Homework If 스

[ 2 D planar MOSFET 집절도 향상의 할계와 기존 공정의 국복방안 ]

Smal
Down -

Scaling의 이점으로 인해 , Chip 의 High -

performance ,
Low -

pDwer ,
-
aera

근현이 가능했으며 '집적도가18개월마다2 배씩증가하고가격은반으로떨어진다 라는

데이비드 하우스의 논평이 정설로써 대중들에게 받아들여지는 시기가 있었다 .

'

그러나 현대에 이르러 (2023 년 ) 인텔 CEO 펫겔 심어로 부터 3 년마다 2 배의

집적도가 오를 것이다 라는
'
완화된 논평이 발표되며 down Scaling 의
-

근본적인
물리적 한계를 방증하고 있다 .

실제로 소자의 미세 공정화가진행됨에따라SCE( Shortchannel Effect ) 가

발생하였으며 ,
1) DIBL ( Drnin Induced Barrier towering) ,
2)
Threshold Volfagc
roll off
- 3] ,
l
SS ( Subthreshod swing ) degradation 4
] HCI ( Hot channel

Injection ) 등의 Un desired effect가 나타났다 .

이를 2D
planar 상에서 극복하기
위해 채널 길이별로 다른 공정조건을 적용하여 원하는 tn 값을 설계 하거나 ,

Drain fsource 의 deptn를 조절 ( depletion region을 조절 ] 하거나 , 도핑농도를

조절하거나 .
CGX를 크게하여 gate 제어를 높이려는 시도가 있었다 .

그러나 특정 한계 ( 0 . 8 nm ) 를 넘어가는 Scaling 이후 ,

qio2

층이 얇아지면서buIk 를통해 offcurrent 가 증가하는 tunneling

연상으로 인해 Scaling 의 제한이 발생했다아 ( 아래 2림 ( ) 참고 ) .
a

따라서 leakage 가 발생하는 body 자리에 inulator를 삽입하여

Balk의 길이를 물리적으로 최소화하는 Sl ( Silicon- on - Insulton) waf
다

기술이 게 발되었다 ( 아래 2림 ( b) 참고 ) 얇은 body를 형성한다는

뜻으로 , Thin body FET 이라고 한다 .

콰아
이이겠지다.
국 cox
>
어더가 」

1
N nf
L"

1
Nn +
L
…
…
CE
않akage 1 Bamied
,

/
,
OXice
/ (
,

1
1

ca )
(b )
 이를 통해 효과적으로 buk의 누설전류를 감소시킨 한편 ,

Cox를 두 배로 만들어 gate의 electronic field 를강화하기 위해

body 에 gate를 금F 나 더 주가하는 구조인 dou ble gate -

thin
body FET이 고안되었다 이후 Channe 의 사이에 gate가
.

추가될 수록 CoX 값이 늘어나고 leakage Current 가 .

감소한다는 사실에 힘입어 Vertical FET 과 Fin FET 과 같이

,

Channel 과 gate 가 최대한 많은면적으로 Contclct

될 수 있는 구조들이 개발되었다 .

Fin FET은 EUV (EXtreme Uitra Violet Iithography) 기술을

활용하여 7 nm 까지 scaing 이 가능하고 , 여전히 첨단 반도체
공정에 사용되고 있지만 최근 4나노 이후의 공정에서는
더 이상 동작전압을 줄일 수 없다는 한계가 발견되었다 .

[ Advantage of gate -
all -

around MOSFET )

1
.
GAA ( gate -
al -
around ) (조

GAA Eτ는 insulalor oXide 와 gate electrode 가 4면에서 channel을

감싼 구조를 미모한다 .
이때 , gale를 감싸는 이유는 ,

아래의 Quaqi -2 Dmd 디에서 증명할 수 있듯이 To ×를 작게하면

( 다시 말해LoX를크게하면) , l
( charaterastic length ) 를
최소화 할 수 있고 이에 따라 un desired edfet 인

potential ( dscg) ASinn ( ox) + BSinnccl -y ) /e ] tc ) 과

=

군군
섬 aussis > y law

AFFEyl
)i i
nf nt
dscy o )카
Eaytoy)
=

Olscg =) =
Vbitrd
 le
DVen ( ≈ Vde ) 변화를 최소화 할 수 있기
-

때문이다 .
아래 수식은 Planar FET , Zin FEG
GAA 의 U을 나타내며 , GAA 가 tri gate 보다 -

때문에 SCES 에 효과적인 구조라는 것은

작기알 수 있다 .
L 이 최소화 됨에 따라 GAA 는 ,

Stronggate Contr 이 이점도 동시에 가질 수 있다 .

lmaner :
xEsipytoi ← rBcitor
"
, ltr .

=fowfintoa ctnn
.

laAA
r tnn dGAA > ltri" lplanar
=

β wfin tox
2

GAA FE7은 channe 1 4 면을 gate 로 감싸는 구조를

effect. we 한 Chunne 의
갖고 있기 때문에 면적이
Fin FET 에
2D
없고 ,
planar 나
이로인해 상대적으로 비해은 수전류가밖에흐른다
장을
.

chunne 의 width 를 늘리기 위해 MBCFET

따라서
( Multi Bridge Chunnel Field Effect Tranaigtor ) 혹은
noxno wire 구조를 사용한다 .
아래 그림과 같이 wire의

근조에 따라
'
nanowredevice" ' nano sheetdeviwe ' 로

나눌 수 있지만 , 통상적으로nanowie로 통합되어 불린더다 .

wive를 뜸하며
Nanowire는 약 1 nm 의 지두 잭은
gold , Eilveriron으로 구성되고 Si - Ge같은materi에에
증락된다다
,

」명협구곱
ㅡ
:
ㅡ ' '
소다
바
~
nanosheet
~

hanowre
또한? 아래 그림과 같이 FinFET에 버해 연속적인 chumn의 폭 증가가

가능하다는 장점이 있다 !
Chanoel 폭을 늘리거나 줄여야 하는데 Fin FET 구조는
실무적인 회로에 따라 ,

gate 가 감싸고 있는 Fin 의 높이를 조절할 수 없기 때문에 전체

Channel 의 증가를 위해 Fin 대수를 수평 방향으로 증가세키는 방식을 활용했다 !

그러나 이 방법은 불연속적인 Chanmel 폭의 조절만 가능하였기 때문에 미세한

channe의 폭수점이 불가능 했다 . gate가 감사고 있는 Fi 에 하나의 channd 1

폭이 라면서
a α의 배수로만 줄이거나 늘릴 수 있기 때문이다 .

그에 반해 MBCFE은 FinFET 의Fin 을옆으로 어

쌓은 형태이고 . Sheet 폭은 유연하게 증감이 가능하여 연속적인

Channe 의 폭 증감이 가능하며

fQuantineFin
wiE 대
[ JD dontinuoupanosuealhiden
s
s
GP
Fin EET GAAEEG

sor. Chemical sensor ,와

GAA 는 표면적인 비음이높기때문에Biosen
같은 높은 감도를 요구도 어플러 케이션에 적합하며 ,
Planar에 비해
전력 손실이 낮고 잡음 대성이 우수하여 SRAM , Ring DSCilat아 등에

은수한 성능을 보인.

t DisadVantage of gale -
al -
around MOSF 터 ]

각 구조별로 다음과 같은 이슈를 갖고있다 .

Node Best Device Issae

planar MoSFEGSCE ,LowDevice

<olun curlent

~
32 mm S 0I Power leakage Current
,

~ 1D 어 m Fin SCE are promipent

Arean and cost
Llonm GAA power ,
 특히 , GAA MOSFET의 이슈를 나열하면 다음과 같.
problem Solationo
process Induced Variability
-
spacer fothography
Namoimprint
-

Self hearting ㆍffect -New bias scheme

heat dicg ipation
-

proper )

1
Qunanteum Effects -

Not
extremely thin
body
-
Circular -

Shaped channel

prasilficReqistane
-

Self aligned Contace

이 중 .특히나Selfheargffect 는 GAA의 높은 속도라

집적도의 장점을 감쇄하는 큰 단점중에 하나다 .

2고
냉
애플리케이션
중 하나인 RF Circuic 에서의 열잡음은 SNR을 시켜 LNA 의

기능을 약화시키는 문제점이 있다 .

이는 미래 국조와 같이
Gate 가 channel을 완전히 강사기 때문에 나타나는 문제인데 ,

0i
"
17.
.
Gate를 온도가 더 잘 통하는 물질 로 ( 전도도가
α

없니다
.

더 높은물질로) 개전했으면좋겠다는 생각이

등다 .
2ua ,
gale부근에 het Sink를
당
:

부착 bulK를 통해 열을 배출하면
metal
aate 어떨까지

~
1 ② 그라고 완전히 막지 드고
!I
ㄱ heart

고
활품의유론
+ , 1
sink

Bulk
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F
다
샤
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.
…

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두면 더 좋지 않았을
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