СПОЈНИ TРАНЗИСTОРИ СА ЕФЕКТОМ ПОЉА

(Junction Field Effect Transistors - JFET)

1. Грађа и опис
Код транзистора са ефектом поља протицање струје се контролише помоћу
електричног поља, којег ствара прикључени напон на управљачкој електроди. За
њега се може у литератури сусрести назив униполарни транзистор, јер струју кроз
њега чини само једна врста носиоца - електрани или шупљине. Па према томе
постоје два типа JFET-a: n- канални и p-канални.
Графички симболи JFET-a:

Оригинални називи електрода транзистора на енлеском језику су source, drain и gate и у

преводу значе извор, одвод и капија. Електрани се крећу од сорса ка дрејну, а помоћу гејта
се контролише њихов проток.
Принцип рада транзистора ће бити објашњен на примеру n-каналног JFET-а, стим
што треба напоменути да је код p-каналног иста логика разматрања, али су супротни
поларитети између електрода транзистора и смер главне струје кроз транзистор.
Између дрејна и сорса се прикључује извор напајања Е D . Позитиван крај напона напајања
прикључује се на дрејн, а негативан на сорс. Између гејта и сорса се прикључује други
извор Е G . чији се позитиван крај прикључује на сорс, а негативан на гејт.

2. Утицај поларизације JFET-ова на њихову проводност

Размотрићемо најпре случај када је напон између дрејна и сорса низак (на пример
1V), а напон између гејта и сорса се мења од нуле ка негативним вредностима. Ако је
напон између гејта и сорса једнак нули, тада је област просторног наелектрисања уска и
канал је широк. Канал има малу отпорност и кроз њега може да тече релативно велика
струја (на пример 5 mА).
Ако се напон између гејта и сорса повиси у негативном смеру (на пример на -1V), тада се
област просторног наелектрисања шири, а канал се сужава. У суштини, негативан напон
на гејту потискује електроне ка другом делу канала. Сада је отпорност канала већа, а
струја кроз њега мања. Даљим повишењем напона између гејта и сорса у негативном
смеру (на пример на -2V) област просторног наелектрисања се даље шири, канал се још
више сужава, његова отпорност се повећава, а струја кроз њега се смањује. Ако се напон
између гејта и сорса много повиси у негативном смеру (на пример на -10V), област
просторног наелектрисања прошири се на цео канал; он уопште не проводи, па струја кроз
њега престаје да тече. Вредност овог напона назива се праг провођења и обележава се са
U GST или U P Из ове анализе се види да помоћу негативног напона између гејта и сорса
може да се мења струја кроз канал фета; може чак и да се потпуно прекине.
Ради бољег познавања рада транзистора треба детаљније проучити његово
понашање и за веће напона између дрејна и сорса.
У овом случају узећемо да је напон између гејта и сорса константан (на пример -1V).

Нека се напон између дрејна и сорса мења од нуле до око 0,2V, затим до око 1V, па до око
3V). Треба имати у виду да потенцијал од сорса до дрејна постепено расте дуж канала, као
што потенцијал расте дуж отпорника.
Ако је напон између дрејна и сорса низак (око 0,2V), око гејта се формира практично
уједначена област просторног наелектрисања и канал је једнако широк на почетку (код
сорса) и крају (код дрејна); граница просторног наелектрисања је обележена са U DS1 . Код
малог повишења напона U DS струја расте сразмерно порасту напона. У овој области
транзистор се понаша као отпорник.
Ако се напон између дрејна и сорса повиси, као на пример на U DS2 расте и инверзни напон
РN-споја између гејта и дрејна и проширује област просторног наелектрисања у близини
дрејна.Проширење области просторног наелектрисања у близини сорса је једнако нули јер
је инверзни напон између канала у овом делу и гејта низак. Што се више удаљавамо од
сорса ка дрејну, област просторног наелектрисања се све више шири јер је овде инверзни
напон између канала и гејта све виши, док се канал све више сужава. Да се подсетимо,
напон напајања Е D се расподељује дуж канала идући од сорса ка дрејну, који се понаша
као отпорник.

Ако се напон између дрејна и сорса још више повиси, као на пример на U DS3 , област
просторног товара се толико прошири да скоро прекрије цео канал, остављајући узану
област за пролаз електрона. Ако се напон између дрејна и сорса и даље повишава, тада се
област за пролаз електрона сужава, тј. повећава се отпорност канала. Види се да се
повишењем напона између дрејна и сорса повећава и отпорност канала, па струја остаје
приближно константна и скоро је једнака за област виших напона између дрејна и сорса,
на пример од U DS = 5V до U DS = 20V. Ова област се назива област засићења (или активна
област). JFET-ови се у овој области користе као појачавачи.

Прекомерним повишењем напона (на пример преко 30 V) између дрејна и сорса долази до
пробоја канала; струја нагло расте и уколико се не ограничи, долази до пробоја JFET-а.

За други напон између гејта и сорса се добије друга карактеристика, па се излазне

карактеристике дају у облику фамилије, као на слици:
 3. Појачавачи са JFET-овима

Слично као и биполарни транзистори, JFET-ови се користе у појачавачким колима у три

спреге: са заједничким сорсом, дрејном и гејтом. На слици је приказана шема
једностепеног појачавача са n- каналним JFET-ом у спрези са заједничким сорсом:

4. Еквивалентна шема за мале сигнале ниских учестаности

𝐼𝐼𝐷𝐷 𝐴𝐴
𝑔𝑔𝑚𝑚 = - транскондуктанса
𝑈𝑈 𝐺𝐺𝐺𝐺 𝐴𝐴
𝐼𝐼𝐷𝐷 𝐴𝐴
𝑔𝑔𝑜𝑜 = - излазна проводност
𝑈𝑈 𝐷𝐷 𝐴𝐴

5. Графичке карактеристике транзистора са ефектом поља (JFET-ова)

Израз за струју кроз транзистор у активној области када транзистор ради као појачавач
(област засићења) је:
𝑈𝑈𝐺𝐺𝐺𝐺 2
𝐼𝐼𝐷𝐷 = 𝐼𝐼𝐷𝐷𝑆𝑆𝑆𝑆 �1 − �
𝑈𝑈𝑃𝑃

6. Упоредне карактеристике JFET-ова и биполарних транзистора