Chương 9.

Quang học lượng tử

 9.1. Thuyết lượng tử ánh sáng. Lưỡng tính
sóng – hạt của ánh sáng.
Chương 9. 9.2. Nguyên lý bất định Heisenberg.
Quang học
lượng tử 9.3. Hàm sóng.

9.4. Sóng ánh sáng.

9.5. Laser.
 9.1. Thuyết lượng tử ánh sáng.
Lưỡng tính sóng – hạt của ánh sáng.
1. Bức xạ nhiệt
1.1. Tương tác của ánh sáng với vật chất:

❖ Quan sát vật bằng ánh sáng phản chiếu từ vật, màu sắc của vật phụ thuộc
vào bước sóng ánh sáng phản chiếu.
❖ Các mặt có màu tối hấp thụ ánh sáng mạnh hơn các mặt có màu sáng hơn.
❖ Tất cả các vật đều phát ra bức xạ điện từ với cường độ phụ thuộc vào nhiệt
độ bề mặt → Bức xạ nhiệt
1. Bức xạ nhiệt

1.2. Đặc điểm của bức xạ nhiệt:

❖ Trạng thái bức xạ (thành phần phổ và cường độ bức xạ) phụ thuộc vào nhiệt độ
của vật. Ở nhiệt độ thấp vật chỉ bức xạ hồng ngoại, nhiệt độ càng cao thành phần
phổ bức xạ càng lấn về phía bước sóng ngắn.
❖ Bức xạ nhiệt cân bằng: Phần năng lượng phát ra đúng bằng năng lượng vật thu
vào bằng hấp thụ bức xạ. Khi đó vật ở trạng thái cân bằng (động) ứng với một
nhiệt độ xác định.
❖ Nếu hai vật hấp thụ năng lượng khác nhau thì bức xạ cũng khác nhau (nguyên lý
Privot)
1. Bức xạ nhiệt
1.3. Các đại lượng đặc trưng của bức xạ nhiệt:

❖ Năng suất phát xạ toàn phần:

✓ Ta xét một vật đốt nóng được giữ ở nhiệt độ không đổi T. Giả sử phần diện tích
dS của vật đó phát ra trong một đơn vị thời gian một năng lượng bức xạ toàn
phần là dT.
✓ Định nghĩa:
d T
RT =
dS

✓ RT (W/m2) là năng lượng bức xạ do một đơn vị diện tích của vật phát ra trong
một đơn vị thời gian ở nhiệt độ T.
1. Bức xạ nhiệt
1.3. Các đại lượng đặc trưng của bức xạ nhiệt:

❖ Năng suất phát xạ đơn sắc:

✓Bức xạ toàn phần do vật phát ra gồm nhiều tần số (bước sóng) khác nhau với
cường độ khác nhau.
✓Giả sử phần năng lượng của bức xạ phát ra từ tần số ν đến (ν + dν) do một đơn
vị diện tích, phát ra trong một đơn vị thời gian dRT.
✓Định nghĩa:

dR T
r ,T =  R T =  r ,T .d
d 0
1. Bức xạ nhiệt
1.3. Các đại lượng đặc trưng của bức xạ nhiệt:

❖ Hệ số hấp thụ:
✓ Giả sử một diện tích nào đấy của vật nhận được công suất bức xạ dW(ν,T) có
tần số từ ν đến (ν+ dν), vật hấp thụ một phần năng lượng dWt(ν,T)
✓ Định nghĩa hệ số hấp thụ đơn sắc:

dWt (, T)
a  ,T =
dW(, T)
✓ Vật có hệ số hấp thụ a = 1 gọi là vật đen tuyệt đối.
1. Bức xạ nhiệt
1.4. Định luật Kirchhoff:

❖ Tỉ số giữa năng suất phát xạ đơn sắc và hệ số hấp thụ đơn sắc của cùng một vật
ở nhiệt độ nhất định là một hàm chỉ phụ thuộc tần số ν và nhiệt độ T mà không
phụ thuộc bản chất của vật đó.
❖ Hàm phổ biến:
r(, T)
f (, T) =
a(, T)
→ Hàm phổ biến chính là năng suất phát xạ đơn sắc của vật đen tuyệt đối.
1. Bức xạ nhiệt
1.4. Định luật Kirchhoff:

❖ Năng suất bức xạ đơn sắc có đỉnh cực

đại.
❖ Năng suất bức xạ tăng theo nhiệt độ.
❖ Tần số đỉnh cực đại tăng khi nhiệt độ
tăng (đỉnh dịch về bước sóng ngắn khi
nhiệt độ tăng)
2. Thuyết lượng tử của Planck
2.1. Sự thất bại của thuyết sóng:
❖ Trên cơ sở các quan điểm cổ điển về hấp thụ, bức xạ điện từ, Rayleigh –
Jeans tìm được hàm phổ biến:
2 2
f (, T) = 2 k BT
c
→ kB = 1,38.10-23 (J/K) là hằng số Boltzman.

❖ Sự khủng hoảng vùng tử ngoại:


R T =  f (, T).d = 
0
2. Thuyết lượng tử của Planck
2.2. Nội dung thuyết lượng tử:
❖ Các nguyên tử, phân tử phát xạ hay hấp thụ năng lượng của bức xạ điện từ một
cách gián đoạn.
❖ Phần năng lượng phát xạ hay hấp thụ luôn là bội số nguyên của một năng lượng
nhỏ xác định gọi là lượng tử năng lượng hay quantum năng lượng
❖ Đối với bức xạ điện từ tần số ν (bước sóng λ), lượng tử năng lượng bằng:

hc
 = h. =


→ Hằng số Planck h = 6,625.10-34 (J.s)

2. Thuyết lượng tử của Planck
2.3. Công thức Planck về hàm phổ biến:
❖ Xuất phát từ quan điểm lượng tử năng lượng, Planck tìm được biểu thức của
hàm phổ biến:

2 2 h
f (, T) = 2
c exp( h ) − 1
k BT
2. Thuyết lượng tử của Planck
2.4. Các định luật bức xạ của vật đen tuyệt đối:

❖ Định luật Stephan – Boltzman

Năng suất phát xạ toàn phần của vật đen tuyệt đối:

R T =  f (, T).d = T 4
0

Hằng số Stephan – Boltzman: σ = 5,67.10-8 (W/m2K4)

❖ Định luật Wien
b
Đỉnh cực đại của hàm phổ biến ứng với bước sóng:  max =
T

Hằng số Wien: b = 2,898.10-3 (m.K)

3. Hiệu ứng quang điện
3.1. Thuyết photon của Einstein:

❖ Bức xạ điện từ được cấu tạo bởi vô số hạt gọi là lượng tử ánh sáng hay photon.
❖ Với mỗi bức xạ điện từ đơn sắc nhất định, các photon đều giống nhau và mang
năng lượng: ε = hν
❖ Các photon truyền đi với tốc độ c = 3.108 (m/s)
❖ Khi vật phát xạ hay hấp thụ bức xạ điện từ nghĩa là phát xạ hoặc hấp thụ photon
❖ Cường độ của chùm bức xạ tỉ lệ với số photon.
3. Hiệu ứng quang điện
3.1. Thuyết photon của Einstein:
hc
❖ Khối lượng của photon:  = h. = = mc 2


h h
→ Khối lượng nghỉ của photon: m= 2 =
c c

v2
❖ Động lượng của photon: m0 = m 1 − 2 = 0
c

h h
p = mc = =
c 
3. Hiệu ứng quang điện
3.2. Giải thích hiệu ứng quang điện:

Hiệu ứng quang điện trong đó các điện tử được thoát

ra khỏi nguyên tử (quang điện trong) hay vật chất
(quang điện thường) sau khi hấp thụ năng lượng từ các
photon trong ánh sáng làm nguyên tử chuyển sáng
trạng thái kích thích làm bắn electron ra ngoài.
3. Hiệu ứng quang điện
3.2. Giải thích hiệu ứng quang điện:

- Ở mỗi tần số bức xạ và mỗi kim loại, cường độ dòng quang điện (cường độ dòng
điện tử phát xạ do bức xạ điện từ) tỉ lệ thuận với cường độ chùm sáng tới.

- Với mỗi kim loại, tồn tại một tần số tối thiểu của bức xạ điện từ mà ở dưới tần số đó,
hiện tượng quang điện không xảy ra. Tần số này được gọi là tần số ngưỡng, hay giới
hạn quang điện của kim loại đó.

- Ở trên tần số ngưỡng, động năng cực đại của quang điện tử không phụ thuộc vào
cường độ chùm sáng tới mà chỉ phụ thuộc vào tần số của bức xạ.

- Thời gian từ lúc bức xạ chiếu đến tới các điện tử phát ra là rất ngắn, dưới 10−9 giây.
3. Hiệu ứng quang điện
3.2. Giải thích hiệu ứng quang điện:
Mỗi photon có tần số f, có năng lượng tương ứng: 𝐸 = ℎ𝑓

Năng lượng điện tử hấp thụ được sẽ giúp cho điện tử thoát khỏi liên kết với bề mặt
kim loại (vượt qua công thoát ) và cung cấp cho điện tử một động năng ban đầu
𝑚𝑣2
𝐸đ =
2

Theo định luật bảo toàn năng lượng:

𝑚𝑣2
ℎ𝑓 =  +
2
Hiệu ứng chỉ xảy ra khi:
hf   = hf0

f  f0
4. Hiệu ứng Compton
4.1. Mô hình bài toán tán xạ photon:

❖ Quan điểm sóng cổ điển: Sóng phẳng đơn sắc tác động làm hạt tích điện dao động và
sau đó hạt tích điện phát ra sóng điện từ có cùng tần số.
❖ Quan điểm của thuyết hạt (hiệu ứng Compton):
4. Hiệu ứng Compton
4.2. Giải thích hiệu ứng Compton:
❖ Giải bài toán va chạm photon - electron:

 m c 2

 h + m e c 2
= h '+ e

 v2
 1− 2
 c
P = P ' + P
 e
❖ Kết quả:

 = 2 C sin 2

2
→ Bước sóng Compton:
h
C = = 2, 426.10−12 (m)
me c
5. Lưỡng tính sóng hạt của ánh sáng
𝑟Ԧ M
➢ Tính chất sóng: hiện tượng giao 𝑛
𝛼
thoa, nhiễu xạ (, ) O
d
➢ Tính chất hạt: hiệu ứng quang điện,
hiệu ứng Compton (, p)
hc h h
 = h. = = mc 2 p = mc = =
 c 
𝑥𝑂 (𝑡) = 𝐴. 𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡

𝑑 𝑑 2𝜋𝑑
𝑥 𝑡 − = 𝐴. 𝑠𝑖𝑛 𝜔𝑡 − 𝜔 = 𝐴. 𝑠𝑖𝑛 𝜔𝑡 − = 𝐴. sin 𝜔𝑡 − 𝑘. 𝑟Ԧ
𝑐 𝑐 𝜆

𝑑 = 𝑟. 𝑐𝑜𝑠𝛼 = 𝑟.
Ԧ𝑛
5. Lưỡng tính sóng hạt của ánh sáng
𝑟Ԧ M
hc 𝑛
 = h. = = mc 2 𝛼
 O
h h d
p = mc = =
c 
Giả thuyết de Broglie: Một vi hạt tự do có năng lượng,
𝑑
𝑥 𝑡 − = 𝐴. sin 𝜔𝑡 − 𝑘. 𝑟Ԧ động lượng xác định tương ứng với một sóng phẳng đơn
𝑐
sắc. Năng lượng của vi hạt liên hệ với tần số dao động của
Sóng phẳng đơn sắc: sóng tương ứng thông qua hệ thức: 𝜀 = ℎ𝜈 hay 𝜀 = ℏ𝜔.
𝑖 Động lượng của vi hạt liên hệ với bước sóng của sóng
− Ԧ 𝑟Ԧ
𝜀𝑡 − 𝑝.
𝜓 𝑟,
Ԧ 𝑡 = 𝐴. 𝑒 ℏ
ℎ
tương ứng theo hệ thức: 𝑝 = hay 𝑝Ԧ = ℏ𝑘. Sóng de
𝜆

Broglie là sóng vật chất, sóng của các vi hạt.

6. Một số ví dụ

Ví dụ 1. Một lò luyện kim, có cửa sổ quan sát kích thước 8x12cm, phát xạ với công suất
9798W.
a) Tìm nhiệt độ của lò, cho biết hệ số hấp thụ của lò là 0,9.
b) Xác định bước sóng ứng với năng suất phát xạ cực đại của lò. Bước sóng đó thuộc
vùng quang phổ nào?
Ví dụ 2. Trong hiệu ứng Compton, chùm tia tới có bước sóng λ. Xác định động năng của
electron bắn ra đối với chùm tia tán xạ theo góc θ. Tìm động lượng electron đó.
9.2. Nguyên lý bất định Heisenberg.
➢ Xét hiện tượng nhiễu xạ của chùm vi hạt qua
một khe hẹp có bề rộng b.
➢ Sau khi qua khe hạt sẽ bị nhiễu xạ theo nhiều
phương khác nhau, tuỳ theo góc nhiễu xạ ,
mật độ hạt nhiễu xạ trên màn sẽ cực đại hoặc
cực tiểu.

➢ Xét tọa độ của hạt theo phương x, nằm trong mặt phẳng khe và song song với bề rộng
khe. Tọa độ x của hạt trong khe sẽ có giá trị trong khoảng từ 0 đến b ( 0 ≤ 𝑥 ≤ b). Nói
cách khác, vị trí của hạt trong khe được xác định với độ bất định ∆𝒙 = 𝒃.
➢ Sau khi hạt qua khe, hạt bị nhiễu xạ, phương động
lượng 𝑝Ԧ thay đổi. Hình chiếu của 𝑝Ԧ theo phương x sẽ
có giá trị thay đổi trong khoảng 0 ≤ 𝑝𝑥 ≤ psinφ,
nghĩa là sau khi đi qua khe, hạt có thể rơi vào cực
đại giữa hoặc cực đại phụ và được xác định với một
độ bất định nào đó. Xét trường hợp hạt rơi vào cực
đại giữa ∆𝒑𝒙 ≈ 𝒑𝒔𝒊𝒏𝝋𝟏 , 𝜑1 là góc ứng với cực tiểu
𝜆
thứ nhất: 𝑠𝑖𝑛𝜑1 = .
𝑏

∆𝒙. ∆𝒑𝒙 ≈ 𝒃. 𝒑𝒔𝒊𝒏𝝋𝟏 = 𝒑. 𝝀 ∆𝑥. ∆𝑝𝑥 ≈ ℎ

𝒉 ∆𝒙. ∆𝒑𝒙 ≈ 𝒉 ൞ ∆𝑦. ∆𝑝𝑦 ≈ ℎ
𝒑= ∆𝑧. ∆𝑝𝑧 ≈ ℎ
𝝀
 ∆𝒙. ∆𝒑𝒙 ≥ ℏ

➢ Hệ thức bất định Heisenberg là một trong những định luật cơ bản của cơ học lượng tử.

➢ Hệ thức này chứng tỏ vị trí và động lượng của hạt không được xác định chính xác một

cách đồng thời. Vị trí của hạt càng xác định thì động lượng của hạt càng bất định và

ngược lại.
 ∆𝒙. ∆𝒑𝒙 ≥ ℏ

➢ Ví dụ: Trong nguyên tử e- chuyển động trong phạm vi 10-10 m. Do đó độ bất định về

vận tốc là:

∆𝒙. ∆𝒑𝒙 = ∆𝒙. 𝒎𝒆∆𝒗𝒙 ≈ 𝒉

ℎ 6,625. 10−34 6 𝑚/𝑠

∆𝑣𝑥 ≈ = = 7. 10
∆𝑥. 𝑚𝑒 9. 10−31 . 10−10

Ta thấy ∆𝑣𝑥 khá lớn cho nên e- không có vận tốc xác định, nghĩa là e- không chuyển
động theo một quĩ đạo xác định trong nguyên tử. Điều này chứng tỏ rằng trong thế giới vi
mô khái niệm quĩ đạo không có ý nghĩa.
 ∆𝒙. ∆𝒑𝒙 ≥ ℏ

➢ Xét hạt trong thế giới vĩ mô khối lượng của hạt m = 10-15 kg, độ bất định về vị trí ∆𝑥 =

10−8 𝑚. Do đó độ bất định về vận tốc là:

ℎ 6,625. 10−34 −11 𝑚/𝑠

∆𝑣𝑥 ≈ = = 6.6. 10
∆𝑥. 𝑚𝑒 10−15 . 10−8

Như vậy đối với hạt vĩ mô ∆𝑥 và ∆𝑣𝑥 đều nhỏ, nghĩa là vị trí và vận tốc có thể được xác
định chính xác đồng thời.
 ∆𝒙. ∆𝒑𝒙 ≥ ℏ
➢ Theo cơ học cổ điển, nếu biết được toạ độ và động lượng của hạt ở thời điểm ban đầu

thì ta có thể xác định được trạng thái của hạt ở các thời điểm sau.

➢ Theo cơ học lượng tử thì toạ độ và động lượng của vi hạt không thể xác định được

đồng thời, do đó ta chỉ có thể đoán nhận khả năng vi hạt ở một trạng thái nhất định. Nói

cách khác vi hạt chỉ có thể ở một trạng thái với một xác suất nào đó. Do đó qui luật vận

động của vi hạt tuân theo qui luật thống kê.

➢ Ngoài hệ thức bất định về vị trí và động lượng, trong cơ học lượng tử người ta còn tìm

được hệ thức bất định giữa năng lượng và thời gian: ∆𝑬. ∆𝒕 ≥ ℏ

➢ Ý nghĩa của hệ thức bất định giữa năng lượng và thời gian: nếu năng lượng của hệ ở

một trạng thái nào đó càng bất định thì thời gian để hệ tồn tại ở trạng thái đó càng ngắn

và ngược lại, nếu năng lượng của hệ ở một trạng thái nào đó càng xác định thì thời gian

tồn tại của hệ ở trạng thái đó càng dài. Như vậy trạng thái có năng lượng bất định là

trạng thái không bền, còn trạng thái có năng lượng xác định và thấp nhất là trạng thái

bền.
9.2. Hàm sóng.
1. Biểu thức của hàm sóng
➢ Do lưỡng tính sóng hạt của vi hạt ta không thể xác định đồng thời được tọa độ và động
lượng của vi hạt.

➢ Để xác định trạng thái của vi hạt, ta phải dùng một khái niệm mới đó là hàm sóng.

➢ Theo giả thuyết de Broglie chuyển động của hạt tự do (tức là hạt không chịu một tác
dụng nào của ngoại lực) được mô tả bởi hàm sóng tương tự như sóng ánh sáng phẳng
đơn sắc: 2𝜋𝑟 𝜔𝑡 − 𝑘.𝑟Ԧ
𝜓 𝑟,
Ԧ 𝑡 = 𝜓0 . 𝑠𝑖𝑛 𝜔𝑡 − = 𝜓0 . sin 𝜔𝑡 − 𝑘. 𝑟Ԧ = 𝜓0 . 𝑒 −𝑖
𝜆
ℎ𝑐 ℎ 𝜀
𝜀= = ℏ𝜔 𝑝= = 𝑝Ԧ = ℏ𝑘 𝜓02 = 𝜓 2 = 𝜓𝜓 ∗
𝜆 𝜆 𝑐
➢ Nếu hạt vi mô chuyển động trong trường thế, thì hàm sóng của nó là một hàm của toạ
độ 𝑟Ԧ và thời gian t: 𝜓 𝑟,
Ԧ 𝑡 = 𝜓(𝑥, 𝑦, 𝑧, 𝑡)
2. Ý nghĩa thống kê của hàm sóng

➢ Xét chùm hạt phôtôn truyền trong không gian.

Xung quanh điểm M lấy thể tích ΔV bất kì.

➢ Theo quan điểm sóng: Cường độ sáng tại M tỉ

lệ với bình phương biên độ dao động sáng tại
M: I ~ 𝜓02
2. Ý nghĩa thống kê của hàm sóng
➢ Theo quan điểm hạt: Cường độ sáng tại M tỉ lệ với năng lượng các
hạt trong đơn vị thể tích bao quanh M, nghĩa là tỉ lệ với số hạt trong
đơn vị thể tích đó.Từ đây ta thấy rằng số hạt trong đơn vị thể tích tỉ
lệ với 𝜓02 .
➢ Số hạt trong đơn vị thể tích càng nhiều thì khả năng tìm thấy hạt trong đó càng lớn. Vì vậy có thể
2
nói bình phương biên độ sóng 𝜓 tại M đặc trưng cho khả năng tìm thấy hạt trong đơn vị thể
tích bao quanh M . Do đó 𝜓 2 là mật độ xác suất tìm hạt và xác suất tìm thấy hạt trong toàn
không gian là:
න 𝜓 2 𝑑𝑉
𝑉

➢ Khi tìm hạt trong toàn không gian, chúng ta chắc chắn tìm thấy hạt. Do đó xác suất tìm hạt trong
toàn không gian là 1:
න 𝝍 𝟐 𝒅𝑽 = 𝟏 Điều kiện chuẩn hoá của hàm sóng.
𝑽
2. Ý nghĩa thống kê của hàm sóng

➢ Tóm lại:

✓ Để mô tả trạng thái của vi hạt người ta dùng hàm sóng 𝜓.

✓ 𝜓 2 biểu diễn mật độ xác suất tìm thấy hạt ở trạng thái đó.

✓ 𝜓 không mô tả một sóng thực trong không gian. Hàm sóng mang tính chất
thống kê, nó liên quan đến xác suất tìm hạt.
3. Điều kiện của hàm sóng

➢ Hàm sóng phải hữu hạn. Điều này được suy ra từ điều kiện chuẩn hoá, hàm sóng
phải hữu hạn thì tích phân mới hữu hạn.

➢ Hàm sóng phải đơn trị, vì theo lí thuyết xác suất: mỗi trạng thái chỉ có một giá trị xác
suất tìm hạt.
2
➢ Hàm sóng phải liên tục, vì xác suất 𝜓 không thể thay đổi nhảy vọt.

➢ Đạo hàm bậc nhất của hàm sóng phải liên tục
9.4. Sóng ánh sáng.
9.4. Laser.
The process which makes lasers possible,
Stimulated Emission, was proposed in 1917 by
Albert Einstein. No one realized the incredible
potential of this concept until the 1950's, when
practical research was first performed on applying
the theory of stimulated emission to making lasers.
It wasn't until 1960 that the first true laser was
made by Theodore Maimam, out of synthetic ruby.
Many ideas for laser applications quickly followed,
including some that never worked, like the laser
eraser. Still, the early pioneers of laser technology
would be shocked and amazed to see the multitude
of ways that lasers are used by everyone, everyday,
in today's world
 History of the Laser

❖ Invented in 1958 by Charles

Townes (Nobel prize Physics
1964) and Arthur Schawlow
of Bell Lab.
❖ Was based on Einstein idea of
the “particle-wave duality” of
light, more than 30 years
earlier.
❖ Originally called MASER
(Microwave Amplification by
Stimulated Emission of
Radiation)
History of the Laser
❖ The first patent (1960)
❖ April 1959: Grould and TRG apply for laser
related patents stemming from Gould ideas.
❖ March 22, 1960: Townes and Schawlow, under
Bell Labs, are granted US patent number
2,929,922 for the optical maser, now called a
laser. With their application denied, Gould and
TRG launch what would become a 30 year
patent dispute related ro laser invention.
❖ 1961: Lasers begin appearing on the commercial
market through companies such as Trion
Intrucments Inc., Perkin-Elmer and Spectra-
Physics
❖ 1917: Einstein, A. - Concept and theory of stimulated light emission

❖ 1948: Gabor, D. - Invention of holography

❖ 1951: Charles H Townes, Alexander Prokhorov, Nikolai G Basov, Joseph Weber – The invention of the
MASER (Microwave Amplification of Stimulated Emission of Radiation) at Columbia University, Lebedev
Laboratories, Moscow and University of Maryland.

❖ 1956: Bloembergen, N. - Solid-state maser- [Proposal for a new type of solid state maser] at Harvard
University.

❖ 1958: Schawlow, A.L. and Townes, C.H. - Proposed the realization of masers for light and infrared at
Columbia University .

❖ 1960: Maiman, T.H. - Realization of first working LASER based on Ruby at Hughes Research Laboratories.

❖ 1961: Javan, A., Bennet, W.R. and Herriot, D.R. - First gas laser : Helium- Neon (He-Ne laser) at Bell
Laboratories.
❖ 1961: Fox, A.G., Li, T. - Theory of optical resonators at Bell Laboratories.

❖ 1962: Hall,R. - First Semiconductor laser (Gallium-Arsenide laser) at General

Electric Labs.

❖ 1962: McClung,F.J and Hellwarth, R.W. - Giant pulse generation / Q-Switching.

❖ 1962: Johnson, L.F., Boyd, G.D., Nassau, K and Sodden, R.R. - Continuous wave
solid-state laser.

❖ 1964: Geusic, J.E., Markos, H.M., Van Uiteit, L.G. - Development of first working
Nd:YAG LASER at Bell Labs.

❖ 1964: Patel, C.K.N. - Development of CO2 LASER at Bell Labs.

❖ 1964: Bridges, W. - Development of Argon Ion LASER a Hughes Labs

❖ 1965: Pimentel, G. and Kasper, J. V. V. - First chemical LASER at University of California,
Berkley.

❖ 1965: Bloembergen, N. - Wave propagation in nonlinear media.

❖ 1966: Silfvast, W., Fowles, G. and Hopkins - First metal vapor LASER - Zn/Cd – at
University of Utah.

❖ 1966: Walter, W.T., Solomon, N., Piltch, M and Gould, G. - Metal vapor laser.

❖ 1966: Sorokin, P. and Lankard, J. - Demonstration of first Dye Laser action at IBM Labs.

❖ 1966: AVCO Research Laboratory, USA. - First Gas Dynamic Laser based on CO2 1970:
Nikolai Basov's Group - First Excimer LASER at Lebedev Labs, Moscow based on Xenon
(Xe) only.
❖ 1974: Ewing, J.J. and Brau, C. - First rare gas halide excimer at Avco Everet Labs.

❖ 1977: John M J Madey's Group - First free electron laser at Stanford University.

❖ 1977: McDermott, W.E., Pehelkin, N.R,. Benard, D.J and Bousek, R.R. – Chemical Oxygen
Iodine Laser (COIL).

❖ 1980: Geoffrey Pert's Group - First report of X-ray lasing action, Hull University, UK

❖ 1984: Dennis Matthew's Group - First reported demonstration of a "laboratory" X-ray

laser from Lawrence Livermore Labs.

❖ 1999: Herbelin,J.M., Henshaw, T.L., Rafferty, B.D., Anderson, B.T., Tate, R.F., Madden, T.J.,
Mankey II, G.C and Hager, G.D. - All Gas-Phase Chemical Iodine Laser (AGIL)
 Nobel Prize
❖ 1964: Charles Hard Townes, Nicolay Gennadiyevich Basov and Aleksandr Mikhailovich Prokhorov “for fundamental work in the
field of quantum electronics, which has led to the construction of oscillators and amplifiers based on the maser-laser principle”.

❖ 1971: Dennis Gabor “for his invention and development of the holographic method”.

❖ 1981: Nicolaas Bloembergen and Arthur Leonard Schawlow “for their contribution to the development of laser spectroscopy”,
together with Kai M. Siegbahn “for his contribution to the development of high-resolution electron spectroscopy”.

❖ 1997: Steven Chu, Claude Cohen-Tannoudji and William D. Phillips “for development of methods to cool and trap atoms with laser
light”.

❖ 2005: Roy J. Glauber “for his contribution to the quantum theory of optical coherence” together with John L. Hall and Theodor W.
Hänsch “for their contributions to the development of laser-based precision spectroscopy, including the optical frequency comb
technique”.

❖ 2018 “for groundbreaking inventions in the field of laser physics" with one half to Arthur Ashkin "for the optical tweezers and their
application to biological systems", the other half jointly to Gérard Mourou and Donna Strickland "for their method of generating
high-intensity, ultra-short optical pulses“

❖ 2023: Pierre Agostini, Ferenc Krausz, Anne L’Huillier, “for experimental methods that generate attosecond pulses of light for the
study of electron dynamics in matter”
7/117 for from 1901 to now

7/59 for from 1964 to now

 Interaction of Radiation with Atoms
❖ Almost all electronic transitions that
occur in atoms that involve photons
fall into one of three categories:

1. Spontaneous emission as lifetime

of excited atoms is short (10-9s)

Energy of the photon emitted= hν = ∆E

emitted freq. ν = (E2-E1) / h
 Atomic transition

2. Stimulated emission

One photon produces two photons with

same properties

3. Absorption
 Population of atoms & normal distribution
❖ Distribution of atoms in the energy levels
at any temp. ‘T’ is given by the
Boltzmann’s distribution formula
−𝐸
𝑘𝛽 𝑇
𝑁 ≈ 𝑒
❖ For two energy levels E1 and E2 such that
𝐸2 > 𝐸1

❖ Relative population 𝑵𝟏 > 𝑵𝟐 > 𝑵𝟑 > 𝑵𝟒 > 𝑵𝟓

−(𝐸2 −𝐸1 )
𝑁2
≈ 𝑒 𝑘𝛽 𝑇 which is called “normal distribution” or “thermal
𝑁1
∆𝐸 = 𝐸2 − 𝐸1 equilibrium condition”
➢If spontaneous emission is the only emission process,

➢Then thermal equilibrium will be destroyed, since N1 > N2 probability of induced

absorption is more, giving rise to N2 > N1

➢According to Einstein another emission process is possible which is induced

by the incident light called stimulated emission
➢ In case of stimulated emission, atoms in an upper energy level can be triggered or stimulated in phase by an
incoming photon of a specific energy.

➢ The incident photon must have an energy corresponding to the energy difference between the upper and
lower states.

➢ One Photon with E= hν produces two photons with the same energy.

➢ The emitted photons have the same energy as Incident photon.

➢ These photons are in phase with the triggering photon and also travel in its direction.

➢ Hence photons can be multiplied in number and light can be amplified by stimulated emission process
Spontaneous emission Stimulated emission

1.Can not be controlled from outside 1. Is controlled from outside

2. Energy transition takes place between

2. Probabilistic or random process
Definite selected energy levels

3. Emitted photons are random in direction. 3. Emitted photons are same in direction.
Phase and state of polarisation Phase and state of polarisation

4. Not monochromatic 4. Are monochromatic

5. Not coherent 5. Are all coherent

6. Output is broad and less intense 6. Output narrow and highly intense.

7. In the output photons are not multiplied. 7. In the output photons are not multiplied.
Coherent light waves Incoherent light waves
Einstein’s relation
If 𝜌(𝜈) is the incident photon density
✓ Rate of absorption 𝑅𝑎𝑏𝑠 = 𝐴12 𝑁1 𝜌(𝜈)
✓ Rate of spontaneous emission 𝑅𝑠𝑝 = 𝐸12 𝑁2
✓ Rate of stimulated emission 𝑅𝑠𝑡 = 𝐸′21 𝑁2 𝜌(𝜈)
➢ At equilibrium net upward transition = net downward transition
➢ Or, 𝐴12 𝑁1 𝜌 𝜈 = 𝐸12 𝑁2 + 𝐸′21 𝑁2 𝜌(𝜈) where 𝐴12 , 𝐸12 , 𝐸′21 are Einstein’s co- efficients.
➢ Solving the equation and putting the value of 𝜌(𝜈) from Plank’s formula for radiation density:
𝑅𝑠𝑝 8𝜋ℎ𝜈 3
=
𝑅𝑠𝑡 𝑐3
➢ This is called Einstein’s relation, which shows that stimulated emission is inversely proportional to
third power of the frequency of incident radiation, hence laser action is difficult for high freq.
radiation.
Population inversion: necessary condition for stimulated emission
For more stimulated emission (lasing action) necessary conditions :are
1. radiation density in the medium is high
2. population at the excited level is high: N2 > N1, which is called population inversion
➢ This condition cannot be achieved under thermal equilibrium conditions.
➢ This implies that in order to create population inversion, one must look for non-thermal equilibrium
system and thus the need for special laser materials.
➢ To achieve population inversion, i.e., N2 > N1, ‘T ’ must be negative in the expression:

−(𝐸2 −𝐸1 )
𝑁2
≈ 𝑒 𝑘𝛽 𝑇
𝑁1

➢ For which population inversion is also known as a “negative temperature state” means a non-thermal
equilibrium state.
 Pumping
❖ Absorption of the energy by the atoms, electrons, ions or molecules as the case may be, of the
medium is a primary requisite in the generation of laser.
❖ In order to excite these elements to higher energy levels, an excitation or pumping mechanism is
necessary.
❖ Under the equilibrium state, as per Boltzman’s conditions, higher energy levels are much less
populated than the lower energy levels.
❖ One of the requirements of laser action is population inversion in the levels concerned. i.e. to have
larger population in the upper levels than in the lower ones.
❖ Otherwise absorption will dominate at the cost of stimulated emission.
❖ There are various types of excitation or pumping mechanisms available, the most commonly used ones
are optical, electrical, thermal , direct introduction or chemical techniques, which depends on the type
of the medium employed
 Metastable states and active medium
❖ In case of spontaneous emission of a photon, the probability of its emission is inversely related to the
average length of time that an atom can reside in the upper level of the transition before it relaxes. This
time is known as the SPONTANEOUS LIFETIME. Typically, the spontaneous lifetime is of the
order of 10-8 - 10-9 sec. The shorter the spontaneous lifetime, the greater is the probability that
spontaneous emission will occur.
❖ In certain materials, there are energy levels, which has the spontaneous lifetime of the order of
microseconds to a few milliseconds. These levels are known as METASTABLE levels. The
probability of transitions involving metastable levels is relatively low.
❖ A medium with a suitable set of energy levels (metastable state), in which pumping is possible to
activate or support laser action is called an active medium. It can be a crystal, solid, liquid,
semiconductor or gas medium.
 Optical resonator
❖ Suppose we can produce a large number of atoms all in excited states. If one of the atoms emitted
spontaneously, then the emitted photon would stimulate other atoms to emit. These emitted photons
would, in turn, stimulate further emission. The result would be an intense burst of coherent radiation
❖ Optical resonator: Optical resonator plays a very important role in the generation of the laser output, in
providing high directionality to the laser beam as well as producing gain in the active medium by
overcoming various losses. In order to sustain laser action, one has to confine the laser medium
and the pumping mechanism in a special way that should promote stimulated emission rather
than spontaneous emission. In practice, photons need to be confined in the system to allow the
number of photons created by stimulated emission to exceed all other mechanisms. This is
achieved by bounding the laser medium between two mirrors.
 Optical resonator
❖ On one end of the active medium is the high reflectance mirror (100% reflecting) or the rear mirror and
on the other end is the partially reflecting or transmissive mirror or the output coupler. The laser
emanates from the output coupler, as it is partially transmissive. Stimulated photons can bounce back
and forward along the cavity, creating more stimulated emission as they go. This is called optical
feedback. In the process, any photons which are either not of the correct frequency or do not
travel along the optical axis are lost.
 Components of laser system
1. Active medium
2. Pumping device
3. Stimulating agent
4. Optical resonator
 Pumping schemes
Two level puming scheme

A two level laser is not possible

 Pumping schemes
Three level puming scheme

𝐸2 − 𝐸1 ≈ 𝑘𝛽 𝑇
1- Ground state and lower laser level
3- Pump level
2- Upper laser level and metastable
state

In three level laser, pumping

energy required is high &
output is in pulsed mode (PW)
 Pumping schemes
Four level puming scheme

𝐸2 − 𝐸1 ≫ 𝑘𝛽 𝑇
1- ground state and is pumped
2- lower laser level
3- higher energy level and metastable state
4- pump level

In four level laser, pumping energy is less &

output in continous mode (CW)
 Ruby laser
❖ It was the first type of laser invented, and was first operated by Theodore H. "Ted" Maiman
❖ The active laser medium (laser gain/amplification medium) is a synthetic ruby rod. Ruby is
an aluminum oxide crystal in which some of the aluminum atoms have been replaced with
chromium atoms(0.05% by weight). Chromium gives ruby its characteristic red color and is
responsible for the lasing behavior of the crystal. Chromium atoms absorb green and blue
light and emit or reflect only red light. For a ruby laser, a crystal of ruby is formed into a
cylinder
❖ The rod's ends had to be polished with great precision, such that the ends of the rod were flat
to within a quarter of a wavelength of the output light, and parallel to each other within a few
seconds of arc. The finely polished ends of the rod were silvered: one end completely, the
other only partially.
 Ruby laser
❖ A xenon lamp is rolled over ruby rod
and is used for pumping ions to
excited state.
❖ Ruby laser is based on three level
pumping scheme . The upper energy
level E3 is the pump level, short-lived,
E1 is ground state, E2 is metastable
state with lifetime of 0.003 sec.
𝐸3 − 𝐸1
❖ Pumping is done between E1 and E3 with pumping frequency 𝜈 =
ℎ

𝐸2 − 𝐸1
❖ Lasing action is between E2 and E1 with stimulating frequency 𝜈 =
ℎ
 He-Ne laser
❖ Gas laser :-- Helium-neon laser (He-Ne laser)
❖ Invented by Javan et. al. in 1961
❖ Operation wavelength: 632.8 nm, in the red portion of the visible spectrum.
❖ It operates in Continuous Working (CW) mode.
❖ Pump source: electrical discharge
❖ He-Ne laser is a four-level laser.
❖ It operates in Continuous Working (CW) mode
❖ Gain medium ratio 5:1 mixture of helium and neon gases
❖ The energy or pump source of the laser is provided by an electrical discharge of around
1000 volts through an anode and cathode at each end of the glass tube. A current of 5 to
100 mA is typical for CW operation
 He-Ne laser
❖ The optical cavity of the laser typically consists of a plane, high-reflecting mirror at one
end of the laser tube, and a concave output coupler mirror of approximately 1%
transmission at the other end.
❖ HeNe lasers are normally small, with cavity lengths of around 15 cm up to 0.5 m, and
optical output powers ranging from 1 mW to 100 mW.
 Working of He-Ne laser
❖ When the power is switched on, An energetic electron collisionally excites a He atom to
the state labeled 21So . A He atom in this excited state is often written He*(21So), where
the asterisk means that the He atom is in an excited state.
❖ The excited He atom collides with an unexcited Ne atom and the atoms exchange
internal energy, with an unexcited He atom and excited Ne atom, written Ne*(3s2),
resulting. This energy exchange process occurs with high probability only because of
the accidental near equality of the two excitation energies of the two levels in these
atoms. Thus, the purpose of population inversion is fulfilled.
❖ When the excited Ne atom passes from metastable state (3s) to lower level(2p), it emits
photon of wavelength 632 nm.
 Working of He-Ne laser
❖ This photon travels through the gas mixture parallel to the axis of tube, it is reflected
back and forth by the mirror ends until it stimulates an excited Ne atom and causes it to
emit a photon of 632nm with the stimulating photon
❖ The stimulated transition from (3s) level to (2p) level is laser transition.
❖ This process is continued and when a beam of coherent radiation becomes sufficiently
strong, a portion of it escape through partially silvered end.
❖ The Ne atom passes to lower level 1s emitting spontaneous emission. and finally the Ne
atom comes to ground state through collision with tube wall and undergoes
radiationless transition
 Liquid laser
❖ Can be used for a wide range of wavelengths as the
tuning range of the laser depends on the exact dye
used.
❖ Gain medium: complex organic dyes, such as
rhodamine 6G, in liquid solution or suspension.
❖ Pump source: other lasers or flashlamp.
❖ Suitable for tunable lasers.
❖ A dye laser can be considered to be basically a four-
level system.
❖ The energy absorbed by the dye creates a population
inversion, moving the electrons into an excited state.
 Semiconductor laser

❖ Valence band (Ev) acts as the lower energy state

❖ Conduction band (Ec) as higher energy state
❖ P-n junction must be degenerately
❖ Forward bias, eV > Eg
doped.
❖ Built in potential diminished to zero
❖ Fermi level in valance band (p) and
❖ Electrons and holes can diffuse to the
conduction band (n).
space charge layer
❖ No bias, built n potential; eVo barrier to
stop electron and holes movement
❖ Suppose that the degenerately doped p-n junction is forward biased by a voltage
greater than the band gap; eV > Eg
❖ The separation between EFn and EFp is now the applied potential energy
❖ The applied voltage diminished the built-in potential barrier, eVo to almost zero.
❖ Electrons can now flow to the p-side and holes can now flow to the n-side
 Population Inversion in Diode Laser

❖ EFn-EFp = eV; eV > Eg ❖ There is therefore a population inversion between

❖ eV = forward bias voltage energies near EC and near EV around the junction.
❖ Fwd Diode current pumping ❖ This only achieved when degenerately doped p-n
=> injection pumping junction is forward bias with energy > Egap.
❖ The population inversion region is a layer along the junction => also call inversion
layer or active region.
❖ Now consider a photon with E = Eg
❖ Obviously this photon can not excite electrons from EV since there is NO electrons
there
❖ However the photon CAN STIMULATE electron to fall down from CB to VB.
❖ Therefore, the incoming photon stimulates emission than absorption.
❖ The active region is then said to have ‘optical gain’ since the incoming photon has the
ability to cause emission rather than being absorbed.
Pumping
❖ It is obvious that the population inversion between energies near EC and those near EV
occurs by injection of large charge carrier across the junction by forward biasing the
junction.
❖ Therefore the pumping mechanism is FORWARD DIODE CURRENT => Injection
pumping.
❖ In diode laser it is not necessary to use external mirrors to provide positive feedback.
The high refractive index normally ensure that the reflectance at the air/material
interface is sufficiently high.