Download as pdf or txt
Download as pdf or txt
You are on page 1of 10

Elektronik Deney Raporu

Deney Adı: JFET’İN ÖNGERİLİMLENDİRİLMESİ VE YÜKSELTEÇ OLARAK KULLANILMASI

Hazırlayan;
Ad Soyad: Defne Özel
- Deney Şeması -
- Sonuçlar -
1. “Şekil-2’deki devreyi kurarak IDSS ve VP değerlerini bulunuz.”

Şekil 2’deki devre kurulduğunda sırayla şu şekilde sonuçlar elde edilmiştir:

2. “Şekil-3’teki devreyi kurarak VRD, VGS ve VDS değerlerini bulunuz.”

Şekil 3’teki devre kurulduğunda sırayla şu şekilde sonuçlar elde edilmiştir:


- Hesaplar/Sorular -
1. “İşlem basamağı 1'de yaptığınız ölçümlerden faydalanarak IDSS ve VP
değerlerini hesaplayınız.”

- IDSS ve VP değerlerini bulabilmek için 2 farklı ID ve VGS değeri alınır.


Bu değerlerin formülü yazılıp birbirine eşitlenirse sırayla IDSS ve VP
değeri bulunabilir.
Bu işlemin daha kolay yapılması için ID, IDSS, VP, VGS içeren denklem,
daha sade hale getirilir:

𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 × (1 − )
𝑉𝑝
𝐼𝐷
𝐼𝐷𝑆𝑆 =
𝑉𝐺𝑆 2
(1 − 𝑣 )
𝑃

𝐼𝐷
𝐼𝐷𝑆𝑆 =
𝑣𝑝2 − 2𝑉𝑝 𝑉𝐺𝑆 + 𝑣𝐺𝑆
( )
𝑉𝑝2

- Buna göre, şu sadeleştirilmiş formülü kullanmak:


(𝐼𝐷 × 𝑉𝑝2 )
𝐼𝐷𝑠𝑠 = 2 )
(𝑉𝑝2 − 2𝑉𝐺𝑠 + 𝑉𝐺𝑆

işimizi görecektir.

Dediğimiz gibi bu işleme yerleştirilecek değerler, ne kadar birbirine yakın


olursa o kadar doğru bir cevap görme olasılığımız olacaktır. Bu
ölçümlerimizde birbirine en yakın olan 2 değer olarak ID = 178µA ve VGS =
-1,05 ; ID = 963µA ve VGS = -0,7V vardır. Bunlar işleme dökülüp birbirine
eşitlenirse, IDSS ve VP bulunabilir.
ID = 178µA ve VGS = -1,05 için:
(178 × 10−6 × 𝑉𝑃2 )
𝐼𝐷𝑠𝑠 =
(𝑉𝑝2 + 1,4𝑣𝐺𝑆 + 0,49)

ID = 963µA ve VGS = -0,7V için:


(963 × 10−6 × 𝑉𝑃2 )
𝐼𝐷𝑠𝑠 =
(𝑉𝑝2 + 2,1𝑉𝐺𝑆 + 1,1025)
Eşitlemelerimiz sonucu görülür ki elimizde 2 tane IDSS denklemi vardır. O
zaman Vp’yi bulmak için bu 2 değeri birbirine eşitleriz:

(963 × 10−6 × 𝑉𝑃2 ) (178 × 10−6 × 𝑉𝑃2 )


=
(𝑉𝑝2 + 2,1𝑉𝐺𝑆 + 1,1025) (𝑉𝑝2 + 1,4𝑣𝐺𝑆 + 0,49)

(963) (178)
=
(𝑉𝑝2 + 2,1𝑉𝐺𝑆 + 1,1025) (𝑉𝑝2 + 1,4𝑣𝐺𝑆 + 0,49)
- İçler dışlar çarpımı yapılır.
(𝑉𝑝2 + 2,1𝑉𝐺𝑆 + 1,1025) = 5,41(𝑉𝑝2 + 1,4𝑣𝐺𝑆 + 0,49)

0 = (4,41𝑉𝑝2 + 9,96𝑉𝐺𝑆 + 5,4745)

- Bu 1 bilinmeyenli 2. Dereceden bir denklemdir. Bunu çözebilmek için


diskriminant kullanılır ve kökler bulunur. Sırayla 2 kök şu şekilde
bulunur:

𝑣𝑃1 = −0,9453𝑉
𝑣𝑝2 = −1,3132𝑉
Bizim sonucumuz bu 2 kökten birisidir. Bunu bulmanın yolu ise Vp’nin
her zaman VGS’den işaretli büyüklük olarak küçük olduğunu bilmektir.
Mutlak olarak ise Vp VGS’den her zaman büyük olmalıdır. Buna göre:

|𝑣𝑝 | > |𝑣𝐺𝑆 |


Olduğundan ve bizim büyüklüğümüz VGS = -1,05V olduğundan; Vp
değeri olarak Vp = -1,313V alınır.
Vp değerimiz -1,3V olarak bulunur.
Vp değeri bulunduğuna göre şimdi de IDSS değeri bulunacaktır. Bunu
hesaplamak için yine baştaki formülümüzün yerine yazılır. ID ve VGS
olarak da en büyük bulunan değer yazılır ki virgüllü sayıları 10 haneden az
hesapladığımız için yanlış çıkmasın ve kesin çıksın. Buna göre ID = 5,41mA
ve VGS = -0,35V olurken Vp = -1,3V olmak üzere:

𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 × (1 − )
𝑉𝑝

−0,35 2
5,41 × 10−3 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 × (1 − )
−1,3
5,41 × 10−3
𝐼𝐷𝑠𝑠 =( ) = 10,15𝑚𝐴
0,73

Buna göre yaptığımız ölçümlere göre bulacağımız IDSS ve VP değeri şu


şekildedir:

Vp = -1,3V
IDSS = 10,15mA
2. “Şekil 3'teki devre için çalışma noktası anındaki VGS, VDS ve ID
değerlerini hesaplayarak Tablo 1’e kaydediniz. VGS ve ID değerleri, Şekil
1'deki denklemlerin aynı anda çözümüyle bulunacaktır. Hesapladığınız
değerlerle ölçüm sonuçlarını karşılaştırınız.”

Şekil 3’deki devremize bakarsak, istenen değerleri bulmak için şu


formüller kullanılacaktır:

𝑣𝐺𝑆 = −𝑅𝑆 × 𝐼𝐷

𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 × (1 − )
𝑉𝑝
Bu formülleri birbirinde yerine yazarsak:

−𝑉𝐺𝑠 𝑉𝐺𝑆 2
= 𝐼𝐷𝑆𝑆 × (1 − )
𝑅𝑠 𝑉𝑝

Buluruz.

- 2N3819 JFET’i için datasheet’e bakılırsa IDSS = 2mA ve Vp


(VGSmax)
Vp = -7,5V olarak verilmiştir. Sırayla bunların yerine yazılması ile:

−𝑉𝐺𝑆 −3
𝑉𝐺𝑆 2
= 10 × 10 × (1 − )
2 −7,5
−𝑉𝐺𝑆 𝑉𝐺𝑆 2
= (1 − )
2 −7,5
2
−𝑉𝐺𝑆 2𝑣𝐺𝑆 𝑉𝐺𝑆
=1+ +
2 7,5 (7,5)2
2
−𝑉𝐺𝑆 (7,5)2 + 15𝑉𝐺𝑆 + 𝑉𝐺𝑆
=
2 (7,5)2
2
12,5 + 16,25𝑉𝐺𝑆 + 2𝑉𝐺𝑆 =0
Denklemlerin köklerini alırsak sırayla Vgs olarak:
𝑉𝐺𝑆1 = −1,3464𝑉
𝑉𝐺𝑆2 = −41,7786𝑉

Vp > VGS olması için VGS1 seçilir. Normal deney sonucundan farklı
gelme nedeni büyük ihtimal datasheet değişikliği veya deney ortamı
diye düşünülmektedir.
𝑉𝐺𝑆1 = −1,3464𝑉
- Buna göre ID bulunması için:
𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 × (1 − )
𝑉𝑝

−3
−1,34 2
𝐼𝐷 = 2𝑥10 × (1 − )
−7,5

𝐼𝐷 = 1,34𝑚𝐴

- Buradan sırayla VDS ve VRD de bulunabilir:


RD = 4,7kΩ
𝑉 =𝐼×𝑅

𝑉𝑅𝐷 = 4,7 × 103 × 1,34 × 103 = 8𝑉

Yaklaşık olarak bakarsak:

𝑉𝑅𝐷 = 8𝑉
VDS bulunması için ise:

𝑉𝐷 = 𝐼𝐷 × (𝑅𝐷 + 𝑅𝑠 ) + 𝑉𝐷𝑆

15 = 1,34 × 103 × 10−3 × (4,7 + 1) + 𝑉𝐷𝑆

𝑉𝐷𝑠 = 6,39𝑉

Tablo 1 bu şekilde dolmuş olur. Değerlerin farklılığının datasheetden


kaynaklandığı düşüncesindeyiz.
- Yorumlar -

- Bu sonuçlara göre şunu diyebiliriz ki bir JFET başındaki VG elemanına


takılan bir gerilim kaynağı ile özellikle VGS değerini, bundan sonra da
ID değerini değiştirmek için gerekli bir elemandır.
- D kaynağı akımının 0’lanması VGS’nin max halde olması, VGS’nin
0’lanması, D kaynak akımının max halde olması demektir.
- Transfer karakteristiği doğrusu dışında 2 işlem birleştirilerek farklı bir
yoldan ID ve VGS bulunabilir.
- Sonuçlar datasheet’de aldıklara değerlere göre aralarında uçurum
olacak şekilde değer değiştirir. Biz en yakınını tablo 1’deki gibi
bulabildik.

You might also like