物 理 学 报 Acta Phys. Sin. Vol. 63, No.

10 (2014) 104218

综 述

硅基光子集成研究进展∗
周培基 李智勇 俞育德 † 余金中

(中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室, 北京 100083)

( 2013 年 11 月 29 日收到; 2014 年 1 月 8 日收到修改稿 )

报道了国际上关于硅基光子集成的最新研究进展和本课题组在该领域的研究成果, 包括对一些光收发模
块、III-V 族/硅基激光器等集成器件的结构改进和工艺的探索, 展示了兼容互补金属氧化物半导体工艺的硅
基光子集成在信息技术领域中的巨大前景. 可以预见, 硅基光子集成已成为硅光子学的主要研究内容, 硅光
子学及硅基光子集成的发展目标是趋向更高速率、更低功耗及更大集成密度.

关键词: 硅光子学, 光子集成, 光子集成回路, 光电子集成

PACS: 42.82.–m, 42.82.Et, 42.79.Sz, 42.79.Hp DOI: 10.7498/aps.63.104218

2 硅光子学

半个多世纪前, 硅使微电子的发展取得了巨大
1 引 言 的成功, 化合物半导体也紧随其后推动着光通信的
发展. 随着这两个行业的迅猛发展, 它们已经逐渐
在过去的半个多世纪里, 电互连在信息行业 融合并形成了以光电集成为代表的交叉领域. 但化
的发展起着至关重要的作用, 但随着晶体管特征 合物半导体与 CMOS 工艺间的巨大不兼容性却并
尺寸的不断减小, 使电互连面临着信号延迟大、传 未消除, 为此硅光子学便应运而生.
输带宽小、功耗大、信号串扰大、加工困难、成本高 硅光子学以硅为主体材料, 在其上研究并设计
等局限, 集成度提高的速度减慢甚至趋于停滞. 为 制作各类光学元器件, 使其实现光的发射、传输、接
此人们将目光投向具有大带宽、低延迟、低功耗、干 收等功能, 并最终实现全硅的光电集成. 相比于传
扰小等内在属性的光互连. 虽然早在 20 世纪 70 年 统的化合物半导体, 硅在光通信或光互连中具有
代中期, 作为长距离光通信代表的光纤通信已取 如下优势: 硅与传统的 CMOS 工艺兼容性很好, 利
得了巨大成功并完全取代电缆, 但在短距离通信 于集成; 其在地壳中含量高, 减缓了人们对资源的
(如板卡间、芯片间和芯片内) 却仍然以电互连为主, 需求压力, 也意味着成本低廉; 硅对通信波段透明,
主要原因是支撑电互连的互补金属氧化物半导体 意味着光学损耗低; 硅折射率大, 具有优秀的波导
(CMOS) 工艺发展已经相当成熟并拥有巨大的优 性能; 硅片尺寸大, 机械性能好, 易加工. 特别是
势. 相比之下, 光互连作为一项较新的技术, 其探 绝缘体上硅 (SOI) 具有高折射率差、结构紧凑、与
索难免暂时会有成本偏高等短期困难, 但其技术和 CMOS 工艺兼容、易于光电集成等诸多优点而受到
性能仍有巨大潜力, 正是大力开展研究的时期. 广泛的关注.

∗ 国家重点基础研究发展计划 (批准号: 2011CB301701)、国家高技术研究发展计划 (批准号: 2012AA012202) 和国家自然科学基金

(批准号: 61275065) 资助的课题.
† 通讯作者. E-mail: yudeyu@semi.ac.cn

© 2014 中国物理学会 Chinese Physical Society http://wulixb.iphy.ac.cn

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3 硅基光子集成
近年来, 硅基光子器件得到了迅猛的发展, 如
光栅耦合器 [1−3] 、光开关 [4] 、光延迟线 [5] 、微环滤波
器 [6] 、
调制器 [7] 等, 目前对于这些单元器件的分析、
设计和制作已经相当成熟. 但要实现最终的大规模
光电集成, 构建全光通信系统或者全光互连网络,
我们必须先将这些光子器件组成一个具有某一功
能的系统并实现以光子器件集成为主的硅基光子
集成.
硅基光子集成按材料和制造工艺可分为单片
集成和混合集成两类. 单片集成是目前比较常见
的一类硅基光子集成, 指在同一硅晶圆上利用半
导体制造工艺技术, 使多个相同或不同功能的硅
基光子器件在整体上构成阵列化、模块化的单个芯
片, 以此实现基于硅光子单元的一种或多种光学信
息处理功能, 即同一芯片上光子器件的平面集成.
混合集成主要所要实现的功能目标与单片硅基光
子集成基本相似, 但所用材料通常为多个孤立的
半导体衬底, 且往往包含不同体系的材料, 如 III-V
族半导体材料、铁电体材料、有机聚合物、液晶等,
将这些具有不同功能不同材料的芯片用焊接或键
合技术在物理上组成一个整体而实现一个完整的
功能 [8] .
3.1 单片集成
单片硅基光子集成作为硅光集成的基础, 在较
早之前就引起了人们的重视并开始研究. 2008 年
[9]
美国 Luxtera 公司 研制出世界上首个硅基单片
集成的 4 × 10 Gbit/s 波分复用 (WDM) 光收发器,
拉开了各大研究机构及公司对硅基单片集成研究
的序幕.
[10]
2012 年 GFP 会 议 上, Kotura 公 司
4 × 25 Gbit/s 的 硅 基 光 收 发 模 块, 该 收 发 模 块
集 成 了 锗 -硅 调 制 器 和 锗 光 探 测 器, 可 在 SOI 平
台上四路并行传输, 其性能良好, 在 25 Gbit/s 速
率, 2.5 Vpp 驱 动 偏 压 条 件 下 可 达 到 5.2 dB 的 消
光比.
[11]
与 此 同 时 IBM 公 司 宣布全球首个亚
100 nm 的 CMOS 集 成 纳 米 光 子 技 术, 将 硅 纳 米
光子元器件 (如 WDM 滤波器、锗探测器、硅调制
器, 光 开 关 等) 与 模 拟 混 合 信 号 电 路 单 片 集 成
在一起. 2013 年在 OFC 会议上, IBM 公司 [12] 报
道 了 其 利 用 新 建 立 的 首 个 90 nm CMOS 集 成 硅
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纳米光子技术制 造了单片集成 锗接收机. 该接
收机在 10 Gbit/s 和 25 Gbit/s 下的灵敏度分别是
−13.3 dBm 和 −5.6 dBm, 并且在商业级温度应用
范 围 内 灵 敏 度 代 价 不 超 过 1 dB, 即 便 温 度 升 至
95 ◦ 也不会超过 2 dB, 其光通信链路在 10 Gbit/s
至 28 Gbit/s 是可用的.
2013 年 NTT 公 司 [13] 报 道 其 开 发 出 一 个
22 Gbit/s ×16 信道的 WDM 接收机, 实现了 SiOx
的 阵 列 波 导 光 栅 (AWG) 和 锗 探 测 器 (PD) 的 单
片 集 成, 如 图 1 所 示. 其 光 纤 到 PD 的 响 应 度 为
0.29 A/W, 通道间串扰为 −16 dB, 并在所有 16 路
通道上成功地接收了 22 Gbit/s 的信号. 此外, 他
们 还 用 该 器 件 实 现 了 12.5 Gbit/s 的 信 号 光 长 达
40 km 的远距离传输, 在误码率 10−19 下其灵敏度
为 −6.8 dBm.
Alcatel-Lucent 公司 [14] 报道了一个单片集成
相 干 调 制 器 和 接 收 器 的 硅 光 子 芯 片, 其 可 以 调
制和检测高达 224 Gbit/s 的偏振复用 16-正交幅度
调制的光信号. Delaware 大学等研究机构提出
了 OPSIS-IME 硅光子平台, 并在该平台上集成了
一些无源器件 (如低损耗光栅耦合器和波导) 和
有源器件 (包括 58 GHz 顶层锗增益光电探测器,
45 GHz 高可调性硅微环调制器和 30 GHz 行波马
赫 -曾德尔调制器). 调制器和光电探测器的高带
宽使得平台可以支持 50 Gbit/s 甚至更高的数据
速率 [15] .
在单片集成工艺上比较值得一提的是硅上长
锗工艺. 单片集成里通常会用到硅上锗材料, 比
如硅响应波长较短, 不到 1.1 µm, 因此对于探测
1550 nm 等波段一般要用到锗探测器 [16−20] . 同时
锗基晶体管对于今后的硅基光电集成也是十分有
益的. 此外也有人提出利用硅基上锗应变来改变
锗的带隙结构, 使其成为直接带隙材料而能够发
推出了
光 [21−23] . 可见不论是在现在的探测器, 还是今后
的硅基光电集成或 IV 族材料发光上, 硅基上生长
锗都是一个重要课题. 但由于它们之间存在 4% 的
晶格失配, 锗生长过程中会在晶格内产生缺陷而形
成非辐射复合中心, 进而降低器件性能. 于是有人
用低温下两步生长锗的方法来生长锗, 其中低温
锗作为缓冲层以减少缺陷 [24] . 在 2013 年 GFP 会议
上, 有很多研究机构报道了其利用相关的硅基上锗
外延工艺制作了硅上锗器件, 如 NTT 公司 [17] 生长
锗探测器的方法是先用超高真空气相沉积, 然后
900 ◦ C 下退火而成, 其结构示意图如图 2 所示.
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3.2 混合集成 制作相互独立的优点而在硅基光子集成中占据一

席之地. 同时它也极大地拓宽了硅基光子集成的
随着硅基光子集成的逐步发展以及人们对硅 发展空间, 使硅基光子集成系统在技术进步方面获
基光子集成的需求不断提升, 单纯的单片硅基光子 得了新动力. 特别是在硅基发射模块中, 由于间接
集成已经不能够满足人们的需求. 与此同时, 混合 带隙的硅难以发光, 因此在发光模块中通常会与
硅基光子集成以其实现途径简便灵活及器件间的 III-V 族或其他材料混合集成.

(a) А஥ࡇࠪ
ᣁ૱٨

Siฉ࠮

(Fଊ฾٨

50 mm
16 ᤰ᥋

9.8 mm
SiOx AWG

G S G

(F
ଊ฾٨᫼ѵ

100
0 (b) (c)

-2 10-1
‫־‬ऄए/ASW-1
‫־‬ऄ/dB

-4
10-2

-6
10-3
-8

-10 10-4
108 109 1010 1540 1545 1550 1555 1560 1565
ᮠဋ/Hz ฉ᫂/nm

图1 (a) AWG 顶视图; (b) 锗探测器频响特性; (c) AWG-PD 的响应光谱

Si ฉ࠮

G S G 种可控键合的方法和自对准工艺用于基于硅上光
Ge Լ᭧
SiO2 Al Ti/TiN 互连的 III-V 族材料, 并证实了用该方法实现的微
盘激光器无论在阈值电流还是斜率效率上都达到
Al n-Siଌᝏࡏ
Ge(1 mm)
了令人满意的程度. 在这个新方法中, 除了检测台

n-Ge
的刻蚀外, 激光器和探测器的所有加工步骤都是同
p-Si
时进行的. 2013 年上海微系统信息技术研究所的
BOX Siฉ࠮

Wang 等 [27] 也就此方案的散热部分提出了优化结
Si ᛮअ 构设计. 他们在微盘中引入导热性良好的多晶硅,
(b)
使有源层直接与高导热性的多晶硅接触, 仿真结果
(a)
显示热阻降低了 64%, 连续波输出功率提高了 5.7
图2 (a) 锗探测器横截面图; (b) 锗探测器概观
倍, 这将会大幅提高混合微盘激光器的激光性能.
2007 年, 比 利 时 根 特 大 学 的 Campenhout 2010 年, Intel 公司 [28] 报道了一种世界上首次
等 [25] 利 用 SOI 上 键 合 InP 的 方 法 研 究 了 基 于 硅 集成了硅基混合光源的 50 Gbit/s 硅基光子链路,
平台的超紧凑异质集成 InP 微盘激光器, 其阈值 用 4 路波分复用实现了 4 × 12.5 Gbit/s 的传输速
电流为 0.6 mA, 最大单向连续波输出功率为 7 µW. 率. 2011 年, Kurczveil[29] 研制出世界上首个混合
2013 年, 该研究小组的 Spuesens 等 [26] 又提出将一 III-V/Si 的 AWG 激光器, 其信道间隔为 360 GHz,

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阈值电流范围从 113—147 mA, 光纤的输出功率为 测器和硅光波导集成在单一的硅衬底上做成光学

−23 dBm 到 −14.5 dBm. 插板, 如图 5 所示, 并用其实现了 12.5 Gbit/s 的无
2013 年 OFC 会议和 GFP 会议上, 也有关于硅 差错数据传输和 6.6 Tbit/s·m2 透射密度. 其中大
基光电集成方面的进展报道. 法国阿尔卡特朗讯 规模集成电路 (LSI) 芯片用倒装焊技术安装在插
贝尔实验室的 Liepvre 等 [30] 利用键合技术制作了 板上, 并与调制器和探测器电学相连, 整个系统不
硅上 III-V 的 AWG 激光器, 5 个信道的波长间隔为 存在光信号从外界输入和输出的问题.
392 GHz, 阈值电流约 40 mA, 最大输出功率约为
А͜ᣥ‫ښ‬
3 dBm, 其原理图和制作图如图 3 所示. ***-7ెந
4J
ฉ࠮
硅基混合集成除了用在发光模块之外, 在接收 ࣋ઢಫԦ
༏А
模块中也可应用. TeraXion 公司和 McGill 大学 [31] ᣥѣ
࠱᪫
R2 ˀՏฉ᫂ᄊА‫ܙ‬ᄞᦊѬ

报道了超小型基于硅混合集成的相干接收机, 其
AWG
中的接收模块是直接用现成的光电二极管阵列通
‫ۇ‬ᄰАಕᏹՌ
过倒装焊键合到芯片上. 用单信道和 WDM 传输
(a) ࣋ઢಫԦ࠱᪫
R1
测试证实其实现了偏振复用正交相移键控调制下
28 Gbaud 的 4800 km 传输. 其核心部件非常紧凑,
仅 6 mm × 8 mm.

4 光电集成
硅基光子集成之后的下一步目标是硅基光电
集成, 不仅将光子器件集成在一个模块上, 还要包
括电子器件. 相比于光子集成, 光电集成要求更高. 200 mm

目前光电集成多用于集成有源光子器件和其外部 (b)

驱动电路. 图3 (a) AWG 激光器的原理图; (b) AWG 激光器的制作图

2013 年 Luxtera 公司 [32] 提出用硅光子学实现

此外, Rakowski 等 [34] 报道了倒装芯片封装的
光互连应用中的光电一体化集成. 他们将芯片分为
CMOS 基于环的光子发射器, 将硅环调制器、硅光
光子芯片和电子芯片, 用微小铜柱将两个芯片倒装
子发射器集成在一个芯片内, 而差分驱动电路倒
焊粘连到一起, 如图 4 所示. 这里 MZI 为马赫 -曾德
装焊在光子芯片上, 其功耗低至 340 fJ/bit, 并且在
尔干涉仪. 以铜柱作为光学器件与电学驱动器件之
10 Gbit/s 时仍能获得清晰的眼图.
间的连接元件可以充分减小电容的寄生效应. 这样
做不仅保持了光子芯片和电子芯片各自的优势, 也
保证了其应有的可扩展性以应对未来的数据速率 5 本课题组研究进展
和功耗要求.
2013 年 日 本 PECST 研 究 所 的 Urino 等 [33] 将 在光子集成方面, 近年来本课题组也做了大量
阵列激光二极管 (LD)、
光分束器、硅光调制器、
锗探 研究. 比如在单片集成上, 2012 年提 出了一个 基于

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Аߕᔇྟ Аଊ฾٨ (b)

(a)

图4 (a) 电学驱动的集成电路芯片通过铜柱倒装焊键合到光子芯片的示意图; (b) 两芯片通过铜柱键合的横截面示意图

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LSI

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༏А٨ᬈѵᔇྟ ψᜉཝག LDࣱԼ

LSI

ᆪ۳Аฉ࠮

LSI LSI ༏А٨ LSI

LSI 芯片
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౏ᒭ
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ᄊηՂ ͜᤟ፌ
-4*
ᄊηՂ

图5 用于片间互连的光电系统的概念模型

微环调制的 WDM 调制器 [35] , 并且已经在实验上 收模块芯片的响应度明显低于直接封装探测器的

实现了 4 × 50 Gbit/s 的调制, 这也表明了其在片上 结果, 通过对比可以计算出光栅耦合器到探测器间
光互连中实现 Tbit/s 传输速率的巨大潜力. 的耦合损耗约为 4 dB. 损耗大的原因是两者存在较
此前提出并设计制作了交趾型结构的反向 pn 大折射率差, 反射损耗大, 同时倒装焊点对光信号
结调制器来提高调制效率 [36−39] . 为了优化该调 有吸收作用, 通过在两者间加入折射率匹配层以及
制器性能, 将交趾型结构改为锯齿型, 减小其电容, 优化电极结构和位置可以改善耦合损耗问题.
从而改善其频响特性, 使得调制器电学带宽高达
51 GHz. 为实现 WDM 功能, 将 4 个微环调制器集 (a)

成在一起, 总面积仅为 0.5 mm , 其结构示意图如 2

λ λ
图 6 (a) 所示.
实验测得的光传输谱和眼图如图 6 (b) 所示, λ λ
信道间隔符合设计值 (1.4 nm), 同时得到了消光
比 在 5.3—6.1 dB 之 间 情 况 下 的 清 晰 眼 图. 当 驱
动 电 压 减 小 到 3 V, 调 制 速 度 为 50 Gbit/s 时, 得
到的消光比为 4 dB, 功耗为 90 fJ/bit. 总功耗在 −15
(b)
100 Gbit/s 下小于 30 mW. −20
АҪဋ/dBm

对于混合集成, 本课题组也做了很多相关工
−25
λ λ λ λ
作. 我们提出了一种在 SOI 衬底上混合集成 III-V
−30
族有源器件的硅基光互连接收模块的设计方法 [40] ,
将商用 InGaAs 光电探测器通过倒装焊工艺键合在 −35

SOI 芯片上, 并利用光栅耦合器将光从波导耦合进 1519 1520 1521 1522 1523 1524

ฉ᫂/nm
光电探测器, 测试结果显示其得到了 4 dB 的耦合
损耗和 1 Gbit/s 的数据传输速率. 其三维设计原理 图6 (a) WDM 调制器示意图; (b) 实验测得的光传输
谱, 内插图为 50 Gbit/s 下测得的眼图
图和横截面图如图 7 所示, 光纤与垂直轴线固定成
10◦ 夹角, 这样具有最高的耦合效率. 对于频响特性的测试显示直接封装探测器的
分别对直接封装的探测器和最终接收模块芯 3 dB 带宽约为 1.5 GHz, 而接收模块芯片的带宽约
片进行静态和动态测试. 对光响应度的测试显示接 为 1 GHz, 可见其主要是受限于探测器自身的带

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宽, 同时引线键合和倒装焊工艺也对其性能产生了 参考文献
影响. [1] Zhu Y, Xu X J, Li Z Y, Zhou L, Han W H, Fan Z C, Yu
Аଊ฾٨
Y D, Yu J Z 2010 Chin. Phys. B 19 014229
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(b)
 版社) 第 404 页]
图7 (a) 硅基光互连接收模块的三维原理图; (b) 硅基 [9] Pinguet T, Analui B, Balmater E, Guckenberger D, Har-
光互连接收模块横截面图 rison M, Koumans R, Kucharski D, Liang Y, Masini G,
Mekis A, Mirsaidi S, Narasimha A, Peterson M, Rines
D, Sadagopan V, Sahni S, Sleboda T J, Song D, Wang
6 结 论 Y, Welch B, Witzens J, Yao J, Abdalla S, Gloeckner S,
Dobbelaere P D 2008 Group IV Photonics Conference
近年来, 在光通信和光互连日益发展的大环 Cardiff, UK, September 17–19, 2008 p362
境下, 多家研究机构和公司都在硅基光子集成上 [10] Jater S, Malinge Y, Zhou Z, Liang H, Liao S, Li Z,
Bushyakanist C, Lee D C, Shafiiha R, Luff J, Feng D
以追求其更高性能做了大量研究工作. 可以看到,
Z, Asghari M 2012 Group IV Photonics Conference San
硅基光子集成已经是光通信和光互连领域中发展 Diego, USA, August 29–31, 2012 p159
的大趋势, 并且现在对光子集成有如下要求: 同 [11] Assefa S, Shank S, Green W, Khater M, Kiewra E, Rein-
holm C, Kamlapurkar S, Rylyakov A, Schow C, Horst
光纤通信类似, 光互连的波长由光波导波长来优
F, Pan H P, Topuria T, Rice P, Gill D M, Rosenberg
选. 因此光波导的材料、结构和特性将在光互连应 J, Barwicz T, Yang M, Proesel J, Hofrichter J, Offrein
用中处于决定性的位置. 显然, 1.55 µm 和 1.3 µm B, Gu X X, Haensch W, Monaghan J E, Vlasov Y 2012
波段具有许多优势; 目前电互连中电子器件的速 International Electron Devices Meeting San Francisco,
USA, December 10–13, 2012 p33.8.1
率为 10 Gbit/s, 下一步对器件的需求是 100 Gbit/s
[12] Assefa S, Pan H, Shank S, Green W M J, Rylyakov A,
的超高速率. 光互连的超高速率目标为 2015 年 Schow C, Khater M, Kamlapurkar S, Kiewra E, Rein-
和 2022 年 总 的 I/O 速 率 将 分 别 达 到 82 Tbit/s 和 holm C, Topuria T, Rice P, Baks C, Vlasov Y 2013 Op-
tical Fiber Communications Conference Anaheim, USA,
230 Tbit/s; 为 实 现 低 功 耗, 要 求 片 外 总 能 量 为
March 17–21, 2013 OM2H.4
50—170 fJ/bit, 器件能耗为 10—30 fJ/bit, 片上总 [13] Nishi H, Kou R, Hiraki T, Tsuchizawa T, Fukuda H,
能耗为 10—30 fJ/bit, 器件能量为 2—6 fJ/bit. 这 Ishikawa Y, Wada K, Yamada K 2013 Optical Fiber

些指标比当前的器件功耗水平低 3—5 个数量级; Communications Conference Anaheim, USA, March

17–21, 2013 OM2J.4
硅光子学中成熟的 CMOS 工艺提供了极好的技术 [14] Dong P, Liu X, Chandrasekhar S, Buhl L L, Aroca R,
基础, 因此应用 CMOS 工艺制造光子集成回路是 Baeyens Y, Chen Y K 2013 Optical Fiber Communi-
最佳的选择和必由之路. 基于这些要求, 下一步硅 cations Conference Anaheim, USA, March 17–21, 2013
PDP5C.6
基光子的发展趋势将是更高速率、更低功耗以及更
[15] Novack A, Liu Y, Ding R, Gould M, Jones T B, Li Q,
集成化. 作为集成工作的基础研究, 目前人们对于 Yang Y, Ma Y J, Zhang Y, Padmaraju K, Bergmen K,
硅基光子集成方面的研究工作仍然比较多. 下一步 Lim A E J, Lo G Q, Hochberg M 2013 Group IV Pho-
tonics Conference Seoul, Korean, August 28–30, 2013
研究工作将不仅局限于硅基单片集成, 而要逐渐扩
p7
展到硅基混合集成和硅基光电集成, 并且日后硅基 [16] Intermite G, Warburton R E, Myronov M, Allred P,
光电集成将作为硅基光子学发展的更高目标. Leadley D R, Gallacher K, Paul D J, Pilgrim N J, Lever

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REVIEW

Research progress of silicon-based photonic integration∗

Zhou Pei-Ji Li Zhi-Yong Yu Yu-De† Yu Jin-Zhong

(State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences,
Beijing 100083, China)

( Received 29 November 2013; revised manuscript received 8 January 2014 )

Abstract
The research progress of the silicon-based photonic integration in the world and the results of our group in recent
years are reported in this paper, including exploration of design and improvement on process of the optical transceiver
modules, III-V/silicon lasers and other integrated photonics. The silicon photonics is predicted to have a great prospect
in many fields due to its good compatibility with complementary metal oxide semiconductor technology. It is concluded
that the trend of photonic integration on silicon substrate is toward high data rate, low power consumption and large
integration density, and the silicon based photonic integration will become a main research subject of silicon photonics
in the future.

Keywords: silicon photonics, integrated photonics, photonic integrated circuits, optoelectronic integra-
tion
PACS: 42.82.–m, 42.82.Et, 42.79.Sz, 42.79.Hp DOI: 10.7498/aps.63.104218

* Project supported by the State Key Development Program for Basic Research of China (Grant No. 2011CB301701), the
National High Technology Research and Development Program of China (Grant No. 2012AA012202), and the National
Natural Science Foundation of China (Grant No. 61275065).
† Corresponding author. E-mail: yudeyu@semi.ac.cn

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