ET3230 Điện tử tương tự I

Bài giảng: Ôn tập lại một số kiến thức

đã học

Slide 1
 Các linh kiện cơ bản
• Điện trở, tụ điện, cuộn cảm

Slide 2
 Định luật Kirchhoff
• Kirchhoff’s Current Law – KCL: Tổng đại số
các dòng điện tại 1 nút trong mạch bằng 0
• Kirchhoff’s Voltage Law – KVL: Tổng đại số
các điện áp trong 1 vòng kín bằng 0
• Ví dụ:

Slide 3
 Các mạch với điện trở
• Điện trở mắc nối tiếp
• Điện trở mắc song song

Slide 4
 Mạch chia dòng, điện áp
• Mạch chia dòng, chia áp dùng điện trở

Slide 5
 Thevenin  Norton
• Biểu diễn tương đương của nguồn tín
hiệu: dưới dạng Thevenin và Norton

Slide 6
 Nguyên lý xếp chồng
• Có thể áp dụng nguyên lý xếp chồng cho
các hệ thống tuyến tính
– Với 1 hệ thống tuyến tính có nhiều nguồn
năng lượng độc lập, đáp ứng tổng = tổng các
đáp ứng của từng nguồn riêng lẻ
• Kỹ thuật tính toán
– Ngắn mạch các nguồn áp và hở mạch các
nguồn dòng
– Tính toán cho từng nguồn
– Tổng lại

Slide 7
 Nguyên lý xếp chồng
• Ví dụ

vs 3
=i =
'

R1 + R2 8 + 4
2

is R1 2.8
=i =
''

R1 + R2 8 + 4
2

i2= i2' + i2''

Slide 8
 ET3230 Điện tử tương tự I

Bài giảng: Các khái niệm và tham số

cơ bản của hệ thống điện tử tương tự

Slide 1
 Nội dung
• Hệ số khuếch đại
• Định thiên cho bộ khuếch đại làm việc ở
chế độ tuyến tính
• Điểm qua mô hình mạng 4 cực cho bộ
khuếch đại
• Sự phối hợp giữa điện trở nguồn và tải
• Hàm truyền đạt và đáp ứng tần số

Slide 2
 Hệ số khuếch đại
• Các tín hiệu cần xử lý thường rất nhỏ (cỡ
uV, mV) => khuếch đại

vo
- HSKĐ điện áp Av =
vi
i
- HSKĐ dòng điện Ai = o
ii
PL voio
- HSKĐ công suất Ap = =
Pi vi ii
Slide 3
Định thiên cho bộ KĐ làm việc ở chế độ tuyến tính

• Khi thực hiện KĐ tín hiệu:

– Thông tin chứa trong tín hiệu cần giữ nguyên
– Không xuất hiện các thông tin mới
• Bất cứ 1 sự thay đổi nào không mong đợi
=> sự méo dạng
• Bộ KĐ tuyến tính
vo ( t ) = Avi ( t )

A là hằng số

Slide 4
Định thiên cho bộ KĐ làm việc ở chế độ tuyến tính

• Trên thực tế đặc tính truyền đạt của các bộ KĐ là không

tuyến tính => định thiên cho bộ KĐ
• Thực hiện: định điểm làm việc Q + biên độ tín hiệu vào
đủ nhỏ

Slide 5
Điểm qua mô hình mạng 4 cực cho bộ KĐ
• Bộ KĐ điện áp

Aov vi Nguồn áp được

điều khiển bởi áp

• HSKĐ điện áp hở mạch

vo Ri = ∞
Av = Ro = 0
o
vi i o =0

Slide 6
 Sự phối hợp giữa điện trở nguồn và tải
• ? Tránh ảnh hưởng của nguồn và tải
– Nguồn tín hiệu có điện trở Rs
– Điện trở tải RL

Ri
vi = vs Ri  Rs
Ri + Rs

vo RL
Av = Avo= RL  Ro
vi RL + Ro

Slide 7
 Hàm truyền đạt và đáp ứng tần số
• Hàm truyền đạt Vo (ω )
T (ω ) =
Vi (ω )
• Khi thay đổi => đáp ứng tần số của bộ KĐ
– Đáp ứng biên độ - tần số T (ω )
– Đáp ứng pha - tần số ∠T (ω )
• Thông thường đáp ứng biên độ tiêu biểu của 1
bộ KĐ có dạng

Slide 8
 Tóm tắt
• Trong bài học này cần nắm một số khái
niệm, tham số cơ bản của hệ thống điện
tử tương tự

Slide 9
 Bài tập
• Đọc chương 1, 2 (diode bán dẫn, các ứng
dụng của diode bán dẫn) trong tài liệu
tham khảo [1]

Slide 10
ET.3230 Điện tử tương tự 1

Bài giảng: Diode bán dẫn

Slide 1
 Nội dung
• Giới thiệu
• Mạch tương đương
• Diode Zener
• Diode LED
• Ứng dụng
– Mạch chỉnh lưu
– Mạch xén(clipper)
– Mạch ghim (clamper)
– Ứng dụng của diode Zener
– Mạch nhân điện áp
Slide 2
 Giới thiệu
• Diode lý tưởng

Slide 3
 Giới thiệu
• Điều kiện hoạt động
– Không phân cực: VD = 0V , I D 0A =
– Phân cực thuận: VD > 0V , I D > 0A
– Phân cực ngược: VD < 0V−, I D = I S
• Điện áp phân cực thuận cho diode
– Si: VT ≈ 0,7V
– Ge: VT ≈ 0,3V
• Quan hệ giữa điện áp và dòng điện
I S Dòng bão hòa ngược

qVD
 q = 1,6.10−19 C
ID = IS  e
nkT
1 −
  k = 1,38.10−23 J K
• Điện trở động Hằng số Boltzmann
26mV ∆Vd
rd = rd =
ID ∆I d
Slide 4
 Giới thiệu
• Đặc tuyến của diode bán dẫn Si

Slide 5
 Giới thiệu
• Ảnh hưởng của nhiệt độ: Khi nhiệt độ tăng
lên
– Điện áp phân cực thuận giảm
– Dòng bão hòa ngược tăng
– Điện áp đánh thủng tăng

Slide 6
 Mạch tương đương
• Xấp xỉ đặc tính của diode bởi các đoạn
thẳng => mô hình tuyến tính từng đoạn

Slide 7
 Diode Zener
• Diode Zener hoạt động ở vùng phân cực
ngược tại điện áp Zener

• Diode Zener thường có VZ từ 1,8 - 200V

với công suất ¼ - 50W
Slide 8
 Diode LED
• LED: Light-Emitting Diode, khi phân cực
thuận sẽ phát ra ánh sáng
• LED thông thường hoạt động tại mức điện
áp từ 1,7V đến 3,3V

Slide 9
 Ví dụ
• Tính điện trở động của diode

Slide 10
Diode – Hình dạng

Slide 11
Diode – Kiểm tra

Slide 12
 2.5 Ứng dụng
• 2.5.1 Mạch chỉnh lưu
– Mạch chỉnh lưu nửa sóng
– Mạch chỉnh lưu toàn sóng
• 2.5.2 Mạch xén (clipper)
• 2.5.3 Mạch ghim (clamper)
• 2.5.4 Ứng dụng của diode Zener
• 2.5.5 Mạch nhân điện áp

Slide 13
 2.5.1 Mạch chỉnh lưu
• Có nhiệm vụ cung cấp điện áp (dòng điện)
1 chiều có giá trị nhất định cho tải
• Sau chỉnh lưu, trên tải xuất hiện điện áp
(dòng điện) 1 chiều còn có lẫn thành phần
gợn sóng không mong muốn => cần phải
dùng mạch lọc để có thành phần 1 chiều ở
lối ra

Slide 14
 2.5.1 Mạch chỉnh lưu
• Mạch chỉnh lưu nửa sóng

• Ảnh hưởng của điện áp VT

Slide 15
 3.5.1 Mạch chỉnh lưu
• Mạch chỉnh lưu toàn sóng
– Mạch chỉnh lưu cầu
• Dùng 4 diode

Slide 16
 3.5.1 Mạch chỉnh lưu
• Mạch chỉnh lưu toàn sóng
– Mạch chỉnh lưu dùng biến áp
• Chỉ dùng 2 diode
• Biến áp đối xứng: có 2 cuộn thứ cấp
bằng nhau và trái pha nhau => phức tạp

Slide 17
 2.5.2 Mạch xén (Clipper)
• Mạch sử dụng để xén 1 phần tín hiệu cho
trước
• Phân loại theo cách mắc mạch
– Mạch xén mắc nối tiếp: diode mắc nối tiếp với
tải
– Mạch xén mắc song song: diode mắc song
song với tải

Slide 18
 2.5.2 Mạch xén (Clipper)
• Mạch xén mắc nối tiếp

Slide 19
 2.5.2 Mạch xén (Clipper)
• Mạch xén mắc song song

Slide 20
 2.5.2 Mạch xén (Clipper)
• Mạch xén điều chỉnh được mức ra
– Mắc thêm điện thế 1 chiều nối tiếp với diode
– Dạng sóng đầu ra phụ thuộc vào cực tính của nguồn DC và diode

Slide 21
 3.5.3 Mạch ghim (clamper)
• Sử dụng kết hợp diode với tụ điện để
“ghim” tín hiệu xoay chiều đầu vào ở 1
mức điện áp 1 chiều xác định
• Tín hiệu vào có thể là bất kỳ dạng nào:
sine, vuông, tam giác . . .

Slide 22
3.5.3 Mạch ghim (Clamper)

Slide 23
 3.5.3 Mạch ghim (clamper)
• Có thể mắc thêm thành phần 1 chiều nối
tiếp với diode để điều chỉnh mức điện áp
muốn ghim

Slide 24
 2.5.4 Ứng dụng của diode Zener
• Diode Zener hoạt động tại điện áp phân
cực ngược VZ

Slide 25
 2.5.4 Ứng dụng của diode Zener
• Vi , RL cố định
– Cách tính toán
• Bỏ diode Zener, tính đ.áp
hở mạch
• Nếu
– V ≥ VZ diode Zener “thông” ⇒Thay thế mạch tương đương của
– V < VZ diode Zener “tắt” diode Zener vào và tính toán

– Ví dụ: V ≥ VZ

Slide 26
 2.5.4 Ứng dụng của diode Zener
• Vi cố định, RL thay đổi

RL min < RL < RLmax

RVZ VZ VZ
RL min = RL m ax = =
Vi − Vz I L min I R − I ZM

• RL cố định, Vi thay đổi

Vi min < Vi < Vimax
RL + R
Vi min = VZ Vimax = I Rmax R V+Z (=I ZM I L +) R VZ+
RL
I ZM cho trong data sheet
Slide 27
 2.5.4 Mạch nhân điện áp
• Sử dụng để tăng điện áp đầu ra của các
mạch chỉnh lưu, ví dụ tăng thêm 2, 3, 4
hay nhiều lần
• Kết hợp nhiều diode và tụ điện

Slide 28
 2.5.5 Mạch nhân điện áp
• Mạch nhân đôi điện áp

Vout = VC 2
2V=m

Slide 29
 Tóm tắt
• Bài học tập trung vào
– Diode
– Các ứng dụng của diode => tính toán được
các mạch

Slide 30
 Bài tập
• Đọc chương 3, 4 (transistor lưỡng cực,
phân cực DC cho transistor lưỡng cực)
trong tài liệu tham khảo [1]
• Bài tập [1]: 10, 11, 21, 27, 30, 34, 37, 42

Slide 31
 ET.3230 Điện tử tương tự 1

Bài giảng: Transistor lưỡng cực

Slide 1
 Transistor

Co-inventors of the first transistor

at Bell Laboratories: Dr. William
Shockley (seated); Dr. John
Bardeen (left); Dr. Walter H.
Brattain. All shared the Nobel Prize
in 1956 for this contribution.
The first transistor., 1947(Courtesy Bell Telephone Laboratories.)

Slide 2
Transistor

Slide 3
 Nội dung
• Giới thiệu cấu trúc và hoạt động
• Các dạng mắc mạch cơ bản
– Mạch chung base
– Mạch chung emitter
– Mạch chung collector
• Các phương pháp phân cực cho BJT
– Nguyên tắc chung phân cực BJT
– Đường tải tĩnh và điểm làm việc tĩnh
– PP phân cực bằng dòng base cố định
– PP phân cực bằng dòng emitter
– PP phân cực bằng điện áp phản hồi
– PP phân cực bằng bộ phân áp
• Đánh giá sự ổn định của mạch phân cực cho BJT
• Một số mạch phân cực dạng hỗn hợp
• Tham số kỹ thuật quan trọng của BJT

Slide 4
 3.1 Giới thiệu cấu trúc và hoạt động
• 3.1.1 Cấu trúc của transistor lưỡng cực
• 3.1.2 Nguyên lý làm việc của BJT

Slide 5
 3.1.1 Cấu trúc của BJT
• Linh kiện bán dẫn có 3 lớp
– 2 lớp loại n, 1 lớp loại p: npn
– 2 lớp loại p, 1 lớp loại n: pnp
• 2 lớp bên ngoài có độ dày lớn
hơn nhiều lớp ở giữa (ví dụ: tỷ lệ
150/1)
• Ký hiệu
E: emitter, B: base, C: collector

Slide 6
 3.1.2 Nguyên lý làm việc của BJT
• EB phân cực thuận
• CB phân cực ngược

IE = IC + IB • IC = αIE + ICBO

IC = βIB • IC ≈ αIE (bỏ qua ICBO vì rất nhỏ)

β

β = 50 ÷ 400 • α = 0.9 ÷0.998. α=
1+ β

β hệ số khuếch đại dòng điện α hệ số truyền đạt dòng điện

Slide 7
 3.1.2 Nguyên lý làm việc của BJT
• Mũi tên đặt giữa cực E và B, chiều từ bán
dẫn p sang bán dẫn n, chỉ chiều của dòng
điện

Slide 8
Kiểm tra

Slide 9
3.2 Các dạng mắc mạch cơ bản của BJT
• 3.2.1 Mạch chung base
• 3.2.2 Mạch chung emitter
• 3.2.3 Mạch chung collector

Slide 10
 3.2.1 Mạch chung base
• Mạch chung base
– Cực base chung cho cả đầu vào (emitter) và
đầu ra (collector)

– Mô tả bằng 2 đặc tuyến vào, ra

• Quan hệ giữa dòng đầu vào I E và điện áp vào VBE
với các điện áp ra VCB khác nhau
• Quan hệ giữa dòng đầu ra I C và điện áp ra VCB
với các dòng đầu vào I E khác nhau
Slide 11
 3.2.2 Mạch chung base
• Đặc tuyến vào và ra
- Ba vùng
+ Tích cực
+ Cắt
+ Bão hòa

- Vùng tích cực

+ B-E: phân cực thuận
+ C-B: phân cực ngược
IC ≈ I E
VBE = 0,7V

Slide 12
 Các dạng mắc mạch cơ bản của BJT
• Mạch chung emitter
– Cực E chung cho cả
đầu vào (B) và đầu ra (C)

– Mô tả bằng 2 đặc tuyến vào, ra

• Quan hệ giữa dòng đầu vào I B và điện áp vào VBE
với các điện áp ra VCE khác nhau
• Quan hệ giữa dòng đầu ra I C và điện áp ra VCE
với các dòng đầu vào I B khác nhau
Slide 13
 Các dạng mắc mạch cơ bản của BJT
• Đặc tuyến vào và ra

- Vùng tích cực

+ B-E: phân cực thuận
+ C-B: phân cực ngược
IC = β I B
I E = I C + I B = ( β + 1) I B
Slide 14
 Các dạng mắc mạch cơ bản của BJT
• Mạch chung collector
– Cực C chung cho cả đầu vào (B) và đầu ra (E)
– Có thể sử dụng 2 đặc tuyến vào, ra của dạng mắc CE
– Thường dùng cho các mục đích phối hợp trở kháng,
do có trở kháng vào cao và trở kháng ra thấp

Slide 15
3.3 Các phương pháp phân cực cho BJT
• 3.3.1 Nguyên tắc chung phân cực BJT
• 3.3.2 Đường tải tĩnh và điểm làm việc tĩnh
• 3.3.3 PP phân cực bằng dòng base cố định
• 3.3.4 PP phân cực bằng dòng emitter
• 3.3.5 PP phân cực bằng điện áp phản hồi
• 3.3.6 PP phân cực bằng bộ phân áp
• 3.3.7 Đánh giá sự ổn định của mạch phân
cực cho BJT
• 3.3.8 Một số mạch phân cực dạng hỗn hợp

Slide 16
 3.3.1 Nguyên tắc chung phân cực BJT
• Để khuếch đại tín hiệu BJT hoạt động
trong vùng tích cực => phân cực cho BJT
• Phân cực: thiết lập điện áp, dòng điện một
chiều theo yêu cầu
• Tiếp giáp
– EB phân cực thuận
– CB phân cực ngược

Slide 17
3.3.1 Nguyên tắc chung phân cực cho BJT
• Để tính toán
– Dùng 1 số quan hệ cơ bản quan trọng của
BJT
VBE = 0,7V
I E = ( β + 1) I B ≈ I C
IC = β I B

– Đầu tiên thường xác định dòng base I B

– Áp dụng các quan hệ cơ bản để tìm các thông
số cần quan tâm
– Trong chế độ DC, tụ điện coi như hở mạch
• Chú ý: trong quá trình thiết kế việc lựa chọn thông số cho chế độ
DC ảnh hưởng tới chế độ AC và ngược lại
Slide 18
3.3.2 Đường tải tĩnh và điểm làm việc tĩnh
• Đường tải tĩnh và điểm làm việc tĩnh
– Điện áp phân cực đặt vào BJT => điểm làm việc tĩnh,
tùy thuộc vào mục đích sử dụng của mạch
– Đường tải tĩnh: vẽ trên các đường đặc tuyến của BJT
để biểu diễn sự có mặt của tải

Slide 19
3.3.3 PP phân cực bằng dòng base cố định
• Vòng BE
VCC = I B RB + VBE
VCC − VBE
IB =
RB
IC = β I B
• Vòng CE
VCE = VCC − I C RC

• Đơn giản nhưng không ổn định

Slide 20
3.3.3 PP phân cực bằng dòng base cố định
• Trường hợp bão hòa
• Dòng qua transistor lớn nhất
VCE = 0V
RCE = 0Ω
IC = IC sat

VCC
IC =
sat
RC

Slide 21
3.3.3 PP phân cực bằng dòng base cố định
• Sử dụng đồ thị

VCE = VCC − I C RR

Slide 22
 3.3.4 PP phân cực bằng dòng emitter
• Vòng BE
VCC = I B RB + VBE + I E RE
VCC − VBE
IB =
RB + ( β + 1) RE

• Vòng CE
VCE = VCC − I C ( RC + RE )

• RE làm tăng độ ổn định

Slide 23
3.3.5 PP phân cực bằng điện áp phản hồi
• Vòng BE
VCC = I C' RC + I B RB + VBE + I E RE
VCC − VBE
IB =
RB + β ( RC + RE )

• Vòng CE Độ ổn định tương đối tốt

VCE = VCC − I C ( RC + RE )

• Tăng độ ổn định bằng đường phản hồi từ

C tới B
Slide 24
 3.5.6 PP phân cực bằng bộ phân áp
• Thevenin
RTh = R1 || R2
R2VCC
VTh =
R1 + R2

Tương đương mạch phân cực bằng dòng base

• Vòng BE
ETh = I B RTh + VBE + I E RE
ETh − VBE
IB =
RTh + ( β + 1) RE

• Vòng CE
Dòng và áp không phụ thuộc β
VCE = VCC − I C ( RC + RE )
Slide 25
 3.5.6 PP phân cực bằng bộ phân áp
• Cách tính xấp xỉ
β RE ≥ 10 R2
I1 ≈ I 2

R2VCC
VB =
R1 + R2
VE = VB − VBE
VE
IC ≈ I E =
RE

• Vòng CE
VCE = VCC − I C ( RC + RE )
Slide 26
3.3.7 Đánh giá sự ổn định của mạch phân
cực cho BJT
• Ảnh hưởng của nhiệt độ
- Nhiệt độ ảnh hưởng nhiều đến các tham số thiết bị
Khi nhiệt độ tăng:

Hệ số β tăng

Dòng dò Icbo tăng

Điện áp Vbe giảm
⇒gây ra sự không ổn định của mạch do sự dịch chuyển của
điểm làm việc Q
⇒chất lượng tín hiệu ra giảm
- Đối với BJT chế tạo từ Si, β chịu ảnh hưởng nhiều của nhiệt
độ

Slide 27
3.3.7 Đánh giá sự ổn định của mạch phân
cực cho BJT
• Các hệ số ổn định

S(Ico)=∆Ic/∆Icbo – ảnh hưởng nhiều đến
BJT dùng Germani

S(Vbe)=∆Ic/∆Vbe – ảnh hưởng ít

S(β)= ∆Ic/∆β – ảnh hưởng nhiều đến
BJT dùng Silic

Tổng ảnh hưởng đến dòng Ic

∆Ic=S(Ico)* ∆Icbo+ S(Vbe)*∆Vbe+ S(β)*∆β

Slide 28
3.3.8 Một số mạch phân cực dạng hỗn hợp
• Có rất nhiều mạch phân cực khác cho BJT
• Về cơ bản khi xem xét 1 mạch phân cực
– Đầu tiên tính dòng đầu vào I B (hoặcI E)
– Các dòng + các điện áp khác có thể được xác
định khá trực tiếp

Slide 29
3.3.8 Một số mạch phân cực dạng hỗn hợp
• Ví dụ:
– Cho mạch như hình vẽ
– Xác định VC , VE

Slide 30
 Tham số kỹ thuật quan trọng của BJT
• Tên: 2N+số, ví dụ 2N4123, 2N2218…
• Thông số cơ bản:
Tối đa: Vce, Vcb, Veb, Ic, Pdis, T
Đặc tính điện:

OFF chars.: điện áp đánh thủng của CE, CB, EB, Iccutoff,
Iecutoff

ON chars.: DC β, Vce(sat), Vbe(sat)

Tín hiệu nhỏ:current-gain – bandwidth product (β*f),
small-signal β

Slide 31
 Tóm tắt
• Các dạng mắc mạch cơ bản
• Phương pháp phân cực cho BJT, chú ý tới
độ ổn định

Slide 32
 Bài tập
• Đọc chương 7, 8 (mô hình của transistor
lưỡng cực, mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ
sử dụng transistor lưỡng cực) trong tài
liệu tham khảo [1]
• Bài tập [1]:
– Chương 4: 5, 7, 10, 14, 23, 26, 28, 32, 33
• Bài giảng có thể được tải về tại
https://sites.google.com/site/pvthanhbk1/m
y-forms

Slide 33
 ET.3230 Điện tử tương tự 1

Bài giảng: Mạch khuếch đại tín hiệu

nhỏ sử dụng transistor lưỡng cực

Slide 1
 Nội dung
• Khái niệm sơ đồ tương đương
– Sơ đồ tương đương tham số hỗn hợp
– Sơ đồ tương đương tham số dẫn nạp
– Sơ đồ tương đương mô hình re
– So sánh các loại sơ đồ tương đương
• Phân tích mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ sử dụng transistor
lưỡng cực
– Phân tích theo sơ đồ tương đương mô hình re
– Phân tích bằng phương pháp đồ thị
• Sự phụ thuộc của chế độ làm việc xoay chiều vào chế độ
phân cực một chiều
• Tổng kết đặc điểm của các mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ sử
dụng transistor lưỡng cực

Slide 2
 4.1 Khái niệm sơ đồ tương đương và
phân loại
• 4.1.1 Sơ đồ tương đương tham số hỗn
hợp
• 4.1.2 Sơ đồ tương đương tham số dẫn
nạp
• 4.1.3 Sơ đồ tương đương mô hình re

Slide 3
 4.1 Khái niệm sơ đồ tương đương và
phân loại
• Sơ đồ tương đương BJT:
– Sơ đồ tương đương BJT là 1 mạch điện tử
miêu tả xấp xỉ hoạt động của thiết bị trong
vùng làm việc đang xét
– Khuếch đại BJT tín hiệu nhỏ được coi là
tuyến tính cho hầu hết các ứng dụng

Slide 4
4.1.1 Sơ đồ tương đương tham số hỗn hợp
• Công thức mạng 4 cực Ii Io
Mạng
Vi = h11 I i + h12Vo Vi
4 cực
Vo

 I o = h21 I i + h22Vo
• Chỉ số e (hoặc b,c) cho các cấu trúc CE
(hoặc CB, CC)

Slide 5
4.1.1 Sơ đồ tương đương tham số hỗn hợp
• Bảng giá trị tham số tiêu biểu cho các cấu
hình CE, CB, CC

Tham số CE CB CC
h11 (hi) 1kΩ 20Ω 1kΩ
h12 (hr) 2,5x 10−4 3x 10−4 ≈1
h21 (hf) 50 -0,98 -50
h22 (ho) 25µA/V 0,5µA/V 25µA/V
1/h22 40kΩ 2MΩ 40kΩ

Slide 6
4.1.2 Sơ đồ tương đương tham số dẫn nạp
• Công thức mạng 4 cực Ii Io
Mạng
 I i = y11Vi + y12Vo Vi
4 cực
Vo

 I o = y21Vi + y22Vo
• Chỉ số e (hoặc b,c) cho các cấu trúc CE
(hoặc CB, CC)

Slide 7
 4.1.3 Sơ đồ tương đương mô hình re
• BJT được mô hình hóa bằng một diode và
nguồn dòng điều khiển được
– Đầu vào: tiếp giáp BE phân cực thuận làm việc
như 1 diode
– Đầu ra: nguồn dòng điều khiển được, với dòng
điều khiển là dòng vào, mô tả quan hệ I c = β I b
hoặc I c = α I e

Slide 8
 4.1.3 Sơ đồ tương đương mô hình re
• Cấu hình CB
– Chung B giữa đầu
vào và đầu ra
– Đầu vào: re là điện
trở xoay chiều của
diode 26mV
re =
IE
– Đầu ra: Nguồn dòng
điều khiển bởi dòng
Ic = α Ie

Slide 9
 4.1.3 Sơ đồ tương đương mô hình re
• Cấu hình CB

Z i = re từ vài Ω tới 50 Ω
Zo ≈ ∞ thường khoảng M Ω

α RL RL tương đối lớn

Av = ≈
re re Vi , Vo đồng pha
Ai = −α ≈ −1
Slide 10
 4.1.3 Sơ đồ tương đương mô hình re
• Cấu hình CE
– Chung E giữa đầu
vào và đầu ra
– Đầu vào: re là điện
trở xoay chiều của
diode 26mV
re =
IE
– Đầu ra: Nguồn dòng
điều khiển bởi dòng
Ic = β Ib

Slide 11
 4.1.3 Sơ đồ tương đương mô hình re
• Cấu hình CE
Vbe β I b re
Zi = ≈ = β re
Ib Ib
từ vài trăm Ω tới 6-7kΩ
Z o = ro từ 40kΩ tới 50kΩ
Z o = ro ≈ ∞ không được đưa vào
mô hình re
RL
Av = − Vi , Vo ngược pha
re r0 =∞

Ai = β ro =∞

Z i , Z o trung bình; Av , Ai lớn

Slide 12
 4.1.3 Sơ đồ tương đương mô hình re
• Cấu hình CC
– Có thể áp dụng mô hình đã được định nghĩa
cho cấu hình CE

Slide 13
4.1.4 So sánh các loại sơ đồ tương đương
• So sánh sơ đồ tương đương H và re
Mô hình H Mô hình re

Cố định. Không biến đổi theo Có biến đổi theo điểm làm
điểm làm việc việc
Có xét đến tín hiệu hồi tiếp Bỏ qua tín hiệu hồi tiếp

Có xét đến điện trở ra Bỏ qua điện trở ra

Slide 14
 4.2 Phân tích mạch KĐ tín hiệu nhỏ sử
dụng BJT
• 4.2.1 Phân tích theo sơ đồ tương đương
mô hình re
• 4.2.2 Phân tích bằng phương pháp đồ thị

Slide 15
 4.2 Phân tích mạch KĐ tín hiệu nhỏ sử
dụng BJT
• Tín hiệu nhỏ:
– Không có giới hạn chính xác, phụ thuộc
tương quan giữa tín hiệu vào và tham số linh
kiện
– Vùng làm việc được coi là tuyến tính
• Khuếch đại xoay chiều:
– Pin>Pout

Slide 16
 4.2.1 Phân tích theo sơ đồ tương đương
mô hình re
• Cấu hình CE phân cực bằng dòng base cố định

Slide 17
 4.2.1 Phân tích theo sơ đồ tương đương
mô hình re
• Cấu hình CE phân cực bằng dòng base cố định
Z i = RB β re Z i ≈ β re nếu RB ≥ 10 β re
Z o = RC ro Z o ≈ RC nếu ro ≥ 10 RC
RC nếu
RC ro Av = − ro ≥ 10 RC
Av = − re
re Vi , Vo ngược pha
β RB ro ro ≥ 10 RC ,
Ai = Ai ≈ β nếu
( ro + RC )( RB + β re ) RB ≥ 10 β re
Zi
Ai = − Av
RC
Slide 18
 4.2.1 Phân tích theo sơ đồ tương đương
mô hình re
• Cấu hình CE phân cực bằng dòng emitter

Slide 19
 4.2.1 Phân tích theo sơ đồ tương đương
mô hình re
• Cấu hình CE phân cực bằng dòng emitter
Z i = RB  β re + ( β + 1) RE  ≈ RB β ( re + RE ) ≈ RB β RE

Z o = RC
β RC RC RC
Av = − Av ≈ − Av ≈ −
β re + ( β + 1) RE re + RE RE

β RB
Ai =
RB +  β re + ( β + 1) RE 

Slide 20
 4.2.1 Phân tích theo sơ đồ tương đương
mô hình re
• Cấu hình CE phân cực bằng bộ phân áp

Slide 21
 4.2.1 Phân tích theo sơ đồ tương đương
mô hình re
• Cấu hình CE phân cực bằng bộ phân áp
'
Z i = R1 R2 β re = R β re
Z o = RC ro Z o ≈ RC nếu ro ≥ 10 RC
RC nếu
RC ro Av = − ro ≥ 10 RC
Av = − re
re Vi , Vo ngược pha
'
β R ro β R '
Ai = Ai ≈ ' nếu ro ≥ 10 RC
( ro + RC ) ( R + β re )
'
R + β re
Zi ro ≥ 10 RC ,
Ai = − Av Ai ≈ β nếu RB ≥ 10 β re
RC
Slide 22
4.2.1 Phân tích theo sơ đồ tương đương
mô hình re
• Cấu hình CE hồi tiếp collector re
Zi =
1 RC
+
β RF
Z o ≈ RC RF
RC
Av = −
re
β RF
Ai =
RF + β RC
RF
Ai ≈ nếu β RC ≫ RF
RC
Slide 23
4.2.1 Phân tích theo sơ đồ tương đương
mô hình re
• Cấu hình CB Z i = RE re trở kháng vào
tương đối nhỏ

Z o = RC trở kháng ra lớn

α RC RC tương
Av = ≈ đối
re re lớn
Vi , Vo cùng pha

Ai = −α ≈ −1
Slide 24
 4.2.1 Phân tích theo sơ đồ tương đương
mô hình re
• Cấu hình CC

Slide 25
 4.2.1 Phân tích theo sơ đồ tương đương
mô hình re
• Cấu hình CC
Z i = RB  β re + ( β + 1) RE  ≈ RB β ( re + RE ) ≈ RB β RE
trở kháng vào lớn

Z o = RE re ≈ re vì RE ≫ re trở kháng ra nhỏ

RE
Av = ≈1
RE + re => mạch lặp emitter, dùng
Vi , Vo cùng pha để phối hợp trở kháng

β RB
Ai ≈ −
RB + β ( re + RE )
Slide 26
4.2.2 Phân tích bằng phương pháp đồ thị
• Đặc tuyến vào ra của BJT mắc CE

Slide 27
4.2.2 Phân tích bằng phương pháp đồ thị
• Đặc tuyến vào ra của BJT mắc EC

Slide 28
4.2.2 Phân tích bằng phương pháp đồ thị
• Điểm làm việc Q
• Đường tải: có 2 loại
– Đường tải tĩnh (chế độ 1 chiều) VCE = VCC − I C RC
– Đường tải động (chế độ xoay chiều) Dốc hơn so với
đường tải tĩnh => ảnh hưởng đến điện áp ra

Slide 29
4.2.2 Phân tích bằng phương pháp đồ thị
• Vị trí điểm làm việc khi thay đổi I B , RC , VCC

Slide 30
 4.2.2 Phân tích bằng phương pháp đồ thị
• Tín hiệu vào: thay đổi ∆I B , ∆VBE
• Tín hiệu ra: thay đổi ∆VCE , ∆I C

io ∆I C
Ai = =
ii ∆I B
vo ∆VCE
Av = =
vi ∆VBE
vi ∆VBE
Zi = =
ii ∆I B
vo ∆VCE
Zo = =
io ∆I C
Slide 31
4.2.2 Phân tích bằng phương pháp đồ thị

Slide 32
 5.3 Sự phụ thuộc của chế độ xoay chiều
vào chế độ phân cực 1 chiều
• Ảnh hưởng của vị trí điểm Q đến tín hiệu
xoay chiều ra
– Q gần vùng cắt, BJT sẽ rơi vào vùng cắt ngay
cả khi tín hiệu vào bé => cắt phần dương điện
áp ra
– Q gần vùng bão hòa, BJT dễ bị rơi vào vùng
bão hòa => cắt phần âm điện áp ra
– Tín hiệu vào quá lớn => cắt cả phần dương
và âm điện áp ra

Slide 33
 5.4 Tổng kết đặc điểm của mạch KĐ tín
hiệu nhỏ sử dụng BJT
CE CB CC

Zi Trung bình Nhỏ Lớn

Zo Trung bình Trung bình Nhỏ

Av Lớn Lớn ≈1
Ai Lớn ≈ −1 Lớn

Pha giữa tín

Đảo pha Đồng pha Đồng pha
hiệu vào và ra

Slide 34
 Tóm tắt
• Các sơ đồ tương đương của BJT
• Phân tích mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ
sử dụng BJT

Slide 35
 Bài tập
• Đọc chương 5, 6 (transistor trường, phân
cực cho transistor trường) trong tài liệu
tham khảo [1]
• Bài tập [1]:
– Chương 7: 6, 8, 10, 13
– Chương 8: 1, 4, 7, 11, 14, 15, 16, 19

Slide 36
 4.396 Điện tử tương tự 1

Bài giảng: Transistor trường

Slide 1
 Nội dung
• 5.1 Cấu trúc và hoạt động của transistor trường
– 5.1.1 Phân loại transistor trường
– 5.1.2 Transistor trường có cực cửa tiếp giáp (JFET)
– 5.1.3 Transistor trường có cực cửa cách ly (MOSFET)
• 5.2 Các dạng mắc mạch
– 5.2.1 Mạch nguồn chung
– 5.2.2 Mạch máng chung
– 5.2.3 Mạch cửa chung
• 5.3 Các phương pháp phân cực cho trasistor trường
– 5.3.1 PP phân cực cố định
– 5.3.2 PP tự phân cực
– 5.3.3 PP phân cực bằng mạch phân áp
– 5.3.4 PP phân cực kiểu hồi tiếp
• 5.4 Các tham số kỹ thuật quan trọng của FET
Slide 2
 5.1 Cấu trúc và hoạt động của FET
• 5.1.1 Phân loại transistor trường
• 5.1.2 Tran Transistor trường có cực cửa
tiếp giáp (JFET)
• 5.1.3 Transistor trường có cực cửa cách ly
(MOSFET)

Slide 3
 5.1.1 Phân loại FET
• Transistor trường có cực cửa tiếp giáp
JFET (Junction Field-Effect Transistor)
– Kênh n
– Kênh p
• Transistor trường có cực cửa cách ly
MOSTFET (Metal-Oxide-Semiconductor
Field-Effect Transistor)
– Kiểu Depletion: kênh n, kênh p
– Kiểu Enhancement: kênh n, kênh p

Slide 4
 5.1.2 JFET
• Cấu trúc

Slide 5
 5.1.2 JFET
• Hoạt động cơ bản:
– Khi VGS = 0V , VDS tăng dần tới 1 giá trị dương

pinch-off

Slide 6
 5.1.2 JFET
• Hoạt động cơ bản
– Khi VGS < 0V , VDS tại một giá trị dương

Slide 7
 5.1.2 JFET
• Hoạt động cơ bản
– Điện trở điều khiển bởi điện áp
• JFET có thể được sử dụng như 1 biến trở

r0
r= 2
 VGS 
1 − 
 VP 

Slide 8
 5.1.2 JFET
• Ký hiệu

kênh n kênh p
• Đặc tuyến truyền đạt
Phương trình Schockley
2
 VGS 
I D = I DSS 1 −
 VP 
VP = VGS ( off )

Slide 9
 5.1.2 JFET
• JFET, BJT

2
 VGS 
I D = I DSS 1 − IC = β I B
 VP 
ID = IS IC ≈ I E

I G ≈ 0A VBE ≈ 0,7V

Slide 10
 5.1.3 MOSFET
• Cấu trúc

kênh n có sẵn kênh n cảm ứng

Slide 11
 5.1.3 MOSFET
• Hoạt động

kênh n có sẵn kênh n cảm ứng

VGS = 0, VDS 0 > VGS > 0, VDS > 0

Slide 12
 5.1.3 MOSFET
• Kí hiệu

kênh có sẵn kênh cảm ứng

Slide 13
 5.1.3 MOSFET
• Đặc tuyến truyền đạt
kênh n
có sẵn 2
 VGS 
I D = I DSS 1 −
 VP 

kênh n
cảm ứng
I D = k (VGS VT ) −
2

I D ( on )
k=
(V − VT )
2
GS( on )

VT = VGS (Th )
Slide 14
 5.1.3 MOSFET
• Đặc tuyến truyền đạt
kênh p
có sẵn

kênh p
cảm ứng

Slide 15
 CMOS
• CMOS - Complementary MOSFET
– Chế tạo MOSFET kênh n và p trên cùng 1 đế
– Trở kháng vào tương đối cao, tốc độ chuyển
mạch nhanh, mức năng lượng hoạt động thấp
– Thiết kế IC số

CMOS
inverter

Slide 16
 5.2 Các dạng mắc mạch
• Có 3 dạng mắc mạch
– Mạch nguồn chung
– Mạch máng chung
– Mạch cửa chung

Slide 17
5.3 Các phương pháp phân cực cho FET
• 5.3.1 PP phân cực cố định
• 5.3.2 PP tự phân cực
• 5.3.3 PP phân cực bằng điện áp phản hồi
• 5.3.4 PP phân cực kiểu hồi tiếp

Slide 18
5.3 Các phương pháp phân cực cho FET
• Cách tính toán
– Quan hệ
• Đối với FET I G ≈ 0A ID = IS 2
 VGS 
• Đối với JFET và DMOSFET I D = I DSS 1 −
 VP 
I D = k (VGS VGS(Th − ))
2
• Đối với EMOSFET
I D ( on )
k=
(VGS(on) − VGS (Th) )
2

Slide 19
 5.3.1 PP phân cực cố định

I G ≈ 0A

VGS = −VGG
2
 VGS 
I D = I DSS 1 −
 VP 
VDS = VDD I D R−D
- Cần 2 nguồn DC
- Ít dùng với E-MOSFET
Slide 20
 5.3.2 PP tự phân cực

VGS = −I D RS
2 2
 VGS   I D RS 
I D = I DSS 1 −  = I DSS 1 + 
 VP   VP 

VDS = V−DD I D ( R+D RS )

- Ít dùng với E-MOSFET

Slide 21
5.3.3 PP phân cực bằng mạch phân áp

VGS = VG I D−RS
2
 VGS 
I D = I DSS 1 − VDS = V−DD I D ( R+D RS )
 VP 
I D = k (VGS VGS(Th−
) ) E-MOSFET
2

Slide 22
 5.3.4 PP phân cực kiểu hồi tiếp

VGS = VDS VDD= I D RD −

I D = k (VGS VGS (Th−) )

2 I D ( on )
k= E-MOSFET
(V − VGS (Th ) )
2
GS( on )
2
 VGS 
I D = I DSS 1 − JFET và D-MOSFET
 VP 
Slide 23
5.4 Các tham số kỹ thuật quan trọng của FET

• JFET 2N5457 – giá trị tới hạn

Rating Symbol Value Unit

Drain-Source voltage VDS 25 Vdc

Drain-Gate voltage VDG 25 Vdc

Reverse G-S voltage VGSR -25 Vdc

Gate current IG 10 mAdc

Device dissipation 250C PD 310 mW

Derate above 250C 2.82 mW/0C
Junction temp range TJ 125 0C

Storage channel temp range Tstg -60 to 0C

+150
Slide 24
5.4 Các tham số kỹ thuật quan trọng của FET

• JFET 2N5457 – đặc tuyến

Characteristic Symbol Min Typ Max Unit

VG-S breakdown V(BR)GSS -25 Vdc

Igate reverse(Vgs=-15, Vds=0) IGSS -1.0 nAdc

VG-S cutoff VGS(off) -0.5 -1.0 Vdc

VG-S VGS -2.5 -6.0 Vdc

ID-zero gate volage IDSS 1.0 3.0 5.0 mAdc

Cin Ciss 4.5 7.0 pF

Creverse transfer Crss 1.5 3.0 pF

Slide 25
5.4 Các tham số kỹ thuật quan trọng của FET

• E-MOSFET kênh n 2N4351 – đặc tuyến

Characteristic Symbol Min Max Unit
VDS breakdown V(BR)DSX 25 Vdc
ID-zero gate volage, IDSS 10 nAdc
Vds=10V,Vgs=0, 25C – 150C 10 µAdc
Igate reverse(Vgs=+-15, Vds=0) IGSS +-10 nAdc
VDS on Voltage VDS(on) 1.0 V
Cin(Vds=10V,Id=2mA,f=140kHz) Ciss 5.0 pF
CDS(Vdsub=10V,f=140KHz) Crss 5.0 pF

RDS(Vgs=10V,Id=0,f=1KHz) Rds(on) 300 ohms

Slide 26
 Tóm tắt
• Bài giảng tập trung vào
– FET: JFET, MOSFET (D-MOSFET và E-
MOSFET)
– 04 PP phân cực cho FET

Slide 27
 Bài tập
• Đọc chương 9 (mô hình của transistor
trường, mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ sử
dụng transistor trường) trong tài liệu tham
khảo [1]
• Bài tập [1]:
– Chapter 5: 3, 5, 6, 9, 26, 34, 37
– Chapter 6: 1, 6, 12, 17, 19, 21, 23

Slide 28
 4.396 Điện tử tương tự 1

Bài giảng: Mạch khuếch đại tín hiệu

nhỏ sử dụng transistor trường

Slide 1
 Nội dung
• 6.1 Sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ sử dụng
transistor trường
• 6.2 Phân tích mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ sử
dụng transistor trường
– 6.2.1 Mạch chung nguồn, phân cực bằng dòng cố
định
– 6.2.2 Mạch mắc chung nguồn, tự phân cực
– 6.2.3 Mạch mắc chung nguồn, phân cực bằng mạch
phân áp
– 6.2.4 Mạch mắc chung máng (mạch lặp nguồn)
– 6.2.5 Mạch mắc chung cửa
• 6.3 Tổng kết đặc điểm của các mạch khuếch đại
tín hiệu nhỏ sử dụng transistor trường
Slide 2
 6.1 Sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ sử
dụng FET
• Trở kháng vào
Z i (FET) = ∞
• Trở kháng ra
1 ∆VDS
Z o (FET) = rd = rd =
yos ∆I D VGS = constant

• Điện áp VGS điều khiển dòng I D

hỗ dẫn truyền đạt
∆I D = g m ∆VGS ∆I D
gm =
∆VGS
Slide 3
 6.1 Sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ sử
dụng FET
• Xác định g m sử dụng đặc tuyến truyền đạt
∆y ∆I D
gm = m = =
∆x ∆VGS

Slide 4
 6.1 Sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ sử
dụng FET
• Xác định g m
2 I DSS  VGS 
gm = 1  −
VP  VP 
 VGS  2 I DSS
g m = g m 0 1 −, g m 0 = g m V =0
 VP  VP
GS

• Ảnh hưởng của I D lên g m

VGS ID ID
1− = ⇒ gm = gm0
VP I DSS I DSS
Slide 5
6.1 Sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ sử
dụng FET

Slide 6
6.2 Phân tích mạch KĐ TH nhỏ sử dụng FET
• 6.2.1 Mạch chung nguồn, phân cực bằng
dòng cố định
• 6.2.2 Mạch mắc chung nguồn, tự phân
cực
• 6.2.3 Mạch mắc chung nguồn, phân cực
bằng mạch phân áp
• 6.2.4 Mạch mắc chung máng (mạch lặp
nguồn)
• 6.2.5 Mạch mắc chung cửa

Slide 7
6.2.1 Mạch mắc CS, PC bằng dòng cố định
Z i = RG

Z o = RD rd

Av = −g m ( RD rd )
Vi , Vo ngược pha

* rd ≥ 10 RD
Z o ≈ RD
Av ≈ − g m RD
Slide 8
6.2.2 Mạch mắc CS, tự phân cực

Z i = RG

Z o = RD rd

Av = −g m ( RD rd )
Vi , Vo ngược pha

* rd ≥ 10 RD
Z o ≈ RD
Av ≈ − g m RD
Slide 9
6.2.3 Mạch mắc CS, PC bằng mạch phân áp

Z i = R1 R2

Z o = RD rd

Av = −g m ( RD rd )
Vi , Vo ngược pha

* rd ≥ 10 RD
Z o ≈ RD
Av ≈ − g m RD
Slide 10
6.2.4 Mạch mắc CD (mạch lặp nguồn)

Z i = RG
Z o = RS rd 1 g m
g m ( RS rd )
Av =
1 + g m ( RS rd )
Vi , Vo cùng pha

* rd ≥ 10 RS
Z o ≈ RS 1 g m
g m RS
Av ≈
1 + g m RS
Slide 11
6.2.5 Mạch mắc chung cửa
 rd + RD 
Z i = RS  
 1 + g m rd 
Z o = RD rd
RD
g m RD +
rd
Av =
RD
1+
rd
Vi , Vo cùng pha

* rd ≥ 10 RS
Z i ≈ RS 1 g m , Z o ≈ RD
Av ≈ g m RD
Slide 12
D-MOSFET

Slide 13
 E-MOSFET

(
g m = 2k VGS Q
)
VGS (Th ) −
Slide 14
E-MOSFET – CS phân cực kiểu hồi tiếp
RF + rd RD
Zi =
1 + g m ( rd RD )
Z o = RF rd RD
Av = −g m ( RF rd RD )
Vi , Vo ngược pha

* RF  rd RD , rd ≥ 10 RD
RF
Zi ≈ , Z o ≈ RD
1 + g m RD
Av ≈ − g m RD
Slide 15
E-MOSFET – CS phân cực bằng mạch phân áp
Z i = R1 R2

Z o = RD rd

Av = −g m ( RD rd )
Vi , Vo ngược pha

* rd ≥ 10 RD
Z o ≈ RD
Av ≈ − g m RD
Slide 16
 6.3 Tổng kết đặc điểm của các mạch KĐ
tín hiệu nhỏ sử dụng FET

CS CG CD

Zi Lớn Nhỏ Lớn

Zo Trung bình Trung bình Nhỏ

Av Trung bình Trung bình Nhỏ (<1)

Pha giữa tín

Đảo pha Đồng pha Đồng pha
hiệu vào và ra

Slide 17
 Ví dụ
1
• Thiết kế mạch KĐ có Av = 8 , điểm làm việc VGS = VP
Q
4

RD , RS ?

Slide 18
 Tóm tắt
• Sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ sử dụng
FET
• Cách phân tích mạch KĐ tín hiệu nhỏ sử
dụng FET

Slide 19
 Bài tập
• Đọc chương 10 (Ảnh hưởng của điện trở
nguồn và điện trở tải) trong tài liệu tham
khảo [1]
• Bài tập [1]:
– Chương 9: 1, 5, 12, 17, 19, 23, 27, 32, 33, 37,
38, 43, 44

Slide 20
 ET3230 Điện tử tương tự I

Bài giảng: Các vấn đề trong mạch

khuếch đại tín hiệu nhỏ
Ảnh hưởng của điện trở nguồn và điện
trở tải

Slide 1
 Nội dung
• 7.1. Ảnh hưởng của điện trở nguồn và
điện trở tải
– 7.1.1 Mạng bốn cực và các tham số đặc trưng
– 7.1.2 Khảo sát ảnh hưởng của điện trở nguồn
dựa trên sơ đồ mạng bốn cực
– 7.1.3 Khảo sát ảnh hưởng của điện trở tải
dựa trên sơ đồ mạng bốn cực
– 7.1.4 Ảnh hưởng kết hợp của điện trở nguồn
và điện trở tải
– 7.1.5 Các ví dụ phân tích trên sơ đồ tín hiệu
nhỏ sử dụng BJT và FET
Slide 2
7.1.1 Mạng 4 cực và các tham số đặc trưng
• Mạng 4 cực

Slide 3
7.1.1 Mạng 4 cực và các tham số đặc trưng
• Mạch tương đương

Z i = Ri AvNL Hệ số KĐ điện áp Zi
Z o = R0
không tải Ai = −Av
RL
Slide 4
 7.1.2 Khảo sát ảnh hưởng của điện trở nguồn

Rs
Vs Vi Vo
Av Vi
NL

RV
Vi = i s
Ri + Rs Vo Ri
Av = = Av
Vs
s
Vs Ri + Rs NL

Ii =
Rs + Ri Để hệ số KĐ điện áp lớn, điện trở trong
của nguồn tín hiệu càng nhỏ càng tốt

Slide 5
7.1.3 Khảo sát ảnh hưởng của điện trở tải
Vo RL Zi
Av = = Av Ai = −Av
Vi RL + Ro NL
RL

RL càng lớn, hệ số KĐ điện áp càng lớn

Slide 6
 7.1.3 Khảo sát ảnh hưởng của điện trở tải

RL' = RC RL

RL càng nhỏ, RC//RL càng nhỏ

=> đường tải động càng
dốc
Đường tải động càng dốc, điện
áp ra càng nhỏ
Slide 7
 7.1.4 Ảnh hưởng kết hợp của điện trở
nguồn và điện trở tải

Vo RL Vo Ri RL
Av = = Av Av = = Av
Vi RL + Ro NL s
Vs Ri + Rs RL + Ro NL

Ri Rs + Ri
Ai = −Av Ai = −Av
RL s s
RL
Slide 8
 7.1.5 Các ví dụ phân tích trên sơ đồ tín
hiệu nhỏ sử dụng BJT và FET
• Mạch sử dụng BJT
– Zi bị ảnh hưởng của RL
– Zo bị ảnh hưởng của RS

Slide 9
 7.1.5 Các ví dụ phân tích trên sơ đồ tín
hiệu nhỏ sử dụng BJT và FET
• CE, phân cực bằng dòng base cố định
RC RL
Av = −
re
Zi
Av = Av
s
Z i + RS

Z i = β re

Z o = RC

Slide 10
 7.1.5 Các ví dụ phân tích trên sơ đồ tín
hiệu nhỏ sử dụng BJT và FET
• CE, phân cực bằng bộ phân áp
RC RL
Av = −
re
Zi
Av = Av
s
Z i + RS

Z i ≈ R1 R2 β re

Z o = RC

Slide 11
 7.1.5 Các ví dụ phân tích trên sơ đồ tín
hiệu nhỏ sử dụng BJT và FET
• CE, phân cực bằng dòng emitter
RC RL
Av = −
RE
Zi
Av = Av
s
Z i + RS

Z i ≈ RB β RE

Z o = RC

Slide 12
 7.1.5 Các ví dụ phân tích trên sơ đồ tín
hiệu nhỏ sử dụng BJT và FET
• CE hồi tiếp collector
RC RL
Av = −
re
Zi
Av = Av
s
Z i + RS
RF
Z i ≈ β re
Av

Z o ≈ RC RF

Slide 13
 7.1.5 Các ví dụ phân tích trên sơ đồ tín
hiệu nhỏ sử dụng BJT và FET
• CC – hay lặp emitter RE RL
Av =
RE RL + re
RE RL
Av =
s
RE RL + RS β + re
Z i = RB β ( re RE RL ) +

 RS 
Z o = RE  re 
β 

Slide 14
 7.1.5 Các ví dụ phân tích trên sơ đồ tín
hiệu nhỏ sử dụng BJT và FET
• CB
RC RL Zi
Av ≈ Av = Av
re
s
Z i + RS
Z i = RE re
Z o = RC

Slide 15
 7.1.5 Các ví dụ phân tích trên sơ đồ tín
hiệu nhỏ sử dụng BJT và FET
• Mạch sử dụng FET
– Cực cửa G được cách ly với cực D, S
– RL không ảnh hưởng đến Z i
– Rs không ảnh hưởng đến Z o
( Rsig )

Slide 16
 7.1.5 Các ví dụ phân tích trên sơ đồ tín
hiệu nhỏ sử dụng BJT và FET
• CS, có tụ CS
Av = −g m ( RD RL )
Z i = RG
Z o = RD

Slide 17
 7.1.5 Các ví dụ phân tích trên sơ đồ tín
hiệu nhỏ sử dụng BJT và FET
g m ( RD RL )
• CS, không có tụ CS
Vo
Av = = −
Vi 1 + gmR S
Z i = RG
Z o = RD

Slide 18
 7.1.5 Các ví dụ phân tích trên sơ đồ tín
hiệu nhỏ sử dụng BJT và FET
• CD V
Av = o
=
(
g m RS RL )
Vi 1 + g m ( RS RL )
Z i = RG
1
Z o = RS
gm

Slide 19
 7.1.5 Các ví dụ phân tích trên sơ đồ tín
hiệu nhỏ sử dụng BJT và FET
• CG
Av = g m ( RD RL )
RS
Zi =
1 + g m RS
Z o = RD

Slide 20
Nối các mạng bốn cực

Av = Av Av Av ...
T 1 2 3

Zi
Ai = −Av 1
T T
RL
Slide 21
 Tóm tắt
• Ảnh hưởng của điện trở nguồn và điện trở
tải
– Tới các mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ sử
dụng BJT và FET

Slide 22
 Bài tập
• Đọc chương 12 (Các cấu hình hỗn hợp)
trong tài liệu tham khảo [1]
• Bài tập [1]:
– Chương 10: 1, 2, 4, 5, 10, 12, 15

Slide 23
 ET3230 Điện tử tương tự I

Bài giảng: Các vấn đề trong mạch

khuếch đại tín hiệu nhỏ

Slide 1
 Nội dung
• 7.2 Ghép giữa các tầng khuếch đại
• 7.3 Các cấu hình kết hợp
– Cấu hình nối tiếp
– Cấu hình cascode
– Cấu hình Darlington
– Cấu hình hồi tiếp
– Mạch nguồn dòng
– Mạch dòng gương
– Khuếch đại vi sai

Slide 2
 7.2 Ghép giữa các tầng khuếch đại
• Ghép nối nhiều tầng KĐ đơn mắc nối tiếp
nhau để thu được hệ số KĐ cần thiết
• Việc ghép nhiều tầng KĐ cần chú ý
– Đảm bảo hệ số KĐ
– Dễ phối hợp trở kháng
– Méo phi tuyến nhỏ
– Đảm bảo dải tần làm việc
• Thường dùng
– Ghép trực tiếp
– Ghép dùng tụ điện
– Ghép biến áp
Slide 3
 7.2 Ghép giữa các tầng khuếch đại
• Ghép trực tiếp
– Ghép trực tiếp giữa đầu ra tầng trước và đầu
vào tầng sau
– Ưu điểm
• Đơn giản
• Ít méo phi tuyến
• Băng thông rộng
• Dễ chế tạo dưới dạng vi mạch
– Nhược điểm
• Cần chú ý ảnh hưởng DC giữa các tầng
• Mạch không phối hợp trở kháng

Slide 4
 7.2 Ghép giữa các tầng khuếch đại
• Ghép dùng tụ
– Dùng tụ ghép đầu ra tầng trước và đầu vào
tầng sau
– Ưu điểm
• Cách ly DC các tầng
• Đặc tuyến tần số bằng
phẳng trong dải tần số trung bình
• Dùng tụ lớn => tránh méo
– Nhược điểm
• Cồng kềnh
• Hạn chế tần số thấp
– Hay được sử dụng trong thực tế, đặc biệt là ở
các tầng khuếch đại điện áp
Slide 5
 7.2 Ghép giữa các tầng khuếch đại
• Ghép biến áp
– Thường được dùng nhiều trước kia, hiện nay
ít dùng
– Ưu điểm
• Cách ly vào ra
• Dễ phối hợp trở kháng
– Nhược điểm
• Dải tần làm việc hẹp
• Không tích hợp được
• Cồng kềnh, đắt tiền

Slide 6
 7.2 Ghép giữa các tầng khuếch đại
• Ghép dùng điện trở
– Thường dùng cùng tụ
– Tăng trở kháng vào
– Giảm tín hiệu vào
– Tạo mức dịch điện áp
– Phụ thuộc tần số (khi dùng cùng C)
• Ghép điện quang
– Dùng cho nguồn điện áp cao

Slide 7
 7.3 Các cấu hình kết hợp
• 7.3.1 Cấu hình nối tiếp
• 7.3.2 Cấu hình cascode
• 7.3.3 Cấu hình Darlington
• 7.3.4 Cấu hình hồi tiếp
• 7.3.5 Mạch nguồn dòng
• 7.3.6 Mạch dòng gương
• 7.3.7 Khuếch đại vi sai

Slide 8
 7.3.1 Cấu hình nối tiếp
• Đầu ra của tầng KĐ trước là đầu vào của
tầng KĐ tiếp theo
• Thu được hệ số KĐ lớn

Av = Av Av 1 2

• Kết hợp các tầng KĐ dùng FET và BJT sẽ

thu được
– Trở kháng vào lớn
– Hệ số KĐ điện áp lớn

Slide 9
 7.3.1 Cấu hình nối tiếp
• Dùng BJT

− RC RL
Av = Cho mỗi tầng
re
Z i = R1 R2 β re Z o = RC ro
Slide 10
 7.3.1 Cấu hình nối tiếp
• Dùng FET

−v ==Av Av −
A 1 2
( g m RD 1 1
)( g m RD
2 2
)
Z i = RG 1
Z o = RD 2
Slide 11
 7.3.2 Cấu hình cascode
• Một transistor được mắc nối tiếp phía trên
1 transistor khác
– Ví dụ: 2 transistor mắc CE và CB được nối
trực tiếp
• Được sử dụng nhiều trong các ứng dụng
ở tần số cao như
– Mạch khuếch đại dải rộng
– Mạch khuếch đại chọn lọc tần số

Slide 12
 7.3.2 Cấu hình cascode – Ví dụ

• Tầng EC với hệ số KĐ nhỏ, trở kháng vào

lớn để điện dung Miller đầu vào nhỏ

Slide 13
7.3.2 Cấu hình cascode – Thực tế
• CE: Av = 1
1
=> Điện dung Miller khá
nhỏ, trở kháng vào cao
RC
• CB Av =
re
2

lớn => Hệ số KĐ tổng

lớn

RC
Av = Av Av = −
1
re 2

Slide 14
 7.3.3 Cấu hình Darlington
• Hai transistor cùng loại mắc theo cấu hình
Darlington hoạt động giống như 1 transistor
có hệ số KĐ dòng điện rất lớn, thường là vài
nghìn lần
β D = β1β 2

Slide 15
 7.3.3 Cấu hình Darlington
• Do tính thông dụng của nó, người ta chế
tạo dưới dạng 1 package

Slide 16
 7.3.3 Cấu hình Darlington
• Phân cực 1 chiều
VCC − VBE
IB =
RB + β D RE

I E = ( β D + 1) I B ≈ β D I B

VE = I E RE
VB = VE VBE
+

Slide 17
 7.3.3 Cấu hình Darlington
• Mạch tương đương AC

Slide 18
 7.3.3 Cấu hình Darlington
• AC
Z i = RB ( ri β D RE +)
Vo ri ri
Zo = RE= ri ≈
Io βD βD
RB
Ai = β D
RB + β D RE
Vo RE + β D RE
Av = = ≈1
Vi ri + ( RE + β D RE )
Slide 19
 7.3.4 Cấu hình cặp transistor hồi tiếp
• Tương tự cấu hình Darlington
• Hai transistor khác loại, hoạt động giống
như 1 BJT loại npn
• Hệ số KĐ dòng điện tổng rất lớn

Slide 20
 7.3.4 Cấu hình cặp transistor hồi tiếp
• DC
VCC − VEB
IB = 1
1
RB + β1β 2 RC

I C = β1 I B
1 1
IB =2

IC = β2 I B
2 2
IE ≈2

IC = I E + IC ≈ IC + IC ≈ IC
1 2 1 2 2

Slide 21
 7.3.4 Cấu hình cặp transistor hồi tiếp
• AC
Z i ≈ RB ( ri + β1β 2 RC )
1

Vo ri ri ri
Zo = RC= ri 1 1
≈ 1

Io 1
β1 β1β 2 β1β 2
Io Io Ib RB
Ai = = 1
β1β 2 ≈
Ii Ib Ii1
RB + Z i
Vo 1 β1β 2 RC
Av = = =
Vi 1 + ri ( β1β 2 RC ) β1β 2 RC + ri
1 1
Slide 22
 7.3.5 Mạch nguồn dòng
• Nguồn dòng lý tưởng
– cung cấp 1 dòng điện cố định,
– Có nội trở trong R = ∞

Slide 23
 7.3.5 Mạch nguồn dòng
• Nguồn dòng dùng JFET

VGS = 0
I D = I DSS =
10 mA
Slide 24
 7.3.5 Mạch nguồn dòng
• Nguồn dòng dùng BJT
R1
VB = ( VEE ) −
R1 + R2

VE = VB −
0.7V

VE − ( −VEE )
IE = ≈ IC
RE
=> I C là dòng cố định

Slide 25
 7.3.5 Mạch nguồn dòng
• Nguồn dòng dùng BJT/diode Zener

VZ − VBE
I ≈ IE =
RE
Dòng I chỉ phụ thuộc vào VZ
(khá ổn định) và RE mà
không phụ thuộc vào nguồn
cung cấp VEE

Slide 26
 7.3.6 Mạch dòng gương
• Cung cấp 1 hoặc nhiều dòng bằng 1 dòng xác
định khác
• Sử dụng chủ yếu trong IC vì mạch yêu cầu các
transistor giống nhau (VBE , β )
• Chú ý không nhân ra quá nhiều dòng

Slide 27
 7.3.6 Mạch dòng gương
IE IE
IB = ≈
β +1 β
2I E
I x = I+ ≈ IE
E
β
VCC − VBE
Ix =
Rx

Slide 28
 7.3.6 Mạch dòng gương
• JFET cung cấp 1
dòng cố định I DSS

=> I = I DSS

Slide 29
 7.3.7 Khuếch đại vi sai
• Rất thông dụng trong IC
• Mạch có: 2 đầu vào, 2 đầu ra, 2 cực emitter nối nhau
• 2 transistor có các thông số giống hệt nhau

Slide 30
 7.3.7 Khuếch đại vi sai
• Điện áp vào: tùy theo cách đưa tín hiệu vào
mà có các chế độ khác nhau
– Đưa tín hiệu vào 1 đầu vào, đầu vào còn lại nối
đất: chế độ đơn
– Đưa 2 tín hiệu khác nhau vào 2 đầu vào: chế độ
vi sai
– Đưa cùng 1 tín hiệu vào 2 đầu vào: chế độ đồng
pha
• Điện áp ra có thể lấy
– Giữa hai cực collector (kiểu đối xứng)
– Giữa 1 cực collector và đất (kiểu không đối xứng)
Slide 31
 7.3.7 Khuếch đại vi sai
• Nhận xét
– Tín hiệu vào ngược pha: khuếch đại lớn
– Tín hiệu vào cùng pha: khuếch đại nhỏ
⇒ khả năng chống nhiễu tốt
⇒ Tỉ số nén đồng pha (CMRR-Common Mode Rejection Ratio)
CMRR= Hệ số KĐ vi sai/Hệ số KĐ đồng pha
⇒ CMRR càng lớn chất lượng mạch càng tốt
– Với KĐ ngõ ra không cân bằng, Q1, Q2 vẫn có tác dụng trừ các
tín hiệu nhiễu đồng pha hay ảnh hưởng của nhiệt độ tác dụng
lên hai transistor
• Ứng dụng
– Trong các bộ KĐ thuật toán
– Sử dụng trong đo lường
– Sử dụng trong KĐ tần số thấp

Slide 32
 7.3.7 Khuếch đại vi sai
• DC
VE =−VB −V=BE 0,7V

VE − ( −VEE )
IE =
RE
IE
IC = IC =
1 2
2

IE
VC = VC= V−CC =C −VCC
IC R RC
1 2
2
Slide 33
 7.3.7 Khuếch đại vi sai
• Chế độ KĐ xoay chiều ngõ vào đơn

Vo RC
Av = =
Vi 2re

Slide 34
 7.3.7 Khuếch đại vi sai
• Chế độ KĐ xoay chiều ngõ vào vi sai

Vo β RC
Ad = =
Vd 2ri
Vd = Vi
1
Vi−
2

Vi
1

Slide 35
 7.3.7 Khuếch đại vi sai
• Chế độ KĐ xoay chiều ngõ vào đồng pha

Vo β RC
Av = =
Vi ri + 2 ( β + 1) RE

Slide 36
 7.3.7 Khuếch đại vi sai
• Dùng nguồn dòng cố định
– Hệ số KĐ đồng pha nhỏ, do tăng RE

Slide 37
 Tóm tắt
• Bài học tập trung vào
– Ghép giữa các tầng khuếch đại
– Các cấu hình kết hợp

Slide 38
 Bài tập
• Đọc chương 11 (Đáp ứng tần số BJT và
FET [1])
• Bài tập [1]:
– Chương 12: 1, 6, 11, 12, 15, 19, 21, 24, 26,
30

Slide 39
ET3230 Điện tử tương tự I

Bài giảng: Đáp ứng tần số

Slide 1
 Nội dung
• 8.1 Đặc tuyến tần số của mạch khuếch đại
• 8.2 Đáp ứng tần số thấp của mạch khuếch
đại dùng BJT/FET
• 8.3 Hiệu ứng Miller và ảnh hưởng của
điện dung Miller
• 8.2 Đáp ứng tần số cao của mạch khuếch
đại dùng BJT/FET
• 8.5 Đáp ứng tần số của mạch khuếch đại
nhiều tầng

Slide 2
8.1 Đặc tuyến tần số của mạch khuếch đại
• Đáp ứng tần số của 1 bộ KĐ là khoảng tần
số
– Trong đó bộ KĐ hoạt động với ảnh hưởng
của các tụ điện và dung kháng của các linh
kiện có thể bỏ qua
– Khoảng tần số này gọi là dải thông
• Tại các tần số phía trên và phía dưới
khoảng “mid-range”, dung kháng sẽ ảnh
hưởng tới hệ số KĐ của bộ KĐ

Slide 3
8.1 Đặc tuyến tần số của mạch khuếch đại
• Đồ bị Bode biểu diễn đáp ứng tần số của
1 bộ KĐ

Slide 4
8.1 Đặc tuyến tần số của mạch khuếch đại

• Dải thông của bộ KĐ được xác định bởi

tần số cắt phía trên f 2 và tần số cắt phía
dưới f1 BW = f 2 f1−
• Tần số cắt là tần số tại đó hệ số KĐ giảm
đi 3dB (0,707 lần)
Slide 5
8.2 Đáp ứng tần số thấp của mạch KĐ
dùng BJT/FET

Slide 6
8.2 Đáp ứng tần số thấp của mạch KĐ dùng
BJT
• Tại các tần số thấp, các tụ điện ghép (CS , CC )
và tụ điện bypass (CE ) sẽ có các dung kháng
=> ảnh hưởng tới trở kháng của mạch

Slide 7
 8.2 Đáp ứng tần số thấp của mạch KĐ
dùng BJT
• Ảnh hưởng của tụ CS
1
fL =
S
2π ( RS + Ri ) CS

Ri = R1 R 2 β re

Slide 8
 8.2 Đáp ứng tần số thấp của mạch KĐ
dùng BJT
• Ảnh hưởng của tụ CC

1
fL =
C
2π ( Ro + RL ) CC

Ro = RC ro

Slide 9
 8.2 Đáp ứng tần số thấp của mạch KĐ
dùng BJT
• Ảnh hưởng của tụ CE

1
fL =
E
2π ReCS

 RS' 
Re = RE  re  +
β 

RS' = RS R1 R 2

Slide 10
8.2 Đáp ứng tần số thấp của mạch KĐ dùng
BJT
• Xét CS , tính f L S

1
fL = Ri = R1 R 2 β re
S
2π ( RS + Ri ) CS
• Xét CC , tính f L C

1
fL = Ro = RC ro
C
2π ( Ro + RL ) CC
• Xét CE , tính f L
 RS' 
E

1 Re = RE  re  +
fL = β 
E
2π ReCS
RS' = RS R1 R 2
Slide 11
 8.2 Đáp ứng tần số thấp của mạch KĐ
dùng BJT

• Tần số giới hạn dưới là tần số cao nhất

trong f L , f L , f L
S C E

Slide 12
 8.2 Đáp ứng tần số thấp của mạch KĐ
dùng FET
• Xét 3 tụ điện CG , CC , CS

Slide 13
 8.2 Đáp ứng tần số thấp của mạch KĐ
dùng FET
• Ảnh hưởng của tụ CG

1
fL =
G
2π ( Rsig + Ri ) CG

Ri = RG

Slide 14
 8.2 Đáp ứng tần số thấp của mạch KĐ
dùng FET
• Ảnh hưởng của tụ CC

1
fL =
C
2π ( Ro + RL ) CC

Ro = RD rd
Slide 15
 8.2 Đáp ứng tần số thấp của mạch KĐ
dùng FET
• Ảnh hưởng của tụ CS

RS
Re =
1 + R (1 + g m rd ) / ( rd + RD RL )
1
fL =
E
2π Req CS
1
rd ≈ ∞ ⇒ Req = RS
gm
Slide 16
8.2 Đáp ứng tần số thấp của mạch KĐ dùng
FET
• Xét CG , tính f L G

1
fL = Ri = RG
G
2π ( Rsig + Ri ) CG
• Xét CC , tính f L C

1
fL = Ro = RD rd
C
2π ( Ro + RL ) CC
• Xét CS , tính f L S
RS
Re =
1 + R (1 + g m rd ) / ( rd + RD RL )
1
fL =
E
2π Req CS 1
rd ≈ ∞ ⇒ Req = RS
gm
Slide 17
 8.4 Hiệu ứng Miller và ảnh hưởng của
điện dung Miller
• Đối với các bộ KĐ đảo
– Điện dung ở cửa vào và cửa ra tăng lên
• Do điện dung giữa cửa vào và cửa ra của linh kiện
• Do hệ số KĐ của bộ KĐ

Slide 18
 8.4 Hiệu ứng Miller và ảnh hưởng của
điện dung Miller
• Điện dung Miller đầu vào
CM = (1 A−v ) C f
i

Cf :Điện dung hồi tiếp

Slide 19
 8.4 Hiệu ứng Miller và ảnh hưởng của
điện dung Miller
• Điện dung Miller đầu ra
 1 
CM = 1 −  C f Thông thường
 Av 
o
Av  1 ⇒ CM o ≈ C f

Slide 20
8.4 Đáp ứng tần số cao của mạch KĐ
dùng BJT/FET

Slide 21
 8.4.1 Đáp ứng tần số cao của mạch KĐ
dùng BJT
• Các tụ điện ảnh hưởng tới đáp ứng tần số cao
– Tụ điện ký sinh của BJT: Cbe , Cbc , Cce
– Tụ điện nối dây: CW , CW
i o

Slide 22
 8.4.1 Đáp ứng tần số cao của mạch KĐ
dùng BJT

Ci = CW + Cbe + CM
i i
Co = CWo +Cce +CM o

Slide 23
 8.4.1 Đáp ứng tần số cao của mạch KĐ
dùng BJT

1 1
fH = fH =
i
2π RTh Ci
1
o
2π RTh Co
2

RTh = RS R1 R2 Ri RTh = RC RL ro
2
1

Ci = CW + Cbe + CM Co = CWo +Cce +CM

 1 
o

= CW +Cbe +(1 −Av ) Cbc

i i

i = CWo +Cce +1 −  Cbc

Slide 24  Av 
 8.4.2 Đáp ứng tần số cao của mạch KĐ
dùng FET
• Các tụ điện ảnh hưởng tới đáp ứng tần số cao
– Tụ ký sinh của FET: Cgs , Cgd , Cds
– Tụ nối dây: CW , CW
i o

Slide 25
 8.4.2 Đáp ứng tần số cao của mạch KĐ
dùng FET

Ci = CW + Cgs + CM
i i
Co = CWo +Cds +CM o

Slide 26
 8.4.1 Đáp ứng tần số cao của mạch KĐ
dùng FET
RTh = Rsig RG RTh = RD RL rd
2
1

1 1
fH = fH =
i
2π RTh Ci
1
o
2π RTh Co
2

RTh = Rsig RG RTh = RD RL rd

2
1

Co = CWo +Cds +CM

Ci = CW + Cgs + CM
 1 
o

= CW +C gs +(1 −Av ) C gd
i i

= CWo +Cds +1 −  Cgd

 Av 
i

Slide 27
8.5 Đáp ứng tần số của mạch KĐ nhiều tầng
• Mỗi 1 tầng KĐ có 1 đáp ứng tần số
• Đầu ra của 1 tầng KĐ sẽ bị ảnh hưởng bởi các
điện dung của tầng tiếp theo, đặc biệt khi xác
định đáp ứng tần số cao

Slide 28
 Tóm tắt
• Đáp ứng tần số thấp, cao của mạch
khuếch đại dùng BJT/FET
• Hiệu ứng Miller và ảnh hưởng của điện
dung Miller

Slide 29
 Bài tập
• Đọc chương 18 (Các mạch hồi tiếp: phần
18.1 đến 18.4) trong tài liệu tham khảo [1]
• Bài tập [1]:
– Chương 11: 10, 11, 15, 17, 18, 19, 22, 26, 28,
29

Slide 30
ET3230 Điện tử tương tự I

Bài giảng: Hồi tiếp

Slide 1
 Nội dung
• 9.1 Khái niệm về hồi tiếp
• 9.2 Các phương pháp hồi tiếp
– Nối tiếp điện áp
– Song song điện áp
– Nối tiếp dòng điện
– Song song dòng điện
• 9.3 Ảnh hưởng của hồi tiếp đến các thông
số của mạch khuếch đại
• 9.4 Các mạch hồi tiếp thực tế

Slide 2
 9.1 Khái niệm về hồi tiếp
• Hồi tiếp:
– Lấy 1 phần tín hiệu đầu ra đưa trở lại đầu
vào, làm thay đổi đầu vào

• Phụ thuộc vào cực tính của tín hiệu hồi

tiếp ta có
• Hồi tiếp âm
• Hồi tiếp dương => các mạch dao động (ĐTTT2)

Slide 3
 9.1 Khái niệm về hồi tiếp
• Sơ đồ khối của bộ khuếch đại có hồi tiếp âm

β Hệ số hồi tiếp

Slide 4
 9.1 Khái niệm về hồi tiếp
• Hồi tiếp âm: làm giảm HSKĐ nhưng mang
lại nhiều ưu điểm
– Tăng trở kháng vào
– Giảm trở kháng ra
– Ổn định HSKĐ điện áp
– Cải thiện đáp ứng tần số
– Giảm nhiễu
– Mở rộng vùng hoạt động tuyến tính

Slide 5
 9.2 Các phương pháp hồi tiếp
• Dựa vào cách lấy tín hiệu đầu ra đưa hồi
tiếp lại đầu vào: hồi tiếp dòng điện, hồi tiếp
điện áp
• Dựa vào cách ghép tín hiệu hồi tiếp về đầu
vào: Hồi tiếp nối tiếp, hồi tiếp song song
• Có 4 loại:
– Hồi tiếp nối tiếp điện áp
– Hồi tiếp song song điện áp
– Hồi tiếp nối tiếp dòng điện
– Hồi tiếp song song dòng điện
Slide 6
 9.2.1 Hồi tiếp nối tiếp điện áp
• Tín hiệu hồi tiếp tỷ lệ với điện áp đầu ra và
nối tiếp với tín hiệu vào

Slide 7
 9.2.2 Hồi tiếp song song điện áp
• Tín hiệu hồi tiếp tỷ lệ với điện áp đầu ra và
song song với tín hiệu vào

Slide 8
 9.2.3 Hồi tiếp nối tiếp dòng điện
• Tín hiệu hồi tiếp tỷ lệ với dòng điện đầu ra
và nối tiếp với tín hiệu vào

Slide 9
 9.2.4 Hồi tiếp song song dòng điện
• Tín hiệu hồi tiếp tỷ lệ với dòng điện đầu ra
và song song với tín hiệu vào

Slide 10
 9.3 Ảnh hưởng của hồi tiếp đến các
thông số của mạch KĐ

Nối tiếp Song song Nối tiếp Song song

điện áp điện áp dòng điện dòng điện

HSKĐ Vo Vo Io Io
không có
hồi tiếp
A Vi Ii Vi Ii

HS hồi tiếp β Vf
Vo
If
Vo
Vf
Io
If
Io
HSKĐ khi Vo Vo Io Io
có hồi tiếp Af Vs Is Vs Is

Slide 11
 9.3 Ảnh hưởng của hồi tiếp đến các
thông số của mạch KĐ
• Ảnh hưởng của hồi tiếp đối với HSKĐ
– Chỉ phụ thuộc vào loại hồi tiếp nối tiếp hay
song song
– Không phụ thuộc vào hồi tiếp dòng điện hay
hồi tiếp điện áp

Slide 12
 9.3 Ảnh hưởng của hồi tiếp đến các
thông số của mạch KĐ
• Ảnh hưởng của hồi tiếp đối với HSKĐ
– Chỉ phụ thuộc vào loại hồi tiếp nối tiếp hay
song song
– Không phụ thuộc vào hồi tiếp dòng điện hay
hồi tiếp điện áp
– Ta xét loại hồi tiếp điện áp

Slide 13
 Ảnh hưởng của hồi tiếp đối với HSKĐ
• Hồi tiếp điện áp nối tiếp

Vi = VS V f−
Vo = AVi
V f = βVo
Vo A
⇒ Af = =
VS 1 + β A

Slide 14
 Ảnh hưởng của hồi tiếp đối với HSKĐ
• Hồi tiếp điện áp song song

I s = I i I+f
Vo = AI i
I f = βVo
Vo A
⇒ Af = =
Is 1 + β A

Hệ số KĐ khi có hồi tiếp sẽ giảm đi g = 1 +βA

lần so với khi không có hồi tiếp; hệ số g được gọi
là độ sâu hồi tiếp
Slide 15
 9.3 Ảnh hưởng của hồi tiếp đến các
thông số của mạch KĐ
• Ảnh hưởng của hồi tiếp đến trở kháng vào
– Chỉ phụ thuộc vào loại hồi tiếp nối tiếp hay
song song
– Không phụ thuộc vào hồi tiếp dòng điện hay
hồi tiếp điện áp
– Ta xét loại hồi tiếp điện áp

Slide 16
 Hồi tiếp nối tiếp điện áp

Vs = Vi V+f
Vs
Vi = I i Z i ⇒ Z if = = Z i (1+ β A )
V f = βVo β AV
=i Ii
Slide 17
 Hồi tiếp song song điện áp

I s = I i I+f
Vo = AI i I f = βVo Vi Zi
⇒ Z if = =
I f = βVo Is 1 + β A
Slide 18
 9.3 Ảnh hưởng của hồi tiếp đến các
thông số của mạch KĐ
• Ảnh hưởng của hồi tiếp đến trở kháng ra
– Chỉ phụ thuộc vào hồi tiếp dòng điện hay hồi
tiếp điện áp
– Không phụ thuộc vào loại hồi tiếp nối tiếp hay
song song
– Ta xét loại hồi tiếp nối tiếp

Slide 19
 Hồi tiếp nối tiếp điện áp

V = IZ o AV+i V Zo
Vs =⇒
0 −V
=i Vf ⇒ Z of = =
I 1+ β A
V f = βVo
Slide 20
 Hồi tiếp nối tiếp dòng điện

Vs =⇒0 −V =i Vf
V
V f = β Io ⇒ Z of = = Z o (+1 β A )
V I
I= AV−i
Zo
Slide 21
 9.3 Ảnh hưởng của hồi tiếp đến các
thông số của mạch KĐ
• Ảnh hưởng của hồi tiếp với trở kháng vào,
trở kháng ra

Nối tiếp Nối tiếp Song song Song song

điện áp dòng điện điện áp dòng điện
Zi Zi
Z if Z i (1 + β A ) Z i (1 + β A )
1+ β A 1+ β A
Zo Zo
Z of Z o (1 + β A ) Z o (1 + β A )
1+ β A 1+ β A

Slide 22
 Hồi tiếp nối tiếp điện áp
Vo
A=
Vi
Vf
β=
Vo
Vo A
Af = =
VS 1+ β A
Z if = Z i (1 β A+)
Zo
Z of =
1+ β A
Slide 23
 Hồi tiếp song song điện áp
Vo
A=
Ii
If
β=
Vo
Vo A
Af = =
IS 1+ β A
Zi
Z if =
1+ β A
Zo
Z of =
1+ β A
Slide 24
 Hồi tiếp nối tiếp dòng điện
Io
A=
Vi
Vf VS
β=
Io
Io A
Af = =
Vs 1+ β A
Z if = Z i (1 β A+)
Z of = Z o (1 β A )+

Slide 25
 Hồi tiếp song song dòng điện
Io
A=
Ii
If
β=
Io
Io A
Af = =
IS 1+ β A
Zi
Z if =
1+ β A
Zo
Z of =
1+ β A
Slide 26
 9.3 Ảnh hưởng của hồi tiếp đến các
thông số của mạch KĐ
• Giảm méo tần số
– Bộ KĐ có HT âm có β A  1 thì hệ số KĐ có
hồi tiếp sẽ là Af ≈ 1 β
– Có thể xem như mạch chỉ đơn thuần là điện
trở, HSKĐ khi có hồi tiếp không phụ thuộc
vào tần số dù cho HSKĐ của bộ KĐ phụ
thuộc vào tần số
– Méo tần số được giảm đáng kể trong mạch
có hồ tiếp âm điện áp

Slide 27
 9.3 Ảnh hưởng của hồi tiếp đến các
thông số của mạch KĐ
• Giảm tạp âm và méo phi tuyến
– Khi có hồi tiếp sẽ làm giảm nhỏ tín hiệu nhiễu
(ví dụ tiếng ù của nguồn cung cấp) và giảm
nhỏ méo phi tuyến
– Nhiễu và đ méo phi tuyến giảm 1 + β A lần
thì HSKĐ cũng giảm đi
– Để có thể giảm được méo phi tuyến mà vẫn
có HSKĐ cần thiết, có thể sử dụng phần tử có
HSKĐ lớn

Slide 28
 9.3 Ảnh hưởng của hồi tiếp đến các
thông số của mạch KĐ
• Dải tần khi có hồi tiếp
– Hồi tiếp làm tăng dải tần của bộ KĐ Bf > B

Slide 29
 9.3 Ảnh hưởng của hồi tiếp đến các
thông số của mạch KĐ
• Ảnh hưởng đến độ ổn định HSKĐ
dAf 1 dA 1 dA
= ≈ khi β A  1
Af 1+ β A A βA A
– Mạch có hồi tiếp, HSKĐ có độ ổn định cao
hơn mạch khi không có hồi tiếp với hệ số là β A

Slide 30
 9.4 Các mạch hồi tiếp thực tế
• Phân tích mạch KĐ có hồi tiếp
– Xác đinh loại hồi tiếp
– Tính các tham số của mạch không có hồi tiếp
A, β , Z i , Z o
– Tính các tham số của mạch khi có hồi tiếp
Af , Z if , Z of

Slide 31
 9.4 Các mạch hồi tiếp thực tế
• Hồi tiếp nối tiếp điện áp
V f điện áp phản hồi nối tiếp
với nguồn tín hiệu
Vo
A= = −g m RL
Vi
RL = RD Ro ( R1 R2 ) +
Vf − R2
β= =
Vo R1 + R2

A − g m RL
Af = =
1 + β A 1 +  R2 RL ( R1 + R2 )  g m
1 R1 + R2
khi β A  1 Af ≈ −=
β R2
Slide 32
 9.4 Các mạch hồi tiếp thực tế
• Hồi tiếp song song điện áp
Vo
A= ≈g m−RD RS
Vi
If −1
β= =
Vo RF

Vo A − g m RD RS RF
Af = = =
Is 1+ β A R + g m RD RS

Vo Vo I s − g m RD RF
Avf = = =
Vs I s Vs RF + g m RD RS
Slide 33
 9.4 Các mạch hồi tiếp thực tế
• Hồi tiếp nối tiếp dòng điện

+
Vi
-
Vs
+
Vf
-

Slide 34
 9.4 Các mạch hồi tiếp thực tế
• Hồi tiếp nối tiếp dòng điện
Io −β Ib 1
A= = = −
Vi β I b re re
Vf − I o RE
β= = = R−E
Io Io

Io A 1
Af = = = −
Vs 1 + β A re + RE
Vo I o Ro RC
Avf = = =Af RC = −
Vs Vs re + RE

Slide 35
 9.4 Các mạch hồi tiếp thực tế
• Hồi tiếp song song dòng điện
Io
A=
Ii
If If RE 2
β= = =
Io IE2 re + RE 2 + R f

Slide 36
 Tóm tắt
• Các phương pháp hồi tiếp
• Ảnh hưởng của hồi tiếp đến các thông số
của mạch KĐ

Slide 37
 Bài tập
• Đọc chương 19 (Khuếch đại công suất)
trong tài liệu tham khảo [1]
• Bài tập [1]:
– Chương 18: 1, 2, 3, 4, 5

Slide 38