Jakub Buler 155987

ME, lab.2
LAB-ME: Podstawowe symulacje wybranych układów CMOS – tranzystor nMOS

1. Na otrzymanych wynikach symulacji zaznaczyć obszary liniowy oraz nasycenia tranzystora

nMOS. W oparciu o wiedzę z podstaw elektroniki podać i omówić stosowne wzory wyjaśniające
zasadę działania tranzystora nMOS.

Wzory wyjaśniające zasadę działania tranzystora nMOS:

1 2
Dla obszaru liniowego: 𝐼𝐷 = β[(VGS − 𝑉𝑇 ) ⋅ 𝑉𝐷𝑆 − 𝑉𝐷𝑆 , 0 < 𝑉𝐷𝑆 < 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇
2
1
Dla obszaru nasyconego: 𝐼𝐷 = β [ (VGS )2
− 𝑉𝑇 ] , 0 < 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 < 𝑉𝐷𝑆
2
Dla obszaru odcięcia: 𝐼𝐷 = 0, 𝑉𝐺𝑆 < 𝑉𝑇
𝜇𝜖 𝑊
𝛽= ⋅
𝑡𝑜𝑥 𝐿

2. Co zawiera plik cmos.txt ? Jaką funkcję pełni ten plik podczas symulacji?
Plik cmos.txt przedstawia różne modele, które są używane w trakcie symulacji w programie
LTpice. W symulowanym układzie używamy modelu N_1u poprzez wpisanie tej wartości w
ustawienia tranzystora nMOS. Podczas symulacji, pełni funkcje pliku bibliotecznego.

3. Co oznacza ostatnia liczba w zapisie: .model N_50n nmos level = 54 oraz .MODEL P_1u PMOS
LEVEL = 3 ?
Ostatnia liczba oznacza model empiryczny.

4. Co oznaczają w pliku bibliotecznym BSIM cmos.txt parametry VT0 oraz TOX ?

VT0 - zerowe napięcie progowe; TOX - grubość tlenku.