Lotnicza Akademia

Wojskowa w Dęblinie

Laboratorium elektroniki
Grupa CL2 Data wykonania ćwiczenia:
Zespół: 11.05.2021
1. Łukasz Gosek Ćwiczenie prowadził:
2. Czarek Jarka mgr inż. P. Krzysiak
3. Dorota Kołaczek
4. Konrad Hojda
5. Michał Janik Podpis
6. Jakub Kaliszewski

…………………………………………………..

Temat ćwiczenia: Badanie tranzystorów bipolarnych

1
SPIS TREŚCI

1. WSTĘP ...................................................................................................... 3
1.1 Czym jest tranzystor? ............................................................................ 3
1.2 Tranzystory bipolarne ........................................................................... 4
2. TRANZYSTOR NPN W UKŁADZIE WE .................................................. 5
2.1 Charakterystyki bipolarne dla tranzystora NPN w układzie WE .............. 6
3. TRANZYSTOR NPN W UKŁADZIE WB .................................................. 9
3.1 Charakterystyki bipolarne dla tranzystora NPN w układzie WB ............ 10
4. PARAMETR h FE DLA TRZECH PUNKTÓW PRACY ............................. 12
5. WNIOSKI ................................................................................................ 13

2
1. WSTĘP

1.1 Czym jest tranzystor?

Jest to element półprzewodnikowy, trójelektrodowy (trójkońcówkowy),

umożliwiający wzmacnianie mocy sygnałów wyjściowych. Jest podstawowym
elementem układów analogowych (wzmacniacze, detektory) i cyfrowych
(przełączniki, klucze). Dzięki niemu możemy w bezpieczny sposób (małym
prądem) włączyć przepływ większego prądu, czyli steruje przepływem prądu lub
wzmacnia go.

Ze względu na zasadę działania tranzystory dzieli się na dwie grupy:

• Tranzystory bipolarne (prąd płynie przez półprzewodnik o różnym typie

półprzewodnictwa (n i p)
• Tranzystory unipolarne (prąd płynie przez półprzewodnik o jednym typie
półprzewodnictwa)

Rysunek 1 Tranzystory w różnych obudowach

3
1.2 Tranzystory bipolarne

Zostały wynalezione w 1948 r., składają się z trzech warstw

półprzewodnika p-n-p (tranzystor typu P) lub n-p-n (tranzystor typu N), między
którymi znajdują się dwa złącza p -n. Do każdej z warstw dołączone jest jedno
wyprowadzenie.
W tranzystorach bipolarnych wszystkie trzy wyprowadzenia mają swoje
nazwy:
• emiter (oznaczany jako E) - warstwa silnie domieszkowana,
• baza (oznaczana jako B) - warstwa cienka i słabo domieszkowana,
• kolektor (oznaczany jako C lub K).
W ten sposób tworzą się dwa złącza p -n: baza-emiter (nazywane krótko
złączem emitera) oraz baza-kolektor (nazywane złączem kolektora) Każde ze
złącz można traktować jako diodę, na której, wskutek gromadzenia się ładunków
przestrzennych powstaje bariera potencjału. Bez przyłożonego napięcia obie
bariery są jednakowe.

Rysunek 2 Tranzystory bipolarne NPN i PNP

4
2. TRANZYSTOR NPN W UKŁADZIE WE

Rysunek 3 Schemat pomiarowy

Typ tranzystora, który został tu zastosowany to BC 547 który jest

tranzystorem rodzaju NPN. Przedstawiony powyżej schemat zawiera tranzystor
w układzie WE co oznacza „ze wspólnym emiterem”. Zasadniczą cechą tego
rodzaju wzmacniaczy jest to, że wzmacniane napięcie sygnału wejściowego
podawane jest pomiędzy bazę a emiter tranzystora, natomiast sygnał po
wzmocnieniu odbierany jest spomiędzy kolektora a emitera. Najczęściej
wykorzystuje się go przy niezbyt wysokich częstotliwościach, charakteryzuje się
dużym wzmocnieniem prądowym, napięciowym oraz mocy. Elementy jakie może
jeszcze zauważyć na schemacie to:
• rezystory oznaczone 𝑅𝐵 𝑖 𝑅𝑐 ,
• dwa amperomierze podłączone szeregowo 𝐴1 𝑖 𝐴2, różnicą się rzędem
wielkości, gdyż pierwszy pracuje na mikroamperach a drugi na
miliamperach
• dwa Woltomierze podłączone równolegle oznaczone 𝑉1 𝑖 𝑉2
• złącze kolektor-emiter 𝑈𝐶𝐸
• złącze baza-emiter𝑈𝐵𝐸

5
 2.1 Charakterystyki bipolarne dla tranzystora NPN w układzie WE

Uce [V] 0 0,1 0,2 0,5 1 2 3 5 10

IB = 3μA IC [mA] 0 0,25 0,75 0,78 0,78 0,79 0,8 0,81 0,83
IB = 5μA IC [mA] 0 0,44 1,25 1,38 1,39 1,41 1,42 1,44 1,49

Charekterystyka wyjściowa
1,6
I c [mA]

1,4

1,2

0,8

0,6

0,4

0,2

0
0 2 4 6 8 10 12
IB = 3μA IB = 5μA UCE [V]

natężeniem prądu kolektora albo krótko:

natężenia prądu bazy/prądu bazy
prądem kolektora
Przedstawiony wykres przedstawia zależność między natężeniem kolektora
a napięcia na złączu kolektor-emiter. Linia niebieski odnosi się do stałego
natężenia bazy wynoszącej 3µA, a pomarańczowy do 5µA. Można zauważyć, że
bardzo małe zmiany napięcia bazy powodują znaczące zmiany natężenia
kolektora. Przy większych napięciach bazy, natężenie płynącego prądu w
kolektorze praktycznie już się nie zmienia.

6
 IB [μA] 0 1 2 4 6 8 10 12 14
UCE = 3V IC [mA] 0 0,24 0,52 1,1 1,7 2,31 2,94 3,58 4,17
UCE = 7V IC [mA] 0 0,25 0,54 1,14 1,77 2,41 3,03 3,71 4,37

Charakterystyka zwrotna
Ic [mA]

5
4,5
4
3,5
3
2,5
2
1,5
1
0,5
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16

UCE = 3V UCE = 7V I B [μA]

prądem kolektora a prądem bazy

Przedstawiony wykres przedstawia zależność między natężeniem kolektora
a natężeniem bazy. Linia niebieski odnosi się do stałego napięcia na złączu
kolektor-emiter wynoszącego 3V, a pomarańczowy do 7V. Można zauważyć, że
zmiana napięcia na złączu kolektor-emiter ma bardzo nikły wpływ na zależność
między natężeniami. Wykresy te są prawie prostoliniowe co definiuje wprost
proporcjonalność natężenie kolektora do natężenia bazy.
natężenia prądu kolektora lub krótko: prądu kolektora do prądu bazy.

7
 UBE V 0 0,1 0,3 0,4 0,45 0,5 0,55 0,6 0,65
UCE = 3V IB [μA] 0 0 0 0 0 0 0,2 0,9 4,2
UCE = 7V IB [μA] 0 0 0 0 0 0 0,2 0,9 4,3

Charakterystyka Wejściowa
I B [μA]

5
4,5
4
3,5
3
2,5
2
1,5
1
0,5
0
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7
UCE = 3V UCE = 7V UBE [V]

Ten wykres przedstawia zależność między natężeniem prądu bazy a napięciem na

złaczu baza-emiter. Linia niebieska odnosi się do stałego napięcia na złączu kolektor-
emiter wynoszącego 3V, a pomarańczowa do 7V. Jak można zauważyć linie
praktycznie się pokrywają, sugeruje to że napięcie na złączu baza-emiter nie ma
wpływu na powyższą zależność. kolektor-emiter

8
3. TRANZYSTOR NPN W UKŁADZIE WB

Rysunek 4 Schemat pomiarowy tranzystora w układzie WB

Typ tranzystora, który został tu zastosowany to BC 547 który jest

tranzystorem rodzaju NPN. Przedstawiony powyżej schemat zawiera tranzystor
w układzie WB co oznacza „ze wspólną bazą”. Zasadniczą cechą tego rodzaju
wzmacniaczy jest to, że wzmacniane napięcie sygnału wejściowego podawane
jest pomiędzy bazę a emiter tranzystora, natomiast sygnał po wzmocnieniu
odbierany jest spomiędzy bazy i kolektora. Baza jest więc "wspólna" dla
sygnałów wejściowego i wyjściowego. Najczęściej wykorzystuje się go przy
wysokich częstotliwościach. Elementy jakie może jeszcze zauważyć na
schemacie to: można

• rezystory oznaczone 𝑅𝐸 𝑖 𝑅𝑐 ,
• dwa amperomierze podłączone szeregowo 𝐴1 𝑖 𝐴2, pracujące w mA,
• dwa Woltomierze podłączone równolegle oznaczone 𝑉1 𝑖 𝑉2,
• złącze kolektor-baza 𝑈𝐶𝐵 ,
• złącze emiter-baza 𝑈𝐵𝐸 .

9
 3.1 Charakterystyki bipolarne dla tranzystora NPN w układzie WB

UCB V 0 1 2 3 4 5 6 8 10
IE = 2mA IC mA 2 2 2 2 2 2 2 2 2
IE = 4mA IC mA 4 4 4 4 4 4 4 4 4

Charakterystyka Zwrotna
Ic [mA]

4,5
4
3,5
3
2,5
2
1,5
1
0,5
0
0 2 4 6 8 10 12

UCB [V]
IE = 2mA IE = 4mA

natężeniem prądu kolektora

Wykres ten przedstawia zależność między natężeniem kolektora a
napięciem na złączu kolektor-baza przy stałym natężeniu emitera które dla linii
pomarańczowej wynosi 2mA a dla niebieskiej 4mA. Z wykresu możemy jasno
wywnioskować, że natężenie kolektora nie zależy od natężenia na złączu
kolektor-baza.

10
 IE mA 0 2 4 6 8 10 12 14 16
UCB = 3V IC mA 0 2 4 6 8 10 12 14 16
UCB = 7V IC mA 0 2 4 6 8 10 12 14 16

Charakterystka Przejściowa
18
Ic [mA]

16

14

12

10

0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18
I E [mA]
UCB = 3V UCB = 7V

napięciu!
prądem kolektra a prądem emitera
Ostatni już wykres przedstawia zależność pomiędzy natężeniem kolektora
a natężeniem Emitera, przy stałym natężeniu złącza kolektor-baza, które dla linii
pomarańczowej wynosi 3V a dla linii niebieskiej 7V. Jak widać na wykresie linie
te się pokrywają, przez co możemy stwierdzić, że napięcie na złączu kolektor-
baza nie ma wpływu na zależność między powyższymi natężeniami.
wartościami natężeń prądu.

11
4. PARAMETR hFE DLA TRZECH PUNKTÓW PRACY

Jeśli tranzystor jest w stanie normalnej pracy, spełnia w przybliżeniu

zależność:
𝐼𝐶
ℎ𝐹𝐸 = 𝛽 =
𝐼𝐵
ℎ𝐹𝐸 jest współczynnikiem wzmocnienia prądowego, nazywanego również
betą. Określa on ilokrotnie większy prąd popłynie przez kolektor w stosunku do
prądu bazy, im większą wartość przyjmuje, tym lepsze wzmocnienie sygnału
posiada tranzystor. Współczynnik ten może przyjmować wartości od 50 do 300
dla tego samego typu tranzystora.
1) Dla 𝐼𝐵 = 3 𝜇𝐴 = 0,003 𝑚𝐴

a) 𝐼𝐶1 = 0,83 𝑚𝐴
0,83
ℎ𝐹𝐸 = = 276,67
0,003
b) 𝐼𝐶2 = 0,81 𝑚𝐴
0,81
ℎ𝐹𝐸 = = 270
0,003
c) 𝐼𝐶3 = 0,8 𝑚𝐴
0,8
ℎ𝐹𝐸 = = 266,67
0,003

2) Dla 𝐼𝐵 = 5 𝜇𝐴 = 0,005 𝑚𝐴

a) 𝐼𝐶1 = 1,49 𝑚𝐴
1,49
ℎ𝐹𝐸 = = 298
0,005
b) 𝐼𝐶2 = 1,44 𝑚𝐴
1,44
ℎ𝐹𝐸 = = 288
0,005
c) 𝐼𝐶3 = 1,42 𝑚𝐴
1,42
ℎ𝐹𝐸 = = 284
0,005

12
5. WNIOSKI

Ćwiczenie, które zostało przeprowadzone pozwala na sprawdzenie wiedzy

teoretycznej dotyczącej tranzystorów oraz porównania jej z wiedzą praktyczną.
Prezentowane układy we wszelkiego rodzaju publikacjach o tematyce
elektronicznej są zazwyczaj realizowane na elementach idealnych, które w
rzeczywistości nie istnieją. Obserwując wartości Ic, Ib, Uce oraz Ube, prezentowane
na wyświetlaczu elektronicznym można było dostrzec wahania wielkości
mierzonych, co wpłynęło na wyniki doświadczenia. Charakterystyka wyjściowa
obrazuje zmiany prądu kolektora Ic w stosunku do napięcia Uce przy ustalonym
prądzie bazy. Można zauważyć, że po osiągnięciu pewnego poziomu przez
napięcie Uce, prąd kolektora praktycznie nie zmienia się pomimo wzrostu U ce.
Mówimy wtedy o nasyceniu tranzystora. Charakterystyka wyjściowa tranzystora
pozwala na wyznaczenie obszaru aktywnego, nasycenia i zatkania tranzystora.
Zauważyć można, że wraz ze wzrostem prądu bazy I b, wzrasta próg wartości
napięcia Uce powyżej którego ustala się prąd kolektora. Jest to oczywiście obszar
aktywny, który wykorzystuje się w układach cyfrowych. Dzięki możliwości
szybkiego przełączania się pomiędzy trybami zatkania i nasycenia tranzystory są
najczęściej używanymi elementami w technice cyfrowej, a możliwość sterowania
prądem pozwala na tworzenie prostych zasilaczy małych i średnich mocy.
Błędy w obliczonych wartościach w sprawozdaniu wynikają z
niedokładności pomiarowych, zbyt ogólnych zaokrągleń i oczywiście błędów
ludzkich. Ponadto na wyniki mają wpływ także takie czynniki jak rezystywność
przewodów bądź opór wynikający ze wzrostu temperatury.

13