ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI ĐỀ THI GIỮA KỲ 2023.

2
TRƯỜNG ĐIỆN – ĐIỆN TỬ Học phần: EE3410 – Điện tử công suất
Ngày thi: 29/05/2023
Đề số: 01 Tổng số trang: 1 Thời gian làm bài: 90 phút
(Không sử dụng tài liệu. Nộp đề thi cùng với bài
làm)
Ký Trưởng nhóm/Giảng viên phụ trách HP: Khoa phụ trách HP: Khoa Tự động hóa
duyệt

Câu 1 (3 điểm). Cho sơ đồ chỉnh lưu điôt cầu một pha dùng điôt như trên Hình 1, tải thuần trở R. U 1 = 220
V, f = 50 Hz. Phía chỉnh lưu yêu cầu: Ud = 48 V; Pd = 500 W.

Hình 1 Sơ đồ chỉnh lưu cầu một pha. Hình 2 Đặc tính tuyến tính hóa của điôt.

1.1 (1,5 điểm) Coi các phần tử trên sơ đồ là lý tưởng (máy biến áp và các điôt), hãy tính toán các thông
số cơ bản của sơ đồ chỉnh lưu này.
1.2 (0,5 điểm) Hãy chứng tỏ điôt VS-20ETS12THM3 hoặc VS-20ATS12HM3 của hãng Vishay (Tài
liệu kỹ thuật đính kèm) có thể sử dụng được cho ứng dụng trên.
1.3 (1 điểm) Từ những đặc tính về điện của điôt (Electrical specifications) điền các thông số vào đặc
tính V-A tuyến tính hóa của điôt, trên cơ sở đó hãy tính toán tổn hao khi dẫn của các điôt trong sơ
chỉnh lưu đã cho.

Hình 3 Sơ đồ chỉnh lưu cầu ba pha.

1|Page
Câu 2. (4,5 điểm) Cho sơ đồ chỉnh lưu cầu 3 pha như trên Hình 3, nối trực tiếp với lưới điện hạ thế
3X220/380 V, 50 Hz.
La = 2,5 mH; R = 1,2 Ω; L = ;
Ed = 300 V,  = 30.
2.1 (1,5 điểm) Hãy tính toán các giá trị Ud, Id, góc chuyển mạch .
2.2 (0,5 điểm) Từ (2.1) hãy vẽ các dạng điện áp ud, dạng dòng điện iV1 và dạng điện áp trên van uV1.
2.3 (1,5 điểm) Khi Ed = -300 V, năng lượng được đưa trả về lưới với dòng I d = 25 A. Hãy xác định góc
điều khiển , góc chuyển mạch  và công suất đưa trả về lưới điện trong trường hợp này.
2.4 (1 điểm) Khi chuyển sang chế độ nghịch lưu phụ thuộc sơ đồ sẽ làm việc với dòng không đổi I d =
20 A và góc khóa của van ít nhất là min = 9 (ứng với trr = 500s). Hãy xác định góc αmax.

Câu 3: (2,5 điểm)

Hình 4 Đặc tính kỹ thuật của IGBT của hãng Vishay, SiHFPS40N50L.

2|Page
Hình 5 Đồ thị xác định giá trị tụ CGD=Crss(VDS) (Từ đặc tính kỹ thuật của nhà sản xuất Vishay, SiHFPS40N50L)

Vdr
VGS(plateau)
VGS(t)
IG(on) Mức Miller
VGS(th)
IG(off)
0 t

VDS(t)
Vg

IDS(t) IL

0 t
tr tfu tru tf

Hình 6 Đồ thị tuyến tính hóa gần đúng quá trình đóng cắtcủa MOSFET cho tải điện cảm.

3|Page
 Câu 3: (2,5 điểm) Từ các Hình 4, 5, 6, 7
hãy xác định:
3.1 (1,5 điểm) Tổn hao công suất trong
quá trình đóng cắt khi sử dụng
Vishay, SiHFPS40N50L, cho ứng
dụng VDS = 400 VDC, IL = 20 A,
Vdr=0 – 10 V, tần số đóng cắt fsw = 50
kHz bằng phương pháp gần đúng theo
đồ thị hình 6.
3.2 (1 điểm) Tính toán công suất cho
mạch Driver cho MOSFET với giả
thiết RG = 1,85  (RG=Rgint+Rgext), VGS
= 0 – 10 V, Các thông số khác liên
quan đến điều khiển hãy tùy chọn cho
phù hợp. (Lưu ý hãy sử dụng công
thức tính tụ ký sinh từ các thông số
Hình 7 Đặc tính điện tích nạp vào cực điều khiển Qg của nhà sản xuất:
theo điện áp giữa cực điều khiển và cực gốc, Vishay, CGD=CRSS; CGS=CISS-CRSS, CDS=COSS-
SiHFPS40N50L CRSS)

4|Page
5|Page