Download as pdf or txt
Download as pdf or txt
You are on page 1of 8

Elektronik Deney Raporu

Deney Adı: BJT Kutuplama Devreleri Tasarımı


Dersin Hocası: Ayça Ak

Hazırlayan grup;
Ad Soyad: Defne Özel
No: 360423020
Ad Soyad: Alper Sinan Erik
No: 360423021
Ad Soyad: Melis Tümen
No: 360423001

Rapor Teslim Tarihi: 10.01.2024


- Devre Şeması -
- Hesaplamalar -
Deney Öncesi Çalışma:
1. Şekil 6.1a’ daki devrede VCC=12V, VCE=6V, IC=lmA β = 400 (BC 337) için
devre elemanlarını hesaplayınız ve tablo-l 'deki yerlerine yazınız.

𝐼𝑐 = (𝐼𝑏 × 𝛽 ) ;
(10−3 )
𝐼𝑏 = = 2,5𝑥10−6 𝐴
400

(𝑣𝑐𝑐 −𝑣𝑐𝐸 ) (𝑣𝑐𝑐 −𝑣𝑐𝐸 )


𝑅𝑐 = (𝐼𝑏 ×𝛽)
; 𝑅𝑏 =
𝐼𝑏
;
(12−6) (12−0,7)
𝑅𝑐 = = 6𝑘𝛺 𝑅𝑏 = ( = 4520𝑘Ω
10−3 2,5×10−6)

- Buna göre ölçüm 1 hesaplamaları:


2. Şekil 6.1c’ deki devrenin elemanlarını, aynı transistor için, IC =lmA, VCE
=6V, VRE =1V değerlerine göre hesaplayınız ve Tablo-2 ‘deki yerlerine
yazınız. VCC = ( 3 x VCE ) = 18V seçildi. β = 400 varsayılırsa:
- I1 akım değeri, Ib’nin 10 ile 100 katı arası seçilir. Bu yüzden burada da 10
ile 100 arası 50 de olduğuna göre I1 = ( 50 x Ib ) Kabul edilir:
𝐼𝑐 = (𝐼𝑏 × 𝛽 ) ;
(10−3 )
𝐼𝑏 = = 2,5𝑥10−6 𝐴
400

𝐼1 = (50 × 𝐼𝑏 )
𝐼1 = (50 × 2,5 × 10−6 ) = 12,5 𝑚𝐴

𝑣 (𝑣𝐶𝐶 −𝑣𝐶𝐸 −𝑣𝐵𝐸 )


𝑅𝐸 = ( 𝐼𝑅𝐸) ; 𝑅𝐶 = ;
𝐶 𝐼𝐶
1 (18−6−1)
𝑅𝐸 = (10−3 ) = 1𝑘𝛺 𝑅𝑐 = (10−3 )
= 11𝑘

𝛽(𝑣𝑐𝑐−𝑣𝑅𝐸 −𝑣𝐵𝐸 ) 𝛽 (𝑣𝑐𝐸 +𝑣𝐵𝐸 )


𝑅1 = − (𝐼𝐶 ×50)
; 𝑅2 = (𝐼𝑐×50)
;
400×(18−1−0,7) (400×1,7)
𝑅1 = = 130𝑘 𝑅2 = ( = 13,6𝑘𝛺
(50×10−3 ) 50𝑥10−3 )
Burada bizden Rb yani base gerilimi de isteniyor. Base akımı gösterildiği
gibi, Vbase = VBE + VRE olmak üzere:
𝑣𝑏 = (0,7 + 1) = 1,7𝑉
(𝑣𝐸 + 𝑣𝑅𝐸 )
𝑅𝑏 =
𝐼𝑏
(1,71)
𝑅𝑏 = = 680𝑘𝛺
(2,5 × 10−6 )
(Veya aynı B direncini bulabilmek için Thevenin devresiyle de yapılabilir. Yine aynı
sonuca ulaşılır:

Gerilim bölme kuralından yararlanılarak:


𝑣𝐶𝐶
𝑣𝐵 = (𝑅 × 𝑅2
1 +𝑅2 )

18
𝑣𝐵 = (130×106 ×13,6) × 13,6 × 103 = 1,7𝑉

➔ 𝑣𝐵 = (𝑅𝐵 𝑥𝐼𝐵 )
1,7
𝑅𝐵 = (2,5×10−6 ) = 680𝑘𝛺

Bu şekilde de Rb ye ulaşılmış olur.)

- 2. Grafiğimizin hesaplamaları şu şekilde görülür:


- İstenenler / Sonuçlar -

1. Şekil 6.1a ‘daki devreyi hesapladığınız değerlerine


göre kurunuz. →
( Vcc = 12V )
2. Standart dirençlere göre devreyi kurup IC, VCE, VBE,
IB gerilimlerini ölçüp Tablo-1’de yerlerine yazınız.
4500k ve 6k zaten sayı açısından mükemmele yakın
olduğu için değişmez. Grafik şu şekilde olur:

3. Şekil 6.1c ‘deki devreyi hesapladığınız değerlere göre


kurunuz. →
( Vcc = 18V )
4. Basamak 2 ‘deki ölçümleri tekrarlayarak Tablo-2 ‘de
yerlerine yazınız.
Sadece 13,6k → 14k yapılır.

- Son grafiğimiz bu şekilde olur:


- İstenenler / Yorumlar -
1. Tablo-1 ve 2 için kullandığınız standart dirençlere göre devrelerde VCE, IC
ve IB değerlerini yeniden hesaplayınız. Hesaplar ve ölçümler arasındaki
farkları yorumlayıp nedenlerini yazınız.

- 1. tabloya bakarak diyebiliriz ki; zaten standart ve normal dirençler


arasındaki sayı farkı çok az olduğu için değişim de çok az olmuştur. Bu
nedenle tabloda da birbirlerine çok yakın değerleri görürüz.

- 2. Tabloya bakarak da görülür ki; zaten standart ve normal dirençler


arasında sayı farkı çok az olduğu için değişim de çok az olmuştur. Bir tek
Ib’de çok az sayılabilecek değişim görürüz. Onun dışındakiler çok yakın
görülmüştür.
2. Tablo 1 ve 2’deki eksik bırakılan yerleri ölçüm ve hesaplarla doldurduktan
sonra transistörün dc β (BC 337) değerini hesaplayınız.
Datasheet’e bakılırsa zaten BC 337 transistörü için β değerinin 100 ile 630
arasında olduğu görülecektir.
1. tablo için:
𝐼𝑐 = (𝐼𝑏 × 𝛽 )
(10−3 )
𝛽= = 400
2,5 × 10−6
2. tablo için:
𝐼𝑐 = (𝐼𝑏 × 𝛽 )
(1,06 × 10−3 )
𝛽= = 331
(32 × 10−6 )
- İlk faktöre bakıldığında zaten verdiğimiz değerin 400’e eşit olduğunu
görürüz. 2.’de ise 400 verdiğimiz halde pratikte 331 geldiği görülür.
Kayıplardan dolayı transistör beta değeri değişir. Fakat her ikisi de
çalışma mekanizmasına uygundur.

You might also like