Лекція №2

Тема лекції: РN - перехід в напівпровіднику (випрямлювальна дія), розподіл потенціалу в

РN - переході без зміщувальної напруги, при прямій та зворотній
зміщувальній напрузі
План лекції
1. Утворення електронно-дірчастого переходу
2. Пряме і зворотне включення p-n переходу
3. Властивості p-n переходу
Література
1. Кучумов А.И. Электроника и схемотехніка – 2002. ст. 117-121.
2. И.П.Жеребцов „Основи электроники” – 1985. ст. 31-38.
3. Ю.П.Колонтаєвський, А.Г.Сосков „Промислова електроніка та мікросхемотехніка:
теорія і практикум” – 2003. ст. 17-21.
4. Ю.А.Овечкин „Полупроводниковые приборы” – 1979. ст. 16-29.
5. Опадчий Ю.Ф. Аналоговая и цифровая электроника – 2000. ст. 18-22.
Зміст лекції
1. Утворення електронно-дірчастого переходу.
Зважаючи на нерівномірну концентрацію на межі розділу p і n напівпровідника виникає
дифузійний струм, за рахунок якого електрони з n-области переходять в p-область, а на їх
місці залишаються некомпенсовані заряди позитивних іонів донорної домішки. Електрони,
що приходять в p-область, рекомбінують з дірками, і виникають некомпенсовані заряди
негативних іонів акцепторної домішки. Ширина p-n переходу – десяті частки мікрона. На
межі розділу виникає внутрішнє електричне поле p-n переходу, яке буде гальмуючим для
основних носіїв заряду і буде їх відкидати від межі розділу.
Для неосновних носіїв заряду поле буде прискорюючим і
переноситиме їх в область, де вони будуть основними. Максимум
напруженості електричного поля – на межі розділу.
Розподіл потенціалу по ширині напівпровідника називається
потенційною діаграмою. Різниця потенціалів на p-n переході
називається контактною різницею потенціалів або потенційним
бар'єром. Для того, щоб основний носій заряду зміг подолати p-n
перехід, його енергія повинна бути достатньою для подолання
потенційного бар'єру.

2.
Пряме і зворотне включення p-n переходу.
Прикладемо зовнішню напругу плюсом до p-области. Зовнішнє електричне поле
направлено назустріч внутрішньому полю p-n переходу, що приводить до зменшення
потенційного бар'єру. Основні носії зарядів легко зможуть подолати потенційний бар'єр, і
тому через p-n перехід протікатиме порівняно великий струм, викликаний основними
носіями заряду. Таке включення p-n переходу називається прямим, і струм через p-n
перехід, викликаний основними носіями заряду, також називається прямим струмом.
Вважається, що при прямому включенні p-n перехід відкритий.
 Якщо підключити зовнішню напругу мінусом на p-область, а плюсом на n-область, то
виникає зовнішнє електричне поле, лінії напруженості якого співпадають з внутрішнім
полем p-n переходу. В результаті це приведе до збільшення потенційного бар'єру і ширини p-
n переходу. Основні носії заряду не зможуть подолати p-n перехід, і вважається, що p-n
перехід закритий. Обидва поля – і внутрішнє і зовнішнє - є прискорюючими для неосновних
носіїв заряду, тому неосновні носії заряду проходитимуть через p-n перехід, утворюючи
дуже маленький струм, який називається зворотним струмом. Таке включення p-n переходу
також називається зворотним.
3. Властивості p-n переходу.
До основних властивостей p-n переходу відносяться:
1) властивість односторонньої провідності;
2) температурні властивості p-n переходу;
3) частотні властивості p-n переходу;
4) пробій p-n переходу.
Властивість односторонньої провідності p-n переходу неважко розглянути на вольт-
амперній характеристиці. Вольт-амперною характеристикою (ВАХ) називається графічно
виражена залежність величини протікаючого через p-n перехід струму від величини
прикладеної напруги I=f(U). Вважатимемо пряму напругу позитивною, зворотне –
негативним. Струм через p-n перехід може бути визначений таким чином:

де I0 – струм, викликаний проходженням власних носіїв заряду;

e – підстава натурального логарифма;
e' – заряд електрона;
Т – температура;
U – напруга, прикладена до p-n переходу;
k – стала Больцмана, що визначає зв'язок між температурою та енергією =1,38*10-23
Дж/К.
При збільшенні прямої напруги прямий струм змінюється по експоненціальному закону.
 Оскільки величина зворотного струму у багато разів менше ніж прямого, то зворотним
струмом можна нехтувати і вважати, що p-n перехід проводить струм тільки в одну сторону.
Температурна властивість p-n переходу показує, як змінюється робота p-n переходу при
зміні температури. На p-n перехід в значній мірі впливає нагрів, в дуже малому ступені –
охолоджування. При збільшенні температури збільшується термогенерація носіїв заряду, що
приводить до збільшення як прямого, так і зворотного струму.
Частотні властивості p-n переходу показують, як працює p-n перехід при подачі на
нього змінної напруги високої частоти. Частотні властивості p-n переходу визначаються
двома видами місткості переходу. Перший вид ємкості – це ємкість, обумовлена нерухомими
зарядами іонів донорної і акцепторної домішок. Вона називається зарядною, або бар'єрною
ємкістю Сбар=Q/Uзвор.
Другий тип ємкості – це дифузійна ємкість, обумовлена дифузією рухомих носіїв заряду
через p-n перехід при прямому включенні Сдиф=Q/Uпр. Q – сумарний заряд, що протікає через
p-n перехід.
Якщо на p-n перехід подавати змінну напругу, то опір ємкості p-n переходу
зменшуватиметься із збільшенням частоти, і при деяких великих частотах опір ємкості може
порівнятися з внутрішнім опором p-n переходу при прямому включенні. В цьому випадку
при зворотному включенні через цю ємкість потече достатньо великий зворотний струм, і p-
n перехід втратить властивість односторонньої провідності. Тому, чим менше величина
ємкості p-n переходу, тим на більш високих частотах він може працювати.
Пробій p-n переходу. При збільшенні зворотної напруги енергія електричного поля стає
достатньою для генерації носіїв заряду. Це приводить до сильного збільшення зворотного
струму. Явище сильного збільшення зворотного струму при певній зворотній напрузі
називається електричним пробоєм p-n переходу.
Електричний пробій – це оборотний пробій, тобто при зменшенні зворотної напруги p-n
перехід відновлює властивість односторонньої провідності. Якщо зворотну напругу не
зменшити, то напівпровідник сильно нагріється за рахунок теплової дії струму і p-n перехід
згоряє. Таке явище називається тепловим пробоєм p-n переходу. Тепловий пробій
незворотний.