磁场理论

第二章 静态电磁场
 本 章 内 容

2.1 静态电磁场的基本实验定律

2.2 静电场

2.3 恒定电场

2.4 恒定磁场
2.1 静态电磁场的基本实验定律
  
 ∆q (r ) dq (r )
=ρ (r ) lim
=
∆V → 0 ∆V dV


q=∫ ρ (r )dV
V
  
 ∆q (r ) dq (r )
ρ S (r ) lim
= =
∆S → 0 ∆S dS


q=∫ ρ S (r )dS
S
  
 ∆q (r ) dq (r )
ρl (r ) lim
= =
∆l → 0 ∆l dl


q=∫ ρ l (r )dl
C
   
(r ) qδ (r − r ′)
ρ=
 
观察点的矢径 源点的矢径
   ∆i  di
=J e=
n lim ( ) en
∆S → 0 ∆S dS

 
=i ∫
S
J ⋅ dS
   ∆i  di
= t lim(
J S e= ) et
∆l → 0 ∆l dl

  
i= ∫
l
J S ⋅ (en × dl )
2.1.3 库仑定律和电场强度
电荷在其周围的空间会产生电场，表现为对于被引入场中的其
他电荷有力的作用。表征电场特性的基本物理量即为电场强度矢量。
根据实验，当一电量为 q0（试验电荷）的正电荷引入电场时，

它将受到这一电场的作用力 F （电场力）。 实验表明，电场力的
大小与实验电荷的电量成正比。说明，电场力与实验电荷的比值与
实验电荷的大小无关，仅随实验电荷所处的位置而变化。因此，将
单位正电荷在某点所受到的电场力定义为该点的电场强度，记

为 E ，即：  
  F (r )
E (r ) = lim q0 —实验正电荷
q0 → 0 q0
电场强度的单位 ：V/m（伏特/米），或 N/C（牛顿/库仑）。
 
N
qqi 
N   
Fq
= ∑=
∑
F qi q
=i 1 =i 1 4πε 0 Ri
3
R i ( Ri = r − r i )
  
  F (r )
E (r ) = lim
q0 → 0 q
0


  qR   
E (r ) = ( R= r − r ′)
4πε 0 R 3
  

  ρ (r i′)∆V ′i R i
E (r ) = ∑
i =1 4πε 0 Ri 3

′ 
1 ρ (r ) R
=
4πε 0 ∫V R 3
dV ′

   

  1 ρ S (r ′) R   1 ρl (r ′) R
E (r ) =
4πε 0 ∫
S R 3
dS ′ E (r ) =
4πε 0 ∫C R 3
dl ′
 ρl
 ρE (cos θ1 − cos θ 2 )
 4πε 0 ρ

E ρl
Z (sin θ 2 − sin θ1 )
 4πε 0 ρ
ρl
Eρ =
2πε 0 ρ

a ρl z
Ez (0, 0, z ) = 3
2ε 0 (a + z )
2 2 2
   
ρS b 2π ez z − eρ ρ ′
E (r ) =
4πε 0 ∫∫
a 0 (z + ρ )
2
′
2 3
2
ρ ′d ρ ′dφ ′
2π  2π  
∫0
eρ d φ ′ = ∫0
(ex cos φ ′ + ey sin φ ′)dφ ′ = 0
   ρ z b ρ ′d ρ ′  ρ z 1 1
E (r ) ez =
S
∫
2ε 0 ( z + ρ ′ )
a 2 2 32
ez
S
[
2ε 0 ( z + a )
2 2 12
− 2 2 12
(z + b )
]
2.1.4 安培力定律和磁感应强度

  
 µ0 I 2 dl2 × ( I1dl1 × R12 )
F12 =
4π ∫
 C 2 ∫
 C 1 R123

 
F21 = − F12

µ0 为真空中的磁导率， µ=
0 4π × 10 H / m
（亨/ 米） −7
 磁感应强度矢量
电流或运动电荷在其周围空间会产生磁场，表现为对于被引入场中
的其他电流或运动电荷有力的作用。表征磁场特性的基本物理量是磁
感应强度矢量。
根据实验，当一电量为 q0 的试验电荷以速度 v 在磁场中运动经过
某点时，运动电荷 q0 在该点受到磁场对它的作用力为：
  
F q0 v × B 
=
洛仑兹力  磁感应强度矢量

当v与B平行时，运动电荷受到的洛仑兹力为零（ F = 0 ）；而当
  
v与B垂直时，运动电荷受到的洛仑兹力达到最大（=F F=max q0 vB ）。
磁场中某点的磁感应强度定义为：
Fmax
B = lim
q0 → 0 q0 v
单位为T（特斯拉），或Wb/m （韦伯/米 ）
2 2
 导体内的电流是由电荷的定向运动形成的，因此磁场对载流导体

也有力的作用。考虑载流导线回路上任一电流元 Idl ，它在磁场中
所受之力为：   
dF I (dl × B)
=
其中，
 dq  
Idl= ( )dl= dq ⋅ v
dt

dq 为 dl 段内所有运动电荷的量值，即在 dt 时间内穿过导线某一
截面的电量。
电磁场理论之第二章 宏观电磁现象的基本规律
毕奥—沙伐定律

 
  µ0 I1dl1 × R12   
∫C 2
F12 =× I 2 dl 2 (
4π ∫C 1 3
R12
) ∫

=
C2
I 2 dl2 × B ( r2 )

 
  µ0 I1dl1 × R12
B(r2 ) =
4π ∫
 C 1 3
R12
电磁场理论之第二章 宏观电磁现象的基本规律

    
  µ0 Idl ′ × (r − r ′) µ0 Idl ′ × R
=B(r ) =
4π ∫
 C  
r − r′
3
4π ∫C R3
  
  µ0 Idl ′ × (r − r ′)
dB(r ) =   3
4π r − r′

  
  µ0 J (r ′) × R
B(r ) =
4π ∫
V R 3
dV ′

  
  µ0 J S (r ′) × R
B(r ) =
4π ∫ S R 3
dS ′
电磁场理论之第二章 宏观电磁现象的基本规律

  µ0 I
B eφ (cos θ1 − cos θ 2 )
4πρ
  µ0 I
B = eφ
2πρ

  µ0 Ia 2
B(0, 0, z ) = ez 3
2 2
2(a + z ) 2
    
Idl ′ = eφ Iadφ ′ r ′ = eρ a
 
r = ez z
      1
r − r ′ = ez z − eρ a r − r ′ = ( z + a )
2 2 2

  '   
Idl ′ × (r −=
r ) eφ Iadφ ′ × (ez z − eρ a )
  2
= eρ Iazdφ ′ + ez Ia dφ ′

 
 µ0 Ia 2π eρ z + ez a
B( z ) =
4π ∫0 2 2 2
(z + a )
3
d φ ′
 2π  2π 
∫
0 ∫0
eρ dφ ′ = ( ex cos φ ′ + e y sin φ ′)d φ ′ = 0
 
µ0 Ia 2π ez a  µ0 Ia 2
B( z ) =
4π ∫0 2
(z + a )
3
2 2
d φ ′ e z
2
2( z + a )
3
2 2

  µ0 I
B(0) = ez
2a
3
2 2 3
(z + a ) 2
≈z
  µ0 Ia 2
B = ez 3
2z
2.2 静电场 2.2.1 真空中静电场的基本方程
 高斯定律
1. 真空中的点电荷：

 F q ⋅ eR
S E =
=
eR q0 4πε 0 R 2
q

  q eR  q q
∫ ∫ S 4πε 0 R 2 π 2
E ⋅=
dS ⋅ dS
= ⋅ 4 R
=
S 4πε 0 R 2
ε0
说明：
1）高斯面为封闭曲面.
2）穿进高斯面的电场强度通量为负，穿出为正.
3）仅高斯面内的电荷对高斯面的电场强度通量有贡献.
2. 多个点电荷：（体电荷）

  1 在真空中穿过任意高斯面的电场强度
∫
S
E ⋅ dS =∫ ρ dV
ε0 V
通量等于该闭合曲面所包围的总电量与
真空介电常数的比值。

   散度定理
∫
S
F ⋅ dS= ∫
V
∇ ⋅ FdV

   ∑q   ρ
 ∫ S
E ⋅ dS = ∇ ⋅ E =
 ε 0  ε 0
  
∇ × E = 0
 E ⋅ dl =
 ∫ C 0 
   
∫ C
F ⋅ dl = ∫ S
∇ × F ⋅ dS 斯托克斯定理
 高斯定理表明穿过静电场中任一闭合面的电通量等于包
围该闭合面内所有电荷之代数和的 1ε 倍，而与闭合面外
0
的电荷无关。
其次，上面所说的电场线起自正电荷、终止于负电荷的
这一性质，是高斯定律的必然结果。这一性质显示了静电场
是有源场。激发电场的电荷则为该电场的“源头”。
或者形象地说，正电荷是电场的“源头”，每单位正
1
电荷向四周发出 ε 0 条电场线；
1
负电荷是电场的“尾闾”，每单位负电荷有 ε 0 条电
场线向它汇聚（或终止）。
   q 1 4 3
∫ S E ⋅ dS = =
ε0 ε0 3
π a ρ 0

ρ0 a 3
E=
3ε 0 r 2

  1
∫S
E ⋅ dS =∫ ρ0 dV
ε0 V
ρ0 4 3
4π r =
2
E ⋅ πr
ε0 3
ρ0 r
E=
3ε 0
 例 均匀带电球壳的电场强度。
一半径为R , 均匀带电 Q 的薄球壳 .
求球壳内外任意点电场强 度.
解 （1） 0 < r < R
  
∫ E ⋅
S1
dS =0 ⇒ E =0

（2） r > R
  Q
∫S2
E ⋅ dS =
ε0
Q Q
4π r E = 2
⇒E=
ε0 4πε 0 r 2
解 对称性分析：轴对称
 选取闭合的柱型高斯面
 
∫ E ⋅
S
dS =
     
∫
S ( 柱面 )
E ⋅ dS + ∫
S ( 上底 )
E ⋅ dS + ∫
S ( 下底 )
E ⋅ dS

 
= ∫
S ( 柱面 )
E ⋅ dS
   λh
∫
S
E=⋅ dS ∫ =
S ( 柱面 )
EdS
ε 0

λh
2π rhE =
ε0
2.2.2 电位函数


∇ × F = −∇ × (∇u ) ≡ 0
6. 电位的微分方程
2.2.3 电介质中的高斯定律及边界条件
1. 电介质中的高斯定理
媒质中带电粒子和电磁场的相互作用会产生三个基本现
象：（电）传导、极化和磁化。每一种媒质在电磁场中均
存在着三种现象，根据其中主导的现象，可将媒质分为导
体（包括半导体）、电介质和磁介质。
电磁场理论之第二章 宏观电磁现象的基本规律

2. 边界条件
实际的电磁场问题都是在一定的物理空间发生的，该空间可能
是由多种不同媒质组成，即存在不同媒质的交界面。在这些交界面
上，特性参数 ε , µ , σ 发生突变，导致某些场量发生变化。
数学：麦克斯韦方程组是微
分方程组，其解是不确定的，
边界条件起定解界的作用。
麦克斯韦方程组的积分形式
在不同媒质的分界面上仍然适
用，由此可导出电磁场矢量在
不同媒质分界面上的边界条件。
电磁场理论之第二章 宏观电磁现象的基本规律
电磁场理论之第二章 宏观电磁现象的基本规律
2.2.4 静电场的能量
2.2.5 分离变量法
2.2.6 镜像法